JPH0969205A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0969205A JPH0969205A JP24547895A JP24547895A JPH0969205A JP H0969205 A JPH0969205 A JP H0969205A JP 24547895 A JP24547895 A JP 24547895A JP 24547895 A JP24547895 A JP 24547895A JP H0969205 A JPH0969205 A JP H0969205A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- magnetic
- thin film
- core
- magnetic head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜磁気ヘッドに係り、特に熱処理工程を経
た薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を得ることを目的と
する。 【解決手段】 磁気ギャップ１６を含む磁気回路が、絶
縁層に形成された溝に充填された磁性体よりなる下部コ
ア１２、中間コア３３ａ，３３ｂ、上部コア１３で構成
され、かつ前記各コアの接続面を含む各絶縁層３１ａ，
３１ｂ，３１ｃ，３２の表面が平坦に構成された薄膜磁
気ヘッド３０であって、前記各絶縁層は低融点ガラス材
より構成し、かつ前記各絶縁層の徐冷点以上の温度にて
磁界中熱処理することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
た薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を得ることを目的と
する。 【解決手段】 磁気ギャップ１６を含む磁気回路が、絶
縁層に形成された溝に充填された磁性体よりなる下部コ
ア１２、中間コア３３ａ，３３ｂ、上部コア１３で構成
され、かつ前記各コアの接続面を含む各絶縁層３１ａ，
３１ｂ，３１ｃ，３２の表面が平坦に構成された薄膜磁
気ヘッド３０であって、前記各絶縁層は低融点ガラス材
より構成し、かつ前記各絶縁層の徐冷点以上の温度にて
磁界中熱処理することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドに係
り、特に熱処理工程を経た薄膜磁気ヘッド及びその製造
方法に関する。
り、特に熱処理工程を経た薄膜磁気ヘッド及びその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜磁気ヘッドは、その絶縁層に
ＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＷＯ3 等を使用して
いた。
ＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＷＯ3 等を使用して
いた。
【０００３】次に、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法に
ついて説明する。図４（Ａ）〜（Ｆ）、図５（Ｇ）〜
（Ｋ）は、薄膜磁気ヘッドの製造工程を示した概略断面
図である。図と共に従来の薄膜磁気ヘッドの形成工程を
以下に順次説明する。
ついて説明する。図４（Ａ）〜（Ｆ）、図５（Ｇ）〜
（Ｋ）は、薄膜磁気ヘッドの製造工程を示した概略断面
図である。図と共に従来の薄膜磁気ヘッドの形成工程を
以下に順次説明する。
【０００４】（ 第１の工程 図４（Ａ） ）基板１１
上に、例えば、ＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＷＯ
3 等の下部絶縁層５１ａを真空薄膜成形技術により、略
１〜１０μｍ形成し、フォトリソグラフィとエッチング
法により、後述する下部コア１２形成用の溝１２ａを形
成する。
上に、例えば、ＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＷＯ
3 等の下部絶縁層５１ａを真空薄膜成形技術により、略
１〜１０μｍ形成し、フォトリソグラフィとエッチング
法により、後述する下部コア１２形成用の溝１２ａを形
成する。
【０００５】（ 第２の工程 図４（Ｂ） ）次に、例
えば、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等を主成分とした磁性体を、真
空薄膜成形技術やメッキ等により、前記溝１２ａよりも
厚く成膜し、余分に成膜された磁性層は研磨除去し、下
部絶縁層５１ａと段差がなく、上面が平坦な下部コア１
２を形成する。
えば、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等を主成分とした磁性体を、真
空薄膜成形技術やメッキ等により、前記溝１２ａよりも
厚く成膜し、余分に成膜された磁性層は研磨除去し、下
部絶縁層５１ａと段差がなく、上面が平坦な下部コア１
２を形成する。
【０００６】（ 第３の工程 図４（Ｃ） ）下部コア
１２を含む平坦な下部絶縁層５１ａの上に、真空薄膜技
術により、例えば、ＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，
ＷＯ3 等の中間絶縁層５１ｂを略１〜５μｍ形成する。
１２を含む平坦な下部絶縁層５１ａの上に、真空薄膜技
術により、例えば、ＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，
ＷＯ3 等の中間絶縁層５１ｂを略１〜５μｍ形成する。
【０００７】（ 第４の工程 図４（Ｄ） ）中間絶縁
層５１ｂに、前記コア１２の形成時と同様な方法で、コ
イル状の溝を下部コア１２に達しない程度に形成し、そ
の後、例えば、Ｃｕ，Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ等の導体を真空
薄膜形成技術により形成する。溝内以外に形成された導
体を研磨除去し、表面を平坦化し、コイルパターン１９
とする。
層５１ｂに、前記コア１２の形成時と同様な方法で、コ
イル状の溝を下部コア１２に達しない程度に形成し、そ
の後、例えば、Ｃｕ，Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ等の導体を真空
薄膜形成技術により形成する。溝内以外に形成された導
体を研磨除去し、表面を平坦化し、コイルパターン１９
とする。
【０００８】（ 第５の工程 図４（Ｅ） ）コイルパ
ターン１９が形成された中間絶縁層５１ｂ上に、別の絶
縁層５２を略０．１〜１μｍ形成する。
ターン１９が形成された中間絶縁層５１ｂ上に、別の絶
縁層５２を略０．１〜１μｍ形成する。
【０００９】（ 第６の工程 図４（Ｆ） ）後述する
磁気ギャップ１６分だけ残して、絶縁層５２から中間絶
縁層５１ｂを、前記と同様のフォトリソグラフィや、エ
ッチング法等により、絶縁層の厚み方向に平行な側壁を
有する溝３３ａを形成する。
磁気ギャップ１６分だけ残して、絶縁層５２から中間絶
縁層５１ｂを、前記と同様のフォトリソグラフィや、エ
ッチング法等により、絶縁層の厚み方向に平行な側壁を
有する溝３３ａを形成する。
【００１０】（ 第７の工程 図５（Ｇ） ）更に、上
記３３ａ´と同様の方法で、絶縁層の厚み方向に平行な
側壁を有する溝３３ｂ´を形成する。ただし、この溝３
３ｂ´においては、前記下部コア１２の一部が露出する
ように形成する。
記３３ａ´と同様の方法で、絶縁層の厚み方向に平行な
側壁を有する溝３３ｂ´を形成する。ただし、この溝３
３ｂ´においては、前記下部コア１２の一部が露出する
ように形成する。
【００１１】（ 第８の工程 図５（Ｈ） ）形成され
た溝３３ａ´，３３ｂ´に、前記下部コア１２形成時と
同様に、軟磁性体を真空薄膜形成技術により成膜し、上
部の余分な磁性体を除去し、平坦な面を有する中間コア
３３ａ，３３ｂを形成する。
た溝３３ａ´，３３ｂ´に、前記下部コア１２形成時と
同様に、軟磁性体を真空薄膜形成技術により成膜し、上
部の余分な磁性体を除去し、平坦な面を有する中間コア
３３ａ，３３ｂを形成する。
【００１２】（ 第９の工程 図５（Ｉ） ）上記中間
コア３３ａ，３３ｂを有する中間絶縁層５１ｂ上に、略
１〜１０μｍの例えば、ＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ
3 ，ＷＯ3 等の上部絶縁層５１ｃを形成する。
コア３３ａ，３３ｂを有する中間絶縁層５１ｂ上に、略
１〜１０μｍの例えば、ＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ
3 ，ＷＯ3 等の上部絶縁層５１ｃを形成する。
【００１３】（ 第１０の工程 図５（Ｊ） ）下部コ
ア１２と同様な方法で、上部コア１３を形成する。
ア１２と同様な方法で、上部コア１３を形成する。
【００１４】（ 第１１の工程 図５（Ｋ） ）コイル
パターン１９の一端部に接続するスルーホール３４を上
部絶縁層５１ｃに形成し、その内部に導体を充填し、上
部絶縁層５１ｃ上にリード線部３５を形成し、前記スル
ーホール３４内に充填された導体と電気的に接続する。
パターン１９の一端部に接続するスルーホール３４を上
部絶縁層５１ｃに形成し、その内部に導体を充填し、上
部絶縁層５１ｃ上にリード線部３５を形成し、前記スル
ーホール３４内に充填された導体と電気的に接続する。
【００１５】従来の薄膜磁気ヘッドにおいては、磁性体
の特性向上のために熱処理を行なっても、磁性体を覆う
絶縁層自体の粘度が低融点ガラス材のようには下がら
ず、各種工程での残留応力が緩和されにくい。そのた
め、磁性体内部ではその応力のために磁区の固着がみら
れ、磁界中熱処理を行なっても磁区状態を制御すること
が困難であり、薄膜磁気ヘッドの性能の低下が生じ、ば
らつきが大きいという問題がある。
の特性向上のために熱処理を行なっても、磁性体を覆う
絶縁層自体の粘度が低融点ガラス材のようには下がら
ず、各種工程での残留応力が緩和されにくい。そのた
め、磁性体内部ではその応力のために磁区の固着がみら
れ、磁界中熱処理を行なっても磁区状態を制御すること
が困難であり、薄膜磁気ヘッドの性能の低下が生じ、ば
らつきが大きいという問題がある。
【００１６】ここで、磁性体を覆う絶縁層として、３５
０℃以下の徐冷点を有する低融点ガラス材を使用する
と、室温時使用時の強度が不足し、磁界中熱処理によ
り、粘度が下がり過ぎ、ヘッド形状の変化が生ずる等の
問題が起きる。
０℃以下の徐冷点を有する低融点ガラス材を使用する
と、室温時使用時の強度が不足し、磁界中熱処理によ
り、粘度が下がり過ぎ、ヘッド形状の変化が生ずる等の
問題が起きる。
【００１７】また、磁性体を覆う絶縁層として、５５０
℃以上の徐冷点を有する低融点ガラス材を使用すると、
それ以上の温度での磁界中熱処理により低融点ガラス材
と磁性膜の熱膨張差による応力が大きくなり、磁性膜の
特性劣化や亀裂発生といった問題が起きる。
℃以上の徐冷点を有する低融点ガラス材を使用すると、
それ以上の温度での磁界中熱処理により低融点ガラス材
と磁性膜の熱膨張差による応力が大きくなり、磁性膜の
特性劣化や亀裂発生といった問題が起きる。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の薄膜磁気ヘッドにおいては、磁性体の特性向上のため
に熱処理を行なっても、磁性体を覆う絶縁層自体の粘度
が低融点ガラス材のようには下がらず、各種工程での残
留応力が緩和されにくい。
の薄膜磁気ヘッドにおいては、磁性体の特性向上のため
に熱処理を行なっても、磁性体を覆う絶縁層自体の粘度
が低融点ガラス材のようには下がらず、各種工程での残
留応力が緩和されにくい。
【００１９】そのため、磁性体内部ではその応力のため
に磁区の固着がみられ、磁界中熱処理を行なっても制御
することが困難であり、薄膜磁気ヘッドの性能の低下が
生じ、ばらつきが大きいという問題がある。上記問題点
を解決し、絶縁膜に起因する応力を緩和し磁区を容易に
制御し、特性の優れた薄膜磁気ヘッドを提供する。
に磁区の固着がみられ、磁界中熱処理を行なっても制御
することが困難であり、薄膜磁気ヘッドの性能の低下が
生じ、ばらつきが大きいという問題がある。上記問題点
を解決し、絶縁膜に起因する応力を緩和し磁区を容易に
制御し、特性の優れた薄膜磁気ヘッドを提供する。
【００２０】
【課題を解決するための手段】磁気ギャップを含む磁気
回路が、絶縁層に形成された溝に充填された磁性体より
なる下部コア、中間コア、上部コアで構成され、かつ前
記各コアの接続面を含む各絶縁層の表面が平坦である薄
膜磁気ヘッド及びその製造方法であって、前記各絶縁層
として低融点ガラス材を使用し、かつ前記各絶縁層の徐
冷点以上の温度にて磁界中熱処理する。
回路が、絶縁層に形成された溝に充填された磁性体より
なる下部コア、中間コア、上部コアで構成され、かつ前
記各コアの接続面を含む各絶縁層の表面が平坦である薄
膜磁気ヘッド及びその製造方法であって、前記各絶縁層
として低融点ガラス材を使用し、かつ前記各絶縁層の徐
冷点以上の温度にて磁界中熱処理する。
【００２１】
【実施例】図１は本発明の絶縁膜を使用した薄膜磁気ヘ
ッドの一実施例であり、図２及び図３はその形成工程を
示した図である。図１は、本発明になる薄膜磁気ヘッド
３０を示す概略断面図である。同図に示すように、基板
１１上には、例えば、鉛カリガラス，コーニング８８７
０（徐冷点４２７℃）等の低融点ガラス材より成る平坦
な下部絶縁層３１ａが形成されており、この下部絶縁層
３１ａに形成された溝に磁性体が充填され、前記下部絶
縁層と段差なく平坦に形成された下部コア１２を形成し
ている。
ッドの一実施例であり、図２及び図３はその形成工程を
示した図である。図１は、本発明になる薄膜磁気ヘッド
３０を示す概略断面図である。同図に示すように、基板
１１上には、例えば、鉛カリガラス，コーニング８８７
０（徐冷点４２７℃）等の低融点ガラス材より成る平坦
な下部絶縁層３１ａが形成されており、この下部絶縁層
３１ａに形成された溝に磁性体が充填され、前記下部絶
縁層と段差なく平坦に形成された下部コア１２を形成し
ている。
【００２２】この下部絶縁層３１ａの上には、例えば、
鉛カリガラス，コーニング８８７０（徐冷点４２７℃）
等の低融点ガラス材より成る中間絶縁層３１ｂが形成さ
れており、この中間絶縁層３１ｂの端部には磁気ギャッ
プ１６を介して、磁性材からなる中間コア３３ａが下部
コア１２と接続するように埋設され、この中間コア３３
ａとある距離を隔てた内側に磁性材からなる中間コア３
３ｂが下部コアと直接接続するように埋設されている。
鉛カリガラス，コーニング８８７０（徐冷点４２７℃）
等の低融点ガラス材より成る中間絶縁層３１ｂが形成さ
れており、この中間絶縁層３１ｂの端部には磁気ギャッ
プ１６を介して、磁性材からなる中間コア３３ａが下部
コア１２と接続するように埋設され、この中間コア３３
ａとある距離を隔てた内側に磁性材からなる中間コア３
３ｂが下部コアと直接接続するように埋設されている。
【００２３】また、この中間絶縁層３１ｂの内側には、
平面的なコイルパターン１９が前記中間コア３３ｂを取
り巻くように螺旋状に埋設されている。コイルパターン
１９の一端部は、例えば、鉛カリガラス，コーニング８
８７０（徐冷点４２７℃）等の低融点ガラス材より成る
上部絶縁層３１ｃに穿設されたスルーホール３４内に埋
められた導体を介して、外部のリード線３５と接合し、
外部装置と電気的な接続が可能となっている。
平面的なコイルパターン１９が前記中間コア３３ｂを取
り巻くように螺旋状に埋設されている。コイルパターン
１９の一端部は、例えば、鉛カリガラス，コーニング８
８７０（徐冷点４２７℃）等の低融点ガラス材より成る
上部絶縁層３１ｃに穿設されたスルーホール３４内に埋
められた導体を介して、外部のリード線３５と接合し、
外部装置と電気的な接続が可能となっている。
【００２４】前記中間絶縁層３１ｂの上には上部絶縁層
３１ｃが形成され、この上部絶縁層３１ｃには、両端部
が中間コア３３ａ及び３３ｂと接合するように上部コア
１３が形成され、前記下部コア１２と共に磁気回路を形
成している。さらに、前記構成のものを、紙面に垂直方
向に、例えば、１Ｔの磁界を印加しながら、４４０℃，
２０分の磁界中熱処理を施す。
３１ｃが形成され、この上部絶縁層３１ｃには、両端部
が中間コア３３ａ及び３３ｂと接合するように上部コア
１３が形成され、前記下部コア１２と共に磁気回路を形
成している。さらに、前記構成のものを、紙面に垂直方
向に、例えば、１Ｔの磁界を印加しながら、４４０℃，
２０分の磁界中熱処理を施す。
【００２５】この様に、本発明になる薄膜磁気ヘッドに
おいては、平坦な３つの絶縁層、即ち、下部絶縁層３１
ａ、中間絶縁層３１ｂ、上部絶縁層３１ｃが積み重ねら
れ、例えば、鉛カリガラス，コーニング８８７０（徐冷
点４２７℃）等の低融点ガラス材より構成され、磁界中
熱処理を施されている。
おいては、平坦な３つの絶縁層、即ち、下部絶縁層３１
ａ、中間絶縁層３１ｂ、上部絶縁層３１ｃが積み重ねら
れ、例えば、鉛カリガラス，コーニング８８７０（徐冷
点４２７℃）等の低融点ガラス材より構成され、磁界中
熱処理を施されている。
【００２６】そのために、これら絶縁層３１ａ，３１
ｂ，３１ｃ内の所定の箇所に形成された磁性層が接続さ
れ磁気回路を形成しているため、段差のない各絶縁層面
でフォトリソグラフィが可能となり、寸法精度の優れ
た、小型のコイルパターン、磁気コイルが得られるの
で、磁気抵抗が小さく、各種工程での残留応力が十分に
緩和された、性能の良い、薄膜磁気ヘッド３０を得るこ
とが可能となる。
ｂ，３１ｃ内の所定の箇所に形成された磁性層が接続さ
れ磁気回路を形成しているため、段差のない各絶縁層面
でフォトリソグラフィが可能となり、寸法精度の優れ
た、小型のコイルパターン、磁気コイルが得られるの
で、磁気抵抗が小さく、各種工程での残留応力が十分に
緩和された、性能の良い、薄膜磁気ヘッド３０を得るこ
とが可能となる。
【００２７】次に、本発明になる薄膜磁気ヘッド３０の
製造方法について説明する。図２（Ａ）〜（Ｆ）、図３
（Ｇ）〜（Ｋ）は、本発明になる薄膜磁気ヘッド３０の
製造工程を示した概略断面図である。図と共に本発明の
絶縁膜を使用した薄膜磁気ヘッドの形成工程を以下に順
次説明する。
製造方法について説明する。図２（Ａ）〜（Ｆ）、図３
（Ｇ）〜（Ｋ）は、本発明になる薄膜磁気ヘッド３０の
製造工程を示した概略断面図である。図と共に本発明の
絶縁膜を使用した薄膜磁気ヘッドの形成工程を以下に順
次説明する。
【００２８】（ 第１の工程 図２（Ａ） ）基板１１
上に、例えば、鉛カリガラス，コーニング８８７０（徐
冷点４２７℃）等の下部絶縁層３１ａを、スパッタ、蒸
着、ＣＶＤ等の真空薄膜成形技術により、略１〜１０μ
ｍ形成する。次に、フォトリソグラフィとエッチング法
により、後述する下部コア１２形成用の溝１２ａを形成
する。
上に、例えば、鉛カリガラス，コーニング８８７０（徐
冷点４２７℃）等の下部絶縁層３１ａを、スパッタ、蒸
着、ＣＶＤ等の真空薄膜成形技術により、略１〜１０μ
ｍ形成する。次に、フォトリソグラフィとエッチング法
により、後述する下部コア１２形成用の溝１２ａを形成
する。
【００２９】（ 第２の工程 図２（Ｂ） ）次に、例
えば、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等を主成分とした軟磁性体等の
磁性体を、前記真空薄膜成形技術やメッキ等により、前
記溝１２ａよりも厚く成膜し、余分に成膜された磁性層
は研磨除去し、下部絶縁層３１ａと段差がなく、上面が
平坦な下部コア１２を形成する。
えば、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等を主成分とした軟磁性体等の
磁性体を、前記真空薄膜成形技術やメッキ等により、前
記溝１２ａよりも厚く成膜し、余分に成膜された磁性層
は研磨除去し、下部絶縁層３１ａと段差がなく、上面が
平坦な下部コア１２を形成する。
【００３０】（ 第３の工程 図２（Ｃ） ）下部コア
１２を含む平坦な絶縁層３１ａの上に、真空薄膜技術に
より、例えば、鉛カリガラス，コーニング８８７０（徐
冷点４２７℃）等の中間絶縁層３１ｂを略１〜５μｍ形
成する。
１２を含む平坦な絶縁層３１ａの上に、真空薄膜技術に
より、例えば、鉛カリガラス，コーニング８８７０（徐
冷点４２７℃）等の中間絶縁層３１ｂを略１〜５μｍ形
成する。
【００３１】（ 第４の工程 図２（Ｄ） ）中間絶縁
層３１ｂに、前記コア１２の形成時と同様な方法で、コ
イル状の溝を下部コア１２に達しない程度に形成し、そ
の後、例えば、Ｃｕ，Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ等の導体を真空
薄膜形成技術により形成する。溝内以外に形成された導
体を研磨除去し、表面を平坦化し、コイルパターン１９
とする。
層３１ｂに、前記コア１２の形成時と同様な方法で、コ
イル状の溝を下部コア１２に達しない程度に形成し、そ
の後、例えば、Ｃｕ，Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ等の導体を真空
薄膜形成技術により形成する。溝内以外に形成された導
体を研磨除去し、表面を平坦化し、コイルパターン１９
とする。
【００３２】（ 第５の工程 図２（Ｅ） ）コイルパ
ターン１９が形成された中間絶縁層３１ｂ上に、別の絶
縁層３２を略０．１〜１μｍ形成する。
ターン１９が形成された中間絶縁層３１ｂ上に、別の絶
縁層３２を略０．１〜１μｍ形成する。
【００３３】（ 第６の工程 図２（Ｆ） ）後述する
磁気ギャップ１６分だけ残して、絶縁層３２から中間絶
縁層３１ｂを、前記と同様のフォトリソグラフィや、エ
ッチング法等により、絶縁層の厚み方向に平行な側壁を
有する溝３３ａを形成する。
磁気ギャップ１６分だけ残して、絶縁層３２から中間絶
縁層３１ｂを、前記と同様のフォトリソグラフィや、エ
ッチング法等により、絶縁層の厚み方向に平行な側壁を
有する溝３３ａを形成する。
【００３４】（ 第７の工程 図３（Ｇ） ）更に、上
記３３ａ´と同様の方法で、絶縁層の厚み方向に平行な
側壁を有する溝３３ｂを形成する。ただし、この溝３３
ｂ´においては、前記下部コア１２の一部が露出するよ
うに形成する。
記３３ａ´と同様の方法で、絶縁層の厚み方向に平行な
側壁を有する溝３３ｂを形成する。ただし、この溝３３
ｂ´においては、前記下部コア１２の一部が露出するよ
うに形成する。
【００３５】（ 第８の工程 図３（Ｈ） ）形成され
た溝３３ａ´，３３ｂ´に、前記下部コア１２形成時と
同様に、軟磁性体を真空薄膜形成技術により成膜し、上
部の余分な磁性体を除去し、平坦な面を有する中間コア
３３ａ，３３ｂを形成する。
た溝３３ａ´，３３ｂ´に、前記下部コア１２形成時と
同様に、軟磁性体を真空薄膜形成技術により成膜し、上
部の余分な磁性体を除去し、平坦な面を有する中間コア
３３ａ，３３ｂを形成する。
【００３６】（ 第９の工程 図３（Ｉ） ）上記中間
コア３３ａ，３３ｂを有する中間絶縁層３１ｂ上に、略
１〜１０μｍの例えば、鉛カリガラス，コーニング８８
７０（徐冷点４２７℃）等の上部絶縁層３１ｃを形成す
る。
コア３３ａ，３３ｂを有する中間絶縁層３１ｂ上に、略
１〜１０μｍの例えば、鉛カリガラス，コーニング８８
７０（徐冷点４２７℃）等の上部絶縁層３１ｃを形成す
る。
【００３７】（ 第１０の工程 図３（Ｊ） ）下部コ
ア１２と同様な方法で、上部コア１３を形成する。
ア１２と同様な方法で、上部コア１３を形成する。
【００３８】（ 第１１の工程 図３（Ｋ） ）コイル
パターン１９の一端部に接続するスルーホール３４を上
部絶縁層３１ｃに形成し、その内部に導体を充填する。
さらに、上部絶縁層３１ｃ上にリード線部３５を形成
し、前記スルーホール３４内に充填された導体と電気的
に接続する。
パターン１９の一端部に接続するスルーホール３４を上
部絶縁層３１ｃに形成し、その内部に導体を充填する。
さらに、上部絶縁層３１ｃ上にリード線部３５を形成
し、前記スルーホール３４内に充填された導体と電気的
に接続する。
【００３９】（ 第１２の工程 ）さらに、前記第１１
の工程を済ませたものを、紙面に垂直方向に、例えば、
１Ｔの磁界を印加しながら、４４０℃，２０分の磁界中
熱処理を施す。最後に、前記磁気ギャップ１６が端部と
なるように、切断線Ｂ−Ｂにより切断し、図１に示した
薄膜磁気ヘッド３０を得る。
の工程を済ませたものを、紙面に垂直方向に、例えば、
１Ｔの磁界を印加しながら、４４０℃，２０分の磁界中
熱処理を施す。最後に、前記磁気ギャップ１６が端部と
なるように、切断線Ｂ−Ｂにより切断し、図１に示した
薄膜磁気ヘッド３０を得る。
【００４０】これにより、絶縁層３１ａ，３１ｂ，３１
ｃ，３２として、徐冷点が略３５０℃乃至５５０℃の範
囲にある低融点ガラス材、例えば、鉛カリガラス，コー
ニング８８７０（徐冷点４２７℃）を使用し、かつ前記
各絶縁層の徐冷点以上の温度にて、磁界中熱処理を施す
ので、絶縁層である低融点ガラス材が熱処理により十分
に残留応力が緩和され、磁性体の磁区を容易に制御する
ことが可能になり、磁気特性の優れた薄膜磁気ヘッドが
得られる。
ｃ，３２として、徐冷点が略３５０℃乃至５５０℃の範
囲にある低融点ガラス材、例えば、鉛カリガラス，コー
ニング８８７０（徐冷点４２７℃）を使用し、かつ前記
各絶縁層の徐冷点以上の温度にて、磁界中熱処理を施す
ので、絶縁層である低融点ガラス材が熱処理により十分
に残留応力が緩和され、磁性体の磁区を容易に制御する
ことが可能になり、磁気特性の優れた薄膜磁気ヘッドが
得られる。
【００４１】
【発明の効果】以上の説明によって明らかなように、本
発明の薄膜磁気ヘッドは、各絶縁層として低融点ガラス
材を使用し、かつ前記各絶縁層の徐冷点以上の温度にて
磁界中熱処理するようにしたので、絶縁層である低融点
ガラス材が熱処理により十分に残留応力が緩和され、磁
性体の磁区を容易に制御することが可能になり、磁気特
性の優れたものが得られる。
発明の薄膜磁気ヘッドは、各絶縁層として低融点ガラス
材を使用し、かつ前記各絶縁層の徐冷点以上の温度にて
磁界中熱処理するようにしたので、絶縁層である低融点
ガラス材が熱処理により十分に残留応力が緩和され、磁
性体の磁区を容易に制御することが可能になり、磁気特
性の優れたものが得られる。
【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドの説明図である。
【図２】本発明の薄膜磁気ヘッドの各形成工程を示した
図である。
図である。
【図３】本発明の薄膜磁気ヘッドの各形成工程を示した
図である。
図である。
【図４】従来の薄膜磁気ヘッドの各形成工程を示した図
である。
である。
【図５】従来の薄膜磁気ヘッドの各形成工程を示した図
である。
である。
１１ 基板 １２ 下部コア １３ 上部コア １６ 磁気ギャップ １９ コイルパターン ３０ 薄膜磁気ヘッド ３１ａ，５１ａ 下部絶縁層 ３１ｂ，５１ｂ 中間絶縁層 ３１ｃ，５１ｃ 上部絶縁層 ３２，５２ 絶縁層 ３３ａ，３３ｂ 中間コア ３３ａ´，３３ｂ´ 溝 ３４ スルーホール ３５ リード線部
Claims (2)
- 【請求項１】磁気ギャップを含む磁気回路が、絶縁層に
形成された溝に充填された磁性体よりなる下部コア、中
間コア、上部コアで構成され、かつ前記各コアの接続面
を含む各絶縁層の表面が平坦に構成された薄膜磁気ヘッ
ドであって、 前記各絶縁層は低融点ガラス材より構成し、かつ前記各
絶縁層の徐冷点以上の温度にて磁界中熱処理することを
特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】磁気ギャップを含む磁気回路が、絶縁層に
形成された溝に充填された磁性体よりなる下部コア、中
間コア、上部コアで構成され、かつ前記各コアの接続面
を含む各絶縁層の表面が平坦である薄膜磁気ヘッドの製
造方法であって、 前記各絶縁層は低融点ガラス材を使用し、かつ前記各絶
縁層の徐冷点以上の温度にて磁界中熱処理することを特
徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24547895A JPH0969205A (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24547895A JPH0969205A (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0969205A true JPH0969205A (ja) | 1997-03-11 |
Family
ID=17134265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24547895A Pending JPH0969205A (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0969205A (ja) |
-
1995
- 1995-08-30 JP JP24547895A patent/JPH0969205A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100401655B1 (ko) | ALE를 이용한 알루미나(Al₂O₃) 유전체 층 형성에 의한 스마트 공정을 이용한 유니본드형 SOI 웨이퍼의 제조방법 | |
| CN105308860B (zh) | 先进热补偿表面声波器件及其制造方法 | |
| CN101523719B (zh) | 谐振器及其制造方法 | |
| US11037717B2 (en) | Integrated magnetic device with variable inductance and method for making such a device | |
| JPH0969205A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH01246850A (ja) | 半導体基板及びその製法 | |
| JPH06267776A (ja) | 薄膜磁気コイルの製造方法 | |
| JPS63302537A (ja) | 集積回路の製造方法 | |
| JPS60210851A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPH03241768A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH087222A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH03268444A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2806284B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0829509A (ja) | 磁気センサ及び磁気センサの製造方法 | |
| JPH04259239A (ja) | 半導体集積回路装置及びその製法 | |
| JPH0555455A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5857738A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06338028A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH0969207A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH05308068A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS599111B2 (ja) | プレナ型磁気バブル素子オ−バレイの製造方法 | |
| JPH08273962A (ja) | 電子デバイスの製造方法 | |
| JPS58203613A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS5963746A (ja) | 多層配線を有する半導体装置 | |
| JPH02234472A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 |