JPH03104017A - 平滑な表面を有する磁気記録媒体 - Google Patents
平滑な表面を有する磁気記録媒体Info
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- JPH03104017A JPH03104017A JP2242044A JP24204490A JPH03104017A JP H03104017 A JPH03104017 A JP H03104017A JP 2242044 A JP2242044 A JP 2242044A JP 24204490 A JP24204490 A JP 24204490A JP H03104017 A JPH03104017 A JP H03104017A
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Classifications
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
- C23C14/165—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon by cathodic sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/185—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates by cathodic sputtering
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
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- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
μｉｎ）という小さい浮動ヘッド浮上量で作動する工程
を有する磁気記録媒体に関する． 関する． 〔従来の技術〕 過去数年間にわたり、薄膜媒体における記録密度の大幅
な向上が達戒され、記録密度をさらに向上させる努力が
続けられている． 高記録密度を達戒するうえで、薄膜媒体のいくつかの磁
気的性質が重要である．これら重要な磁気的性質の１つ
は、飽和保磁力である。これは、残留磁束をゼロにする
のに必要な磁界、すなわち記憶された情報ビットを消去
するのに必要な磁界として定義される．媒体中の飽和保
磁力が高ければ高いほど、隣合う記録ビットを相殺させ
ずにより近接して配置することができ、より高い記憶密
度を得ることができる．典型的には、約１２００ ０
ｅ（エルステッド）以上の飽和保磁力があれば高記録密
度に適合する． 記録密度に関係のある薄膜媒体のもう一つの性質は、ビ
ットシフトまたはピークシフトである．この現象は信号
ピークの広がりと、記号間の干渉とに関連する．ビット
シフトが隣接電圧ピークの読取り可能な解像度を制限す
るほどに、この現象は記録密度の上限を規制する．すな
わち、薄膜媒体中のビットシフト値が高ければ高いほど
、得られる記録密度は低くなる。浮上量、すなわち回転
するディスクの上方へ読取り書込みヘッドが浮上する距
離は、高記録密度を達戒するうえでのもう一つの重要な
因子である．読取り書込みヘッドの作動位置がディスク
表面に近いほど、ディスク中の隣合う磁区の電圧信号の
重なりが小さくなり、記録密度を増すことができる。浮
上量は主としてディスクの表面不整によって制約される
．高い飽和保磁力とはと良い低いビットシフト値を有す
る薄膜媒体は、アルミ基体を用いて製造されてきた。典
型的には、まずアルミ基体にニッケル・燐などの選択し
た合金のメッキを施して所望の表面硬さを得たのち、メ
ッキ工程で生じた表面小結節を除去するために研磨する
．表面小結節の硬さは様々であるため、研磨工程後に表
面凹凸の形態の表面不整が残る傾向がある． 表面調整の後、金属基体をスパッタリング装置に通して
、そこで順次スパッタリング工程を行うことにより下層
およびコバルト系薄膜磁性層を付着させる．該下層は結
晶性表面を形成するのに必要であり、該結晶性表面によ
って、磁性膜の結晶のＣ一軸は長手記録の場合には面内
に（ｉｎ−ｐｌａｎｅ）、垂直記録の場合には面外に（
ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ）、効果的に配向される．磁
性層の上には、減摩（潤滑）および耐摩性のためのカー
ボン被覆が施される．？属ディスク型薄膜媒体のこの製
造方法は岸雪蕊ヒラタ閂九■品弓米国特許第４，８１６
，１２７号明細書に説明されている．ここで、被覆され
た金属基体の上にスパッタリングにより１０００〜４０
０Åの最終厚さのクロム下層を設ける．所望の結晶異方
性をもつ下層を形成するには、このスパッタリングを高
温、典型的には有する非金属基体の表面上に１００〜３
００″Ｃ以上の高温で行う必要がある。該下層の形成後
、ディスクを第２のスパッタリング部へ移送し、そこで
コバルト系磁性層を該下層の上にスパッタ形成する。こ
のようにして、長手記録での飽和保磁力が１２００ ０
ｅ以上のディスクを得ることができる．〔発明が解決
しようとする問題点〕 今述べたような金Ｎ基体型薄膜ディスクで得られる好ま
しい磁気特性にもかかわらず、該薄膜ディスクの記録密
度はディスク表面の不整（それは金属基体の表面不整に
起因する）により浮上量にであった。
を有する磁気記録媒体に関する． 関する． 〔従来の技術〕 過去数年間にわたり、薄膜媒体における記録密度の大幅
な向上が達戒され、記録密度をさらに向上させる努力が
続けられている． 高記録密度を達戒するうえで、薄膜媒体のいくつかの磁
気的性質が重要である．これら重要な磁気的性質の１つ
は、飽和保磁力である。これは、残留磁束をゼロにする
のに必要な磁界、すなわち記憶された情報ビットを消去
するのに必要な磁界として定義される．媒体中の飽和保
磁力が高ければ高いほど、隣合う記録ビットを相殺させ
ずにより近接して配置することができ、より高い記憶密
度を得ることができる．典型的には、約１２００ ０
ｅ（エルステッド）以上の飽和保磁力があれば高記録密
度に適合する． 記録密度に関係のある薄膜媒体のもう一つの性質は、ビ
ットシフトまたはピークシフトである．この現象は信号
ピークの広がりと、記号間の干渉とに関連する．ビット
シフトが隣接電圧ピークの読取り可能な解像度を制限す
るほどに、この現象は記録密度の上限を規制する．すな
わち、薄膜媒体中のビットシフト値が高ければ高いほど
、得られる記録密度は低くなる。浮上量、すなわち回転
するディスクの上方へ読取り書込みヘッドが浮上する距
離は、高記録密度を達戒するうえでのもう一つの重要な
因子である．読取り書込みヘッドの作動位置がディスク
表面に近いほど、ディスク中の隣合う磁区の電圧信号の
重なりが小さくなり、記録密度を増すことができる。浮
上量は主としてディスクの表面不整によって制約される
．高い飽和保磁力とはと良い低いビットシフト値を有す
る薄膜媒体は、アルミ基体を用いて製造されてきた。典
型的には、まずアルミ基体にニッケル・燐などの選択し
た合金のメッキを施して所望の表面硬さを得たのち、メ
ッキ工程で生じた表面小結節を除去するために研磨する
．表面小結節の硬さは様々であるため、研磨工程後に表
面凹凸の形態の表面不整が残る傾向がある． 表面調整の後、金属基体をスパッタリング装置に通して
、そこで順次スパッタリング工程を行うことにより下層
およびコバルト系薄膜磁性層を付着させる．該下層は結
晶性表面を形成するのに必要であり、該結晶性表面によ
って、磁性膜の結晶のＣ一軸は長手記録の場合には面内
に（ｉｎ−ｐｌａｎｅ）、垂直記録の場合には面外に（
ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ）、効果的に配向される．磁
性層の上には、減摩（潤滑）および耐摩性のためのカー
ボン被覆が施される．？属ディスク型薄膜媒体のこの製
造方法は岸雪蕊ヒラタ閂九■品弓米国特許第４，８１６
，１２７号明細書に説明されている．ここで、被覆され
た金属基体の上にスパッタリングにより１０００〜４０
０Åの最終厚さのクロム下層を設ける．所望の結晶異方
性をもつ下層を形成するには、このスパッタリングを高
温、典型的には有する非金属基体の表面上に１００〜３
００″Ｃ以上の高温で行う必要がある。該下層の形成後
、ディスクを第２のスパッタリング部へ移送し、そこで
コバルト系磁性層を該下層の上にスパッタ形成する。こ
のようにして、長手記録での飽和保磁力が１２００ ０
ｅ以上のディスクを得ることができる．〔発明が解決
しようとする問題点〕 今述べたような金Ｎ基体型薄膜ディスクで得られる好ま
しい磁気特性にもかかわらず、該薄膜ディスクの記録密
度はディスク表面の不整（それは金属基体の表面不整に
起因する）により浮上量にであった。
平滑な表面をもつガラスまたはセラミック基体等の基体
の上にｆｉ膜磁性層を形成すれば、浮上量を小さくし記
録密度を増すことができる．ガラス、セラξツクまたは
耐熱性ポリマーの基体を有する薄膜媒体が提案されてい
る．しかしながら、高記録密度に必要な性能特性を得る
ことの困難さのために、この方策は現在まで制約されて
きた．例えば、本発明を擁護するための実験は、従来の
スパッタリング方法で作戒した薄膜媒体は比較的大きな
ビットシフト値（例えば、１８〜２０ｎｓ以上）または
比較的低い飽和保磁力（例えば、１２００ ０ ｅ以下
）を持つ傾向のあることを示す。前述のように、低い飽
和保磁力または高いビットシフト値は、薄膜ディスクで
得られる記録密度を制限する．そこで本発明のｌつの一
般的な目的は、高飽和保磁力および低ビットシフトの性
能特性を持つ、平滑な表面を有する薄膜磁気媒体を提供
することである． 本発明の上記に関連した目的は、このような薄膜磁性媒
体の製造方法を提供することである。
の上にｆｉ膜磁性層を形成すれば、浮上量を小さくし記
録密度を増すことができる．ガラス、セラξツクまたは
耐熱性ポリマーの基体を有する薄膜媒体が提案されてい
る．しかしながら、高記録密度に必要な性能特性を得る
ことの困難さのために、この方策は現在まで制約されて
きた．例えば、本発明を擁護するための実験は、従来の
スパッタリング方法で作戒した薄膜媒体は比較的大きな
ビットシフト値（例えば、１８〜２０ｎｓ以上）または
比較的低い飽和保磁力（例えば、１２００ ０ ｅ以下
）を持つ傾向のあることを示す。前述のように、低い飽
和保磁力または高いビットシフト値は、薄膜ディスクで
得られる記録密度を制限する．そこで本発明のｌつの一
般的な目的は、高飽和保磁力および低ビットシフトの性
能特性を持つ、平滑な表面を有する薄膜磁気媒体を提供
することである． 本発明の上記に関連した目的は、このような薄膜磁性媒
体の製造方法を提供することである。
本発明の一つの態様によれば、平滑な表面を有する磁気
記録媒体の製造方法が提供される。この磁気記録媒体の
製造方法は、スパンタリング温度を約１００℃以下、好
ましくは室温付近に維持しながら、平滑な表面を有する
非金属基体の厚さのクロムを実質的に未加熱状態にして
、最終厚さが約５Å以上、好ましくは約４０Å以下のク
ロム基層を形成する工程を含む．次いで該非金属基体お
よび該クロム基層を有する非金属基体の表面上に１００
〜５００℃の温度、好ましくは約３００℃以上の温度に
加熱し、該クロム基層の上にクロムをさらに実質的に未
加熱状態にしてクロム下層を形成するとともに、該クロ
ム基層の厚さを除く該クロム下層の最終厚さを約４０Å
以上とし、かつ、該クロム下層の総厚さを好ましくは約
４００Å以下とする．該クロム下層の上にコバルト系磁
性薄膜ｍ（約２〜４μｉｎ）の浮上量での作動を可能に
する最終表面平滑度、Φ）長手記録における１２００
０ ｅ以上の飽和保磁力、および（ｃ）約１６ｎｓ以下
のビットシフト、をもたらすような条件下で行うのが好
まし２〜４μｉｎ）の浮上量での作動を可能にする最終
表面平滑度、（ｂ）長手記録における１２００ ０ ｅ
以上のは飽和保磁力、および（ｃ）約１６ｎｓ以下のピ
ットシフト、を特徴とする薄膜磁気ディスクが提供され
る．該薄膜磁気ディスクは上記製造方法で製造するのが
好ましく、また、（ａ） （ ｉ ）比較的無秩序な結
晶方位を有する厚さ５０〜４０Åの基層、および（ ｉ
ｉ ）比較的異方性の結晶配向を有する厚さ約４０Å以
上の上側層から或るクロム下層と、い）該クロム下層の
上に形成した厚さ３００〜１５０ÅのＣ０系合金磁性層
、を有する． 本発明によれば、さらに、平滑な表面を有する非金属基
体の上にクロム下層を形成する方法が提供される．この
クロム下層形成方法は、該非金属基体を実質的に未加熱
状態にして該非金属基体の厚さのクロムを実質的に未加
熱状態にして該非金属基体の上に吸熱性クロム基層を形
成する工程を含む．次いで該非金属基体および該クロム
基層を有する非金属基体の表面上に１００℃以上、好ま
しくは約３００〜５００℃に加熱し、該クロム基層の厚
さのクロムを実質的に未加熱状態にして、該クロム基層
の厚さを除く最終厚さが約５０Å以上のクロム下層を形
成する。
記録媒体の製造方法が提供される。この磁気記録媒体の
製造方法は、スパンタリング温度を約１００℃以下、好
ましくは室温付近に維持しながら、平滑な表面を有する
非金属基体の厚さのクロムを実質的に未加熱状態にして
、最終厚さが約５Å以上、好ましくは約４０Å以下のク
ロム基層を形成する工程を含む．次いで該非金属基体お
よび該クロム基層を有する非金属基体の表面上に１００
〜５００℃の温度、好ましくは約３００℃以上の温度に
加熱し、該クロム基層の上にクロムをさらに実質的に未
加熱状態にしてクロム下層を形成するとともに、該クロ
ム基層の厚さを除く該クロム下層の最終厚さを約４０Å
以上とし、かつ、該クロム下層の総厚さを好ましくは約
４００Å以下とする．該クロム下層の上にコバルト系磁
性薄膜ｍ（約２〜４μｉｎ）の浮上量での作動を可能に
する最終表面平滑度、Φ）長手記録における１２００
０ ｅ以上の飽和保磁力、および（ｃ）約１６ｎｓ以下
のビットシフト、をもたらすような条件下で行うのが好
まし２〜４μｉｎ）の浮上量での作動を可能にする最終
表面平滑度、（ｂ）長手記録における１２００ ０ ｅ
以上のは飽和保磁力、および（ｃ）約１６ｎｓ以下のピ
ットシフト、を特徴とする薄膜磁気ディスクが提供され
る．該薄膜磁気ディスクは上記製造方法で製造するのが
好ましく、また、（ａ） （ ｉ ）比較的無秩序な結
晶方位を有する厚さ５０〜４０Åの基層、および（ ｉ
ｉ ）比較的異方性の結晶配向を有する厚さ約４０Å以
上の上側層から或るクロム下層と、い）該クロム下層の
上に形成した厚さ３００〜１５０ÅのＣ０系合金磁性層
、を有する． 本発明によれば、さらに、平滑な表面を有する非金属基
体の上にクロム下層を形成する方法が提供される．この
クロム下層形成方法は、該非金属基体を実質的に未加熱
状態にして該非金属基体の厚さのクロムを実質的に未加
熱状態にして該非金属基体の上に吸熱性クロム基層を形
成する工程を含む．次いで該非金属基体および該クロム
基層を有する非金属基体の表面上に１００℃以上、好ま
しくは約３００〜５００℃に加熱し、該クロム基層の厚
さのクロムを実質的に未加熱状態にして、該クロム基層
の厚さを除く最終厚さが約５０Å以上のクロム下層を形
成する。
本発明のこれらおよび他の目的および特徴は、以下の発
明の詳細な説明を添付図面を参照しながら読むことによ
り、さらに充分に理解できよう．第１図は本発明の方法
を実施するのに適したスパッタリング装置１０の部分略
図である。このスパッタリング装置は、スパッタリング
または加熱を行う少くとも４つのステーシぢンを有する
真空室１２を含む．真空室の上流端の加熱ステーション
１４には複数の赤外線電灯、例えば電灯１６、が設けら
れている．赤外線電灯ｌ６は、パレット２０に乗って真
空室内の該ステーションを通って運ばれる基体１８等の
基体の両面を加熱するように配置される．加熱室のすぐ
下流には第１のスパッタリング室２２があり、ここでク
ロム下層を基体の上に下記のようにして形成する．第１
のスパッタリング室には基体の両面にクロムをスパッタ
するためのターゲット２４等の一対のターゲットが設け
られる．第１のスパッタリング室２２の下流側の第２の
スパッタリングステーシッン２６はクロム下層の上に磁
性膜をスバッタするように構威される．この第２のスパ
ッタリングステーションには、ｉｆｆ 性ＴｉＪ Ｈを
形成するのに使うコバルト系合金をスバ・冫夕するため
のターゲット２６等の一対のスパッタリング用ターゲッ
トが設けられる． 図示しないが、スパッタリング装置はさらに、磁気ディ
スクの両面にカーボンオーバーコートをスパッタ形成す
る最終下流ステーションを含む。
明の詳細な説明を添付図面を参照しながら読むことによ
り、さらに充分に理解できよう．第１図は本発明の方法
を実施するのに適したスパッタリング装置１０の部分略
図である。このスパッタリング装置は、スパッタリング
または加熱を行う少くとも４つのステーシぢンを有する
真空室１２を含む．真空室の上流端の加熱ステーション
１４には複数の赤外線電灯、例えば電灯１６、が設けら
れている．赤外線電灯ｌ６は、パレット２０に乗って真
空室内の該ステーションを通って運ばれる基体１８等の
基体の両面を加熱するように配置される．加熱室のすぐ
下流には第１のスパッタリング室２２があり、ここでク
ロム下層を基体の上に下記のようにして形成する．第１
のスパッタリング室には基体の両面にクロムをスパッタ
するためのターゲット２４等の一対のターゲットが設け
られる．第１のスパッタリング室２２の下流側の第２の
スパッタリングステーシッン２６はクロム下層の上に磁
性膜をスバッタするように構威される．この第２のスパ
ッタリングステーションには、ｉｆｆ 性ＴｉＪ Ｈを
形成するのに使うコバルト系合金をスバ・冫夕するため
のターゲット２６等の一対のスパッタリング用ターゲッ
トが設けられる． 図示しないが、スパッタリング装置はさらに、磁気ディ
スクの両面にカーボンオーバーコートをスパッタ形成す
る最終下流ステーションを含む。
この基本的なスパッタリング装置としては、例えば、サ
ーキット・プロセッシング・アパレイタス社（米国カリ
フォルニア州フリーモート）、ＵＬＶＡＫ社（日本）
、Ｌｅｙｂａｄ Ｈｅｒａｅｕｓ社（西独） 、ＶＡＣ
ＴＥＣ社（米国コロラド州ボウルグー）、マテリアル・
リサーチ・コーポレーシゴン社（米国ニューヨーク州４
−ルバニ）の各社から販売されているような市販の装置
が好ましい．これら装置は装荷・除荷のための２つのイ
ンターロック系統を有する両使用する基体３０を示す．
この基体は非金属製で平滑な表面を有する基体である．
すなわち、ガラス、セラミック材料または耐熱性ボリマ
ーから或る基体であって、非常に均一または平滑な表面
を有するように作戒できるものである．「平滑な表面」
＃μ＋＊（２〜４μｉｎ）にまで小さくして使用するこ
とができることを意味する． 好適なガラスとしては、ソーダライムおよびアルミノ斑
酸塩ガラスが挙げられる．好ましい基体の一例は、高度
に研磨した表面（４）厚さが約０． １ ｃｔａ （約
０．０５ｉｎ） 、直径が約９ｃｍ （３．５ｉｎ）の
アルカリ斑酸塩ガラス基体である．このような平滑な表
面を有する基体は、公与（日本）から市販されている．
本発明における基体に適したセラミック材料としてはコ
ーニング・グラス社のＣａｎａｓｉｔｅ（商標）が挙げ
られる． 本発明によって薄膜媒体を製造するには、まず、比較的
低温、好ましくは室温〜１００ ’Ｃの温度で、平滑な
表面を有する非金属基体の上に厚さ約５Å以上のクロム
基層をスパッタ形成する．クロム基層を形成した後、非
金属基体およびクロム基層を有する非金属基体の表面上
に１００〜５００℃の通常のスパッタリング温度、好ま
しくは約３００℃以上の温度に加熱しながら、非金属基
体上へのクロムのスパッタリングを中断する．次いで、
該加熱した非金属基体およびクロム基層に第２のスパッ
タードクロム層を施しすことにより、該クロム基層と第
２の上側クロム層から或るクロム下層を形成する．該ク
ロム基層の厚さを除いた該クロム下層の総厚さは約４０
Å以上であり、該クロム基層を含むクロム下層全体の総
厚さは約す．クロム基層の中の無秩序な方向の点線は、
無秩序に配向した結晶構造を示すためのもので、優先軸
方向に沿う支配的な結晶戒長パターンが未だ確立されて
いないことを示している．方向性結晶或長がないのは、
クスム基層スパッタ形成する温度が比較的低いことと、
化学的に強靭化した表面層を含む非金属基体の非品質表
面構造の両方に起因するのであろう． 上述のよに、スパッタリングを中断し、クロム基層を初
めのスパッタリング工程の後に加熱する．この分離した
加熱工程は基層表面の酸化をもたらすが、このような酸
化は薄膜磁気ディスクにおいて所望の磁気特性を得るの
に好通な表面特性をクロム基層が持つことに寄与する可
能性がある．第２のクロムスパッタリング工程は高温で
行わ基体の面内にある．すなわち、上側クロム層は高い
異方性平向／垂直結晶方位比を有する．この異方性は磁
性層の形成の際に所望の磁性層結晶方位を平行Ｃ一軸方
向にするうえで重要であり、そうすることが、長手記録
の際に高飽和保磁力を得るために必要である．第２０お
よび２Ｄ図中３６に示すクロム下層は、クロム基［３２
と上側クロムＪｉｉ３４から戒る． 常法により所望の厚さにスパッタ形成する．この媒体を
、やはりスパッタリングにより、保護カーボンオーバー
コートで被覆してもよい．本発明の方法を実施するにあ
たり、非金属基体をスパッタリング装置内のパレット２
０等のパレットに載せ、真空室を排気して例えば約１０
−’Ｔｏｒｒの真空にする．上記のようにほとんど加熱
しないかまたは全く加熱せずに、非金属基体を加熱室内
に移動し、次いで第ｌのスパッタリング室に導入し、そ
こでクロム基層を形成する．クロム基層の最終厚さは、
第１のスパッタリング室への非金属基体導入速度、第１
のスパンタリング室内の非金属基体の移動速度およびス
バッタ速度により制御される．第１のスパッタリング室
内のターゲットは、典型的には、約０．５〜２ｋＷの好
適ターゲット電力に設定し、非金属基体のターゲット領
域通過速度は約３０〜５０Ｃｌ／分とする．クロム基層
の最終厚さは約５Å以上とし、好ましくは４０Å以下で
ある。
ーキット・プロセッシング・アパレイタス社（米国カリ
フォルニア州フリーモート）、ＵＬＶＡＫ社（日本）
、Ｌｅｙｂａｄ Ｈｅｒａｅｕｓ社（西独） 、ＶＡＣ
ＴＥＣ社（米国コロラド州ボウルグー）、マテリアル・
リサーチ・コーポレーシゴン社（米国ニューヨーク州４
−ルバニ）の各社から販売されているような市販の装置
が好ましい．これら装置は装荷・除荷のための２つのイ
ンターロック系統を有する両使用する基体３０を示す．
この基体は非金属製で平滑な表面を有する基体である．
すなわち、ガラス、セラミック材料または耐熱性ボリマ
ーから或る基体であって、非常に均一または平滑な表面
を有するように作戒できるものである．「平滑な表面」
＃μ＋＊（２〜４μｉｎ）にまで小さくして使用するこ
とができることを意味する． 好適なガラスとしては、ソーダライムおよびアルミノ斑
酸塩ガラスが挙げられる．好ましい基体の一例は、高度
に研磨した表面（４）厚さが約０． １ ｃｔａ （約
０．０５ｉｎ） 、直径が約９ｃｍ （３．５ｉｎ）の
アルカリ斑酸塩ガラス基体である．このような平滑な表
面を有する基体は、公与（日本）から市販されている．
本発明における基体に適したセラミック材料としてはコ
ーニング・グラス社のＣａｎａｓｉｔｅ（商標）が挙げ
られる． 本発明によって薄膜媒体を製造するには、まず、比較的
低温、好ましくは室温〜１００ ’Ｃの温度で、平滑な
表面を有する非金属基体の上に厚さ約５Å以上のクロム
基層をスパッタ形成する．クロム基層を形成した後、非
金属基体およびクロム基層を有する非金属基体の表面上
に１００〜５００℃の通常のスパッタリング温度、好ま
しくは約３００℃以上の温度に加熱しながら、非金属基
体上へのクロムのスパッタリングを中断する．次いで、
該加熱した非金属基体およびクロム基層に第２のスパッ
タードクロム層を施しすことにより、該クロム基層と第
２の上側クロム層から或るクロム下層を形成する．該ク
ロム基層の厚さを除いた該クロム下層の総厚さは約４０
Å以上であり、該クロム基層を含むクロム下層全体の総
厚さは約す．クロム基層の中の無秩序な方向の点線は、
無秩序に配向した結晶構造を示すためのもので、優先軸
方向に沿う支配的な結晶戒長パターンが未だ確立されて
いないことを示している．方向性結晶或長がないのは、
クスム基層スパッタ形成する温度が比較的低いことと、
化学的に強靭化した表面層を含む非金属基体の非品質表
面構造の両方に起因するのであろう． 上述のよに、スパッタリングを中断し、クロム基層を初
めのスパッタリング工程の後に加熱する．この分離した
加熱工程は基層表面の酸化をもたらすが、このような酸
化は薄膜磁気ディスクにおいて所望の磁気特性を得るの
に好通な表面特性をクロム基層が持つことに寄与する可
能性がある．第２のクロムスパッタリング工程は高温で
行わ基体の面内にある．すなわち、上側クロム層は高い
異方性平向／垂直結晶方位比を有する．この異方性は磁
性層の形成の際に所望の磁性層結晶方位を平行Ｃ一軸方
向にするうえで重要であり、そうすることが、長手記録
の際に高飽和保磁力を得るために必要である．第２０お
よび２Ｄ図中３６に示すクロム下層は、クロム基［３２
と上側クロムＪｉｉ３４から戒る． 常法により所望の厚さにスパッタ形成する．この媒体を
、やはりスパッタリングにより、保護カーボンオーバー
コートで被覆してもよい．本発明の方法を実施するにあ
たり、非金属基体をスパッタリング装置内のパレット２
０等のパレットに載せ、真空室を排気して例えば約１０
−’Ｔｏｒｒの真空にする．上記のようにほとんど加熱
しないかまたは全く加熱せずに、非金属基体を加熱室内
に移動し、次いで第ｌのスパッタリング室に導入し、そ
こでクロム基層を形成する．クロム基層の最終厚さは、
第１のスパッタリング室への非金属基体導入速度、第１
のスパンタリング室内の非金属基体の移動速度およびス
バッタ速度により制御される．第１のスパッタリング室
内のターゲットは、典型的には、約０．５〜２ｋＷの好
適ターゲット電力に設定し、非金属基体のターゲット領
域通過速度は約３０〜５０Ｃｌ／分とする．クロム基層
の最終厚さは約５Å以上とし、好ましくは４０Å以下で
ある。
次いで該非金属基体を含むパレットを上流側へ移動して
非金属基体およびクロム基層を前記加熱室に導入し、前
記のように非金属基体を有する非金属基体の表面上に１
００℃以上に加熱する．所望の温度に達するのは、典型
的には、基体片側当たり約２．５ｋ一の加熱レベルで加
熱して１分以内である．これとは対照的に、未処理非金
属基体（クロム基層を設けないもの）を真空室内で２０
０〜３００℃の温度に加熱するのは非常に困難であるこ
とがわかった．このように、該クロム基層の１つの重要
な機能は、比較的低い吸熱係数をもつ非金属基体を効率
的に加熱できるようにすることである．加熱したパレッ
トをここで再び下流位置へ移勤して、該加熱した非金属
基体を第１のスパッタリング室に配置し、そこで、クロ
ム下層の上側クロム層を形成する．第１のスパッタリン
グ室内のクロムターゲットは、典型的には、約２〜５ｋ
Ｈの好適ターゲット電力に設定し、非金属基体のターゲ
ト領域通過速度は約３０〜６０ｃｉ／分とすることによ
り、約５００〜４００Åのクロム下層最終厚さを得る．
ここで注意すべきことは、スパッタリング条件は基体温
度が加熱ステーシゴンで生しる温度に近い値に維持され
るようなものとすることである．前記のように、このよ
うな熱条件下でスパッタリングすると、クロム下層にお
いて好ましい異方性結晶の形成が起こる． クロム下層の形成後、非金属基体をバレノトに載せたま
ま下流側へ移動して第２のスパッタリング室に導入し、
そこでクロム下層の上に磁性層をよび２〜ｌＯ％のクロ
ムを含有し、好ましくは７４〜７８％のコバルト、１５
〜２５％のニッケルおよび５〜タンタル、１０〜１６％
のクロムおよび６０〜８５％のニッケルを含むものがあ
る． 該磁性薄膜層のクロム下層の上へのスバッタ形成は例え
ば、上記米国特許明細書に記載されているような周知条
件下で行われ、最終厚さ約３００〜１５０Åに形成され
る．該磁性薄膜層をスパッタ形成する工程の間、非金属
基体およびクロム下層の温度は加熱室で生じる塩度に低
い値とするのが好ましい。
非金属基体およびクロム基層を前記加熱室に導入し、前
記のように非金属基体を有する非金属基体の表面上に１
００℃以上に加熱する．所望の温度に達するのは、典型
的には、基体片側当たり約２．５ｋ一の加熱レベルで加
熱して１分以内である．これとは対照的に、未処理非金
属基体（クロム基層を設けないもの）を真空室内で２０
０〜３００℃の温度に加熱するのは非常に困難であるこ
とがわかった．このように、該クロム基層の１つの重要
な機能は、比較的低い吸熱係数をもつ非金属基体を効率
的に加熱できるようにすることである．加熱したパレッ
トをここで再び下流位置へ移勤して、該加熱した非金属
基体を第１のスパッタリング室に配置し、そこで、クロ
ム下層の上側クロム層を形成する．第１のスパッタリン
グ室内のクロムターゲットは、典型的には、約２〜５ｋ
Ｈの好適ターゲット電力に設定し、非金属基体のターゲ
ト領域通過速度は約３０〜６０ｃｉ／分とすることによ
り、約５００〜４００Åのクロム下層最終厚さを得る．
ここで注意すべきことは、スパッタリング条件は基体温
度が加熱ステーシゴンで生しる温度に近い値に維持され
るようなものとすることである．前記のように、このよ
うな熱条件下でスパッタリングすると、クロム下層にお
いて好ましい異方性結晶の形成が起こる． クロム下層の形成後、非金属基体をバレノトに載せたま
ま下流側へ移動して第２のスパッタリング室に導入し、
そこでクロム下層の上に磁性層をよび２〜ｌＯ％のクロ
ムを含有し、好ましくは７４〜７８％のコバルト、１５
〜２５％のニッケルおよび５〜タンタル、１０〜１６％
のクロムおよび６０〜８５％のニッケルを含むものがあ
る． 該磁性薄膜層のクロム下層の上へのスバッタ形成は例え
ば、上記米国特許明細書に記載されているような周知条
件下で行われ、最終厚さ約３００〜１５０Åに形成され
る．該磁性薄膜層をスパッタ形成する工程の間、非金属
基体およびクロム下層の温度は加熱室で生じる塩度に低
い値とするのが好ましい。
磁性薄膜層の形成後、非金属基体をパレットに載せたま
ま第３のスパッタリング室（図示せず）に向けて移動し
、そこでカーボンオーバーコートを周知のスパッタリン
グ方法により形成する．クロム基層の厚さがクロム下層
の総厚さ（約５００〜６０Å）の９〜４６％である。本
発明により作威した種々の薄膜ディスクについて飽和保
磁力を測定した。測定結果から次の各項ｌ〜３がわかっ
た．１．最適の飽和保磁力を得るためには、クロム基層
の厚さが約５Å以上、クロム下層の総厚さが約５０Åで
あることが必要である． ２．クロム基層のスパンタ形成に先立つガラス基体の加
熱は、飽和保磁力をかなり低下させる。
ま第３のスパッタリング室（図示せず）に向けて移動し
、そこでカーボンオーバーコートを周知のスパッタリン
グ方法により形成する．クロム基層の厚さがクロム下層
の総厚さ（約５００〜６０Å）の９〜４６％である。本
発明により作威した種々の薄膜ディスクについて飽和保
磁力を測定した。測定結果から次の各項ｌ〜３がわかっ
た．１．最適の飽和保磁力を得るためには、クロム基層
の厚さが約５Å以上、クロム下層の総厚さが約５０Åで
あることが必要である． ２．クロム基層のスパンタ形成に先立つガラス基体の加
熱は、飽和保磁力をかなり低下させる。
３．クロム下層の２段階スバッタ形成工程は、ガラス基
体型ディスクの場合には飽和保磁力を高めるが、前記の
ように金属基体型ディスクの場合には飽和保磁力を実際
に低下させる． 第３図は、ガラス基体（ぼかした棒）およびアルミ基体
（べ夕黒棒〉の上に形成した薄膜磁気ディスクの飽和保
磁力値を示す．薄膜磁気ディスク１〜３は、加熱した基
体の上に常法により連続クロム下層を５００〜６００入
の最終厚さにスパック形成して作威した．このクロム下
層の上にコバルト、クロムおよびタンタルから成る厚さ
６０Åの磁性層を前記のようにしてスパッタ形成した．
薄膜磁気ディスク４〜６は、本発明により、基体の上に
厚さ５Åのクロム基層をスパッタ形成し、基体およびク
ロム基層を３００’Ｃに加熱した後、クロム基層の上に
クロムを最終クロム下層厚さが約５００〜６０Åとなる
ように実質的に未加熱状態にしてイ乍戒した．クロム下
層の上にスバッタ形成した磁性層は薄膜磁気ディスク１
〜３と実質的に同じである。
体型ディスクの場合には飽和保磁力を高めるが、前記の
ように金属基体型ディスクの場合には飽和保磁力を実際
に低下させる． 第３図は、ガラス基体（ぼかした棒）およびアルミ基体
（べ夕黒棒〉の上に形成した薄膜磁気ディスクの飽和保
磁力値を示す．薄膜磁気ディスク１〜３は、加熱した基
体の上に常法により連続クロム下層を５００〜６００入
の最終厚さにスパック形成して作威した．このクロム下
層の上にコバルト、クロムおよびタンタルから成る厚さ
６０Åの磁性層を前記のようにしてスパッタ形成した．
薄膜磁気ディスク４〜６は、本発明により、基体の上に
厚さ５Åのクロム基層をスパッタ形成し、基体およびク
ロム基層を３００’Ｃに加熱した後、クロム基層の上に
クロムを最終クロム下層厚さが約５００〜６０Åとなる
ように実質的に未加熱状態にしてイ乍戒した．クロム下
層の上にスバッタ形成した磁性層は薄膜磁気ディスク１
〜３と実質的に同じである。
第３図に見られるように、本発明にしたがってガラス基
体の上にクロム下層を２段階工程でスパッタ形成して作
成した薄膜磁気ディスクの飽和保磁力（パレット４〜６
）は、加熱した基体の上にクロム下層を単一の連続スパ
ッタリング工程で形成して得た！膜磁気ディスクの飽和
保磁力よりもかなり高い値を示した。特に、１２０００
ｅよりかなり高い飽和保磁力値が得られた。金属基体上
に形成した薄膜媒体は逆の効果を示した。すなわち、か
なり高い飽和保磁力が、連続工程によりクロム下層を形
戊することによって得られた。
体の上にクロム下層を２段階工程でスパッタ形成して作
成した薄膜磁気ディスクの飽和保磁力（パレット４〜６
）は、加熱した基体の上にクロム下層を単一の連続スパ
ッタリング工程で形成して得た！膜磁気ディスクの飽和
保磁力よりもかなり高い値を示した。特に、１２０００
ｅよりかなり高い飽和保磁力値が得られた。金属基体上
に形成した薄膜媒体は逆の効果を示した。すなわち、か
なり高い飽和保磁力が、連続工程によりクロム下層を形
戊することによって得られた。
（ｉ）前記のように、ガラス基体の上にクロム下層を低
塩で形成した後、加熱し、さらにクロムを実質的に未加
熱状態にしてクロム下層を完戒することによって作威し
た薄膜媒体、（１１）加熱したガラ基体の上に連続クロ
ム下層をスパッタ形成して作威した３Ｗｉ媒体、および
（１６）前記のように、加熱したアルミ基体の上に連続
クロム下層をスパッタ形成して作威した薄膜媒体につい
て、読取り電圧信号の時間シフトの測定によりピントシ
フトを求めた。
塩で形成した後、加熱し、さらにクロムを実質的に未加
熱状態にしてクロム下層を完戒することによって作威し
た薄膜媒体、（１１）加熱したガラ基体の上に連続クロ
ム下層をスパッタ形成して作威した３Ｗｉ媒体、および
（１６）前記のように、加熱したアルミ基体の上に連続
クロム下層をスパッタ形成して作威した薄膜媒体につい
て、読取り電圧信号の時間シフトの測定によりピントシ
フトを求めた。
本発明により作威した薄膜媒体のビットシフトの代表的
な値は約１６ｎｓ以下であった。これに比べて、標準的
な単一クロム下層スパンタ形成方法により作威したガラ
ス基体型薄膜媒体は、平均値が２０ｎｓより大きいビッ
トシフト値を特徴とした。このような高いビットシフト
値は、高記録密度を達戒する能力を実質的に制限する． 本発明による′ｙＩ膜媒体のビットシフト値は、従来の
加熱した金属基体の上へのスパッタリングにより作威し
た薄膜媒体のビットシフト値よりも、平均して約１〜２
ｎｓ低い．このように、本発明による薄膜媒体は高飽和
保磁力と低ビ７｝シフト値をあわせ持つ． さらに重要なことには、金属基体上に形成した薄膜媒体
に関連して言えば、本発明によるガラス基体型ディスク
は従来の金属基体型ディスクで可能な浮動ヘッド浮上量
よりもかなり小さい浮上量を可能にする．本発明をｌｉ
ｔ護すべく行った研究に浮上量が簡単に達威される．こ
れと対照的に、金属基体型ｙｔ膜ディスクで達成された
最小浮上量は０・ｌｋ 約暢μＩ１（約６μｉｎ）である． 以上のことから、本発明の種々の目的および特徴がいか
にして満たされるかが認識できる。本発範囲の低浮上量
で作動する能力を提供する．これらの特徴が相俟って、
従来の技術で周知のスパッタ形成した薄膜媒体で可能で
あった記録密度よりもかなり高い記録密度をもたらす． 本発明で使用する非金属基体は、さらに、Ｎｉメッキし
たアルミ基体よりもおそらく安価な基体を用いた、より
薄いディスクを提供することができる． 以上、本発明を具体的な実施１！様について説明したが
、本発明から逸脱することなく様々な変更、修正を加え
ることが可能であることは当業者には明らかであろう．
な値は約１６ｎｓ以下であった。これに比べて、標準的
な単一クロム下層スパンタ形成方法により作威したガラ
ス基体型薄膜媒体は、平均値が２０ｎｓより大きいビッ
トシフト値を特徴とした。このような高いビットシフト
値は、高記録密度を達戒する能力を実質的に制限する． 本発明による′ｙＩ膜媒体のビットシフト値は、従来の
加熱した金属基体の上へのスパッタリングにより作威し
た薄膜媒体のビットシフト値よりも、平均して約１〜２
ｎｓ低い．このように、本発明による薄膜媒体は高飽和
保磁力と低ビ７｝シフト値をあわせ持つ． さらに重要なことには、金属基体上に形成した薄膜媒体
に関連して言えば、本発明によるガラス基体型ディスク
は従来の金属基体型ディスクで可能な浮動ヘッド浮上量
よりもかなり小さい浮上量を可能にする．本発明をｌｉ
ｔ護すべく行った研究に浮上量が簡単に達威される．こ
れと対照的に、金属基体型ｙｔ膜ディスクで達成された
最小浮上量は０・ｌｋ 約暢μＩ１（約６μｉｎ）である． 以上のことから、本発明の種々の目的および特徴がいか
にして満たされるかが認識できる。本発範囲の低浮上量
で作動する能力を提供する．これらの特徴が相俟って、
従来の技術で周知のスパッタ形成した薄膜媒体で可能で
あった記録密度よりもかなり高い記録密度をもたらす． 本発明で使用する非金属基体は、さらに、Ｎｉメッキし
たアルミ基体よりもおそらく安価な基体を用いた、より
薄いディスクを提供することができる． 以上、本発明を具体的な実施１！様について説明したが
、本発明から逸脱することなく様々な変更、修正を加え
ることが可能であることは当業者には明らかであろう．
第１図は本発明の方法を実施するのに適したス造する過
程におけるディスク、クロム下層および磁性層の特徴を
示す図であり、 第３図は予熱した基体（パレット１〜３）の上にクロム
をスパッタリングする方法、または室温で基体の上にク
ロム下層をスパッタ形成した後、基体を加熱し、さらに
クロムをスパッタリングする方法によって、ガラス基体
（ぼかした捧）および被覆したアルξ基体（ベタ黒棒）
の上に形成したクロム下層を有するディスクについて測
定した飽和保磁力を示すグラフである。 １０：スパッタリング装置 Ｉ２：真空室 ｌ４：加熱ステーシゴン １６：赤外灯 １８，３０：基体 ２０：パレット ２２．２６７加熱室（加熱ステーション）２４．２８７
ターゲット ３２：クロム基層 ３４：上側クロム層 ３６：クロム下層 口ＮＩＰ／ Ａｌ 区ｐＧＬＡＳＳガラス第１図 ３ｏ 第３図
程におけるディスク、クロム下層および磁性層の特徴を
示す図であり、 第３図は予熱した基体（パレット１〜３）の上にクロム
をスパッタリングする方法、または室温で基体の上にク
ロム下層をスパッタ形成した後、基体を加熱し、さらに
クロムをスパッタリングする方法によって、ガラス基体
（ぼかした捧）および被覆したアルξ基体（ベタ黒棒）
の上に形成したクロム下層を有するディスクについて測
定した飽和保磁力を示すグラフである。 １０：スパッタリング装置 Ｉ２：真空室 ｌ４：加熱ステーシゴン １６：赤外灯 １８，３０：基体 ２０：パレット ２２．２６７加熱室（加熱ステーション）２４．２８７
ターゲット ３２：クロム基層 ３４：上側クロム層 ３６：クロム下層 口ＮＩＰ／ Ａｌ 区ｐＧＬＡＳＳガラス第１図 ３ｏ 第３図
Claims (20)
- （１）（ａ）平滑な表面を有する非金属基体の表面上に
１００℃以下の元体温度でクロムをスパッタリングして
約５０Å以上の厚さのクロム基層を形成する工程と、 （ｂ）前記非金属基体および前記クロム基層を約２００
℃以上の温度に加熱する工程と、（ｃ）該加熱したクロ
ム基層の表面上にクロムをスパッタリングして該クロム
基層と共にクロム下層を形成し、該クロム基層の厚さを
除いた該クロム下層の厚さが約４００Å以上、かつ、該
クロム下層の総厚さが約４０００Å以上となるようにす
る工程と、 （ｄ）該クロム下層の表面上にコバルト系合金をスパッ
タリングして実質的に３００〜１５００Åの厚さの磁性
薄膜層を形成する工程を含む。 約０．０５〜０．１μｍ（約２〜４μｉｎ）の浮動ヘッ
ド浮上量で作動することができる平滑な表面を有する磁
気記録媒体の製造方法。 - （２）前記のクロム基層をスパッタ形成する土台となる
前記非金属基体はガラス基体であり、前記複数のスパッ
タリング工程は長手記録における飽和保磁力が約１２０
０Ｏｅ以上、ビットシフトが約１６ｎｓ以下となるよう
な条件下で行う、特許請求の範囲第１項記載の磁気記録
媒体の製造方法。 - （３）前記クロム基層を形成するためのスパッタリング
は実質的に室温で行い、前記加熱は基体温度を少なくと
も約３００℃以上に上昇させるような条件下で行う、特
許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体の製造方法。 - （４）前記クロム基層は約５０〜４００Åの最終厚さを
有し、前記クロム下層は約５００〜２０００Åの最終厚
さを有する、特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体
の製造方法。 - （５）前記磁気薄膜層は１〜１０％のタンタル、１０〜
１６％のクロム、および６０〜８５％のコバルトを含有
する、特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体の製造
方法。 - （６）前記磁性薄膜層は２〜１０％のクロム、１０〜２
８％のニッケル、および７０〜８８はコバルトを含有す
る、特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体の製造方
法。 - （７）（ａ）平滑な表面を有する非金属基体の表面上に
１００℃以下のスパッタリング温度でクロムをスパッタ
リングして約５０Å以上の厚さのクロム基層を形成する
工程と、 （ｂ）前記非金属基体および前記クロム基層を約２００
℃以上の温度に加熱する工程と、（ｃ）該加熱したクロ
ム基層の表面上にクロムをスパッタリングして該クロム
基層と共にクロム下層を形成し、該クロム基層の厚さを
除いた該クロム下層の厚さが約４００Å以上、かつ、該
クロム下層の総厚さが約４０００Å以上となるようにす
る工程と、 （ｄ）該クロム下層の表面上にクロムをスパッタリング
して実質的に３００〜１５００Åの厚さの磁性薄膜層を
形成する工程 によって製造された薄膜磁気記録ディスク。 - （８）前記複数のスパッタリング工程は薄膜磁気記録デ
ィスクの飽和保磁力が約１０００Ｏｅ以上、ビットシフ
トが約１６ｎｓ以下となるような条件下で行う、特許請
求の範囲第７項記載の薄膜磁気記録ディスク。 - （９）前記クロム基層をスパッタ形成する土台となる前
記非金属基体は平滑な表面を有するガラス基体であり、
薄膜磁気記録ディスクは約０．０５〜０．１μｍ（約２
〜４μｉｎ）の浮動ヘッド浮上量で作動することができ
る、特許請求の範囲第７項記載の薄膜磁気記録ディスク
。 - （１０）前記スパッタリングは実質的に室温で行い、前
記クロム基層および前記非金属基体を第２のスパッタリ
ング工程に先立って少なくとも約３００℃以上に加熱す
る、特許請求の範囲第７項記載の薄膜磁気記録ディスク
。 - （１１）前記クロム基層は約５０〜２００Åの最終厚さ
を有し、前記非金属基体は約５００〜２０００Åの最終
厚さを有する、特許請求の範囲第７項記載の薄膜磁気デ
ィスク。 - （１２）前記磁性薄膜層は１〜１０％のタンタル、１０
〜１６％のクロム、および６０〜８５％のコバルトを含
有する、特許請求の範囲第７項記載の薄膜磁気記録ディ
スク。 - （１３）前記磁性薄膜層は２〜１０％のタンタル、１０
〜２８％のニッケル、および７０〜８８％のコバルトを
含有する、特許請求の範囲第７項記載の薄膜磁気記録デ
ィスク。 - （１４）（ａ）平滑な表面を有する非金属基体と、（ｂ
）（ｉ）非晶質構造を有する厚さ５０〜４００Åの基層
、および（ｉｉ）比較的異方性の結晶配向を持つ厚さ約
５００Å以上の上側層、から成るクロム下層と、 （ｃ）前記クロム下層の上に形成した厚さ３００〜１５
００ÅのＣｏ系合金磁性層を有する薄膜磁気記録ディス
クであって、 （ｉ）該薄膜磁気記録ディスクを約０．０５〜０．１μ
ｍ（約２〜４μｉｎ）の浮動ヘッド浮上量で作動させ得
る表面平滑度と、 （ｉｉ）約１２００Ｏｅ以上の長手方向記録時の飽和保
磁力と、 （ｉｉｉ）たかだか約１６ｎｓのビットシフトを特徴と
する薄膜磁気記録ディスク。 - （１５）前記非金属基体は平滑な表面を有するガラス基
体である、特許請求の範囲第１４項記載の薄膜磁気記録
ディスク。 - （１６）前記Ｃｏ系合金磁性層は１〜１０％のタンタル
、１０〜１６％のクロム、および６０〜８５％のコバル
トを含有する、特許請求の範囲第１４項記載の薄膜磁気
記録ディスク。 - （１７）前記Ｃｏ系合金磁性層は１〜１０％のタンタル
、１０〜１６％のクロム、および６０〜８５％のコバル
トを含有する、特許請求の範囲第１５項記載の薄膜磁気
記録ディスク。 - （１８）平滑な表面を有する非金属基体の上にクロム下
層を形成する方法において、 （ａ）該非金属基体を実質的に未加熱状態にして該非金
属基体の表面上にクロムをスパッタリングして該非金属
基体の上に約５０Å以上の厚さの吸熱性クロム基層を形
成する工程と、 （ｂ）該非金属基体および該クロム基層を約２００℃以
上の温度に加熱する工程と、 （ｃ）該加熱したクロム基層の表面上にクロムをスパッ
タリングして、該クロム基層の厚さを除いた該非金属基
体上のクロムの厚さを約４００Å以上とする工程、 を含むことを特徴とするクロム下層形成方法。 - （１９）前記非金属基体の上にコバルト系磁性薄膜層を
スパッタ形成する工程をさらに含む、特許請求の範囲第
１８項記載のクロム下層形成方法。 - （２０）平滑な表面を有する薄膜磁気媒体を製造するた
めに用いる基体／下層製品であって、 （ａ）平滑な表面を有する非金属基体と、 （ｂ）（ｉ）比較的無秩序な結晶構造を有する厚さ５０
〜４００Åの基層、および（ｉｉ）比較的異方法の結晶
構造を有する厚さ５００〜４０００Åの上側層から成る
クロム下層。 を含むことを特徴とする基体／下層製品。
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| SG38924A1 (en) * | 1995-01-31 | 1997-04-17 | Hoya Corp | Magnetic recording medium and method for fabricating the same |
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| US5789090A (en) * | 1996-02-05 | 1998-08-04 | Stormedia, Inc. | Metallic thin-film magnetic recording media |
| US6143375A (en) * | 1999-01-28 | 2000-11-07 | Komag, Incorporated | Method for preparing a substrate for a magnetic disk |
| SG97791A1 (en) * | 1999-05-13 | 2003-08-20 | Inst Data Storage | High coercivity cobalt based alloy longitudinal recording media and method for its fabrication |
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Family Cites Families (6)
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