JPS61124128U - - Google Patents

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JPS61124128U
JPS61124128U JP627785U JP627785U JPS61124128U JP S61124128 U JPS61124128 U JP S61124128U JP 627785 U JP627785 U JP 627785U JP 627785 U JP627785 U JP 627785U JP S61124128 U JPS61124128 U JP S61124128U
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JP
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effect transistor
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enhancement type
source electrode
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JP627785U
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【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案に係るインバータの一実施例
を示す回路図、第2図は、第1図に示したインバ
ータの伝達特性を示す図である。 1,2,3,4…EFET、VDD…電源電位
端子、GND…接地電位端子、I…入力端子、θ
…出力端子、A…特定接続点。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 ゲート電極とドレイン電極とが第1電位端子に
    接続され、ソース電極が特定の接続点に接続され
    た第1エンハンスメント型電界効果トランジスタ
    と、 ゲート電極が入力端子に接続され、ドレイン電
    極が前記特定接続点に接続され、ソース電極が他
    のエンハンスメント型電界効果トランジスタを介
    してもしくは直接的に第2電位端子に接続された
    第2エンハンスメント型電界効果トランジスタと
    、 ゲート電極が前記特定接続点に接続され、ドレ
    イン電極が前記第1電位端子に接続され、ソース
    電極が出力端子に接続された第3エンハンスメン
    ト型電界効果トランジスタと、 ゲート電極が前記入力端子に接続され、ドレイ
    ン電極が前記出力端子に接続され、ソース電極が
    他のエンハンスメント型電界効果トランジスタを
    介してもしくは直接的に前記第2電位端子に接続
    された第4エンハンスメント型電界効果トランジ
    スタと、 を備えてなることを特徴とする半導体集積回路。
JP627785U 1985-01-22 1985-01-22 Pending JPS61124128U (ja)

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JP627785U JPS61124128U (ja) 1985-01-22 1985-01-22

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JP627785U JPS61124128U (ja) 1985-01-22 1985-01-22

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JPS61124128U true JPS61124128U (ja) 1986-08-05

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ID=30483571

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JP627785U Pending JPS61124128U (ja) 1985-01-22 1985-01-22

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