JPS6117571A - 液晶混合物 - Google Patents
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D239/00—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazine or hydrogenated 1,3-diazine rings
- C07D239/02—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazine or hydrogenated 1,3-diazine rings not condensed with other rings
- C07D239/24—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazine or hydrogenated 1,3-diazine rings not condensed with other rings having three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
- C07D239/26—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazine or hydrogenated 1,3-diazine rings not condensed with other rings having three or more double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached to ring carbon atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
- C09K19/34—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least one heterocyclic ring
- C09K19/3441—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least one heterocyclic ring having nitrogen as hetero atom
- C09K19/345—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least one heterocyclic ring having nitrogen as hetero atom the heterocyclic ring being a six-membered aromatic ring containing two nitrogen atoms
- C09K19/3458—Uncondensed pyrimidines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/42—Mixtures of liquid crystal compounds covered by two or more of the preceding groups C09K19/06 - C09K19/40
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規な液晶混合物及びこれらの混合物に用いる
新規な化合物、並びに新規な化合物及び混合物の製造、
及び電子−光学目的に対するその用途に関する。
新規な化合物、並びに新規な化合物及び混合物の製造、
及び電子−光学目的に対するその用途に関する。
最近、液晶は表示装置における誘電体としてかなり重要
性を増してきておシ、その理由は、かかる物質の光学的
特性が印加電圧によって影響され得るためである。液晶
に基づく電子−光学装置は当該分野に精通せる者にとっ
てはよく知られておシ、これらは種々な効果、例えば動
的散乱(dynα−mtc acat’tering
) 、整列した相の変形(DAPタイプ)、シャット−
へルフリツヒ効果(Sah−adt−HgLfrich
effect ) (回転セル)、rスト/ホスト
効果(rtugat/host effect )、ま
たコレステリツクーネマテイク(cholgatert
c−nematic )相転移(相変化効果)に基づく
ことができる。
性を増してきておシ、その理由は、かかる物質の光学的
特性が印加電圧によって影響され得るためである。液晶
に基づく電子−光学装置は当該分野に精通せる者にとっ
てはよく知られておシ、これらは種々な効果、例えば動
的散乱(dynα−mtc acat’tering
) 、整列した相の変形(DAPタイプ)、シャット−
へルフリツヒ効果(Sah−adt−HgLfrich
effect ) (回転セル)、rスト/ホスト
効果(rtugat/host effect )、ま
たコレステリツクーネマテイク(cholgatert
c−nematic )相転移(相変化効果)に基づく
ことができる。
液晶は、電子−光学的表示装置に対する誘電体として適
するために、多くの必要性を満さなければならない。例
えば液晶は良好な化学的安定性、低粘度及び短い応答時
間を有するべきであシ、良好なコントラストを示すべき
でアシ、そして液晶を操作する全体の温度範囲内でネマ
テイクまたはコレステリック中間相(mesophαg
g)を有するべきであ゛る。他の特性、例えば誘電異方
性、光学的異方性、導電率等が、使用するセルに応じて
、異なる条件を満たさなければならない。
するために、多くの必要性を満さなければならない。例
えば液晶は良好な化学的安定性、低粘度及び短い応答時
間を有するべきであシ、良好なコントラストを示すべき
でアシ、そして液晶を操作する全体の温度範囲内でネマ
テイクまたはコレステリック中間相(mesophαg
g)を有するべきであ゛る。他の特性、例えば誘電異方
性、光学的異方性、導電率等が、使用するセルに応じて
、異なる条件を満たさなければならない。
一般に、単一化合物によって全ての所望の特性及び成る
程度の相反する特性を達成することが不可能であるため
に、数種の成分を混合することによって特定の用途に対
する特性を最適にする試みが主になされている。しかし
ながら、この場合に、各成分が相互に化学反応せず且つ
相互に良好な混和性を有することが重要である。更に、
生ずる混合物は少なくとも液晶セルを操作する温度でス
メクテイク(smectic )中間相を有するべきで
はない。
程度の相反する特性を達成することが不可能であるため
に、数種の成分を混合することによって特定の用途に対
する特性を最適にする試みが主になされている。しかし
ながら、この場合に、各成分が相互に化学反応せず且つ
相互に良好な混和性を有することが重要である。更に、
生ずる混合物は少なくとも液晶セルを操作する温度でス
メクテイク(smectic )中間相を有するべきで
はない。
ピリミジン誘導体を含む液晶混合物はすでに公知である
。殊に、シアノ−置換されたピリミジン類を含む混合物
が公知であし、これらの化合物によってネマテイクまた
はコレステリック混合物を容易に製造することができる
。しかしながら、非極性末端基を有するピリミジン誘導
体はこれまでほとんど用いられておらず、これらの誘導
体によシ度々他の液晶との混合物においてスメクテイク
中間相が誘導される。
。殊に、シアノ−置換されたピリミジン類を含む混合物
が公知であし、これらの化合物によってネマテイクまた
はコレステリック混合物を容易に製造することができる
。しかしながら、非極性末端基を有するピリミジン誘導
体はこれまでほとんど用いられておらず、これらの誘導
体によシ度々他の液晶との混合物においてスメクテイク
中間相が誘導される。
今回、少なくとも1種の一般式 。
式中、Yは窒素を表わし、セしてZはCHを表わすか、
またはZは窒素を表わし、そしてYはCHを表わしgf
Lは数θまたは2を表わし;環A及びBは1,4−フェ
ニレンまたはトランス−1,4−シクロヘキシレンを表
わし;R1はp−アルキルフェニル、トランス−4−ア
ルキルシクロヘキシル或いは、nが数2を表わすか、ま
たは環A及びBの双方が1.4−フェニレンを表わす限
シにおいては、またアルキルを表わし;そしてR2及び
R1におけるアルキル残基は直鎖状のC□〜C1゜−ア
ルキルを表わす、 の化合物及び少なくとも1種の一般式 式中、Rsは直鎖状のC1〜C50−アルキルを表わし
gR4はアルキル、アルコキシ、p−アルキルフェニル
、p−アルコキシフェニル、トランス−4−アルキルシ
クロヘキシル、4′−アルキル−4−ビフェニリル、ト
ランス−4−アルキルシクロヘキシル)フェニル、2−
(トランス−4−アルキルシクロヘキシル)エチル、p
−(2−()ランス−4−アルキルシクロヘキシル)エ
チル〕フェニルtた1d2−[:p−(トランス−4−
アルキルシクロヘキシル)フェニル〕エチルを表わし;
R4におけるアルキル残基は直鎖状のC1〜”10−ア
ルキルを表わし、そしてR4におけるアルコキシ残基は
直鎖状のC1〜C10−アルコキシを表わす、 の化合物或いは一般式 式中、環Cは1,4−フェニレンまたはトランス−1,
4−シクロヘキシレンを表わし;R5は直鎖状の01〜
C10−アルキルを表わし;そしてR6は直鎖状のC1
〜CI O−アルキルまたは直鎖状のCエルC10〜ア
ルコキシを表わす、 の化合物を含有する液晶混合物は、比較的大きなネマテ
イク(または光学的活性化合物の添加によシコレステリ
ツク)中間相(meaophα8g8)、良好な溶融挙
動、比較的低粘度、良好な化学的及び光化学的安定性並
びに、殊に弾性定数X38〔ペンド(bend ) :
]及びに11mスプレィ(5plcst ) :1の好
ましい比、急こう配の透過曲線及び良好な多様性(mw
ltiplgztbtlity )を有することが見出
された。
またはZは窒素を表わし、そしてYはCHを表わしgf
Lは数θまたは2を表わし;環A及びBは1,4−フェ
ニレンまたはトランス−1,4−シクロヘキシレンを表
わし;R1はp−アルキルフェニル、トランス−4−ア
ルキルシクロヘキシル或いは、nが数2を表わすか、ま
たは環A及びBの双方が1.4−フェニレンを表わす限
シにおいては、またアルキルを表わし;そしてR2及び
R1におけるアルキル残基は直鎖状のC□〜C1゜−ア
ルキルを表わす、 の化合物及び少なくとも1種の一般式 式中、Rsは直鎖状のC1〜C50−アルキルを表わし
gR4はアルキル、アルコキシ、p−アルキルフェニル
、p−アルコキシフェニル、トランス−4−アルキルシ
クロヘキシル、4′−アルキル−4−ビフェニリル、ト
ランス−4−アルキルシクロヘキシル)フェニル、2−
(トランス−4−アルキルシクロヘキシル)エチル、p
−(2−()ランス−4−アルキルシクロヘキシル)エ
チル〕フェニルtた1d2−[:p−(トランス−4−
アルキルシクロヘキシル)フェニル〕エチルを表わし;
R4におけるアルキル残基は直鎖状のC1〜”10−ア
ルキルを表わし、そしてR4におけるアルコキシ残基は
直鎖状のC1〜C10−アルコキシを表わす、 の化合物或いは一般式 式中、環Cは1,4−フェニレンまたはトランス−1,
4−シクロヘキシレンを表わし;R5は直鎖状の01〜
C10−アルキルを表わし;そしてR6は直鎖状のC1
〜CI O−アルキルまたは直鎖状のCエルC10〜ア
ルコキシを表わす、 の化合物を含有する液晶混合物は、比較的大きなネマテ
イク(または光学的活性化合物の添加によシコレステリ
ツク)中間相(meaophα8g8)、良好な溶融挙
動、比較的低粘度、良好な化学的及び光化学的安定性並
びに、殊に弾性定数X38〔ペンド(bend ) :
]及びに11mスプレィ(5plcst ) :1の好
ましい比、急こう配の透過曲線及び良好な多様性(mw
ltiplgztbtlity )を有することが見出
された。
外が数0を表わし、環A及びBが1.4−フェニレンを
表わし、そしてR1及びR1がアルキルを表わす式Iの
化合物を含む混合物は特にに33/Kl工の低い値を有
している。一方、nが数2を表わす式lの化合物は改善
された溶解度を有し、そしてR1がp−アルキルフェニ
ルまたはトランス−4−アルキルシクロヘキシルを表わ
す式Iの化合物は特に高い透明点及び同時にK a s
/ K t□の比較的低い値を有している。
表わし、そしてR1及びR1がアルキルを表わす式Iの
化合物を含む混合物は特にに33/Kl工の低い値を有
している。一方、nが数2を表わす式lの化合物は改善
された溶解度を有し、そしてR1がp−アルキルフェニ
ルまたはトランス−4−アルキルシクロヘキシルを表わ
す式Iの化合物は特に高い透明点及び同時にK a s
/ K t□の比較的低い値を有している。
「直鎖状の01〜”10−アルキル」なる用語には基メ
チル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル
、オクチル、ノニル及びデシルが包含され、そして「直
鎖状のC亡”10−アルコキシ」する用語には基メトキ
シ、エトキシ、プロピルオキシ、ブチルオキシ、ペンチ
ルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘキシルオキシ、オクチル
オキシ、ノニルオキシ及びデシルオキシが包含される。
チル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル
、オクチル、ノニル及びデシルが包含され、そして「直
鎖状のC亡”10−アルコキシ」する用語には基メトキ
シ、エトキシ、プロピルオキシ、ブチルオキシ、ペンチ
ルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘキシルオキシ、オクチル
オキシ、ノニルオキシ及びデシルオキシが包含される。
本発明による混合物は好ましくは式I及び■の化合物を
合計して約3〜70重量%、殊に約20〜50重量%含
有する。この準金物は好ましくは少なくとも1種の式l
の化合物及び少なくとも1種の式■の化合物を含有する
。本発明による混合物中の式Iの化合物の量は好ましく
は約1〜40重量%、殊に約3〜20重量%である。
合計して約3〜70重量%、殊に約20〜50重量%含
有する。この準金物は好ましくは少なくとも1種の式l
の化合物及び少なくとも1種の式■の化合物を含有する
。本発明による混合物中の式Iの化合物の量は好ましく
は約1〜40重量%、殊に約3〜20重量%である。
式Iの好ましい化合物は、nが数0を表わし、環A及び
Bが1,4−フェニレンを表わし、そしてR1がアルキ
ルまたはトランス−4−アルキルシクロヘキシルを表わ
すものである。更に、nが数2を表わし、そしてR1が
アルキルを表わす式Iの化合物が好ましい。RR及び/
またはR1におけるアルキル残基は好ましくは直鎖状の
C3〜C1−アルキルを表わす。
Bが1,4−フェニレンを表わし、そしてR1がアルキ
ルまたはトランス−4−アルキルシクロヘキシルを表わ
すものである。更に、nが数2を表わし、そしてR1が
アルキルを表わす式Iの化合物が好ましい。RR及び/
またはR1におけるアルキル残基は好ましくは直鎖状の
C3〜C1−アルキルを表わす。
使用する弐雇の好ましい化合物はR4がアルキル、アル
コキシ、トランス−4−アルキルシクロヘキシル、トラ
ンス−4−アルキルシクロヘキシル)フェニルまタハ2
−(ff+−()ランス−4−アルキルシクロヘキシル
)フェニル〕エチルを表わす化合物、殊にR4がアルコ
キシを表わす化合物である。Rsは好ましくは直鎖状の
C3〜C1−アルキルを表わす。更に、R4におけるア
ルキル残基は好ましくは直鎖状の01〜Cフアルキルを
表わし、そしてR4におけるアルコキシ残基は好ましく
は直鎖状のCX−C6−アルコキシを表わす。
コキシ、トランス−4−アルキルシクロヘキシル、トラ
ンス−4−アルキルシクロヘキシル)フェニルまタハ2
−(ff+−()ランス−4−アルキルシクロヘキシル
)フェニル〕エチルを表わす化合物、殊にR4がアルコ
キシを表わす化合物である。Rsは好ましくは直鎖状の
C3〜C1−アルキルを表わす。更に、R4におけるア
ルキル残基は好ましくは直鎖状の01〜Cフアルキルを
表わし、そしてR4におけるアルコキシ残基は好ましく
は直鎖状のCX−C6−アルコキシを表わす。
成層において、環Cは好ましくはトランス−1゜4−シ
クロヘキシレンを表わす。R6は好ましくはC3〜C1
−アルキルを表わす。好ましい残基R@け直鎖状のC8
〜Cアーアルキル及び特に直鎖状のC1〜C6−アルコ
キ7である。
クロヘキシレンを表わす。R6は好ましくはC3〜C1
−アルキルを表わす。好ましい残基R@け直鎖状のC8
〜Cアーアルキル及び特に直鎖状のC1〜C6−アルコ
キ7である。
本発明による混合物には追加の化合物、例えばシフ”;
[基、アゾベンゼン類、アゾキシベンゼン類、シクロヘ
キサンカルボ/酸シクロヘキシルエステル類、ビフェニ
ル類、ターフェニル類、フェニルシクロヘキサン類、フ
ェニルピリミジン類、シクロヘキシルフェニルピリミジ
ン類、フェニルジオキサン類等の群からの物質を含ませ
ることができる。かかる化合物は尚該分野に精通せる者
にとっては公知でアシ、更に、これらの多くのものは市
販品である。
[基、アゾベンゼン類、アゾキシベンゼン類、シクロヘ
キサンカルボ/酸シクロヘキシルエステル類、ビフェニ
ル類、ターフェニル類、フェニルシクロヘキサン類、フ
ェニルピリミジン類、シクロヘキシルフェニルピリミジ
ン類、フェニルジオキサン類等の群からの物質を含ませ
ることができる。かかる化合物は尚該分野に精通せる者
にとっては公知でアシ、更に、これらの多くのものは市
販品である。
本発明による混合物は好ましくは、式1〜■の化合物に
加えて、1種またはそれ以上の次の一般式の化合物を含
有する′: 式中、環Cは1,4−フェニレンまたはトランス−1,
4−シクロヘキシレンヲ表ワし;R7及びR魯は直鎖状
のC1〜C1−アルキルを表わし;そしてR・は直鎖状
のC1〜C1−アルキルまたは直鎖状のC1〜C6−ア
ルコキシを表わす。
加えて、1種またはそれ以上の次の一般式の化合物を含
有する′: 式中、環Cは1,4−フェニレンまたはトランス−1,
4−シクロヘキシレンヲ表ワし;R7及びR魯は直鎖状
のC1〜C1−アルキルを表わし;そしてR・は直鎖状
のC1〜C1−アルキルまたは直鎖状のC1〜C6−ア
ルコキシを表わす。
殊に回転セル及びrスト/ホストセルに使用し得る誘電
率の正の異方性(6g = t 、、−εよ〉0、’
I+は分子の縦軸に沿う誘電率を表わし、ε、はこれに
垂直な誘電率を表わす)を有す−る本発明による混合物
は好ましくは式1〜厘の化合物に加えて少々くとも1種
の弐■゛〜■の化合物を含有する更に、本発明による混
合物には適当な光学的活性化合物(例えば光学的活性ビ
フエニkm)及び/または二色性(dtchroic
)着色物質(例えばアゾ、アゾキシまたはアントラキノ
ン着色物質)を含ませることができる。かかる化合物の
量は溶解度及び所望の色調(pitch ) 、色、吸
光等によって決定される。好ましくは光学的活性化合物
の量は最大約4重量係でiシ、そして二色性着色物質の
量は最大約10重量%、である。
率の正の異方性(6g = t 、、−εよ〉0、’
I+は分子の縦軸に沿う誘電率を表わし、ε、はこれに
垂直な誘電率を表わす)を有す−る本発明による混合物
は好ましくは式1〜厘の化合物に加えて少々くとも1種
の弐■゛〜■の化合物を含有する更に、本発明による混
合物には適当な光学的活性化合物(例えば光学的活性ビ
フエニkm)及び/または二色性(dtchroic
)着色物質(例えばアゾ、アゾキシまたはアントラキノ
ン着色物質)を含ませることができる。かかる化合物の
量は溶解度及び所望の色調(pitch ) 、色、吸
光等によって決定される。好ましくは光学的活性化合物
の量は最大約4重量係でiシ、そして二色性着色物質の
量は最大約10重量%、である。
本発明による混合物の製造はそれ自体公知の方法におい
て、例えば各成分の混合物をわずかに透明点以上の温度
に加熱し、次に該混合物を冷却することによって行うこ
とができる。
て、例えば各成分の混合物をわずかに透明点以上の温度
に加熱し、次に該混合物を冷却することによって行うこ
とができる。
また電子−光学装置の製造はそれ自体公知の方法におい
て、例えば適当なセルを空にし、そしてこの空にしたセ
ル中に該混合物を導入することによって行うことができ
る。
て、例えば適当なセルを空にし、そしてこの空にしたセ
ル中に該混合物を導入することによって行うことができ
る。
答が数0を表わし、環A及びBが1.4−フェニレンを
表わし、そしてR1がア、ルキルを表わす化合物及び式
■〜XIの化合物はゑ知のものであるか、或いは公知の
化合物の同族体でおる。
表わし、そしてR1がア、ルキルを表わす化合物及び式
■〜XIの化合物はゑ知のものであるか、或いは公知の
化合物の同族体でおる。
式11但し、
Yが窒素を表わし、そしてZがCMを表わすか、または
Zが窒素を表わし、そしてYがCMを表わし;外が数0
または2を表わし;環A及びBかも4−フェニレンまた
は゛トランスー1,4−7クロヘキシレンを表わし;R
1がp−アルキルフェニル、トランス−4−アルキルシ
クロヘキシルまたは、外が数2を表わす限シにおいては
、またアルキルを表わし;そしてR2及びR1における
アルキル残基が直鎖状の01〜CI。−アルキルを表わ
す、の化合物は新規なものであシ、そしてまた本発明の
一目的を構成するものである。
Zが窒素を表わし、そしてYがCMを表わし;外が数0
または2を表わし;環A及びBかも4−フェニレンまた
は゛トランスー1,4−7クロヘキシレンを表わし;R
1がp−アルキルフェニル、トランス−4−アルキルシ
クロヘキシルまたは、外が数2を表わす限シにおいては
、またアルキルを表わし;そしてR2及びR1における
アルキル残基が直鎖状の01〜CI。−アルキルを表わ
す、の化合物は新規なものであシ、そしてまた本発明の
一目的を構成するものである。
これらのものは本発明に従えば
α) Yが窒素を表わし、そしてZがCMを表わす式■
の化合物を製造するために、゛ニ一般式の化合物を塩基
の存在下において一般式 −式中、R’、R”、fL並
びに環A及びBは前記の意味を有し、セしてRlGはア
ルキルを表わす、 の化合物の酸付加塩と反応させるか、 b) Zが窒素を表わし、そしてYがCHを表わす式I
の化合物を製造するために、一般式の化合物を塩基の存
在下において一般式式中、R’ 、R2、fL並びに
環A及びBは前記の意味を有し、そしてloはアルキル
を表わす、 の化合物の酸付加塩と反応させるか、或いはc) n
が数2を表わす式!の化合物を製造するために、一般式 式中、R”、Y、?、並びに環A及びBは前記の意味を
有し、セしてR1はp−アルキルフェニル、トランス−
4−アルキルシクロヘキシルまたはアルキルを表わす、 の化合物を接触水素添加する ことによって製造することができる。
の化合物を製造するために、゛ニ一般式の化合物を塩基
の存在下において一般式 −式中、R’、R”、fL並
びに環A及びBは前記の意味を有し、セしてRlGはア
ルキルを表わす、 の化合物の酸付加塩と反応させるか、 b) Zが窒素を表わし、そしてYがCHを表わす式I
の化合物を製造するために、一般式の化合物を塩基の存
在下において一般式式中、R’ 、R2、fL並びに
環A及びBは前記の意味を有し、そしてloはアルキル
を表わす、 の化合物の酸付加塩と反応させるか、或いはc) n
が数2を表わす式!の化合物を製造するために、一般式 式中、R”、Y、?、並びに環A及びBは前記の意味を
有し、セしてR1はp−アルキルフェニル、トランス−
4−アルキルシクロヘキシルまたはアルキルを表わす、 の化合物を接触水素添加する ことによって製造することができる。
式XIまたはXVの化合物と弐XWまたはXWの化合物
の酸付加塩との反応線水または有機溶媒、例えばアルコ
ール、例えばメタノール、エタノール、エチレングリコ
ール等中で、塩基の存在下において有利に行われる。メ
タノール及びエタノールが好ましい溶媒である。式xy
及びXVの化合物の酸付加塩は塩化水素酸、・臭化水素
酸、硫酸、p−トルエンスルホン酸等によって生ずる塩
であることができる。好ましくは式XW及びXWの化合
物の塩酸塩を用いる。アルカリ金属アルコレート、特に
ナトリウムメチレート及びナトリウムメチレートが好ま
しい塩基である。Rloには有利には、炭素原子1〜5
個を有するアルキル残基、例えばメチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル等、好ましくはメチル及びエチルが
包含される。この反応を行う温度及び圧力は臨界的では
ない。この反応は大気圧及び室温乃至反応混合物の還流
温度間の温度、好ましくは室温で有利に行われる。
の酸付加塩との反応線水または有機溶媒、例えばアルコ
ール、例えばメタノール、エタノール、エチレングリコ
ール等中で、塩基の存在下において有利に行われる。メ
タノール及びエタノールが好ましい溶媒である。式xy
及びXVの化合物の酸付加塩は塩化水素酸、・臭化水素
酸、硫酸、p−トルエンスルホン酸等によって生ずる塩
であることができる。好ましくは式XW及びXWの化合
物の塩酸塩を用いる。アルカリ金属アルコレート、特に
ナトリウムメチレート及びナトリウムメチレートが好ま
しい塩基である。Rloには有利には、炭素原子1〜5
個を有するアルキル残基、例えばメチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル等、好ましくはメチル及びエチルが
包含される。この反応を行う温度及び圧力は臨界的では
ない。この反応は大気圧及び室温乃至反応混合物の還流
温度間の温度、好ましくは室温で有利に行われる。
式X■の化合物の接触水素添加はそれ自体公知の方法に
おいて、普通の水素添加触媒、例えばパラジウム、白金
、ラネーニッケル等を(随時不活性担体物質、例えば炭
素に担持させて)用いて行うことができる。パラジウム
及び白金が好ましい触媒である。溶媒として不活性有機
溶媒、例えば飽和アルコール類、エーテル類、エステル
類、カルボン酸類、芳香族炭化水素等、例えばエタノー
ル、ジオキサン、酢酸エチル、氷酢酸及びトルエンを用
いることができる。接触水素添加を行う温度及び圧力は
臨界的ではない。この接触水素添加は室温乃至反応混合
物の佛点間の温度及び約1〜5気圧の圧力で有利に行わ
れる。
おいて、普通の水素添加触媒、例えばパラジウム、白金
、ラネーニッケル等を(随時不活性担体物質、例えば炭
素に担持させて)用いて行うことができる。パラジウム
及び白金が好ましい触媒である。溶媒として不活性有機
溶媒、例えば飽和アルコール類、エーテル類、エステル
類、カルボン酸類、芳香族炭化水素等、例えばエタノー
ル、ジオキサン、酢酸エチル、氷酢酸及びトルエンを用
いることができる。接触水素添加を行う温度及び圧力は
臨界的ではない。この接触水素添加は室温乃至反応混合
物の佛点間の温度及び約1〜5気圧の圧力で有利に行わ
れる。
nが数0を表わす式xi及びXMの化合物並びに式XW
及びXVの化合物は公、知のものであるか、或いは公知
の化合物の同族体である。
及びXVの化合物は公、知のものであるか、或いは公知
の化合物の同族体である。
記が数2を表わす式XI及びXWの化合物並びに式X■
の化合物は新規なものである。これらのものはそれ自体
公知の方法に従って、例えば次の反応式1及び2に従っ
て製造することができる5反応式中、RI 、 7?
” 、 Rlo並びに環A及びBは上記の意味を有す
る。
の化合物は新規なものである。これらのものはそれ自体
公知の方法に従って、例えば次の反応式1及び2に従っ
て製造することができる5反応式中、RI 、 7?
” 、 Rlo並びに環A及びBは上記の意味を有す
る。
■ X
鳴
m;
≦ ■
鳴
また式xiの化合物は新規なものである。これらのもの
は式lの化合物と同様の方法において製造することがで
きる。
は式lの化合物と同様の方法において製造することがで
きる。
また式XX■の化合物は新規なものである。これらのも
のはそれ自体公知の方法において、対応するアニリン類
から、例えばトリエチルアミン及び二硫化炭素との反応
、続いてアンモニウム塩とトリエチルアミン及びクロロ
ギ酸エチルとの反応によって得ることができる。
のはそれ自体公知の方法において、対応するアニリン類
から、例えばトリエチルアミン及び二硫化炭素との反応
、続いてアンモニウム塩とトリエチルアミン及びクロロ
ギ酸エチルとの反応によって得ることができる。
本発明による混合物を次の混合物実施例によって更に詳
細に説明する。Vl。及びVIloは10チまたは50
チ透過(傾斜角0°を有する回転セルにおいて)に対す
る電圧を表わし、7’o= (Fso −V 1o )
/〆1oは透過曲線の急こう配に対する尺度で’!’
7、Klx(スプレィ)及びKss(ベンド)は弾性定
数であシ、ηは粘度(かさ粘度)を表わし、そしてΔm
は光学的異方性を表わす。特記せぬ限シ、測定は22℃
で行った。
細に説明する。Vl。及びVIloは10チまたは50
チ透過(傾斜角0°を有する回転セルにおいて)に対す
る電圧を表わし、7’o= (Fso −V 1o )
/〆1oは透過曲線の急こう配に対する尺度で’!’
7、Klx(スプレィ)及びKss(ベンド)は弾性定
数であシ、ηは粘度(かさ粘度)を表わし、そしてΔm
は光学的異方性を表わす。特記せぬ限シ、測定は22℃
で行った。
基本混合物A
トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)ベンゾニトリ
ル16.9重量%、 1−エトキシ−4−()ランス−4−プロピルシクロヘ
キシル)ベンゼンa、o重量*、p−(s−7’チル−
2−ピリミジニル)ベンゾニトリル8.6重量%、 p、−(s−へブチル−2−ピリミジニル)ベンゾニト
リル5.0重量%、 トランス−4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸p−エ
トキシフェニルエステル10.1 z量4、トランス−
4−ペンチルシクロヘキサンカルボ/酸p−メトキシフ
ェニルエステル9.2重t%、トランス−4−ペンチル
シクロヘキサンカルボン酸p−ゾロポキシフェニルエス
テ/I/15.0重Jlチ、 1−エチル−4−(2−()ランス−4−プロピルシク
ロヘキシル)エチル〕ベンゼン7.0重量%、 4’−()?ンスー4−ぺエチルシクロヘキシル)−4
−シアノビフェニル6、0重量%、p−[s−(トラン
ス−4−エチルシクロヘキシル)−2−ピリミジニル〕
ベンゾニトリル6.1重量%、 x−(2−()ランス−4−ブチルシクロヘキシル)王
チル:]−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)ベンゼン13” iff f” ;融点−20℃以
下、透明点72℃、ネマテイク;V、。=LTLVXp
。=0.128 ;η=270’l)z△n=0.11
9、k、、/に、、= 1.19゜混合物実施例1 基本混合物A90重量%、 5−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−2−
C2−()ランス−4−プロピルシクロヘキシル)エチ
ル〕ピリミジン10重量%;融点−20℃以下、透明点
78℃、ネマテイク;F1゜=1.76V、 po=0
.127iη=30Cpミ△n=0−114.1csB
/ Jl”’ 1.15゜混合物実施例2 基本混合物A90重量%、 5−(p−ブチルフェニル)−2−(2−(トランス−
4−プロピルシクロヘキシル)エチル〕ピリミジン10
重量%; 融点−20℃、透明点76℃、ネマテイク;V10=L
T 2 Vz Fo =O−123、η==33 c
ps Δゝ。
ル16.9重量%、 1−エトキシ−4−()ランス−4−プロピルシクロヘ
キシル)ベンゼンa、o重量*、p−(s−7’チル−
2−ピリミジニル)ベンゾニトリル8.6重量%、 p、−(s−へブチル−2−ピリミジニル)ベンゾニト
リル5.0重量%、 トランス−4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸p−エ
トキシフェニルエステル10.1 z量4、トランス−
4−ペンチルシクロヘキサンカルボ/酸p−メトキシフ
ェニルエステル9.2重t%、トランス−4−ペンチル
シクロヘキサンカルボン酸p−ゾロポキシフェニルエス
テ/I/15.0重Jlチ、 1−エチル−4−(2−()ランス−4−プロピルシク
ロヘキシル)エチル〕ベンゼン7.0重量%、 4’−()?ンスー4−ぺエチルシクロヘキシル)−4
−シアノビフェニル6、0重量%、p−[s−(トラン
ス−4−エチルシクロヘキシル)−2−ピリミジニル〕
ベンゾニトリル6.1重量%、 x−(2−()ランス−4−ブチルシクロヘキシル)王
チル:]−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)ベンゼン13” iff f” ;融点−20℃以
下、透明点72℃、ネマテイク;V、。=LTLVXp
。=0.128 ;η=270’l)z△n=0.11
9、k、、/に、、= 1.19゜混合物実施例1 基本混合物A90重量%、 5−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−2−
C2−()ランス−4−プロピルシクロヘキシル)エチ
ル〕ピリミジン10重量%;融点−20℃以下、透明点
78℃、ネマテイク;F1゜=1.76V、 po=0
.127iη=30Cpミ△n=0−114.1csB
/ Jl”’ 1.15゜混合物実施例2 基本混合物A90重量%、 5−(p−ブチルフェニル)−2−(2−(トランス−
4−プロピルシクロヘキシル)エチル〕ピリミジン10
重量%; 融点−20℃、透明点76℃、ネマテイク;V10=L
T 2 Vz Fo =O−123、η==33 c
ps Δゝ。
n=0.119、”ss/ kll = 1.17゜混
合物実施例3 基本混合物A90重量%、 5−(p−ブチルフェニル)−2−(P−プロピルフェ
ネチル)ピリミジン10重量%;融点−20℃、透明点
76℃、ネマテイク;70=1.78V、 po =Q
、l 24 ;η” 31 ”!’ +Δn”0.12
3、kll k11=L15゜混合物実施例4 基本混合物A90重量%、 5−(p−ブチルフェニル)−2−(p−ペンチルフェ
ニル)ピリミジン10重量%;融点約θ℃、透明点82
℃、ネマテイク:V□。=L 81 F % p 6
=0.118 H’7 =34 (j p −、Δtt
=0.130、kas/ks□=0.97゜式l及びX
Iの化合物の製造を以下の実施例によって更に詳細に説
明する。Cは結晶相を表わし、Sはスメクテイク相を表
わし、SAはスメクテイクA相を表わし、SBはスメク
テイクB相を表わし、Nはネマテイク相を表わし、そし
てIはイントロビック(1sotropic )相を表
わす。
合物実施例3 基本混合物A90重量%、 5−(p−ブチルフェニル)−2−(P−プロピルフェ
ネチル)ピリミジン10重量%;融点−20℃、透明点
76℃、ネマテイク;70=1.78V、 po =Q
、l 24 ;η” 31 ”!’ +Δn”0.12
3、kll k11=L15゜混合物実施例4 基本混合物A90重量%、 5−(p−ブチルフェニル)−2−(p−ペンチルフェ
ニル)ピリミジン10重量%;融点約θ℃、透明点82
℃、ネマテイク:V□。=L 81 F % p 6
=0.118 H’7 =34 (j p −、Δtt
=0.130、kas/ks□=0.97゜式l及びX
Iの化合物の製造を以下の実施例によって更に詳細に説
明する。Cは結晶相を表わし、Sはスメクテイク相を表
わし、SAはスメクテイクA相を表わし、SBはスメク
テイクB相を表わし、Nはネマテイク相を表わし、そし
てIはイントロビック(1sotropic )相を表
わす。
実施例1
5−(p−ブチルフェニル)−2−[:zE−(トラン
ス−4−プロピルシクロヘキシル)ビニル〕ピリミジン
4.31をトルエン125−に溶解し、この溶液をパラ
ジウム/炭素(10%)0.6Iで処理し、水素の吸収
が止まるまで、室温及び常圧で水素添加した。結晶を炉
別し、ろ液を濃縮した後に得られた5−(p−ブチルフ
ェニル)−2−(2−()ランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)エチル〕ぎリミツタをヘキサンから再結晶さ
せた。収量3.511;融点(C−5A) 101.0
’C1S、4−N104.8℃、透明点(7V−I)1
17.8℃。
ス−4−プロピルシクロヘキシル)ビニル〕ピリミジン
4.31をトルエン125−に溶解し、この溶液をパラ
ジウム/炭素(10%)0.6Iで処理し、水素の吸収
が止まるまで、室温及び常圧で水素添加した。結晶を炉
別し、ろ液を濃縮した後に得られた5−(p−ブチルフ
ェニル)−2−(2−()ランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)エチル〕ぎリミツタをヘキサンから再結晶さ
せた。収量3.511;融点(C−5A) 101.0
’C1S、4−N104.8℃、透明点(7V−I)1
17.8℃。
出発物質として用いた5−(p−ブチルフェニル)−2
−(2E−()ランス−4−fロビルシクロヘキシル)
ビニル〕ピリミジンは次の如くシて製造した: α) ナトリウム6.2y及びメタノール150m1か
ら製造したナトリウムメチレート溶液を窒素雰囲気下で
、2−Cp−ブチルフェニル)−a−エトキシアクロレ
イン〔ツァイトシュリフト・フユール・ナツールフオル
シュング(Z、Natwfor−sch、)316,4
33(1978)に従って製造したもの〕34.91!
、2−ヒドロキシアセトアミジン塩酸塩1B、2J7及
びメタノール200m1!の混合物に滴下した。得られ
た懸濁液を1日間放置し、次に濃塩酸7ゴで処理し、そ
して吸引濾過した。
−(2E−()ランス−4−fロビルシクロヘキシル)
ビニル〕ピリミジンは次の如くシて製造した: α) ナトリウム6.2y及びメタノール150m1か
ら製造したナトリウムメチレート溶液を窒素雰囲気下で
、2−Cp−ブチルフェニル)−a−エトキシアクロレ
イン〔ツァイトシュリフト・フユール・ナツールフオル
シュング(Z、Natwfor−sch、)316,4
33(1978)に従って製造したもの〕34.91!
、2−ヒドロキシアセトアミジン塩酸塩1B、2J7及
びメタノール200m1!の混合物に滴下した。得られ
た懸濁液を1日間放置し、次に濃塩酸7ゴで処理し、そ
して吸引濾過した。
p液を濃縮し、残渣をジエチルエーテルに溶解した。こ
の溶液を水で洗浄して中性にし、硫酸す上リウム上で乾
燥し、濾過し、そして濃縮した。残渣をシリカゲル40
0.p上で、トルエン/アセトン(4:1容量比)を用
いてクロマトグラフィーにかけ、5−(p−ブチルフェ
ニル)−2−ピリジンカルビノール24.011を得た
;融点67.2〜69.3℃、純度9&9%。
の溶液を水で洗浄して中性にし、硫酸す上リウム上で乾
燥し、濾過し、そして濃縮した。残渣をシリカゲル40
0.p上で、トルエン/アセトン(4:1容量比)を用
いてクロマトグラフィーにかけ、5−(p−ブチルフェ
ニル)−2−ピリジンカルビノール24.011を得た
;融点67.2〜69.3℃、純度9&9%。
b) 乾燥ジクロロメタン中の5−(p−ブチルフェニ
ル)−2−ピリミジンカルビノール24、0 F及びト
リフェニルホスフィン28.811の溶液を窒素雰囲気
下にて一30℃で、テトラブ四モメタン41.5.9で
一部づつ処理した。反応混合物を一30℃で更に30分
間攪拌し、次に一夜、加温しながら室温にした。混合物
を濃縮し、残渣をシリカダル300i上で、ヘキサン/
酢酸エチル(4:1容量ル)を用いてクロマトグラフィ
ーにかけた。融点85.0〜85.2℃の帯黄色の2−
(ブロモエチル)−5−(p−ブチルフェニル)ピリミ
ジン25.0.9が得られ、このものを直ちに次の工程
に用いた。
ル)−2−ピリミジンカルビノール24、0 F及びト
リフェニルホスフィン28.811の溶液を窒素雰囲気
下にて一30℃で、テトラブ四モメタン41.5.9で
一部づつ処理した。反応混合物を一30℃で更に30分
間攪拌し、次に一夜、加温しながら室温にした。混合物
を濃縮し、残渣をシリカダル300i上で、ヘキサン/
酢酸エチル(4:1容量ル)を用いてクロマトグラフィ
ーにかけた。融点85.0〜85.2℃の帯黄色の2−
(ブロモエチル)−5−(p−ブチルフェニル)ピリミ
ジン25.0.9が得られ、このものを直ちに次の工程
に用いた。
c) )ルエン350ff17!中の2−(ブロモメ
チル)−s−(p−ブチルフェニル)ヒリミジン25.
0gの溶液をトルエン250−中のトリフェニルホスフ
ィン25.811の溶液に滴下し、この反応混合物を室
温で3日間攪拌した。沈殿した淡い帯黄色の[5−(p
−ブチルフェニル)−2−ピリミジニルコメチル−トリ
フェニルホスホニウムブロマイドを吸引炉別し、トルエ
ンで洗浄し、そして乾燥した。収量41OJ9、融点1
76〜178℃。
チル)−s−(p−ブチルフェニル)ヒリミジン25.
0gの溶液をトルエン250−中のトリフェニルホスフ
ィン25.811の溶液に滴下し、この反応混合物を室
温で3日間攪拌した。沈殿した淡い帯黄色の[5−(p
−ブチルフェニル)−2−ピリミジニルコメチル−トリ
フェニルホスホニウムブロマイドを吸引炉別し、トルエ
ンで洗浄し、そして乾燥した。収量41OJ9、融点1
76〜178℃。
d) ジクロロメタン125−中の(s−(p−ブチル
フェニル)、−2−ピリミジニルコメチル−トリフェニ
ルホスホニウムブロマイド1&6IIの溶液を窒素雰囲
気下にて0℃で、ナトリウム0、55 、SF及びメタ
ノール10Mtから製溝したナトリウムメチレート溶液
で滴下処理し、この混合物を更に15分間攪拌した。次
に混合物をジクロロメタン25−中のトランス−4−プ
ロピルシクロヘキサンカルボキシアルデヒド3.IIの
溶液テθ℃にて滴下処理し、生じた混合物を0℃で更に
1時間、そして室温で一夜攪拌した。その後、反応混合
物をν遇し、p液を炭酸水素ナトリウム溶液及び水で洗
浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、そして濃縮した。残
渣をシリカグル150I!上で、ヘキサン/酢酸エチル
(9:1容量比)を用いてクロマトグラフィーにかけ、
ヘキサンがら1回再結Jlせ、5− (p−ブチルフェ
ニル)−2−(2E−()ランス−4−プロビルシクロ
ヘキシル)ビニル〕ピリミジン44gを得た。融点(C
−#)124℃、透明点(#−I)2015℃。
フェニル)、−2−ピリミジニルコメチル−トリフェニ
ルホスホニウムブロマイド1&6IIの溶液を窒素雰囲
気下にて0℃で、ナトリウム0、55 、SF及びメタ
ノール10Mtから製溝したナトリウムメチレート溶液
で滴下処理し、この混合物を更に15分間攪拌した。次
に混合物をジクロロメタン25−中のトランス−4−プ
ロピルシクロヘキサンカルボキシアルデヒド3.IIの
溶液テθ℃にて滴下処理し、生じた混合物を0℃で更に
1時間、そして室温で一夜攪拌した。その後、反応混合
物をν遇し、p液を炭酸水素ナトリウム溶液及び水で洗
浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、そして濃縮した。残
渣をシリカグル150I!上で、ヘキサン/酢酸エチル
(9:1容量比)を用いてクロマトグラフィーにかけ、
ヘキサンがら1回再結Jlせ、5− (p−ブチルフェ
ニル)−2−(2E−()ランス−4−プロビルシクロ
ヘキシル)ビニル〕ピリミジン44gを得た。融点(C
−#)124℃、透明点(#−I)2015℃。
同様の方法において、次の化合物を製造した:5−(p
−ブチルフェニル)−2−(2−()ランス−4−ペン
チルシクロヘキシル)エチル〕ピリミジン;融点(C−
5,4)85℃、S、4−N1122℃、透明点(#−
I)121℃、5−(p−ブチルフェニル)−2−(p
−プロピルフェネチル′)ピリミジン+Ilt点(C−
5,4)89℃、S、4−A’l G 9.5℃、透明
点(N−1)109、5℃、 5− ()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−2
−(p−ブチルフェネチル)ピリミジン;融点(C−5
)51’C1透明点(SB−I)140、5℃、 5−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−2−
[2−()ランス−4−プロピルシクロヘキシル)エチ
ル〕ピリミジン;融点(C−5B)82−5℃、透明点
(SB−I)tjo、s℃、5−ブチル−2−(2−(
トランス−4−プロピルシクロヘキシル)エチル〕ピリ
ミジン;融点(C−1)22−5℃、 5−ブチル−2−(p−ブトキシフェネチル)ピリミジ
/;融点(C−1)43℃。
−ブチルフェニル)−2−(2−()ランス−4−ペン
チルシクロヘキシル)エチル〕ピリミジン;融点(C−
5,4)85℃、S、4−N1122℃、透明点(#−
I)121℃、5−(p−ブチルフェニル)−2−(p
−プロピルフェネチル′)ピリミジン+Ilt点(C−
5,4)89℃、S、4−A’l G 9.5℃、透明
点(N−1)109、5℃、 5− ()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−2
−(p−ブチルフェネチル)ピリミジン;融点(C−5
)51’C1透明点(SB−I)140、5℃、 5−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−2−
[2−()ランス−4−プロピルシクロヘキシル)エチ
ル〕ピリミジン;融点(C−5B)82−5℃、透明点
(SB−I)tjo、s℃、5−ブチル−2−(2−(
トランス−4−プロピルシクロヘキシル)エチル〕ピリ
ミジン;融点(C−1)22−5℃、 5−ブチル−2−(p−ブトキシフェネチル)ピリミジ
/;融点(C−1)43℃。
実施例2
メタノール6〇−中の粗製の3−メトキシ−2−(2−
()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)エチルコア
クロレイン2−5II及びp−プロピルベンズアミジン
塩酸塩2.oIIの溶液を、ナトリウム0.51及びメ
タノールlO−から製造したナトリウムメチレートで滴
下処理し、生じた懸濁液を室温で一夜攪拌した。その後
、混合物を濃塩酸の添加によってpH値5に調節した。
()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)エチルコア
クロレイン2−5II及びp−プロピルベンズアミジン
塩酸塩2.oIIの溶液を、ナトリウム0.51及びメ
タノールlO−から製造したナトリウムメチレートで滴
下処理し、生じた懸濁液を室温で一夜攪拌した。その後
、混合物を濃塩酸の添加によってpH値5に調節した。
沈殿物を炉別し、ジクロロメタンに溶解した。この溶液
を水で洗浄して中性にし、硫酸ナト・リウム上で乾燥し
、そして濃縮した。精製するために、生じた5−(2−
()ランス−4−インチルシクロヘキシル)エチル)−
2−(p−fロピル7玉ニル)ピリミジン(?、31)
をシリカグル40I上で、ヘキサン/酢酸エチル(19
:’1容量比)を用いてりaiトゲラフイーにかけ、次
にヘキサンから再結晶させた。収量ZIJil;融点(
(?−、5)64℃、76℃及び103℃でs−s転位
、透明点<S、t−1)164°c。
を水で洗浄して中性にし、硫酸ナト・リウム上で乾燥し
、そして濃縮した。精製するために、生じた5−(2−
()ランス−4−インチルシクロヘキシル)エチル)−
2−(p−fロピル7玉ニル)ピリミジン(?、31)
をシリカグル40I上で、ヘキサン/酢酸エチル(19
:’1容量比)を用いてりaiトゲラフイーにかけ、次
にヘキサンから再結晶させた。収量ZIJil;融点(
(?−、5)64℃、76℃及び103℃でs−s転位
、透明点<S、t−1)164°c。
出発物質として用いた3−メ4トキシー2−〔2−(ト
ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)エチルコアクロ
レインは次の如くして製造した二G) 無水ジエチルエ
ーテル500mt中の(トランス−4−縁ブチルシクロ
ヘキシル)アセチルクロライド76. I Ifの溶液
を攪拌しながら、反応混合物が強く沸騰しすぎないよう
にして、無水ジエチルエーテル750d中の水素化リチ
ウムアルミニウム125yの懸濁液に滴下した。この混
合物を更に2時間攪拌し、次にまずアセトン30−1そ
の抜水75dで滴下処理した。次に反応混合物を3N塩
酸で酸性にし、有機相を分離し、水相をジエチルエーテ
ル200−で逆抽出した。合液した有機相を水で洗浄し
て中性にし、硫酸ナトリウム上で乾鰐し、濃縮し、帯黄
色液体として2−(トランス−4−ペンチルシクロヘキ
シル)エタノール626Iが得られた。
ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)エチルコアクロ
レインは次の如くして製造した二G) 無水ジエチルエ
ーテル500mt中の(トランス−4−縁ブチルシクロ
ヘキシル)アセチルクロライド76. I Ifの溶液
を攪拌しながら、反応混合物が強く沸騰しすぎないよう
にして、無水ジエチルエーテル750d中の水素化リチ
ウムアルミニウム125yの懸濁液に滴下した。この混
合物を更に2時間攪拌し、次にまずアセトン30−1そ
の抜水75dで滴下処理した。次に反応混合物を3N塩
酸で酸性にし、有機相を分離し、水相をジエチルエーテ
ル200−で逆抽出した。合液した有機相を水で洗浄し
て中性にし、硫酸ナトリウム上で乾鰐し、濃縮し、帯黄
色液体として2−(トランス−4−ペンチルシクロヘキ
シル)エタノール626Iが得られた。
b) N−ブロモコハク酸イミド5α19を、攪拌し
且つ水浴で冷却しながら30分以内に、温度が30℃以
上に上昇しないようにして、ジクロロメタン16〇−中
の2−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)エタ
ノール49.6.9及び)I77エールホスフイン71
.91iの溶液に一部ツつ加えた。次いで混合物を更に
3時間攪拌し、次に懸濁液を吸引戸別し、F液を回転蒸
発機で濃縮した。未だ温い残渣(2相)を振盪しながら
ヘキサン200−で徐々に処理した。細かい粒状の橙色
沈殿物を吸引戸別し、ヘキサンで数回すすいだ。
且つ水浴で冷却しながら30分以内に、温度が30℃以
上に上昇しないようにして、ジクロロメタン16〇−中
の2−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)エタ
ノール49.6.9及び)I77エールホスフイン71
.91iの溶液に一部ツつ加えた。次いで混合物を更に
3時間攪拌し、次に懸濁液を吸引戸別し、F液を回転蒸
発機で濃縮した。未だ温い残渣(2相)を振盪しながら
ヘキサン200−で徐々に処理した。細かい粒状の橙色
沈殿物を吸引戸別し、ヘキサンで数回すすいだ。
p液を濃縮し、得られた粗製のトランス−1−(2−ブ
ロモエチル)−4−ペンチルシクロヘキサンを真空下で
蒸留した。収量:主留出物53.39;沸点93〜99
°C/約o、1rorr−、純度9&2チ。
ロモエチル)−4−ペンチルシクロヘキサンを真空下で
蒸留した。収量:主留出物53.39;沸点93〜99
°C/約o、1rorr−、純度9&2チ。
C) シアン化ナトリウム9.1’ll、 ヨウ化ナト
リウム0.21 &及びジメチルスルホキシド175−
の混合物を98℃に加熱した。次に加熱を止め、混合物
をトランス−1−(2−ブロモエチル)−4−インチル
シクロヘキサン45.3.9’f20分以内に滴下処理
し、これによって温度が115℃に上昇した。反応混合
物を更に1時間100℃に保持し、次に放冷し、氷水6
00−に注ぎ、ジエチルエーテル各200−で3回抽出
した。抽出液を水各1501ntで3回洗浄し、硫酸ナ
トリウム上で乾燥し、濃縮し、褐色油として3−(トラ
ンス−4−ペンチルシクロヘキシル)ゾロビオニトリル
36.21が得られた。
リウム0.21 &及びジメチルスルホキシド175−
の混合物を98℃に加熱した。次に加熱を止め、混合物
をトランス−1−(2−ブロモエチル)−4−インチル
シクロヘキサン45.3.9’f20分以内に滴下処理
し、これによって温度が115℃に上昇した。反応混合
物を更に1時間100℃に保持し、次に放冷し、氷水6
00−に注ぎ、ジエチルエーテル各200−で3回抽出
した。抽出液を水各1501ntで3回洗浄し、硫酸ナ
トリウム上で乾燥し、濃縮し、褐色油として3−(トラ
ンス−4−ペンチルシクロヘキシル)ゾロビオニトリル
36.21が得られた。
d) 乾燥トルエン750m1中の3−(トランス−4
−ペンチルシクロヘキシル)プロピオニトリル36.1
1の溶液を、窒素下にて0℃で60分以内に、トルエン
中の水素化ジイソブチルアルミニウムの20%(容量%
)溶液2257!で滴下処理した。この混合物を更に0
℃で1時間、次に室温に加温しながら3時間攪拌した。
−ペンチルシクロヘキシル)プロピオニトリル36.1
1の溶液を、窒素下にて0℃で60分以内に、トルエン
中の水素化ジイソブチルアルミニウムの20%(容量%
)溶液2257!で滴下処理した。この混合物を更に0
℃で1時間、次に室温に加温しながら3時間攪拌した。
次いで反応混合物を0,5N硫酸2.54’中に注ぎ、
ジエチルエーテル各1ノで3回抽出した。抽出液を飽和
炭酸水素ナトリウム溶液及び水で洗浄し、硫酸ナトリウ
ム上で乾燥し、濃縮し、粗製の3−(トランス−4−ペ
ンチルシクロヘキシル)グロックナール35.8gが得
られた。
ジエチルエーテル各1ノで3回抽出した。抽出液を飽和
炭酸水素ナトリウム溶液及び水で洗浄し、硫酸ナトリウ
ム上で乾燥し、濃縮し、粗製の3−(トランス−4−ペ
ンチルシクロヘキシル)グロックナール35.8gが得
られた。
g) ツアイトシュリフト・7ユール・ナツールフオ
ルシュ、/ f (Z 、NttturfOrlteh
’abtLQ ) 34土、1535(1979)に記
載されたトランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボ
キシアルデヒドとの反応と同様の方法において、3−(
トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)プロパナール
をtart−ブチルメチルエーテル中でメトキシメチル
−トリフェニルホスホニウムクロライド及びカリウムt
art−ブチレートと反応させて1−メトキシ−4−(
トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−1−ブテン
を生成させ、このものをオルトギ酸メチル中の三フッ化
ホウ素エーテラートによって(2−()ランス−4−ペ
ンチルシクロヘキシル)エチルコマロンジアルデヒドテ
トラ、メチルアセタールに転化し、このアセタールを水
1当量及びトルエンスルホン酸の触媒量と共に加熱する
ことによって、最終的に粗製の3−メトキシ−2−〔2
−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)エチルコ
アクロレインが得られた。
ルシュ、/ f (Z 、NttturfOrlteh
’abtLQ ) 34土、1535(1979)に記
載されたトランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボ
キシアルデヒドとの反応と同様の方法において、3−(
トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)プロパナール
をtart−ブチルメチルエーテル中でメトキシメチル
−トリフェニルホスホニウムクロライド及びカリウムt
art−ブチレートと反応させて1−メトキシ−4−(
トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−1−ブテン
を生成させ、このものをオルトギ酸メチル中の三フッ化
ホウ素エーテラートによって(2−()ランス−4−ペ
ンチルシクロヘキシル)エチルコマロンジアルデヒドテ
トラ、メチルアセタールに転化し、このアセタールを水
1当量及びトルエンスルホン酸の触媒量と共に加熱する
ことによって、最終的に粗製の3−メトキシ−2−〔2
−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)エチルコ
アクロレインが得られた。
実施例3
メタノール60ゴ中の2−(p−ブチルフェニル)−3
−エトキシアクロレイン3.og及びp−(トランス−
4−プロピルシクロへ、−?シル)ベンズアミジン塩酸
塩3.8gの溶液を、ナトリウム0.6g及びメタノー
ル10tdから製造したナトリウムメチレート′溶液で
滴下処理し、生じた懸濁液を室温で一夜攪拌した。その
後、混合物を濃塩酸の添加によってpH値5に調節した
。沈殿物を炉別し、そしてジクロロメタンに溶解した。
−エトキシアクロレイン3.og及びp−(トランス−
4−プロピルシクロへ、−?シル)ベンズアミジン塩酸
塩3.8gの溶液を、ナトリウム0.6g及びメタノー
ル10tdから製造したナトリウムメチレート′溶液で
滴下処理し、生じた懸濁液を室温で一夜攪拌した。その
後、混合物を濃塩酸の添加によってpH値5に調節した
。沈殿物を炉別し、そしてジクロロメタンに溶解した。
この溶液を水で洗浄して中性にし、硫酸す) IJウム
上で乾燥し、そして濃縮した。精製するために、得られ
た5−(p−ブチルフェニル)−z−[p−(トランス
−4−プロピルシクロヘキシル)フェニル〕ピリミジン
をシリカゲル30I上で、トルエンを用いてクロマトグ
ラフィーにかけ、次に酢酸エチルから再結晶させた。収
量:3.3JFi融点((:’−5)150℃、S−#
174℃、透明点(#−7)332℃。
上で乾燥し、そして濃縮した。精製するために、得られ
た5−(p−ブチルフェニル)−z−[p−(トランス
−4−プロピルシクロヘキシル)フェニル〕ピリミジン
をシリカゲル30I上で、トルエンを用いてクロマトグ
ラフィーにかけ、次に酢酸エチルから再結晶させた。収
量:3.3JFi融点((:’−5)150℃、S−#
174℃、透明点(#−7)332℃。
同様の方法において、次の化合物を製造した:5−(p
−ブチルフェニル)−2−(p−へキシルフェニル)ピ
リミジン: 融点(’ −S、4 ) e7、8 ℃、
透明点(5,4−I)183℃、5−(p−ブチルフェ
ニル)−g−(p−ヘゲチルフェニル)ピリミジン;融
点((’−5,4)98.8℃、透明点(S、4−1)
182℃、5−(p−ブチルフェニル)−2−(p−ペ
ンチルフェニル)ピリミジン;融点((1’−5,4)
1oao℃、透明点(5,4−7)1847℃。
−ブチルフェニル)−2−(p−へキシルフェニル)ピ
リミジン: 融点(’ −S、4 ) e7、8 ℃、
透明点(5,4−I)183℃、5−(p−ブチルフェ
ニル)−g−(p−ヘゲチルフェニル)ピリミジン;融
点((’−5,4)98.8℃、透明点(S、4−1)
182℃、5−(p−ブチルフェニル)−2−(p−ペ
ンチルフェニル)ピリミジン;融点((1’−5,4)
1oao℃、透明点(5,4−7)1847℃。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、少なくとも1種の一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ I 式中、Yは窒素を表わし、そしてZはCH を表わすか、またはZは窒素を表わし、そ してYはCHを表わし;nは数0または2 を表わし;環A及びBは1,4−フェニレ ンまたはトランス−1,4−シクロヘキシ レンを表わし;R^1はp−アルキルフェニル、トラン
ス−4−アルキルシクロヘキシ ル或いは、nが数2を表わすか、または環 A及びBの双方が1,4−フェニレンを表 わす限りにおいては、またアルキルを表わ し;そしてR^2及びR^1におけるアルキル残基は直
鎖状のC_1〜C_1_0−アルキルを表わす、 の化合物及び少なくとも1種の一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼II 式中、R^3は直鎖状のC_1〜C_1_0−アルキル
を表わし;R^4はアルキル、アルコキシ、p−アルキ
ルフェニル、p−アルコキシフ ェニル、トランス−4−アルキルシクロヘ キシル、4′−アルキル−4−ビフェニリル、p−(ト
ランス−4−アルキルシクロヘキ シル)フェニル、2−(トランス−4−ア ルキルシクロヘキシル)エチル、p−〔2 −(トランス−4−アルキルシクロヘキシ ル)エチル〕フェニルまたは2−〔p− (トランス−4−アルキルシクロヘキシル)フェニル〕
エチルを表わし;R^4におけるアルキル残基は直鎖状
のC_1〜C_1_0−アルキルを表わし、そしてR^
4におけるアルコキシ残基は直鎖状のC_1〜C_1_
0−アルコキシを表わす、 の化合物或いは一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼III 式中、環Cは1,4−フェニレンまたはト ランス−1,4−シクロヘキシレンを表わ し;R^5は直鎖状のC_1〜C_1_0−アルキルを
表わし;そしてR^6は直鎖状のC_1〜C_1_0−
アルキルまたは直鎖状のC_1〜C_1_0−アルコキ
シを表わす、 の化合物を含有する液晶混合物。 2、式 I の化合物1〜40重量%、好ましくは3〜2
0重量%並びに式II及びIIIの化合物3〜70重量%、
好ましくは20〜50重量%を含有する特許請求の範囲
第1項記載の液晶混合物。 3、nが数0を表わし、環A及びBが1,4−フェニレ
ンを表わし、そしてR^1がアルキルまたはトランス−
4−アルキルシクロヘキシルを表わす特許請求の範囲第
1項または第2項記載の液晶混合物。 4、R^2及びR^1におけるアルキル残基が直鎖状の
C_3〜C_7−アルキルを表わす特許請求の範囲第1
〜3項のいずれかに記載の液晶混合物。 5、R^4がアルキル、アルコキシ、トランス−4−ア
ルキルシクロヘキシル、p−(トランス−4−アルキル
シクロヘキシル)フェニルまたは2−〔p−(トランス
−4−アルキルシクロヘキシル)フェニル〕エチル、好
ましくはアルコキシを表わす特許請求の範囲第1〜4項
のいずれかに記載の液晶混合物。 6、環Cがトランス−1,4−シクロヘキシレンを表わ
し、そしてR^6が直鎖状のC_1〜C_6−アルコキ
シを表わす特許請求の範囲第1〜5項のいずれかに記載
の液晶混合物。 7、電子−光学目的のために特許請求の範囲第1〜6項
のいずれかに記載の液晶混合物の使用。 8、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ I 式中、Yは窒素を表わし、そしてZはCH を表わすか、またはZは窒素を表わし、そ してYはCHを表わし;nは数0または2 を表わし;環A及びBは1,4−フェニレ ンまたはトランス−1,4−シクロヘキシ レンを表わし;R^1はp−アルキルフェニル、トラン
ス−4−アルキルシクロヘキシ ル或いは、nが数2を表わす限りにおいて は、またアルキルを表わし;そしてR^2及びR^1に
おけるアルキル残基は直鎖状のC_1〜C_1_0−ア
ルキルを表わす、 の化合物。 9、a)Yが窒素を表わし、そしてZがCHを表わす式
I の化合物を製造するために、一般式▲数式、化学式
、表等があります▼XIII の化項合を塩基の存在下において一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼XIV 式中、R^1、R^2、n並びに環A及びBは特許請求
の範囲第8項記載の意味を有し、 そしてR^1^0はアルキルを表わす、 の化合物の酸付加塩と反応させるか、 b)Zが窒素を表わし、そしてYがCHを表わす式 I
の化合物を製造するために、一般式▲数式、化学式、表
等があります▼XV の化合物を塩基の存在下において一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼XVI 式中、R^1、R^2、n並びに環A及びBは特許請求
の範囲第8項記載の意味を有し、 そしてR^1^0はアルキルを表わす、 の化合物の酸付加塩と反応させるか、或いはc)nが数
2を表わす式 I の化合物を製造するために、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼XVI 式中、R^2、Y、Z並びに環A及びBは特許請求の範
囲第8項記載の意味を有し、そ してR^1はp−アルキルフェニル、トランス−4−ア
ルキルシクロヘキシルまたはア ルキルを表わす、 の化合物を触媒的に水素添加する ことを特徴とする特許請求の範囲第8項に定義した式
I の化合物の製造方法。 10、電子−光学目的のために特許請求の範囲第8項に
定義した式 I の化合物の使用。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH2783/84-2 | 1984-06-07 | ||
CH278384A CH661935A5 (en) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | Liquid-crystalline mixtures |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6109112A Division JP2603440B2 (ja) | 1984-06-07 | 1994-04-26 | 新規な液晶性化合物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6117571A true JPS6117571A (ja) | 1986-01-25 |
JPH0689331B2 JPH0689331B2 (ja) | 1994-11-09 |
Family
ID=4241492
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60121606A Expired - Lifetime JPH0689331B2 (ja) | 1984-06-07 | 1985-06-06 | 液晶混合物 |
JP6109112A Expired - Lifetime JP2603440B2 (ja) | 1984-06-07 | 1994-04-26 | 新規な液晶性化合物 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6109112A Expired - Lifetime JP2603440B2 (ja) | 1984-06-07 | 1994-04-26 | 新規な液晶性化合物 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JPH0689331B2 (ja) |
CH (1) | CH661935A5 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4698176A (en) * | 1984-01-11 | 1987-10-06 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Heterocyclically substituted ethanes and their use in liquid crystal materials and devices |
US5055221A (en) * | 1985-05-24 | 1991-10-08 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Smectic liquid-crystalline phases |
US5064566A (en) * | 1985-04-27 | 1991-11-12 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Smectic liquid crystal phases |
US5279762A (en) * | 1985-04-27 | 1994-01-18 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Smectic liquid crystal phases |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3401321A1 (de) * | 1984-01-17 | 1985-07-25 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Stickstoffhaltige heterocyclen |
-
1984
- 1984-06-07 CH CH278384A patent/CH661935A5/de not_active IP Right Cessation
-
1985
- 1985-06-06 JP JP60121606A patent/JPH0689331B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-04-26 JP JP6109112A patent/JP2603440B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4698176A (en) * | 1984-01-11 | 1987-10-06 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Heterocyclically substituted ethanes and their use in liquid crystal materials and devices |
US5064566A (en) * | 1985-04-27 | 1991-11-12 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Smectic liquid crystal phases |
US5279762A (en) * | 1985-04-27 | 1994-01-18 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Smectic liquid crystal phases |
US5055221A (en) * | 1985-05-24 | 1991-10-08 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Smectic liquid-crystalline phases |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2603440B2 (ja) | 1997-04-23 |
JPH0689331B2 (ja) | 1994-11-09 |
CH661935A5 (en) | 1987-08-31 |
JPH07149734A (ja) | 1995-06-13 |
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