JPH0118496B2 - - Google Patents
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- JPH0118496B2 JPH0118496B2 JP58078676A JP7867683A JPH0118496B2 JP H0118496 B2 JPH0118496 B2 JP H0118496B2 JP 58078676 A JP58078676 A JP 58078676A JP 7867683 A JP7867683 A JP 7867683A JP H0118496 B2 JPH0118496 B2 JP H0118496B2
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/232—Manufacture of gap
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、溝構造用磁性基板の製造方法に係
り、磁性基板の溝部に、気泡の発生を防止してガ
ラス層を充填し、かつガラスと基板成分の相互拡
散層の発生を極力少なくし、薄膜ヘツドの電磁気
特性を一層向上させ、かつ製品のばらつきが極め
て少ない溝構造磁性基板の製造方法に関する。
り、磁性基板の溝部に、気泡の発生を防止してガ
ラス層を充填し、かつガラスと基板成分の相互拡
散層の発生を極力少なくし、薄膜ヘツドの電磁気
特性を一層向上させ、かつ製品のばらつきが極め
て少ない溝構造磁性基板の製造方法に関する。
薄膜磁気ヘツドは、近年実用化されつつあり、
ソフトフエライトブロツクを母板として製造され
る従来の磁気ヘツドに比べて、１桁以上もすぐれ
た特性が得られることが知られている。また、こ
の薄膜磁気ヘツドの特性を向上させるため、磁性
薄膜の断面形状をステツプ構造とすることが提案
されている。
ソフトフエライトブロツクを母板として製造され
る従来の磁気ヘツドに比べて、１桁以上もすぐれ
た特性が得られることが知られている。また、こ
の薄膜磁気ヘツドの特性を向上させるため、磁性
薄膜の断面形状をステツプ構造とすることが提案
されている。
しかし、このステツプ構造は、磁気記録媒体の
摺動に対して、強度的に弱いため、磁性基板に非
磁性層を埋設した溝部を形成し、磁気的に磁極対
向距離を大きくし、物理的には平面状とした溝構
造磁性基板を使用する薄膜磁気ヘツドが提案さ
れ、非磁性層には一般にガラスが使用されてい
る。
摺動に対して、強度的に弱いため、磁性基板に非
磁性層を埋設した溝部を形成し、磁気的に磁極対
向距離を大きくし、物理的には平面状とした溝構
造磁性基板を使用する薄膜磁気ヘツドが提案さ
れ、非磁性層には一般にガラスが使用されてい
る。
Mn−Znフエライト、Ni−Znフエライト等の
磁性基板面上に溝状にガラス層を埋設する方法と
して、該基板面に形成した少なくとも１条の溝部
内に、板状カラスを配置し、ガラス粘性が104〜
105poiseとなる温度に加熱して充填し、非磁性層
とする方法がある。しかし、この方法では形成さ
れたガラス層に気泡が生成しやすく、磁性基板に
Mn−Znフエライトを使用すると、基板溝表面と
ガラスとの接触部において、基板成分とガラス成
分との相互拡散層が生成される問題があつた。
磁性基板面上に溝状にガラス層を埋設する方法と
して、該基板面に形成した少なくとも１条の溝部
内に、板状カラスを配置し、ガラス粘性が104〜
105poiseとなる温度に加熱して充填し、非磁性層
とする方法がある。しかし、この方法では形成さ
れたガラス層に気泡が生成しやすく、磁性基板に
Mn−Znフエライトを使用すると、基板溝表面と
ガラスとの接触部において、基板成分とガラス成
分との相互拡散層が生成される問題があつた。
薄膜磁気ヘツドの製造において、基板にガラス
層を形成したのち、精密研摩加工したガラス層上
に、Ｉ・Ｃテクノロジーを用いて磁気回路となる
数種の薄膜が形成されるが、かかるガラス層に気
泡が生成されると、露出した気泡により磁気回路
が断線したり、あるいは絶縁不良となつたり、磁
気特性にばらつきを生じたり、また、該気泡数に
よつてヘツド製造時の製品歩留りが大きく左右さ
れ、品質管理上も大きな問題となつている。
層を形成したのち、精密研摩加工したガラス層上
に、Ｉ・Ｃテクノロジーを用いて磁気回路となる
数種の薄膜が形成されるが、かかるガラス層に気
泡が生成されると、露出した気泡により磁気回路
が断線したり、あるいは絶縁不良となつたり、磁
気特性にばらつきを生じたり、また、該気泡数に
よつてヘツド製造時の製品歩留りが大きく左右さ
れ、品質管理上も大きな問題となつている。
また、薄膜ヘツドの磁気回路における溝部の基
板とガラス層との境界となるエイペツクス点は、
薄膜ヘツドのギヤツプ深さを決める基準点とな
り、このギヤツプ深さによりヘツド入出力が大き
く影響を受けるが、基板の溝部とガラス層との接
触面に形成される相互拡散層の厚みにより、エイ
ペツクス点にばらつきを生じ、ギヤツプ深さが変
動して電磁気特性にばらつきを生じる問題があつ
た。
板とガラス層との境界となるエイペツクス点は、
薄膜ヘツドのギヤツプ深さを決める基準点とな
り、このギヤツプ深さによりヘツド入出力が大き
く影響を受けるが、基板の溝部とガラス層との接
触面に形成される相互拡散層の厚みにより、エイ
ペツクス点にばらつきを生じ、ギヤツプ深さが変
動して電磁気特性にばらつきを生じる問題があつ
た。
この発明は、基板溝部に充填するガラスの気泡
を減少させ、磁性基板のガラスとの相互拡散層が
少ない溝構造磁性基板の製造方法の提供を目的と
している。
を減少させ、磁性基板のガラスとの相互拡散層が
少ない溝構造磁性基板の製造方法の提供を目的と
している。
すなわち、この発明は、磁性基板面に形成した
少なくとも１条の溝部内に、ガラスをガラス粘性
が106poise〜108poiseとなる温度に加熱して圧入
充填し、その後該磁性基板を上記ガラスのガラス
粘性が106poiseとなる温度以下の温度条件で、熱
間静水圧プレス処理することにより、充填したガ
ラス内の大きさ1μｍ以上の気泡数が１ケ／mm2以
下で、かつ、磁性基板と該ガラスとの相互拡散層
が5μｍ以下である溝構造磁性基板を得る製造方
法である。
少なくとも１条の溝部内に、ガラスをガラス粘性
が106poise〜108poiseとなる温度に加熱して圧入
充填し、その後該磁性基板を上記ガラスのガラス
粘性が106poiseとなる温度以下の温度条件で、熱
間静水圧プレス処理することにより、充填したガ
ラス内の大きさ1μｍ以上の気泡数が１ケ／mm2以
下で、かつ、磁性基板と該ガラスとの相互拡散層
が5μｍ以下である溝構造磁性基板を得る製造方
法である。
この発明により得られた薄膜磁気ヘツド用溝構
造磁性基板において、充填したガラス内の1μｍ
以上の大きさの気泡数を１ケ／mm3以下に限定し
た理由は、これを越える気泡がガラス層内に存在
すると、ガラス層面に磁気回路を構成するために
基板面を精密研摩加工したとき、ガラス表面に気
泡が露出して磁気回路の断線あるいは磁気特性の
ばらつきの原因となり、製品の品質管理上で大き
な問題となり、製品歩留りの低下を招来するた
め、充填したガラス内の大きさ1μｍ以上の気泡
数を１ケ／mm3以下とする。
造磁性基板において、充填したガラス内の1μｍ
以上の大きさの気泡数を１ケ／mm3以下に限定し
た理由は、これを越える気泡がガラス層内に存在
すると、ガラス層面に磁気回路を構成するために
基板面を精密研摩加工したとき、ガラス表面に気
泡が露出して磁気回路の断線あるいは磁気特性の
ばらつきの原因となり、製品の品質管理上で大き
な問題となり、製品歩留りの低下を招来するた
め、充填したガラス内の大きさ1μｍ以上の気泡
数を１ケ／mm3以下とする。
また、この発明による薄膜磁気ヘツド用溝構造
磁性基板において、磁性基板と該ガラスとの相互
拡散層が5μｍを越える場合、基板の溝部とガラ
ス層との接触面に形成される相互拡散層の厚みに
より、エイペツクス点位置にばらつきを生じ、ギ
ヤツプ深さが変動して電磁気特性にばらつきを生
じるため、磁性基板と該ガラスの相互拡散層を
5μｍ以下とする。
磁性基板において、磁性基板と該ガラスとの相互
拡散層が5μｍを越える場合、基板の溝部とガラ
ス層との接触面に形成される相互拡散層の厚みに
より、エイペツクス点位置にばらつきを生じ、ギ
ヤツプ深さが変動して電磁気特性にばらつきを生
じるため、磁性基板と該ガラスの相互拡散層を
5μｍ以下とする。
上記の本発明による溝構造磁性基板を製造する
方法を具体的に説明すると、第１図の薄膜磁気ヘ
ツドの断面図に示す如く、磁性基板１に、機械的
加工あるいはフオトエツチング方法等で溝部２を
形成し、この溝部２にガラス粘性が106poise〜
108poiseとなる温度に加熱したガラスを圧入充填
してガラス層３を形成し、その後該磁性基板１を
上記ガラスのガラス粘性が106poiseとなる温度以
下の温度条件で、熱間静水圧プレス処理し、この
発明による磁性基板に仕上げる。
方法を具体的に説明すると、第１図の薄膜磁気ヘ
ツドの断面図に示す如く、磁性基板１に、機械的
加工あるいはフオトエツチング方法等で溝部２を
形成し、この溝部２にガラス粘性が106poise〜
108poiseとなる温度に加熱したガラスを圧入充填
してガラス層３を形成し、その後該磁性基板１を
上記ガラスのガラス粘性が106poiseとなる温度以
下の温度条件で、熱間静水圧プレス処理し、この
発明による磁性基板に仕上げる。
この発明により、得られた溝構造磁性基板は、
溝部のガラス層内の気泡がなく、かつガラスと基
板成分の相互拡散層の厚みが極めて少ない磁性基
板である。
溝部のガラス層内の気泡がなく、かつガラスと基
板成分の相互拡散層の厚みが極めて少ない磁性基
板である。
ついで、磁性基板１面を精密に平面研摩し、ガ
ラス層３上及び磁性基板１上に、スツタリングあ
るいは蒸着法等の薄膜形成方法により、導体層
４、絶縁層１０、磁性体層５、低融点ガラス層
６、非磁性体層７を被着して薄膜パターンを形成
し、薄膜磁気ヘツドを構成する。なお、８はギヤ
ツプ部、９はエイペツクス点である。
ラス層３上及び磁性基板１上に、スツタリングあ
るいは蒸着法等の薄膜形成方法により、導体層
４、絶縁層１０、磁性体層５、低融点ガラス層
６、非磁性体層７を被着して薄膜パターンを形成
し、薄膜磁気ヘツドを構成する。なお、８はギヤ
ツプ部、９はエイペツクス点である。
この発明による溝構造磁性基板の製造方法にお
いて、溝部にガラスを充填する温度として、充填
するガラスのガラス粘性が106poise未満となる温
度では、温度が高すぎるため、ガラス層成分と磁
性基板成分との相互拡散反応が進行して拡散層が
大きくなり、また、上記のガラス粘性が108poise
を越える温度では、溝部内へのガラスの充填、密
着が十分でなく、剥離しやすくなるため、ガラス
粘性が106poise〜108poiseとなる温度に加熱する
必要がある。
いて、溝部にガラスを充填する温度として、充填
するガラスのガラス粘性が106poise未満となる温
度では、温度が高すぎるため、ガラス層成分と磁
性基板成分との相互拡散反応が進行して拡散層が
大きくなり、また、上記のガラス粘性が108poise
を越える温度では、溝部内へのガラスの充填、密
着が十分でなく、剥離しやすくなるため、ガラス
粘性が106poise〜108poiseとなる温度に加熱する
必要がある。
また、溝部へのガラス充填時の圧力は、基板材
質、ガラス質、溝寸法、温度等に応じて適宜選定
すればよい。
質、ガラス質、溝寸法、温度等に応じて適宜選定
すればよい。
熱間静水圧プレス処理は、以下の処理条件が好
ましい。すなわち、処理温度温度は、充填したガ
ラスのガラス粘性が106poiseとなる温度を越える
と、ガラス層成分と磁性基板成分との相互拡散反
応が活発になり、拡散層が5μｍを越えるため、
該ガラス粘性が106poiseとなる温度以下が好まし
い。処理圧力は、10気圧以上、2000気圧以下の圧
力が、ガラス内の気泡消滅及び作業能率上好まし
い。なお、処理時に、還元防止のため、例えば、
磁性基板を基板と同組成の粉末内に埋入して処理
するのもよい。
ましい。すなわち、処理温度温度は、充填したガ
ラスのガラス粘性が106poiseとなる温度を越える
と、ガラス層成分と磁性基板成分との相互拡散反
応が活発になり、拡散層が5μｍを越えるため、
該ガラス粘性が106poiseとなる温度以下が好まし
い。処理圧力は、10気圧以上、2000気圧以下の圧
力が、ガラス内の気泡消滅及び作業能率上好まし
い。なお、処理時に、還元防止のため、例えば、
磁性基板を基板と同組成の粉末内に埋入して処理
するのもよい。
また、この発明における磁性基板は、Mn−Zn
フエライト、Ni−Znフエライトのいずれのソフ
トフエライトであつても使用できるが、特に、
Mn−Znフエライトは高温になると酸素と反応し
やすく、化学的に不安定であり、ガラス成分と反
応してその接触面に相互拡散層を形成しやすいた
め、Mn−Znフエライト基板にこの発明を適用す
る場合特に効果が大きい。
フエライト、Ni−Znフエライトのいずれのソフ
トフエライトであつても使用できるが、特に、
Mn−Znフエライトは高温になると酸素と反応し
やすく、化学的に不安定であり、ガラス成分と反
応してその接触面に相互拡散層を形成しやすいた
め、Mn−Znフエライト基板にこの発明を適用す
る場合特に効果が大きい。
また、この発明に使用するガラスは、ソーダ石
灰系ガラス、ソーダバリウム系ガラス、ホウ珪酸
系ガラス等の高融点ガラスのみならず、高鉛系ガ
ラス等の低融点ガラスも使用できる。
灰系ガラス、ソーダバリウム系ガラス、ホウ珪酸
系ガラス等の高融点ガラスのみならず、高鉛系ガ
ラス等の低融点ガラスも使用できる。
なお、ガラスとしては、後工程でのパターン
形成や研削のため、化学的に安定なこと、スパ
ツター、蒸着、フオトエツチング等の工程によ
り、表面からの衝撃を受けたり、高温にさらされ
たりするため、熱的安定かつ熱衝撃に強いこと、
基板の変形や残留歪の発生による基板の磁気特
性の劣化を低減するため、基板と近似する熱膨張
係数を有すること、基板上のパターンを保護す
るため、低融点ガラスにより保護被膜を形成する
必要があり、融点ガラスの被着温度500℃以上の
耐熱性を有すること、薄膜ヘツドに加工する際
に、チツピング、割れ、かけ等が少ないこと、等
の諸性質を具備する必要があり、ガラスとして
は、650℃以上の軟化点を有する高融点ガラスが
望ましい。
形成や研削のため、化学的に安定なこと、スパ
ツター、蒸着、フオトエツチング等の工程によ
り、表面からの衝撃を受けたり、高温にさらされ
たりするため、熱的安定かつ熱衝撃に強いこと、
基板の変形や残留歪の発生による基板の磁気特
性の劣化を低減するため、基板と近似する熱膨張
係数を有すること、基板上のパターンを保護す
るため、低融点ガラスにより保護被膜を形成する
必要があり、融点ガラスの被着温度500℃以上の
耐熱性を有すること、薄膜ヘツドに加工する際
に、チツピング、割れ、かけ等が少ないこと、等
の諸性質を具備する必要があり、ガラスとして
は、650℃以上の軟化点を有する高融点ガラスが
望ましい。
以下に、この発明による実施例を説明する。
表面を精密仕上げした25mm×25mm×１mm寸法の
Mn−Znフエライト基板上に、幅0.15mm×深さ
0.03mm×長さ25mmの溝を３本、機械的加工で形成
し、この溝部に溝部とぼ同寸法の箔状高融点ガラ
ス（商品名、0080ガラス、コーニング社製造、ソ
ーダ石灰系ガラス、熱膨張係数数93.5×10-7／
℃、軟化点696℃、作業点1005℃）を挿入し、窒
素雰囲気中で、荷重0.1Kg／mm2を付加しながら、
ガラス粘性が107poiseとなる温度、すなわち750
℃に加熱し、溝部に高融点ガラスによるガラス層
を形成した。
Mn−Znフエライト基板上に、幅0.15mm×深さ
0.03mm×長さ25mmの溝を３本、機械的加工で形成
し、この溝部に溝部とぼ同寸法の箔状高融点ガラ
ス（商品名、0080ガラス、コーニング社製造、ソ
ーダ石灰系ガラス、熱膨張係数数93.5×10-7／
℃、軟化点696℃、作業点1005℃）を挿入し、窒
素雰囲気中で、荷重0.1Kg／mm2を付加しながら、
ガラス粘性が107poiseとなる温度、すなわち750
℃に加熱し、溝部に高融点ガラスによるガラス層
を形成した。
ついで、この基板を、上記の高融点ガラスのガ
ラス粘性が107.5poiseとなる温度、730℃、圧力
100気圧、保持時間１時間の処理条件で熱間静水
圧プレス処理した。
ラス粘性が107.5poiseとなる温度、730℃、圧力
100気圧、保持時間１時間の処理条件で熱間静水
圧プレス処理した。
この発明により得られた溝構造磁性基板のガラ
ス層には大きさ1μｍ以上の気泡は皆無であつた。
ス層には大きさ1μｍ以上の気泡は皆無であつた。
また、比較のため、上記と同一基板に同じ高融
点ガラスを使用し、ガラス粘性が105poiseとなる
温度、すなわち、880℃に加熱して充填したとこ
ろ、ガラス層内の大きさ1μｍ以上の気泡は、25
ケ／mm3以上であつた。
点ガラスを使用し、ガラス粘性が105poiseとなる
温度、すなわち、880℃に加熱して充填したとこ
ろ、ガラス層内の大きさ1μｍ以上の気泡は、25
ケ／mm3以上であつた。
また、上記２種の基板の溝部内におけるガラス
成分と基板成分との相互拡散層の状況を、Ｘ線マ
イクロアナライザーで調べたところ、第２図に示
す結果を得た。すなわち、第２図ｂ図の比較例の
場合は、ガラスと基板成分のFe、Znの相互拡散
層は、Feで12μｍ、Znで10μｍであつたが、第２
図ａ図に示す本発明の場合は、いずれも3μｍ以
下であり、相互拡散層が極めて少ないことがわか
る。
成分と基板成分との相互拡散層の状況を、Ｘ線マ
イクロアナライザーで調べたところ、第２図に示
す結果を得た。すなわち、第２図ｂ図の比較例の
場合は、ガラスと基板成分のFe、Znの相互拡散
層は、Feで12μｍ、Znで10μｍであつたが、第２
図ａ図に示す本発明の場合は、いずれも3μｍ以
下であり、相互拡散層が極めて少ないことがわか
る。
第１図は薄膜磁気ヘツドの断面説明図であり、
第２図は磁性基板の溝部内のガラスと基板成分の
相互拡散状況をＸ線マイクロアナライザーによつ
て測定した結果を示す図表であり、ａ図はこの発
明による場合、ｂ図は比較例の場合である。 １……磁性基板、２……溝部、３……ガラス
層、４……導体層、５……磁性体層、６……低融
点ガラス層、７……非磁性体層、８……ギヤツプ
部、９……エイペツクス点、１０……絶縁層。
第２図は磁性基板の溝部内のガラスと基板成分の
相互拡散状況をＸ線マイクロアナライザーによつ
て測定した結果を示す図表であり、ａ図はこの発
明による場合、ｂ図は比較例の場合である。 １……磁性基板、２……溝部、３……ガラス
層、４……導体層、５……磁性体層、６……低融
点ガラス層、７……非磁性体層、８……ギヤツプ
部、９……エイペツクス点、１０……絶縁層。
Claims (1)
- １ 磁性基板面に形成した少なくとも１条の溝部
内に、ガラスをガラス粘性が106poise〜108poise
となる温度に加熱して圧入充填し、その後該磁性
基板を上記ガラスのガラス粘性が106poiseとなる
温度以下の温度条件で、熱間静水圧プレス処理す
ることを特徴とする溝構造磁性基板の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58078676A JPS59203213A (ja) | 1983-05-04 | 1983-05-04 | 溝構造磁性基板の製造方法 |
| US06/607,137 US4636420A (en) | 1983-05-04 | 1984-05-04 | Grooved magnetic substrates and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58078676A JPS59203213A (ja) | 1983-05-04 | 1983-05-04 | 溝構造磁性基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59203213A JPS59203213A (ja) | 1984-11-17 |
| JPH0118496B2 true JPH0118496B2 (ja) | 1989-04-06 |
Family
ID=13668468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58078676A Granted JPS59203213A (ja) | 1983-05-04 | 1983-05-04 | 溝構造磁性基板の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4636420A (ja) |
| JP (1) | JPS59203213A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60138730A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-23 | Kyocera Corp | 磁気デイスク用基板 |
| DE3681806D1 (de) * | 1985-03-13 | 1991-11-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetkopf. |
| JPS6237915A (ja) * | 1985-08-12 | 1987-02-18 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 溝構造磁性基板の製造方法 |
| JPS6288137A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-22 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 磁気ディスク用基板の製造方法 |
| JPS62120629A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-01 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 磁気ディスク及びその製造方法 |
| US5211734A (en) * | 1989-03-31 | 1993-05-18 | Tdk Corporation | Method for making a magnetic head having surface-reinforced glass |
| US5055957A (en) * | 1989-06-19 | 1991-10-08 | International Business Machines Corporation | Method of making low wear glass for magnetic heads |
| JPH03252906A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-12 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 垂直磁気記録再生薄膜ヘッド |
| US5793578A (en) * | 1996-11-15 | 1998-08-11 | International Business Machines Corporation | Thin film induction recording head having an inset first insulation layer that defines zero throat height and pole tip apex angle |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4999014A (ja) * | 1973-01-29 | 1974-09-19 | ||
| JPS57123516A (en) * | 1981-01-23 | 1982-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin-film magnetic head |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL123062C (ja) * | 1962-05-04 | |||
| US3605258A (en) * | 1968-11-21 | 1971-09-20 | Ferroxcube Corp | Fabrication of recording heads |
| US3795954A (en) * | 1971-11-26 | 1974-03-12 | Honeywell Inf Systems | Method of making a micro-gap magnetic recording head |
| US4048714A (en) * | 1975-06-12 | 1977-09-20 | Huntt Robert L | Glass bonding of manganese-zinc ferrite |
| GB1572049A (en) * | 1977-03-15 | 1980-07-23 | Data Recording Instr Co | Magnetic transducing heads |
| US4182643A (en) * | 1977-07-05 | 1980-01-08 | Control Data Corporation | Method of forming gaps in magnetic heads |
| JPS5827565B2 (ja) * | 1977-09-19 | 1983-06-10 | 松下電器産業株式会社 | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| JPS55125519A (en) * | 1979-03-23 | 1980-09-27 | Hitachi Ltd | Magnetic head |
| JPS5671818A (en) * | 1979-11-12 | 1981-06-15 | Tdk Corp | Manufacture of magnetic head and centrifugal heating furnace used for its manufacture |
-
1983
- 1983-05-04 JP JP58078676A patent/JPS59203213A/ja active Granted
-
1984
- 1984-05-04 US US06/607,137 patent/US4636420A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4999014A (ja) * | 1973-01-29 | 1974-09-19 | ||
| JPS57123516A (en) * | 1981-01-23 | 1982-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin-film magnetic head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4636420A (en) | 1987-01-13 |
| JPS59203213A (ja) | 1984-11-17 |
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