JPS61176919A - 写真製版方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、段差をＭする半導体Ｉｋ板上への微細パタ
ーンな形成するだめの写真製版方法に＠するものである
。

〔従来の技術〕

半導体ウニへ上く形成された複数個の半導体素子を、化
学エツチング等によってウニへ内で、各々の素子を電気
的に分離する工程はよく用いられる技術である。この時
の各素子間の分離用溝の深さは通常数μｍであり、素子
の構造によっては１０μｍ４度の溝を必要とするものむ
ある。

メサ分離後の工程で、各素子に写真製版による微細パタ
ーンを形成する場合、従来は第２図のような方法が用い
られていた。

すなわち、第２図は従来例による段着を有する半導体基
板上への微細パターン形ｇＫよるフォトレジストの塗布
状況を示す断面略図である。この図で、１はＩＲ差を有
する半纒体つニへ、２はフォトレジスト、３は分離され
た半導体素子、４は前記半導体素子３のエツジ部である
。微細パターンを形成するＫは、粘度の低い（〜３０Ｃ
ＰＳ以下）フォトレジストを、５０００　ｒ、ｐ０ｍ程
度の高速で塗布し、フォトレジストの厚みをｓ０００Ａ
ｍ度に塗布する必要がある。ウェハ全面かけば平坦な場
合は、塗布されたフォトレジストの厚みは周辺部を除け
ば均一になる。しかしながら、第２図に示すような５μ
ｍ以上もの段差を有する半導体つェへ１に、上記と同様
な手法でフォトレジスト２を塗布すると、半導体索子３
のエツジ部４には、フォトレジスト２がはとんと塗布さ
れない状態が発生していた。

〔発明が解決しようとする間趙点〕

上記のような従来の方法では、エツジｓ４がフォトレジ
スト２でカバーされていないので、通常次工程における
エツチング等によってエツジ部４までエツチングされ、
素子特性の劣化をもたらす欠点があった。これを防止す
るため、粘度の高いフォトレジスト（囲えば６００ＰＳ
）を用いたり、フォトレジスト２の塗布を２００Ｏｒ、
ｐ、ｍの低速にする等の方法を用い、半導体系子３のエ
ツジ部４のフォトレジスト２の値覆状感をよくする試み
もなされた。しかしながら、これらの方法では、フォト
レジスト２の厚みが厚くなりすぎ、微細パターンを半導
体系子３上に形成することは不用能であった。

この発明は、上記のような従来の問題点を解消するため
になされたもので、ＩＲ差のエツジ部を完全に、ｆｆＩ
ｔ覆できるとともに、倣−パターンを形成することがで
きる写真製版方法を得ることを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

このＩＩＩＨｃ係る写真製版方法は、微細パターンを形
成するだめの粘度の低いフォトンシストと、エツジ部を
被覆するための粘度の高いフォトレジストとを区別して
用い、ｇｉａパターン形成後のフォトレジスト上ヲ、エ
ツジ部ｇ６１用の７オトンジストを厚く塗布し、耳元、
現像によりエツジ部にエツジ部被覆用のフォトレジスト
を残す方法である。

〔作用〕

この発明による写真製版方法は、粘度および感光性の異
なる２ａ類のフォトレジストを用い、粘度の低いフォト
レジストにより微細パターンの形成を行い、粘度の高い
フォトレジストにより段差のエツジ部を被覆する。

〔実施例〕

第１図＜ａ＞〜（ｄ）はこの発明の一実施例を示す写真
製版工程を示す図で、１〜４は第２図のものと同じもの
であるが、フォトレジスト２は粘度の低いものが用いら
れる。

まず、第１図（ａ）のように段差（通常５〜１０μｍの
段Ｍ）を有する半導体ウニ／％ｌ上に１例えば粘度３０
ＣＰＳのネガレジストを、スピン速度５０００ｒ、ｐ、
ｍにて塗布する。段差（半導体索子３上）上では、およ
そ５０００Ａのレジスト厚のフォトレジスト２が形成さ
れる。ところが、エツジｓ４ではレジストは段差下部へ
スピン中に飛ばされるために１厚みはけとんど零となっ
ている。上述のフォトレジスト塗布条件を用いれば、通
常の写真製版によって第１図（ｂ）のように５段差上に
数μｍの微細パターン５の形成が９舵である。このまま
では、エツジ部４の被覆は不完全であるので、次に、１
６０°Ｃ程度のボストベークを施し重合させる。

次いで、ｍ１図（Ｃ）のように、粘ｇｓｏｃｐｓ根度の
ポジレジスト６を、ポストベークが終了した半導体ウニ
八１上に、例えば３０００ｒ、ｐ、ｍの回転速匿で塗布
する。なお、第１図（Ｃ）のフォトレジスト６は、感光
性が第１図（ａ）、　（ｂ）のフォトレジスト２とは異
なり、フォトレジストの成分が異なるため、フォトレジ
スト６０血布時にフォトレジスト２が溶けることはない
。

また、５ｏｃｐｓ程度の高粘度のレジストを前述のスピ
ン速度で塗布すると、発明者の実験によれば、エツジｓ
４でもレジスト厚が１μｍｍ度になり、エツジｇ４は十
分被覆される。フォトレジスト６はエツジ部４の被覆が
目的であるので、第１図（ｄ）のようにフォトレジスト
６へのパターン７の形成は微細である必要はなく、レジ
スト厚が数μｍ以上と相尚厚くしても何ら問題はない。

この発明の実ＮＩ例では、第１図（ｂ）で得られた微細
パターン５より十分大きい、かつエツジ部４に達しない
程度の粗いバターニングで十分この発明の目的を達成す
ることがＯ１能である。そして、フォトレジスト６の嶌
光、現象のパターニング後、ベーキングを施す。

さらに１本発明者らの実験では、段差全体にＳｉ０、膜
が被層されたウニ／１にこの発明を適用し、５ｉＯｚ膜
の化学エツチングを行ったところ、エツジ部４で５ｉＯ
ｚ膜がエツチングされることなく、半導体Ａ子３上に３
μｍ程度の微細パターン５を形成することができた。

なお、上記夾＃１例では、微細パターン５を形成するフ
ォトレジスト２にネガタイプのレジストを、エツジ部４
の被覆用のフォトレジスト６にポジタイプのレジストを
用いたが、これは逆にして用いても同様の効果を得られ
ることは当然である。

〔発明の効果〕

この発明は以上説明したとおり、段差を有する半導体ウ
ェハ上の写真製版に、粘度および感光性の異なる２檀類
のフォトレジストを用いるようＫしたので、段差上に微
細パターンが形成でき、しかも、段差のエツジ部の被覆
も十分に行うことができる利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｄ）はこの発明の一実施例の工程を示
す断面図、第２図は従来の写真製版方法な説明するため
の断面図である。 図におい【、１は半導体ウェー、’２．６は７ｆトレジ
スト、３は半導体素子、４はエツジ部、５は微細パター
ン、１はパターンである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　大岩増雄　　（外２名） 第　１　図゛ 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 段差を有する半導体ウェハへの写真製版方法において、
   第１の感光性を有する粘度の低いフォトレジストを前記
   段差上面に形成した後微細パターンを形成し、次いで、
   第２の感光性を有する前記フォトレジストより粘度の高
   いフォトレジストを塗布して前記段差のエッジ部を被覆
   し、前記フォトレジストに所要のパターンを形成するこ
   とを特徴とする写真製版方法。