JPS61178490A - 単結晶引き上げ装置 - Google Patents
単結晶引き上げ装置Info
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- JPS61178490A JPS61178490A JP1874485A JP1874485A JPS61178490A JP S61178490 A JPS61178490 A JP S61178490A JP 1874485 A JP1874485 A JP 1874485A JP 1874485 A JP1874485 A JP 1874485A JP S61178490 A JPS61178490 A JP S61178490A
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- JP
- Japan
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- heater
- crucible
- melt
- diameter
- crystal
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- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は回転引き上げ法または液体封止引き上は法に
よシ半導体単結晶を製造するための単結晶引き上げ装置
用ヒータに関するものである。
よシ半導体単結晶を製造するための単結晶引き上げ装置
用ヒータに関するものである。
（従来の技術）
近年、半導体デバイスの発達に伴い、欠陥の少い高品質
の単結晶が求められている。単結晶の製造方法は多数提
案されているが、工業的には回転引き上げ法（ＣＺ法）
及び液体封止回転引き上げ法（ＬＥＣ法）が多く用いら
れておシ、前者の方法でＢｉ 、 ｌ５Ｓ６ ％後者の
方法でＧａｋｓ 、 ＧａＰ 。
の単結晶が求められている。単結晶の製造方法は多数提
案されているが、工業的には回転引き上げ法（ＣＺ法）
及び液体封止回転引き上げ法（ＬＥＣ法）が多く用いら
れておシ、前者の方法でＢｉ 、 ｌ５Ｓ６ ％後者の
方法でＧａｋｓ 、 ＧａＰ 。
Ｉ％Ｐ等の単結晶が製造されている。
−例としてＬＥＣ法によ１ＧａＡｓ単結晶を製造する方
法を第６図を参照して説明すると、高圧容器ｌ内にはそ
の外周をカーボン製の円筒状支持部材弘で覆れた円筒状
ルツボ３を設け、このルツ付けた引き上げ軸ｔを設け、
この引き上げ軸は回転すると共に上下動するように構成
されている。
法を第６図を参照して説明すると、高圧容器ｌ内にはそ
の外周をカーボン製の円筒状支持部材弘で覆れた円筒状
ルツボ３を設け、このルツ付けた引き上げ軸ｔを設け、
この引き上げ軸は回転すると共に上下動するように構成
されている。
ルツボ３内には結晶原料としてＣ８とＡ８及び封止剤と
してＢ！Ｏ１をそれぞれ所定量充填し、高圧容器ｌ内を
不活性ガスで加圧し、ヒータ部によシルツボ３を所定の
温度に加熱することにょシ、ルツボ内には下層にＧｃＬ
ＡＪ融液３が、上層に封止剤として゛Ｂ、０．融液６が
形成する。
してＢ！Ｏ１をそれぞれ所定量充填し、高圧容器ｌ内を
不活性ガスで加圧し、ヒータ部によシルツボ３を所定の
温度に加熱することにょシ、ルツボ内には下層にＧｃＬ
ＡＪ融液３が、上層に封止剤として゛Ｂ、０．融液６が
形成する。
次いで、引き上げ軸ｔを下降し、種結晶りを封止剤６を
通過させてＧａｎｇ融液！に接触させた後に、ルツボと
引き上げ軸を回転させ表がら種結晶りをゆつくシ引き上
げて結晶１０を成長させる。
通過させてＧａｎｇ融液！に接触させた後に、ルツボと
引き上げ軸を回転させ表がら種結晶りをゆつくシ引き上
げて結晶１０を成長させる。
このとき、ルツボ中の封止剤６及び結晶原料融液！の直
径方向及び深さ方向の温度勾配をできるだけゆるやかに
することが高品質の単結晶を製造するための必須要件の
一つでらる。
径方向及び深さ方向の温度勾配をできるだけゆるやかに
することが高品質の単結晶を製造するための必須要件の
一つでらる。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、直径１０αのルツボを用い、Ｂ！Ｏ，融
液とＧａＡａ融液が形成した時点で、ルツボの中心部と
周壁部近傍にそれぞれ熱電対を挿入し、融液の深さ方向
の温度分布を測定した結果、第７図のグラフに示すよう
に中心部（曲線α）と周壁部（曲線ｂ）の温度差は約６
０℃近くあシ、ＧｃＬＡＪ融液の温度勾配は約２０℃／
−１Ｂ、Ｏ，の温度勾配は約１００℃にと大きかった。
液とＧａＡａ融液が形成した時点で、ルツボの中心部と
周壁部近傍にそれぞれ熱電対を挿入し、融液の深さ方向
の温度分布を測定した結果、第７図のグラフに示すよう
に中心部（曲線α）と周壁部（曲線ｂ）の温度差は約６
０℃近くあシ、ＧｃＬＡＪ融液の温度勾配は約２０℃／
−１Ｂ、Ｏ，の温度勾配は約１００℃にと大きかった。
上述の引き上げ軸方向（深さ方向）の温度勾・配をゆる
やかにするため、これまでヒーターの発熱部分を長くし
たシ、成るいはヒーターに対してルツボの位置を低くし
たシする方法が採られていた。しかしながらこれらの方
法では逆に直径方向の温度差が大きくなったシ、成るい
は融液中に温度の反転層ができたシして、急激に結晶が
固化し、高品質の単結晶を得るための最適温度分布を有
する結晶原料融液を形成することは困難でおった。
やかにするため、これまでヒーターの発熱部分を長くし
たシ、成るいはヒーターに対してルツボの位置を低くし
たシする方法が採られていた。しかしながらこれらの方
法では逆に直径方向の温度差が大きくなったシ、成るい
は融液中に温度の反転層ができたシして、急激に結晶が
固化し、高品質の単結晶を得るための最適温度分布を有
する結晶原料融液を形成することは困難でおった。
上述の欠点を解消する方法として、ルツボを垂直方向か
ら加熱する方法が最近提案されたが、この方法は融液の
深さ方向の温度勾配が大きくなって、必ずしも結晶引き
上げに最適の温度分布を形成しない。
ら加熱する方法が最近提案されたが、この方法は融液の
深さ方向の温度勾配が大きくなって、必ずしも結晶引き
上げに最適の温度分布を形成しない。
これらのことは封止剤を用いないＣ２法についても同様
に問題となシ、特に最近注目を浴びている磁場を印加し
ながら単結晶の引き上げを行う磁場印加回転引き上げ法
（ＭＣＺ法）においては、温度勾配の命題が顕著に生じ
ている。即ち、ＭＣＺ法においては、ルツボ内の結晶原
料融液に磁場を印加して融液の対流を抑制し、高品質の
単結晶を成長させようとするものであるが、融液の対流
が磁場の作用によって停止すると、ヒータからの熱は融
液の伝導によってのみ行われ、ルツボの直径方向に大き
な温度差が生じる。このためＭＣＺ法においては直径方
向の温度差が大きく高品質結晶が成長しにくかった。こ
の直径方向の温度差は引き上げる結晶の直径が大きくな
るほど顕著に現れ、高品質の単結晶が得にくいことにな
る。
に問題となシ、特に最近注目を浴びている磁場を印加し
ながら単結晶の引き上げを行う磁場印加回転引き上げ法
（ＭＣＺ法）においては、温度勾配の命題が顕著に生じ
ている。即ち、ＭＣＺ法においては、ルツボ内の結晶原
料融液に磁場を印加して融液の対流を抑制し、高品質の
単結晶を成長させようとするものであるが、融液の対流
が磁場の作用によって停止すると、ヒータからの熱は融
液の伝導によってのみ行われ、ルツボの直径方向に大き
な温度差が生じる。このためＭＣＺ法においては直径方
向の温度差が大きく高品質結晶が成長しにくかった。こ
の直径方向の温度差は引き上げる結晶の直径が大きくな
るほど顕著に現れ、高品質の単結晶が得にくいことにな
る。
この発明の目的は高品質の単結晶を得るための最適な温
度分布をルツボ中の融液が形成するように加熱する単結
晶引き上げ装置用のヒータを提供することにある。
度分布をルツボ中の融液が形成するように加熱する単結
晶引き上げ装置用のヒータを提供することにある。
（問題を解決するための手段）
この発明の単結晶引き上げ装置用ヒータは円筒状のヒー
タの上端に連続して上部内方に向かって傾斜し、上端に
開口部を有する円錐台状ヒータを延設したことを特徴と
する。
タの上端に連続して上部内方に向かって傾斜し、上端に
開口部を有する円錐台状ヒータを延設したことを特徴と
する。
上述の如き構造のヒータを用いてルツボ中の融液を加熱
すると、ルツボの外周より加熱すると共に融液表面よシ
も円錐台状のヒータの輻射熱によって、中心に向って強
く加熱されるため、ルツボの直径方向、深さ方向の温度
勾配が小さくなり、結晶引き上げの最適の温度分布を有
する融液が形成することになる。
すると、ルツボの外周より加熱すると共に融液表面よシ
も円錐台状のヒータの輻射熱によって、中心に向って強
く加熱されるため、ルツボの直径方向、深さ方向の温度
勾配が小さくなり、結晶引き上げの最適の温度分布を有
する融液が形成することになる。
次に図面によシこの発明を説明すると、第１図及び第２
図はこの発明の単結晶引き上げ装置用のヒータの一実施
例を示し、櫛歯状のグラファイト製のヒータ部材ｌ／に
よシ円筒状を形成し、この円筒状のヒータ部１３はルツ
ボの側面に沿って位置することに表る。この円筒状ヒー
タ部／３の上端には上部内方に向って傾斜して、上端に
縮径した開口部ｌ！を有する円錐台状ヒータ／４４が延
設される。この円筒状ヒータ部１３のヒータ部材と円錐
台状ヒータ部／ｌのヒータ部材は連続して一体に構成さ
れ、円筒状ヒータ部１３の隣のヒータ部材の下端は一つ
おきに電気的に接続し、同様に円錐台状ヒータ部／ＩＩ
の隣のヒータ部材の上端は円筒状ヒータ部とは一つずれ
て一つおきに電気的に接続して、従って、全体としては
両者のヒータ部は蛇行状の一本のヒータ部材で構成され
ていることになシ、ヒータ部材の両端はヒータ電極（図
示せず）に接続している。各ヒータ部材ｌ１間には耐熱
性の絶縁材／：１を介在させ、稼動中によシ生ずる振動
に対して破損、ショートを抑制する。なお、本実施例で
は円筒状ヒータ部／３は中央にルツボ支持軸９が通る孔
１７を有する耐熱、絶縁性の台／乙により支持されてい
る。
図はこの発明の単結晶引き上げ装置用のヒータの一実施
例を示し、櫛歯状のグラファイト製のヒータ部材ｌ／に
よシ円筒状を形成し、この円筒状のヒータ部１３はルツ
ボの側面に沿って位置することに表る。この円筒状ヒー
タ部／３の上端には上部内方に向って傾斜して、上端に
縮径した開口部ｌ！を有する円錐台状ヒータ／４４が延
設される。この円筒状ヒータ部１３のヒータ部材と円錐
台状ヒータ部／ｌのヒータ部材は連続して一体に構成さ
れ、円筒状ヒータ部１３の隣のヒータ部材の下端は一つ
おきに電気的に接続し、同様に円錐台状ヒータ部／ＩＩ
の隣のヒータ部材の上端は円筒状ヒータ部とは一つずれ
て一つおきに電気的に接続して、従って、全体としては
両者のヒータ部は蛇行状の一本のヒータ部材で構成され
ていることになシ、ヒータ部材の両端はヒータ電極（図
示せず）に接続している。各ヒータ部材ｌ１間には耐熱
性の絶縁材／：１を介在させ、稼動中によシ生ずる振動
に対して破損、ショートを抑制する。なお、本実施例で
は円筒状ヒータ部／３は中央にルツボ支持軸９が通る孔
１７を有する耐熱、絶縁性の台／乙により支持されてい
る。
上記の如き構成・のヒータの円筒状ヒータ部の高さ、直
径、円錐台状ヒータ部の高さ、傾斜角、開口部の直径は
ルツボの大きさ、結晶原料融液の種類、引き上げる結晶
の直径、結晶引き上げ条件などを考慮して決定すべきで
あるが、円錐台状ヒータの開口部直径はルツボの直径よ
シ大きくした方が結晶引き上げ操作が容易に行える。
径、円錐台状ヒータ部の高さ、傾斜角、開口部の直径は
ルツボの大きさ、結晶原料融液の種類、引き上げる結晶
の直径、結晶引き上げ条件などを考慮して決定すべきで
あるが、円錐台状ヒータの開口部直径はルツボの直径よ
シ大きくした方が結晶引き上げ操作が容易に行える。
−（作用）
上述の如き構成のヒータによシ結晶原料を充填したルツ
ボを加熱すると、ルツボの外周部だけでなく上部にも円
錐台状のヒータが存在し、この円錐台状ヒータの開口部
の直径は円筒状ヒータの内径よシ小さくなっているため
、ルツボ内の結晶原料融液表面は上記円錐台状ヒータの
輻射熱によって加熱され、特に中心に向って強く加熱さ
れるため、ルツボ直径方向の温度分布や深さ方向の温度
分布がゆるやかになる。
ボを加熱すると、ルツボの外周部だけでなく上部にも円
錐台状のヒータが存在し、この円錐台状ヒータの開口部
の直径は円筒状ヒータの内径よシ小さくなっているため
、ルツボ内の結晶原料融液表面は上記円錐台状ヒータの
輻射熱によって加熱され、特に中心に向って強く加熱さ
れるため、ルツボ直径方向の温度分布や深さ方向の温度
分布がゆるやかになる。
−例として、第６図に示すＬＫＣ法の単結晶製造装置に
おいて、加熱ヒータのみを第１図の如き構成のものを用
い、°他は同じ条件でルツボ内に０６Ｍ融液を形成し、
熱電対によシ中心部と周壁部の融液の温度分布を測定し
た結果、第５図のグラフに示すように中心部（曲線ｃＬ
）と周壁部（曲線ｂ）の温度分布はほぼ同じでｓｂ、融
液の深さ方向の温度分布はＧ５Ａａ融液とＢ、Ｏｓ融液
の界面上方において約り０℃／儒となシ、従来の形状の
ヒータで加熱したときに較べ、温度分布は直径方向で〜
１／４０、深さ方向で約１７５小さくなる。
おいて、加熱ヒータのみを第１図の如き構成のものを用
い、°他は同じ条件でルツボ内に０６Ｍ融液を形成し、
熱電対によシ中心部と周壁部の融液の温度分布を測定し
た結果、第５図のグラフに示すように中心部（曲線ｃＬ
）と周壁部（曲線ｂ）の温度分布はほぼ同じでｓｂ、融
液の深さ方向の温度分布はＧ５Ａａ融液とＢ、Ｏｓ融液
の界面上方において約り０℃／儒となシ、従来の形状の
ヒータで加熱したときに較べ、温度分布は直径方向で〜
１／４０、深さ方向で約１７５小さくなる。
上述の如き加熱状態のＧａＡｓ融液よシ結晶の引き上げ
操作を行って、形成した５０■径のＧＧＡＪＩ単結晶を
切シ出し、得られたウニノー−の転位密度分布を測定し
た結果、第４図のグラフの曲線αに示すように、ウェハ
ーの周縁部を除いて全面に亘って約１０″″８ｅｌｌと
、従来の構造の加熱ヒータを用いて成長させた結晶の転
位密度分布（曲線ｂ）と比較して約１／１０減少し、且
つ、Ｗ字型の分布を示していたものが、Ｕ字型の分布を
示すようになった。
操作を行って、形成した５０■径のＧＧＡＪＩ単結晶を
切シ出し、得られたウニノー−の転位密度分布を測定し
た結果、第４図のグラフの曲線αに示すように、ウェハ
ーの周縁部を除いて全面に亘って約１０″″８ｅｌｌと
、従来の構造の加熱ヒータを用いて成長させた結晶の転
位密度分布（曲線ｂ）と比較して約１／１０減少し、且
つ、Ｗ字型の分布を示していたものが、Ｕ字型の分布を
示すようになった。
この発明による加熱ヒータを磁場印加による単結晶引き
上げ装置に適用した場合もその効果は顕著に現れる。即
ち、従来の構造のヒータを用いて加熱溶融し、１２００
ガウスの磁場を印加したルツボ内のＧ５ＡＪＩ融液の中
心部（曲線Ｃ）と周壁部（曲線ｂ）の深さ方向の温度分
布を測定した結果、第５図←）のグラフに示すように、
直径方向について約１００℃の温度差が存在するが、ヒ
ータを本発明の構造のものを用い、他は同じ条件で、形
成し九Ｇ（Ｌ）Ｊ融液の中心部（曲線ｃＬ）と周壁部（
曲線ｂ）の深さ方向の温度゛分布を測定した結果、第５
図ψ）に示すように直径方向の温度差は約１１５になシ
、深さ方向の温度差も著しく小さくなった。これは、融
液が外周ばかシでなく、上面からも特に、中心を強く加
熱されているためである。
上げ装置に適用した場合もその効果は顕著に現れる。即
ち、従来の構造のヒータを用いて加熱溶融し、１２００
ガウスの磁場を印加したルツボ内のＧ５ＡＪＩ融液の中
心部（曲線Ｃ）と周壁部（曲線ｂ）の深さ方向の温度分
布を測定した結果、第５図←）のグラフに示すように、
直径方向について約１００℃の温度差が存在するが、ヒ
ータを本発明の構造のものを用い、他は同じ条件で、形
成し九Ｇ（Ｌ）Ｊ融液の中心部（曲線ｃＬ）と周壁部（
曲線ｂ）の深さ方向の温度゛分布を測定した結果、第５
図ψ）に示すように直径方向の温度差は約１１５になシ
、深さ方向の温度差も著しく小さくなった。これは、融
液が外周ばかシでなく、上面からも特に、中心を強く加
熱されているためである。
（実施例）
実施例１
高圧容器内に傾斜部分の高さが２５■、上端に直径１０
０■の開口部を有する円錐台状ヒータを上部に一体に形
成した内径１５５■、高さ１５０■の円筒状ヒータの内
側にＧａ２Ｏ３ｔ ｓ Ａｓ ５５０ ｆ １封止剤と
してＢ１０，２００ｆ充填した外径９６ｍ、高さ１００
霞のルツボを設置し、高圧容器内にアルゴンガスを圧入
して５０気圧にした後にヒータに通電して加熱した。ル
ツボ内にＧａＡｓ融液とＢ、Ｏ。
０■の開口部を有する円錐台状ヒータを上部に一体に形
成した内径１５５■、高さ１５０■の円筒状ヒータの内
側にＧａ２Ｏ３ｔ ｓ Ａｓ ５５０ ｆ １封止剤と
してＢ１０，２００ｆ充填した外径９６ｍ、高さ１００
霞のルツボを設置し、高圧容器内にアルゴンガスを圧入
して５０気圧にした後にヒータに通電して加熱した。ル
ツボ内にＧａＡｓ融液とＢ、Ｏ。
融液の二層状態となったら、熱電対によシ温度 −
分布を測定し九ところ、ルツボの深さ方向で１５！告、
ルツボの直径方向で１℃＾であった。との状態で結晶引
き上げ軸を下降させ、種結晶がＧａｐｓ融液に接触した
ら、ルツボと種結晶を所定の速度で相対的に回転させ々
から、種結晶を８−間の速度で引き上げて直径約５０露
、長さ約７０雪のＧｃＬＡｊ単結晶を形成させた。
分布を測定し九ところ、ルツボの深さ方向で１５！告、
ルツボの直径方向で１℃＾であった。との状態で結晶引
き上げ軸を下降させ、種結晶がＧａｐｓ融液に接触した
ら、ルツボと種結晶を所定の速度で相対的に回転させ々
から、種結晶を８−間の速度で引き上げて直径約５０露
、長さ約７０雪のＧｃＬＡｊ単結晶を形成させた。
この結晶から＜１００＞方向のウェーハを切シ出し、溶
融ＫＯＨ法でエツチングして転位密度分布を測定したと
ころ、中心の４０ｍ径の範囲で約５６０佃し′−と非常
に小さく、高品質の単結晶が得られた。
融ＫＯＨ法でエツチングして転位密度分布を測定したと
ころ、中心の４０ｍ径の範囲で約５６０佃し′−と非常
に小さく、高品質の単結晶が得られた。
実施例２
実施例１と同じようにしてルツボを加熱し、ルツボ内に
Ｇａ１ｇ融液とＢ、０．融液が形成した時点でルツボの
側方よυ１０００ガウスの磁場を印加して温度分布を測
定したところ、ルツボの深さ方向で８℃／備、ルツボの
直径方向で４℃にであった。磁場を印加した状態で実施
例１と同様の条件で結晶の引き上げを行い、得られ九結
晶の成長縞をフォトエツチング法で観察したところ、Ｌ
ＥＣ法に見られるような成長縞はなかった。更に固有、
欠陥量をＤＬＴＳ法で測定したところ、２×１０”／ｄ
で、通常のＬＥＣ法により得られた結晶に較べて約−桁
低かった。
Ｇａ１ｇ融液とＢ、０．融液が形成した時点でルツボの
側方よυ１０００ガウスの磁場を印加して温度分布を測
定したところ、ルツボの深さ方向で８℃／備、ルツボの
直径方向で４℃にであった。磁場を印加した状態で実施
例１と同様の条件で結晶の引き上げを行い、得られ九結
晶の成長縞をフォトエツチング法で観察したところ、Ｌ
ＥＣ法に見られるような成長縞はなかった。更に固有、
欠陥量をＤＬＴＳ法で測定したところ、２×１０”／ｄ
で、通常のＬＥＣ法により得られた結晶に較べて約−桁
低かった。
（発明の効果）
以上の説明で明らかなように、この発明によればルツボ
内の融液の温度勾配がルツボの直径方向、深さ方向のい
ずれも小さくなるため、このような状態で結晶の引き上
げを行うことにより転位の少ない高品質の単結晶が形成
することになシ、回転引き上げ法または液体封止引き上
げ法によシ製造するための単結晶引き上げ装置用のヒー
タに適用することＫより、高品質で大口径の結晶が再現
性良く製造することができることになる。
内の融液の温度勾配がルツボの直径方向、深さ方向のい
ずれも小さくなるため、このような状態で結晶の引き上
げを行うことにより転位の少ない高品質の単結晶が形成
することになシ、回転引き上げ法または液体封止引き上
げ法によシ製造するための単結晶引き上げ装置用のヒー
タに適用することＫより、高品質で大口径の結晶が再現
性良く製造することができることになる。
列国面の簡単な説明
第１図はこの発明のヒータの一実施例を示す一部を切欠
いた斜視図、第２図は一部を断面とし大側面図、第３図
はこの発明で加熱された融液の温度分布を示すグラフ、
第４図はこの発明で形成した結晶の転位密度分布を示す
グラフ、第５図は磁場印加下における融液の温度分布を
示すグラフ、第６図は液体封止回転引き上げ装置の概略
図、第７図は従来の装置における融液の温度分布の典型
例を示すグ２７である。
いた斜視図、第２図は一部を断面とし大側面図、第３図
はこの発明で加熱された融液の温度分布を示すグラフ、
第４図はこの発明で形成した結晶の転位密度分布を示す
グラフ、第５図は磁場印加下における融液の温度分布を
示すグラフ、第６図は液体封止回転引き上げ装置の概略
図、第７図は従来の装置における融液の温度分布の典型
例を示すグ２７である。
／・・・高圧容器、コ・・・ヒータ、３・・・ルツボ、
！・・・結晶原料融液、６・・・液体封止剤、７・・・
種結晶、ｉｏ・・・成長結晶、／ハ・・ヒータ部材、１
３・・・円筒状ヒータ部、ｌｌＩ・・・円錐台状ヒータ
部、／ｊ・・・開口部。
！・・・結晶原料融液、６・・・液体封止剤、７・・・
種結晶、ｉｏ・・・成長結晶、／ハ・・ヒータ部材、１
３・・・円筒状ヒータ部、ｌｌＩ・・・円錐台状ヒータ
部、／ｊ・・・開口部。
Claims (2)
- （１）内部にルツボを配置して該ルツボを加熱する単結
晶引き上げ装置用ヒータにおいて、ルツボの側面に沿つ
て位置する円筒状のヒータの上端に連続して上部内方に
向つて傾斜して上端に縮径した開口部を有する円錐台状
ヒータを延設したことを特徴とする単結晶引き上げ装置
用ヒータ。 - （２）該円錐台状ヒータの開口部はルツボが通過し得る
口径を有している特許請求の範囲第１項記載のヒータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1874485A JPS61178490A (ja) | 1985-02-04 | 1985-02-04 | 単結晶引き上げ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1874485A JPS61178490A (ja) | 1985-02-04 | 1985-02-04 | 単結晶引き上げ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61178490A true JPS61178490A (ja) | 1986-08-11 |
| JPH0329752B2 JPH0329752B2 (ja) | 1991-04-25 |
Family
ID=11980162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1874485A Granted JPS61178490A (ja) | 1985-02-04 | 1985-02-04 | 単結晶引き上げ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61178490A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7708830B2 (en) | 2003-03-27 | 2010-05-04 | Siltronic Ag | Method and device for the production of a silicon single crystal, silicon single crystal, and silicon semiconductor wafers with determined defect distributions |
| DE10339792B4 (de) * | 2003-03-27 | 2014-02-27 | Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls aus Silicium |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS553312A (en) * | 1978-06-15 | 1980-01-11 | Toshiba Corp | Production of oxide single crystal |
| JPS59174593A (ja) * | 1983-03-25 | 1984-10-03 | Toshiba Corp | 単結晶製造装置用発熱抵抗体 |
-
1985
- 1985-02-04 JP JP1874485A patent/JPS61178490A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS553312A (en) * | 1978-06-15 | 1980-01-11 | Toshiba Corp | Production of oxide single crystal |
| JPS59174593A (ja) * | 1983-03-25 | 1984-10-03 | Toshiba Corp | 単結晶製造装置用発熱抵抗体 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7708830B2 (en) | 2003-03-27 | 2010-05-04 | Siltronic Ag | Method and device for the production of a silicon single crystal, silicon single crystal, and silicon semiconductor wafers with determined defect distributions |
| DE10339792B4 (de) * | 2003-03-27 | 2014-02-27 | Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls aus Silicium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0329752B2 (ja) | 1991-04-25 |
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