JPS5857738A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5857738A JPS5857738A JP15666481A JP15666481A JPS5857738A JP S5857738 A JPS5857738 A JP S5857738A JP 15666481 A JP15666481 A JP 15666481A JP 15666481 A JP15666481 A JP 15666481A JP S5857738 A JPS5857738 A JP S5857738A
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- JP
- Japan
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- films
- film
- insulating film
- type
- substrate
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- Granted
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- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置の製造方法にかかシ、特に多層配
線構造における断線および短絡が少なく、かつ、耐湿性
に優れた半導体装置の製造方法に関する。
線構造における断線および短絡が少なく、かつ、耐湿性
に優れた半導体装置の製造方法に関する。
従来、多層配線構造を有する半導体素子の平坦化技術（
表面をなだらかＫする技術）としては、グツスフ０−と
呼ばれる技術が一般に用いられてい友。
表面をなだらかＫする技術）としては、グツスフ０−と
呼ばれる技術が一般に用いられてい友。
すなわち、層間絶縁膜の形成にあたル、通常まず、８〜
１５モル−の高機度のリンを含む酸化シリコン膜（リン
ガラス膜）を気相成長法によ多形成する。その後高温の
窒素雰囲気中で熱処理し、リンガラス膜に流動性をもた
せて表面をなだらかにするととによ）、層間絶縁膜上の
上部配線層の断ＩＩＩ￥ｒ生じに＜〈シている〇 このようなグラスツー一工程は次のような欠点を有して
いる・まず、高貴度のリンガラス族は、欠陥が多く、特
に後工程に用いられるフッ酸系のエツチング液によシ欠
陥が増大され、その結果層間絶縁耐圧が非常に低くなシ
、多層配線構造の配線間の短絡の原因となって歩留シを
下げていた。
１５モル−の高機度のリンを含む酸化シリコン膜（リン
ガラス膜）を気相成長法によ多形成する。その後高温の
窒素雰囲気中で熱処理し、リンガラス膜に流動性をもた
せて表面をなだらかにするととによ）、層間絶縁膜上の
上部配線層の断ＩＩＩ￥ｒ生じに＜〈シている〇 このようなグラスツー一工程は次のような欠点を有して
いる・まず、高貴度のリンガラス族は、欠陥が多く、特
に後工程に用いられるフッ酸系のエツチング液によシ欠
陥が増大され、その結果層間絶縁耐圧が非常に低くなシ
、多層配線構造の配線間の短絡の原因となって歩留シを
下げていた。
また、高濃度のリンガラス膜は吸湿性が高い為、水の浸
入に非常に弱く、信頼性を低下させていた。
入に非常に弱く、信頼性を低下させていた。
そこで本発明は、多層配線における断線および短絡の非
常に少なく、耐湿性に優れた半導体装置の製造方法を提
供することを目的としている。
常に少なく、耐湿性に優れた半導体装置の製造方法を提
供することを目的としている。
以下、本発明を実施例に基づき図面を参照して説明する
。
。
まず、従来のＮチャネルＳｔゲー）ＭＯ８半導体装置の
製造方法と同様に、Ｐ製結晶シリコン基体１の上に、約
１μｍのフィールド酸化膜 ２ａ＋２ｂおよび約５００
Ａのゲート酸化膜３を順次形成した稜、Ｎ型の不純物が
添加された多結晶シリコンから成るゲート電極４および
多結晶シリコン配線層５．ソース、ドレイン領域６．７
を形成する。
製造方法と同様に、Ｐ製結晶シリコン基体１の上に、約
１μｍのフィールド酸化膜 ２ａ＋２ｂおよび約５００
Ａのゲート酸化膜３を順次形成した稜、Ｎ型の不純物が
添加された多結晶シリコンから成るゲート電極４および
多結晶シリコン配線層５．ソース、ドレイン領域６．７
を形成する。
さらに熱酸化によシ熱酸化膜８ａ１８ｂ１８ｅ１８ｄを
形成する（第１図）。
形成する（第１図）。
次に気相成長法によシ厚さ約α５μｍの例えば４そルー
のリン濃度を有する低濃度のリンガラス膜９ｔ−形成す
る（第２図）、なお、前記リンガラス膜９のかわシにリ
ンを含まない酸化膜や窒化膜を用いることもできる。
のリン濃度を有する低濃度のリンガラス膜９ｔ−形成す
る（第２図）、なお、前記リンガラス膜９のかわシにリ
ンを含まない酸化膜や窒化膜を用いることもできる。
さらに、厚さ約１．２μｍの例えば１２モル−のリン濃
度を有する高濃度のリンガラス膜１ｏを形成し、熱処理
し、高濃度のリンガラス膜に流動性を持たせて、表面を
なだらかにする（第３図）。
度を有する高濃度のリンガラス膜１ｏを形成し、熱処理
し、高濃度のリンガラス膜に流動性を持たせて、表面を
なだらかにする（第３図）。
なお前記高濃度のリンガラスａ１ｏのかわシに、シリカ
フィルムやレジストなど加熱によシ流動性が出て表面が
なだらかになる材質のものを用いることができる。
フィルムやレジストなど加熱によシ流動性が出て表面が
なだらかになる材質のものを用いることができる。
次に、全面に、高濃度のりンガ２スＨ１８１０と低濃度
のリンガラス膜９の少なくとも一部を除去し、表面をな
だらかに保った１１低濃度のリンガラス１１９を露出さ
せる（第４図）。この高濃度のリンガラス膜１０と低濃
度のリンガラスＭ９の少なくとも一部を除去する方法と
しては、反応性スパッタエツチングのような異方性のド
ライエツチングが制御性がよく、もっばら用いられる。
のリンガラス膜９の少なくとも一部を除去し、表面をな
だらかに保った１１低濃度のリンガラス１１９を露出さ
せる（第４図）。この高濃度のリンガラス膜１０と低濃
度のリンガラスＭ９の少なくとも一部を除去する方法と
しては、反応性スパッタエツチングのような異方性のド
ライエツチングが制御性がよく、もっばら用いられる。
次に気相成長法により、約０．８μｍの酸化シリ′コン
膜ｌ１ｔ−成長させる。平坦さはそのｔま保たれる（第
５図）、酸化シリ；ン膜１１ｔｆ、欠陥が少なく本炊密
性に優れ、吸湿性が少ない１〜７モルー〇濃度のリンを
含んだ酸化シリコン膜が最適であるが、その他の耐湿性
の良い絶縁膜を用いることもできる。
膜ｌ１ｔ−成長させる。平坦さはそのｔま保たれる（第
５図）、酸化シリ；ン膜１１ｔｆ、欠陥が少なく本炊密
性に優れ、吸湿性が少ない１〜７モルー〇濃度のリンを
含んだ酸化シリコン膜が最適であるが、その他の耐湿性
の良い絶縁膜を用いることもできる。
次にフォトエツチング接衝によシ、コンタクトホール１
２，１３．１４を開孔する（第６図）、４次に約１μｍ
のＡｊを蒸着し、選択的にＭ配線層１５．１６を形成し
、Ｎチャネル８ｉゲー）ＭＯ８半導体装置を完成する（
第７図）・ 本発明によれば、層間絶縁膜は緻書性が高く、欠陥が少
ない低濃度のリンガラス膜やその他の絶縁膜である為、
層間絶縁耐圧は高く、ゲート電極。
２，１３．１４を開孔する（第６図）、４次に約１μｍ
のＡｊを蒸着し、選択的にＭ配線層１５．１６を形成し
、Ｎチャネル８ｉゲー）ＭＯ８半導体装置を完成する（
第７図）・ 本発明によれば、層間絶縁膜は緻書性が高く、欠陥が少
ない低濃度のリンガラス膜やその他の絶縁膜である為、
層間絶縁耐圧は高く、ゲート電極。
多結晶シリコン配線層と、その上を交差して配線される
ｌ Ｗｉ！、９層との短絡を防止できる。
ｌ Ｗｉ！、９層との短絡を防止できる。
また、本発明は、吸湿性の高い高濃度のリンガラス膜を
使用しない為、水の浸入に対して強固であシ、素子の信
頼性は非常に高い。
使用しない為、水の浸入に対して強固であシ、素子の信
頼性は非常に高い。
以上、説明した如く、本発明の製造方法に従えば従来の
製造方法に比ちべ、歩留シおよび信頼性を大きく向上さ
せることができる。
製造方法に比ちべ、歩留シおよび信頼性を大きく向上さ
せることができる。
ナオ、本発明は、実施例のように、Ｎチャネル別ゲー）
ＭＯ８半導体装置に限定されることなく、その他の多層
配線を有する半導体装置に適用できることは言うまでも
ない。
ＭＯ８半導体装置に限定されることなく、その他の多層
配線を有する半導体装置に適用できることは言うまでも
ない。
第１図乃至第７図は本発明の実施例の半導体装置の製造
方法を工程順に示した断面図である・１・・・・・・シ
リコンａ 体ｓ ２ ｍ ？ ２ ｂ・旧・・フィール
ド酸化膜、３・・・・・・ゲート酸化膜、４・・川・ゲ
ート電極、５・・・・・・不純物が添加された多結晶シ
リコン配線層、６．７・・・・・ソース、ドレイン領域
、８ｂ、８ｂ、ｇｃ。 ８ｄ・・・・・・熱酸化膜、９・・・・・・低議度のリ
ンを含んだ酸化シリコン膜（１）、１０・・・・・・高
濃度のリンを含んだ酸化シリコン膜、１１・・・・・・
低濃度のリンを含んだ酸化シリコンＭ （２）、１２．
１３．１４・・川・コンタクトホール、１５．１６・・
・・・アルミニウム配線層。 第 １ｚ 第 ２ ｚ ′ａ ′３区 詰す区 第ｑ区
方法を工程順に示した断面図である・１・・・・・・シ
リコンａ 体ｓ ２ ｍ ？ ２ ｂ・旧・・フィール
ド酸化膜、３・・・・・・ゲート酸化膜、４・・川・ゲ
ート電極、５・・・・・・不純物が添加された多結晶シ
リコン配線層、６．７・・・・・ソース、ドレイン領域
、８ｂ、８ｂ、ｇｃ。 ８ｄ・・・・・・熱酸化膜、９・・・・・・低議度のリ
ンを含んだ酸化シリコン膜（１）、１０・・・・・・高
濃度のリンを含んだ酸化シリコン膜、１１・・・・・・
低濃度のリンを含んだ酸化シリコンＭ （２）、１２．
１３．１４・・川・コンタクトホール、１５．１６・・
・・・アルミニウム配線層。 第 １ｚ 第 ２ ｚ ′ａ ′３区 詰す区 第ｑ区
Claims (2)
- （１） 多層配線構造を有する半導体装置の製造方法
において、半導体素子が形成され、加工段差を有する半
導体基体上に、第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第
１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し九後、熱処理を行
なりて表面を平坦にする工程と、前記第２の絶縁膜と前
記第１の絶縁膜との２層絶縁膜を所定の厚さだけ除去す
ることによシ平坦な第１の絶縁膜を露出させる工程と１
前記平坦な第１の絶縁膜上に第３の絶縁膜を形成する工
程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）前記第１の絶縁膜と第３の絶縁膜とは１から７モ
ルー濃度のリンを含んだ酸化シリコン膜であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15666481A JPS5857738A (ja) | 1981-10-01 | 1981-10-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15666481A JPS5857738A (ja) | 1981-10-01 | 1981-10-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5857738A true JPS5857738A (ja) | 1983-04-06 |
| JPH0324066B2 JPH0324066B2 (ja) | 1991-04-02 |
Family
ID=15632598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15666481A Granted JPS5857738A (ja) | 1981-10-01 | 1981-10-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5857738A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0273652A (ja) * | 1988-09-08 | 1990-03-13 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5157296A (en) * | 1974-11-15 | 1976-05-19 | Tokyo Shibaura Electric Co | Handotaisoshino seizohoho |
| JPS5658247A (en) * | 1979-10-17 | 1981-05-21 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
-
1981
- 1981-10-01 JP JP15666481A patent/JPS5857738A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5157296A (en) * | 1974-11-15 | 1976-05-19 | Tokyo Shibaura Electric Co | Handotaisoshino seizohoho |
| JPS5658247A (en) * | 1979-10-17 | 1981-05-21 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0273652A (ja) * | 1988-09-08 | 1990-03-13 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0324066B2 (ja) | 1991-04-02 |
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