JPS61182308A - 半導体集積回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、半導体集積回路に関し、特に多数の外部接続
端子を具備する高集積度の半導体集積回路に適用して好
適なものである、 〔背景技術〕 半導体集積回路は高集積度化の傾向にあり、これにとも
なって外部接続端子も２８ピンから６４ピンというよう
に、次第に増加しつつある。

ところが、外部接続端子の増加は特開昭５６−１０３５
１１号公報に開示されているように、決して好ましいこ
とではな（、多数の技術者が端子数の削減に努力してい
るのが実情である。

一方、半導体集積回路には多数の回路が形成されるよう
になったが、上記多数の回路が常に動作しているとは限
らない、例えは、オーデオ用の半導体集積回路のよ５Ｋ
、多数の増幅器が形成され、それぞれに入力端子と出力
端子が設けられたものもある。この場合は、目的に合わ
せて半導体集積回路外において各増幅器の接続を行うが
、それでも制御端子、入力端子、出力端子等が空き端子
になることがある。

本発明者等は、上記技術的動向に鑑み、本発明をなすに
至った。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、半導体集積回路の外部接続端子を多目
的に使用し、実質的に外部接続端子を増加することなく
、種々の回路動作をおこない得る半導体集積回路を提供
することにある。

本発明の上記ならびＫその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。

〔発明の概要〕

本願において開示される発明の概要を簡単に述べれば、
下記の通りである。

すなわち、半導体集積回路において他の目的で設けられ
た外部接続端子にスイッチ、抵抗等の外付は部品を接続
し、上記スイッチを選択的にオン状態に切り換えたとき
、上記半導体集積回路面の例えばバイアス回路を本来の
回路動作とは異なった回路動作に駆動し、その変化を検
出して他の回路を動作せしめることにより、外部接続端
子を増加することなく半導体集積回路を多目的に使用す
る、という本発明の目的を達成するものである。

〔実施例〕

以下、第１図を参照して本発明を適用した半導体集積回
路の一実施例を説明する。なお、第１図は、半導体集積
回路（以下においてＩＣという）の要部の回路図を示す
ものである。

本実施例の特徴は、増幅器の出力端子にスイッチ、抵抗
からなる外付は部品を接続し、上記スイッチをオンにし
たときの増幅器の出力電流の変化を検出して、他の回路
を制御する制御信号を得るように構成したことにある、 トランジスタＱ１〜Ｑ４、抵抗Ｒ，％Ｒ，１基準電圧Ｖ
ｒｅｆ等は、増幅器の出力回路を構成するものであり、
Ｐｌには増幅すべき信号が供給される、 上記増幅器が本来の目的で使用される場合は、１番端子
に接続されたスイッチＳｗはオフになされている、そし
て、１番端子からは、増幅された出力信号が得られるが
、この場合トランジスタＱ、を流れる電流量。は予め設
定されている電流量を越えることがない。

一方、スイッチＳｗをオン状態に切り換えると、Ａ点が
抵抗Ｒａを介して接地される。従って、内部抵抗Ｒ３と
外付は部品である抵抗Ｒａの抵抗値をＲ，）Ｒａに設定
しておけは、トランジスタＱ。

を流れる電流量０は増大する。

トランジスタＱ、　、Ｑａはカレントミラー回路を構成
しているので、上記電流Ｉｏの変化は、トランジスタＱ
６を流れる電流変化となり、更に抵抗Ｒ０による電圧降
下■ｏのレベルの変化となる。

故に、電圧ｖ０のレベル変化を検出すれば、スイッチＳ
ｗがオンされたか否かを知ることができ、これにより他
の回路を駆動する制御信号を得ることができる。

なお、上記制御信号の利用方法は多岐にわたるが、以下
にその一例を述べる。

電圧■ｏのレベル変化は、トランジスタＱＩＩ、トラン
ジスタＱ□によって基準電圧Ｖｒｅｆ、と比較される。

Ｖ（、（Ｖｒｅｆｌのとき、換言すればスイッチＳｗが
オフの場合は、トランジスタＱ目、Ｑｔａがオンになり
、トランジスタＱＩ４もオンになってトランジスタＱＩ
ｆｉ、Ｑｔａを動作可能になす。そして２番端子から供
給される入力信号Ｖ、が選択されて出力信号となり、バ
ッファ１から出力信号Ｖｏｕｔがえられる。

一方、Ｖｏ）Ｖｒｅｆ、　　の場合は、トランジスタＱ
ｌ！がオンになり、トランジスタＱ！Ｉ　ｓ　Ｑｔ＊が
上記同様に動作して、トランジスタＱｔｓ　、Ｑｔ＜を
動作可能になす。そして、３番端子から供給される入力
信号ｖｂが選択されて出力信号となり、バッファ１から
出力信号Ｖｏｕｔが得られる。

なお、制御信号については、上記電圧ｖｏを制御信号と
見なしてもよく、トランジスタＱ＋＋、Ｑｌｔの出力電
流を制御信号と見なしてもよい。

〔効果〕

（１）半導体集積回路に所望の目的で設けられた外部接
続端子を利用して、他の制御動作を行わしめることによ
り、外部□接続端子数を削減できる、という効果が得ら
れる。

（２１上記１１＋により、半導体集積回路を多目的に使
用できる。

（３）上記（１）Ｋより、半導体集積回路を低コス）Ｋ
て生産し得る。

以上に本発明者によってなされた発明を実施例にもとづ
き具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることは言うまでもない。

例えば、電圧■。の検出は、差動増幅器忙より、その出
力信号を制御信号としてもよい。

〔利用分野〕

以上の説明では、主として本発明者等によってなされた
発明をその背景となった利用分野であるバイポーラトラ
ンジスタによる半導体集積回路に適用した場合について
説明したが、それに限定されるものではなく、ＭＯＳト
ランジスタからなる半導体集積回路に利用することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す半導体集積回路の回路
図である。 Ｑ、〜Ｑ２４・・・トランジスタ、Ｓｗ・・・スイッチ
、Ｒａ・・・抵抗、■ｏ・・・電圧、Ｖｃ・・・制御信
号、ＩＣ・・・半導体集積回路。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、半導体集積回路に所望の目的で設けられた外部接続
   端子にスイッチを介して外付け部品を付加し、上記外付
   け部品の接続時に上記半導体集積回路内に設けられた回
   路に動作変化を発生せしめ、その動作変化を検出して他
   の回路への制御信号を得ることを特徴とする半導体集積
   回路。