JPS61171311U - - Google Patents

Info

Publication number
JPS61171311U
JPS61171311U JP5485385U JP5485385U JPS61171311U JP S61171311 U JPS61171311 U JP S61171311U JP 5485385 U JP5485385 U JP 5485385U JP 5485385 U JP5485385 U JP 5485385U JP S61171311 U JPS61171311 U JP S61171311U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
effect transistor
field effect
field
source
gate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5485385U
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0247619Y2 (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP5485385U priority Critical patent/JPH0247619Y2/ja
Publication of JPS61171311U publication Critical patent/JPS61171311U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH0247619Y2 publication Critical patent/JPH0247619Y2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の実施例を説明するためのソ
ース接地電圧増幅回路の回路図、第2図は第1図
に示した回路のゲートバイアスが0Vのときの動
作を表わす動特性図、第3図は過渡電流を大きく
した半導体論理回路の回路図、第4図はこの考案
の作用を説明するための入出力の伝達特性図であ
る。 11,12,13,14,31,32,33…
…デイプレツシヨン型FET,VDD……定電位
電源、I……入力端子、……出力端子、GND
……接地端子、v……入力信号、vD……出力
信号、V0……動作点出力電圧、V1……電源電
圧、a,b,c……伝達特性、P1,P2,P3
……動作点、l,m……静特性曲線。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 デイプレツシヨン型の第1および第2電界効果
    トランジスタと、該第1電界効果トランジスタと
    同じゲート長さと同じゲート幅とを有したデイプ
    レツシヨン型の第3電界効果トランジスタと、該
    第2電界効果トランジスタと同じゲート長と同じ
    ゲート幅とを有したデイプレツシヨン型の第4電
    界効果トランジスタとを備え、 記第1電界効果トランジスタのドレインは定
    電位電源に接続され、前記第1電界効果トランジ
    スタのソースと前記第2電界効果トランジスタの
    ドレインとが接続され、前記第1電界効果トラン
    ジスタのゲートと前記第2電界効果トランジスタ
    のゲートおよびソースと前記第3電界効果トラン
    ジスタのドレインと出力端子とが接続され、入力
    端子と前記第3電界効果トランジスタのゲートと
    前記第4電界効果トランジスタのゲートとが接続
    され、前記第3電界効果トランジスタのソースと
    前記第4電界効果トランジスタのドレインとが接
    続され、前記第4電界効果トランジスタのソース
    と接地端子とが接続されてなることを特徴とする
    半導体集積回路。
JP5485385U 1985-04-15 1985-04-15 Expired JPH0247619Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5485385U JPH0247619Y2 (ja) 1985-04-15 1985-04-15

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5485385U JPH0247619Y2 (ja) 1985-04-15 1985-04-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61171311U true JPS61171311U (ja) 1986-10-24
JPH0247619Y2 JPH0247619Y2 (ja) 1990-12-14

Family

ID=30576986

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5485385U Expired JPH0247619Y2 (ja) 1985-04-15 1985-04-15

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0247619Y2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0247619Y2 (ja) 1990-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900010531A (ko) 정전류원 회로
KR920015551A (ko) 기판 전위 검출 회로를 가진 반도체 집적회로 장치
KR890004501A (ko) 대칭 증폭기 부하회로 및 논리 레벨 조정용 증폭기
KR840008091A (ko) Mos트랜지스터 증폭기
JPS61171311U (ja)
JPS5937860B2 (ja) 半導体集積回路装置
JP3386661B2 (ja) 出力バッファ
JP3343299B2 (ja) 出力回路
JPH0659761A (ja) 半導体集積回路
KR870003623A (ko) 슈미트 회로
JPH0566765B2 (ja)
JPH03109418U (ja)
SU824403A1 (ru) Фазоинверсный усилитель
KR920011077A (ko) 반도체 회로
JPS61124128U (ja)
JPH0348924U (ja)
JPS61103718U (ja)
JPH0421136U (ja)
US20020075043A1 (en) Push-pull amplifier for use in generating a reference voltage
JPS61101121A (ja) アナログスイツチ
JPH0155770B2 (ja)
JPH02138312U (ja)
JPH0459960U (ja)
JPH02116157A (ja) 半導体集積回路装置
JPS59219007A (ja) Mos増幅回路