JPS61168122A - 磁気デイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、「発明の目的」 〔産業上の利用分野〕 本発明は、固定磁気ディスク記憶装置（以下ディスク装
置と記す）に使用される磁気ディスクに関するものであ
る。

〔従来の技術〕

第２図は、従来例及び本発明に係る磁気ディスクの外観
例である。近年の技術革新に伴い、磁気ディスクは、情
報の高密度書込み化、小径化、薄形化の方向にある。そ
こで、情報を記録する１１竹層の形成手段は、従来用い
られている塗布媒体（アルミナ粉と磁性材を高分子材の
バインダに混合して、基板の表面に１μｍ程度の厚さに
塗布して磁性層を形成したもの）から、薄り磁性層を形
成することが可能な、めっき、スパッタ等へ移行しつつ
ある。

第３図は、以上のようなめつき、スパッタにより磁性層
を形成した従来の磁気ディスクの断面を示す図である。

同図において、１はアルミ材からなる基板であり、表面
の平均粗さが約０．００５μｍ程度、最大突起が０．０
２１１ｍ程度に仕上げられている。２は耐接触強度を持
たせるための基層で、厚さ３０μｍ程度のニッケルーリ
ン合金（以下Ｎ１−Ｐと記す・）が無電解めっきにより
形成されている。この基層２の表面をポリッシュし、表
面粗さを小さくした後、無電解めっきによりＮ　’＋　
−Ｃ０−Ｐを０．０８μｍ８度の厚さに形成する。この
層が情報を記録する磁性層３となる。磁性層３は、この
状態のままでは、耐食性、耐摩耗性が劣り、また、コン
タクト・スタート・ス１−ツブ式により磁気ヘッドを使
用する場合は、磁気ヘッドが磁気ディスクに吸着する恐
れがあるので、この磁性層３の上にＯ，ＯＩ３μｍＮＩ
の保護層４、及びｏ、　ｏ８’μｍ程度の潤滑層５を形
成する。

ここで、磁気ヘッド（通常は１ｙｌｎ−７ｎフエライト
で構成）の硬度（ビッカース値ｌ」ｖ　＝　６００ｋｇ
ｆ　ｍｍ’　）との関係上、保護層４の材質としては、
５ｕＯ２（１１２化シリコン）が優れている。この保ｉ
ｉＩ層４を均一に、しかも簡単に形成する手段として、
通常、シラノール（商品名・・・５Ｊ（ＯＨ）、、）を
回転塗布し、これを焼成、脱水して、５ｕＯ２層を形成
している。

Ｓ、、ｊ（Ｏｆ−Ｉ）ａ→Ｓｉ○２＋２Ｈ２０潤滑層５
は液体テフロンを塗布して形成する。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、以上のような手段は次の問題点を有している。

シラノールを焼成する場合２００°Ｃ以下で行なうと、
ＳｉＯ２である保護層４の硬度がＨＶ　ｋ　６００ｋｇ
ｆ　ｍｍ２以上にならず、磁気ヘッドによる摩耗を防ぐ
という目的を達成できない。

シラノールを２００℃以上にすると、ＳＪ、０２からな
る保護層４の硬度も増すが、今度は、次の重大な問題が
発生ザる。

シラノールの部分、即ち保護層４を加熱すると、近接し
て配置される基層２も加熱される。基層２は非晶質のＮ
＋−Ｐで構成されるが、加熱のＰｉ！度によっては、こ
れが結晶化し、Ｎ１−Ｐが磁性を帯びる。しかし、情報
を記憶する磁性層３に近接した基層２が、磁性を帯びる
とすれば、これは、全く磁気ディスクとして役に立たな
い。従って、悪影響及ぼさない範囲（飽和磁束密度Ｂ５
≦３ｇａＵＳＳ　）に基層２の磁化特性を押える必要が
ある。

これを第４図を用いて説明する。第４図は、無電解Ｎ１
−ｐめっきを行なう場合に、通常、用いられるめっき液
（ブルーシコーマ、シューマＢＯ９非磁性シューマ・・
・以上商品名）で形成されたＮ１−Ｐ層に温度を加えた
場合の加熱−磁化特性を示した図である。第４図から分
るように、非磁性シューマを用いれば、加熱温度２００
℃程度では、磁化されず好都合である。しかし、この非
磁性シューマにより得られる、Ｎ１−Ｐめつきは、高リ
ン（Ｐ）・パーセントであって、耐摩耗性、硬度の点で
磁気ディスクの基層２には使用できない。

シューマＳｏを用いた場合は、２００℃を越えないよう
にして加熱しなければならない。又は、シラノールのみ
加熱して基層２には、熱が伝導しないような特殊な手段
を用いなければならない。そのための設備として、フラ
シュランプとかＣＯ２レーザが必要であり、製造コスト
の上昇と高価な製造設備を必要としていた。また、基層
Ｓ＋ｊＯｚ、の硬度は、加熱温度につれて増すが、２０
０℃では、保護層４のＳｉＯ２の硬度はＨｖ＝　５００
ｋｇｆ　ｍｍ’が限度である。

以上のことを言替えると、’４　Ｆｌｉ　２の材料とし
てＮ１−Ｐを用い、渇１３Ｊ２００℃程度で加熱して、
保護層４に用いたシラノールＳ　’　（ＯＨ）＝１を焼
成することは、実用化に適さないと結論することができ
る。

本発明の目的は、シラノールの焼成温度をもつと高くし
ても（２５０℃まで）基層２が磁性化しない手段を提供
することである。

口、「発明の構成」 〔問題点を解決するだめの手段〕 本発明は、上記問題点を解決すめために基層２として、
無電解めっきによりニッケル−タングステン−リン合金
を用いたものである。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例について図面に基づいて説明する
。なお、従来技術と同一要素には、同一符号を付して、
重複する説明は省略する。

第１図は、本発明に係る磁気ディスクの描成断面の例を
示した図である。同図と従来例である第３図と異なる点
は、基層２ａの材質である。即ち、従来は、基層をＮ１
−ｐの無電解めっきとしたが、本発明では”、これを無
電解めっきによるニツケル−タングスデンーリン合金（
以下、Ｎ１−Ｗ−Ｐと記す）としている点である。

６一 以下、基層２ａにＮ　＋　−ｗ−ｐを用いた理由を説明
する。

上述したように、第４図の非磁性シューマを用いた場合
は、加熱温度を２５０℃位にしても、Ｎ１−Ｐからなる
基層２の磁化は全く問題ない。しかし、この非磁性シュ
ーマを用いた場合は、高リンの含有量のため、これを材
料とする基層２の耐摩耗性と硬度の点が劣る。従って、
非磁性シューマを使用することが出来なかった。

本発明は、この非磁性シューマが持つ長所、即ち高リン
化により温度を上げても組織が結晶化しない（磁気特性
を帯びない）と言う特長をＩＩｆ持しつつ、欠点（耐摩
耗性と硬度が劣る点）を改良することができる手段を提
供するものである。その結果、高い温度（２５０℃位）
で加熱しても、基層２が磁気特性を帯びないようになっ
た。

第５図はタングステン含有量をパラメータにとり、研磨
材の回転速度とトラック幅（タングステンを含ませた部
材が研磨された幅）との関係を示した図である。第６図
はタングステン含有量をパラメータにとり、熱処理温度
と硬度との関係を示した図である。

タングステンをＮ１−Ｐめっき皮膜中に含有させると、
その含有量につれ耐摩耗性が改善されることが、第５図
から分る。また、硬度の点では、第６図よりタングステ
ンをＮ１−Ｐめつき皮膜中に含有させると、その含有量
につれ硬度が向上し、熱処理することでＨｖ＝　６００
ｋｇｆ　ｍｍ２を実現することは、容易である。

以上のように、タングステンを含有させることにより、
耐摩耗性、硬度性が改良されることが第５図、第６図か
ら分る。

また、タングステンは非磁性であるため、これをＮｒ−
ｐに加えても、磁気特性に関しては、影響しない。即ち
、本発明に用いるＮ；−ｗ−ｐ合金の磁気特性に関して
は、第４図に示す非磁性シューマの特性が紺持される。

Ｎ；−ｗ−ｐ合金めっきを得る具体例を上げると、例え
ば、次亜リン酸ナトリウムを還元剤とするニッケルめっ
きにタングステン酸ナトリウムを添加してＮ１−Ｗ−Ｐ
合金めつき皮膜を析出させる方法である。このめっき液
から析出するＮ１−Ｗ−Ｐ合金めつき皮膜中のタングス
テン含有量は、錯化剤として加えるクエン酸ナトリウム
の量に影響される。そして、錯化剤であるクエン酸ナト
リウムのｆｆ１２ｈ　Ｉ！を用いたＮ　ｉ　−Ｗ−Ｐに
おいて、タングステン〈Ｗ）ニリン（Ｐ）＝３　：　１
が得られ、（Ｗ十Ｐ）　　：　Ｎ　ｉ　＝１２：　８８
という高リンＮ１−Ｐめつき乃至これと同等の組成比の
ものが、特に耐摩耗性、硬度性等について良い結果が得
られる。参考までに、通常のＮ１−Ｐめつきの組成比を
述べると、Ｐ：Ｎ＋＝８：９２位である。

なお、第１図では、片面の磁気ディスクについて描いた
が、両面のものは、これと対象のものがこの下側に構成
される。即ち、本発明は、両面の磁気ディスクにも適用
されるものである。

ハ、「本発明の効果」 以上述べたように、本発明によれば無電解Ｎ１−Ｐめつ
きを高リン化すると高唱時においても磁性化が減少する
と言う特長を紺持しつつ、耐摩耗性、硬度の劣化をタン
グステンを添加することにより補っている。その結果、
保１層４　（ＳＪ、　（ＯＨ）４）の焼成を２５０℃に
上げることができ、ＳＪ、０２化が促進でき、６００ｋ
ｇｆ　ｍｍ　２以上の硬度を得ることができる。更に、
基層２の飽和磁束密度Ｂｓ≦３ｇａｕｓｓとすることが
でき、良好な特性の磁気ディスクを構成することができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る磁気ディスクの構成断面の例を示
した図、第２図は従来例及び本発明に係る磁気ディスク
の外観例を示す図、第３図は従来の磁気ディスクの断面
を示す図、第４図は各種めっき液で得られたＮ１−Ｐ層
に温度を加えた場合の加熱−磁化特性を示す図、第５図
はタングステン含有量と耐摩耗性との関係を示す図、第
６図はタングステン含有間と硬度との関係を示す図であ
る。 １・・・基板、２ａ・・・基層、３・・・磁性層、４・
・・保護層、５・・・潤滑層。 四裟譚嵌佃伽（朧Ｃ区） ＡＨ７Ａ鹸 （−−９！１ｄｌ−（１

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 基板と、その上に設けた基層と、この基層の上に設けた
   磁性層と、この磁性層の上に設けた保護層とを備え、磁
   性層に情報を書込むようにした磁気ディスクにおいて、 前記基層として、無電解めっきによりニッケル−タング
   ステン−リン合金めつき皮膜を用いたことを特徴とする
   磁気ディスク。