JPS61164179A - 後方散乱電子の検出器 - Google Patents
後方散乱電子の検出器Info
- Publication number
- JPS61164179A JPS61164179A JP61002324A JP232486A JPS61164179A JP S61164179 A JPS61164179 A JP S61164179A JP 61002324 A JP61002324 A JP 61002324A JP 232486 A JP232486 A JP 232486A JP S61164179 A JPS61164179 A JP S61164179A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- detector
- scintillator crystal
- crystal
- scintillator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2443—Scintillation detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2445—Photon detectors for X-rays, light, e.g. photomultipliers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/24475—Scattered electron detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2448—Secondary particle detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24507—Intensity, dose or other characteristics of particle beams or electromagnetic radiation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、板状シンチレータ結晶と、二次放射を受信器
に誘導するための光導波装置とを有する後方散乱電子の
検出器に関する。この種の検出器は有利に走査形電子顕
微鏡（スキャニング・エレクトロン・マイクロスコーｉ
、ｐ、ｗｙ又はＳＫＭ ） において使用される。
に誘導するための光導波装置とを有する後方散乱電子の
検出器に関する。この種の検出器は有利に走査形電子顕
微鏡（スキャニング・エレクトロン・マイクロスコーｉ
、ｐ、ｗｙ又はＳＫＭ ） において使用される。
従来の技術
走査形電子顕微鏡においては、被検試料は該試料に焦点
が合わされた電子ビームで迷路状に走査される。この場
合には、試料内に種々の交互作用が生じる。最も重要で
あるのは、低エネルギー二次電子［ｓｇ、セコンダリー
エレクトロンズ（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ ｅ］、ｅｃｔｒ
ｏｎｓ） ：］及び少ないエネルギー損失又は無損失で
試料で散乱した電子ビームの電子、いわゆる後方散乱′
電子［ｂａ、ｃｋｓｃａｔｔｅｒｅｄ ｅ］、ｅｃｔｒ
ｏｎｓ 、略語ＢＳＥ ）である。適当な検出器を用い
てかつ電子ビームの走査運動に相応する画像構造を用い
て、例えばモニター上に、試料の′電子放射に相応する
画像が形成される。平坦な試料においては、後方散乱電
子係数は順序数Ｚの関数であるので、後方散乱電子にだ
け応答する検出器を用いて極微範囲内での材料分析を実
施することができる（いわゆる材料コントラスト）。
が合わされた電子ビームで迷路状に走査される。この場
合には、試料内に種々の交互作用が生じる。最も重要で
あるのは、低エネルギー二次電子［ｓｇ、セコンダリー
エレクトロンズ（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ ｅ］、ｅｃｔｒ
ｏｎｓ） ：］及び少ないエネルギー損失又は無損失で
試料で散乱した電子ビームの電子、いわゆる後方散乱′
電子［ｂａ、ｃｋｓｃａｔｔｅｒｅｄ ｅ］、ｅｃｔｒ
ｏｎｓ 、略語ＢＳＥ ）である。適当な検出器を用い
てかつ電子ビームの走査運動に相応する画像構造を用い
て、例えばモニター上に、試料の′電子放射に相応する
画像が形成される。平坦な試料においては、後方散乱電
子係数は順序数Ｚの関数であるので、後方散乱電子にだ
け応答する検出器を用いて極微範囲内での材料分析を実
施することができる（いわゆる材料コントラスト）。
ヨーロッパ７時許出願公開第１８０３１号明細薔から、
可撓性の光学光導波体を有する多数の検出器素子を官有
する検出装置が公知である。
可撓性の光学光導波体を有する多数の検出器素子を官有
する検出装置が公知である。
元２！％液体の他方端バＩＳには、入射遮蔽板を有する
光導波漏斗（Ｌｊｃｈｔｔ、ｒｊ、ｃｂｔｅｒ）が設け
られている。
光導波漏斗（Ｌｊｃｈｔｔ、ｒｊ、ｃｂｔｅｒ）が設け
られている。
光導波体の他方端部は、壁シールとして役立つ光透、ｉ
Ｍ 性ブロックと結合されている。該検出装置は検出機
素子の少なくとも１つから信号を選択するための選択装
置と含有する。後方散乱した電子を測定するためには、
最後部の電子光学レンズと試料との間に検出器素子が配
置されねばならない。しかしながら、この距離は当該検
出器素子では、高解像力のために必要な短波長が必要な
短波長対物レンズが必要とする程に短縮することはでき
ない。
Ｍ 性ブロックと結合されている。該検出装置は検出機
素子の少なくとも１つから信号を選択するための選択装
置と含有する。後方散乱した電子を測定するためには、
最後部の電子光学レンズと試料との間に検出器素子が配
置されねばならない。しかしながら、この距離は当該検
出器素子では、高解像力のために必要な短波長が必要な
短波長対物レンズが必要とする程に短縮することはでき
ない。
アウトラタ（Ａｕｔｒａｔａ）ｅ 、ａの°１スキャニ
ング・エレクトロン・マイクロスコヒー （Ｓｃａｎｎ
ｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）”、
１９．８３／ＩＩ、４８９０刊行物からセリウムをドー
プしたＹＡ、Ｐ及びＹＡ、（）単結晶を使用することは
公知である。該文献には、円板状単結晶を有する検出器
が記載されており、該単結晶は中心部に電子ビームのた
めの孔を有し、従ってまた最後部のレンズと試料との間
の狭い中間室内にも挿入することができる。単結晶は光
導波装置を介して光電子倍増２１ｇと接続されている。
ング・エレクトロン・マイクロスコヒー （Ｓｃａｎｎ
ｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）”、
１９．８３／ＩＩ、４８９０刊行物からセリウムをドー
プしたＹＡ、Ｐ及びＹＡ、（）単結晶を使用することは
公知である。該文献には、円板状単結晶を有する検出器
が記載されており、該単結晶は中心部に電子ビームのた
めの孔を有し、従ってまた最後部のレンズと試料との間
の狭い中間室内にも挿入することができる。単結晶は光
導波装置を介して光電子倍増２１ｇと接続されている。
単結晶が円形の際には、円形の側壁の半休は光導波装置
に接合されている。単結晶が方形であれば、側面は光導
波装置に接合され、この場合には厚さ乞を有するＡｔ２
０３層が光等波装置への光子の改良された移行を惹起す
る。円形状単結晶を用いたもう１つの構成例では、円形
面は一方向で構成された光導波装置の平坦な部分上にあ
り、それにより検出器に対して犬ひな出力信号が得られ
る。
に接合されている。単結晶が方形であれば、側面は光導
波装置に接合され、この場合には厚さ乞を有するＡｔ２
０３層が光等波装置への光子の改良された移行を惹起す
る。円形状単結晶を用いたもう１つの構成例では、円形
面は一方向で構成された光導波装置の平坦な部分上にあ
り、それにより検出器に対して犬ひな出力信号が得られ
る。
これらの単結晶を有する検出器は、単一の試料で神々異
なった位置から後方散乱した電子は独々の強度の・直号
を放出するという欠点を有する。特に低倍率では、不均
一に照射された画像が生じる。この欠点は、材料分析を
実施する際にセｆにイーｊ害なものとして認識される。
なった位置から後方散乱した電子は独々の強度の・直号
を放出するという欠点を有する。特に低倍率では、不均
一に照射された画像が生じる。この欠点は、材料分析を
実施する際にセｆにイーｊ害なものとして認識される。
発明がＪ’Ｊｊ（決しようとする問題点従って、本発明
の副題は、低倍率でも画（８）面全体の均一な照射が達
成され、同時にまた高倍率のためにも通尚でめりかつ史
に十分なＳＮ比を有する、冒頭に記載した形式の検出器
を提供することでめった。
の副題は、低倍率でも画（８）面全体の均一な照射が達
成され、同時にまた高倍率のためにも通尚でめりかつ史
に十分なＳＮ比を有する、冒頭に記載した形式の検出器
を提供することでめった。
問題点を解決するための手段
前１１ピ課題は、本発明により、シンチレータ結晶１１
かもの二次放射の訪導がシンチレータ結晶１１の面内に
ありかつ相互に垂直な、シンチレータ結晶１１の対称１
１η１］１１〆１１１．ｌ＋１１Ｃに対して対ｉ木彫を
成すように、光導波装置１２．２２が／ンチレータ、゛
請晶１１に填料けられかつ構Ｊ戊されていることにより
解決さり、る。
かもの二次放射の訪導がシンチレータ結晶１１の面内に
ありかつ相互に垂直な、シンチレータ結晶１１の対称１
１η１］１１〆１１１．ｌ＋１１Ｃに対して対ｉ木彫を
成すように、光導波装置１２．２２が／ンチレータ、゛
請晶１１に填料けられかつ構Ｊ戊されていることにより
解決さり、る。
発明の作用及び効果
この場合、先導波装置としては、中実部分（例えは第１
図及び第２図に記載）又は光導波体金有する尤導彼漏斗
並ひにまた尤ファイ／ぐを（車用することができる。板
状シンチレータ結晶は方形又は円形であってもよい。
図及び第２図に記載）又は光導波体金有する尤導彼漏斗
並ひにまた尤ファイ／ぐを（車用することができる。板
状シンチレータ結晶は方形又は円形であってもよい。
有利な１夫施態様では、シンチレータ結晶は方形であり
かつ光導波装置の光入射面は方形のシンチレータ結晶の
相互に向かい会った２つの１＋ｔｌｌ壁に設けられてい
る。この実施態様は、特に扁平でりり、従って試料と最
後部の電子光学レンズとの間の極めて恐い距離のために
］岐当でりるという利点を有する。
かつ光導波装置の光入射面は方形のシンチレータ結晶の
相互に向かい会った２つの１＋ｔｌｌ壁に設けられてい
る。この実施態様は、特に扁平でりり、従って試料と最
後部の電子光学レンズとの間の極めて恐い距離のために
］岐当でりるという利点を有する。
！爵に有利な１芙漉態様では、光導波装置は、２つの価
１回プリズム、２つの元導彼憚及び１つの円筒状先導波
体から成る。
１回プリズム、２つの元導彼憚及び１つの円筒状先導波
体から成る。
もう１つの有利な実施態様では、光導波装置がンンチレ
・−夕結晶の板面に取付けらり、ている。
・−夕結晶の板面に取付けらり、ている。
この場合には、該光導波装置は板状ｉｊＳ材から成り、
該改状部材はその側壁に２つの反射面を有し、該反射面
（Ｉま二次放射を、円筒状先導波体と＄１！１合された
光導波体に反射する。
該改状部材はその側壁に２つの反射面を有し、該反射面
（Ｉま二次放射を、円筒状先導波体と＄１！１合された
光導波体に反射する。
／ンチレータ、詔晶として、有利にはＹＡＰ：Ｃｅ３″
゛が設げられている。この単結晶は良好な量子収率を灯
しかつそれにより良好なＳ ／ ＤＪ比を有する。その
７００ｓの＋（［ｊ ｉ＋’ｌ」の短い崩壊周）切は、
７ＭＨｚのビデオテープ１ｖＸを有する画像構成を可能
にする。
゛が設げられている。この単結晶は良好な量子収率を灯
しかつそれにより良好なＳ ／ ＤＪ比を有する。その
７００ｓの＋（［ｊ ｉ＋’ｌ」の短い崩壊周）切は、
７ＭＨｚのビデオテープ１ｖＸを有する画像構成を可能
にする。
本発明の別の実施態様は、従属請求項の記載から明らか
である。
である。
本発明による光導波装置の構成及びシンチレータ結晶に
対する結合は、シンチレータ結晶に１ ｒｎｍだけの厚
さを何カすることが可能である。
対する結合は、シンチレータ結晶に１ ｒｎｍだけの厚
さを何カすることが可能である。
それにより、最後部の゛電子光学レンズとプレパラート
との間の短い作業距離、ひいて（は高い解像力が可能で
あり、しかもプレパラ−） ４Ｇ作の実質的な制限を必
要としない。
との間の短い作業距離、ひいて（は高い解像力が可能で
あり、しかもプレパラ−） ４Ｇ作の実質的な制限を必
要としない。
実施例
次に第１〜４図に示した実施例につき本発明の詳細な説
明する。
明する。
第１図には、１１で板状シンチレータ結晶が示され、該
結晶は中央部に電子ビーム（図示せず）のための孔１１
ａを有し、該電子線は検出器の下でプレパラート（図示
せず）に当る。シンチレータ結晶１１は方形を有し、従
って面１１ｆ内に相互に直交する対称ｌＩ＋１４１祿１
１１）及び１１Ｃを有する。シンチレータ結晶１１の側
面１１ｄ及び１１ｅには、光導波装置１２が取付けてあ
り、該装置の光入射面１５，１及び１６ａは対称１Ｉ４
１Ｉ線１１ｂ及び１１Ｃに対して対称的である。従って
、被走督プレパラートの全画像領域にわたって均等な照
射が達成さ」上る。光入射面１５ａ及び１６ａ内に入射
する、ンンチレータ、詰晶の二次放射は、偏向プリズム
１５及び１６０反射反射面ｂ及び１６ｂで反射させられ
かつ光導波体１７及び１８に導かれる。これらの光導波
体は偏向プリズム１５．１６及びシンチレータ結晶１１
の僅かな厚さ１８ａからその端部の著しく大きな厚さ１
８１〕に移行し、その際幅は減少している。該端部は円
筒状先導波体１９の始点面１９ａに取付けられている。
結晶は中央部に電子ビーム（図示せず）のための孔１１
ａを有し、該電子線は検出器の下でプレパラート（図示
せず）に当る。シンチレータ結晶１１は方形を有し、従
って面１１ｆ内に相互に直交する対称ｌＩ＋１４１祿１
１１）及び１１Ｃを有する。シンチレータ結晶１１の側
面１１ｄ及び１１ｅには、光導波装置１２が取付けてあ
り、該装置の光入射面１５，１及び１６ａは対称１Ｉ４
１Ｉ線１１ｂ及び１１Ｃに対して対称的である。従って
、被走督プレパラートの全画像領域にわたって均等な照
射が達成さ」上る。光入射面１５ａ及び１６ａ内に入射
する、ンンチレータ、詰晶の二次放射は、偏向プリズム
１５及び１６０反射反射面ｂ及び１６ｂで反射させられ
かつ光導波体１７及び１８に導かれる。これらの光導波
体は偏向プリズム１５．１６及びシンチレータ結晶１１
の僅かな厚さ１８ａからその端部の著しく大きな厚さ１
８１〕に移行し、その際幅は減少している。該端部は円
筒状先導波体１９の始点面１９ａに取付けられている。
円筒状光４波体１９は公知方法で真空気密状態で顕微鏡
カラムから引出されかつ外部で受信器、例えば元′目り
子倍増管と接続されている。
カラムから引出されかつ外部で受信器、例えば元′目り
子倍増管と接続されている。
有利な実施例では、シンチレータ結晶とじてＹＡＰ：Ｃ
ｅ３’−が使用される。この結晶は゛極めて長い寿命を
有１−る、従って該結晶は光導波装置１２と接合するこ
とができかつまた光導波装置の全ての部分を相互に接合
することができる。このＹＡ、Ｐ結晶の良好な量子収率
は、それに１ ｍｍにすぎない厚さを付与することを可
能にし、従って該検出器は最後の電子光学レンズとプレ
パラートとの間に僅かなスペースを必要とするにすぎな
い。
ｅ３’−が使用される。この結晶は゛極めて長い寿命を
有１−る、従って該結晶は光導波装置１２と接合するこ
とができかつまた光導波装置の全ての部分を相互に接合
することができる。このＹＡ、Ｐ結晶の良好な量子収率
は、それに１ ｍｍにすぎない厚さを付与することを可
能にし、従って該検出器は最後の電子光学レンズとプレ
パラートとの間に僅かなスペースを必要とするにすぎな
い。
シンチレータ結晶１１は、その自由表面上に、プレパラ
ートに面した側を除き、鏡面層１２ａが施されており、
該層はなお光導波装置１２の先端をもおおう。しかしな
がら、有利にはガラスから製造された後続ｒＪ分は自由
表向を有する。
ートに面した側を除き、鏡面層１２ａが施されており、
該層はなお光導波装置１２の先端をもおおう。しかしな
がら、有利にはガラスから製造された後続ｒＪ分は自由
表向を有する。
そこでは損失の無い全反射が行なわれる。
第２図は、シンチレータ結晶の二次放射を面側で吸収す
る検出器のもう１つの実施例を示す。
る検出器のもう１つの実施例を示す。
この場合も、１１でシンチレータ結晶がかつ１１ａで成
子ビームのための孔が示されている。
子ビームのための孔が示されている。
シンチレータ結晶１１はその面１１ｆで光導波装ｊｆ２
２の板状部分２５と接合されており、該部分２５も同様
に、孔１１ａ上に配置された孔２５ａを有する。板状部
材２５は、二次放射の誘導が同様にシンチレータ結晶１
１の対称Ｖ＠線１１ｂ及び１１Ｃに対して対称的に行な
われるように構成されている。板状部月２５は２つの反
射する側面２５ｂ及び２５Ｃを有し、該反射面によって
二次放射は光導波棒１７及び１８に導びかれる。上記光
導彼棒ｔ／′ｉ第１図に対する説明に相応して構成され
ておりかつ円筒状光導波体１９と連結されている。プレ
パラートに面した側を除きシンチレータ結晶１１の自由
表面及び先導波装置２２の開始部の面は同様に鏡面層２
２ａを備えている。
２の板状部分２５と接合されており、該部分２５も同様
に、孔１１ａ上に配置された孔２５ａを有する。板状部
材２５は、二次放射の誘導が同様にシンチレータ結晶１
１の対称Ｖ＠線１１ｂ及び１１Ｃに対して対称的に行な
われるように構成されている。板状部月２５は２つの反
射する側面２５ｂ及び２５Ｃを有し、該反射面によって
二次放射は光導波棒１７及び１８に導びかれる。上記光
導彼棒ｔ／′ｉ第１図に対する説明に相応して構成され
ておりかつ円筒状光導波体１９と連結されている。プレ
パラートに面した側を除きシンチレータ結晶１１の自由
表面及び先導波装置２２の開始部の面は同様に鏡面層２
２ａを備えている。
有利な１実施例では、シンチレータ結晶としてＹＡＰ：
Ｃｅ’＋が使用されかつ全ての部分は相互に固定結合さ
れる。
Ｃｅ’＋が使用されかつ全ての部分は相互に固定結合さ
れる。
第６ａ〜６ｆ図には、両対称軸線１１ｂ及び１１Ｃに対
して二次放射の誘導を行なう実施例が示されている。第
６ａ図は、第１図を用いて詳細に説明した、方形シンチ
レータ結晶１１での２而受光を示す。３１で光ファイバ
が示され、該光ファイバを用いて同様に、二次放射は公
知形式で導出することができる。第６１）図及び第６ｅ
図は４面受光を示し、第６ｃ図の場合には側面の中央部
分だけが利用されるにすぎない。
して二次放射の誘導を行なう実施例が示されている。第
６ａ図は、第１図を用いて詳細に説明した、方形シンチ
レータ結晶１１での２而受光を示す。３１で光ファイバ
が示され、該光ファイバを用いて同様に、二次放射は公
知形式で導出することができる。第６１）図及び第６ｅ
図は４面受光を示し、第６ｃ図の場合には側面の中央部
分だけが利用されるにすぎない。
第３ｄ図〜第６ｆ図は、円形シンチレータ結晶の相応す
る装置を示し、この場合には円形の制限部により任意に
多数の対の相互に直交する対称ｊＩＩＩＩＩ線が生じる
、すなわち光導波装置に対するシンチレータ結晶の配向
は任意である。
る装置を示し、この場合には円形の制限部により任意に
多数の対の相互に直交する対称ｊＩＩＩＩＩ線が生じる
、すなわち光導波装置に対するシンチレータ結晶の配向
は任意である。
第４図には、第１図で記載した検出器の実施例における
別の構成が詳細に示されている。第４図は、第１図に１
１ｂで示した対称Ｉｌ！Ｉｌ］線に沿った断面図を示す
。４１で最後部の電子光学レンズの４１１片がかつ４２
でプレパラートが示されている。１２ａは既に言及した
鏡面層を示す。
別の構成が詳細に示されている。第４図は、第１図に１
１ｂで示した対称Ｉｌ！Ｉｌ］線に沿った断面図を示す
。４１で最後部の電子光学レンズの４１１片がかつ４２
でプレパラートが示されている。１２ａは既に言及した
鏡面層を示す。
シンチレータ結晶のプレパラートに而した側に、アルミ
ニウムから成る厚さ５ Ｑｎｍの層４４がかぶせである
。この薄ｔｄは後方散乱′成子によっても貫通されかつ
その導電性により、帯電が阻止されるよう、考慮されて
いる。
ニウムから成る厚さ５ Ｑｎｍの層４４がかぶせである
。この薄ｔｄは後方散乱′成子によっても貫通されかつ
その導電性により、帯電が阻止されるよう、考慮されて
いる。
有利な１実施例では、アルミニウム層４４の前方になお
ワイヤネット４６が存在し、該ワイヤネットはプレパラ
ート４２と検出器との間の距離が短かすぎる際にはプレ
パラート保持装置を介して導電接続が行なわれ、ひいて
は電流回路を閉じ、該回路はプレパラートが検出器に近
づきすぎたといつ警告信号を放出する。
ワイヤネット４６が存在し、該ワイヤネットはプレパラ
ート４２と検出器との間の距離が短かすぎる際にはプレ
パラート保持装置を介して導電接続が行なわれ、ひいて
は電流回路を閉じ、該回路はプレパラートが検出器に近
づきすぎたといつ警告信号を放出する。
もう１つの有利な実施例では、検出器の前方部分の、プ
レパラートに面した側に金属板４５が接合されており、
該金属板４５で検出器の付加的な機械的安定性が達成さ
れる。金属板４５はまた検出器を越えて突出しかつ検出
器と極片４１との係脱自在の結合部を有することができ
る。それにより、さもなげれば光導波棒１７及び円筒状
光導波体１９（第１図）を介してのみ公知方法で頒倣鏡
カラムの壁を貫通して案内されかつそこに保持される検
出器が、最後部の電子光学レンズの極片４１とプレパラ
ート４２との間に著しく安定に保持されること゛が達成
される。
レパラートに面した側に金属板４５が接合されており、
該金属板４５で検出器の付加的な機械的安定性が達成さ
れる。金属板４５はまた検出器を越えて突出しかつ検出
器と極片４１との係脱自在の結合部を有することができ
る。それにより、さもなげれば光導波棒１７及び円筒状
光導波体１９（第１図）を介してのみ公知方法で頒倣鏡
カラムの壁を貫通して案内されかつそこに保持される検
出器が、最後部の電子光学レンズの極片４１とプレパラ
ート４２との間に著しく安定に保持されること゛が達成
される。
前記に説明した検出器構−ｉ青は、シンチレータ結晶の
代りにカソード発光のための適当な材料で構成すること
ができる。この場合には、プレ２ぐラード内で電子ビー
ムによって発生した光は爵妹なガラス板によって捕捉す
ることができる。
代りにカソード発光のための適当な材料で構成すること
ができる。この場合には、プレ２ぐラード内で電子ビー
ムによって発生した光は爵妹なガラス板によって捕捉す
ることができる。
例えばに５から成る」二記ガラス板の、プレパラートに
而した４８１ＵＫ ’＊電１すの、但し光透過性層を施
し、その他の全ての面に光学的に密に鏡面化することが
できる。
而した４８１ＵＫ ’＊電１すの、但し光透過性層を施
し、その他の全ての面に光学的に密に鏡面化することが
できる。
第１図はシンチレータ結晶からの二次放射を２而で受光
するノ演出器の斜視図、第２図はシンチレータ結晶かも
の二次放射を扁平面側で受光する検出器の斜視図、第６
ａ図ないし第６ｆ図は二次放射の対称的受光例を示す図
及び第４図は・検出器の別の詳訓部分を示す図である。 １１・ シンチレータ結晶、１１１）＋１１ｃ・・・対
称１１ＩｌｌＩ勝、１１ ｄ、 １１ ｅ ・・９１１
１壁、ｉ ｉ ｆ−板而、１２．２２・・光導波装置、
１２ａ、２２ａ・・鏡面層、１５．１６・・・偏向プリ
ズム、１５ａ。 １６ａ・光入射面、１７．１８・・・光導波棒、１９・
・・光導波体、２５・・・板状部材、２５ｂ。 ２５Ｃ・・側壁、４２・・・プレパラート、４４・・・
アルミニウム層、４５・・・補強板、４６・・・ワイヤ
ネッ ト、
するノ演出器の斜視図、第２図はシンチレータ結晶かも
の二次放射を扁平面側で受光する検出器の斜視図、第６
ａ図ないし第６ｆ図は二次放射の対称的受光例を示す図
及び第４図は・検出器の別の詳訓部分を示す図である。 １１・ シンチレータ結晶、１１１）＋１１ｃ・・・対
称１１ＩｌｌＩ勝、１１ ｄ、 １１ ｅ ・・９１１
１壁、ｉ ｉ ｆ−板而、１２．２２・・光導波装置、
１２ａ、２２ａ・・鏡面層、１５．１６・・・偏向プリ
ズム、１５ａ。 １６ａ・光入射面、１７．１８・・・光導波棒、１９・
・・光導波体、２５・・・板状部材、２５ｂ。 ２５Ｃ・・側壁、４２・・・プレパラート、４４・・・
アルミニウム層、４５・・・補強板、４６・・・ワイヤ
ネッ ト、
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、板状シンチレータ結晶と、二次放射を受信器に誘導
するための光導波装置とを有する後方散乱電子の検出器
において、シンチレータ結晶（１１）からの二次放射の
誘導がシンチレータ結晶（１１）の面内にありかつ相互
に垂直な、シンチレータ（１１）の対称軸線 （１１ｂ、１１ｃ）に対して対称形を成すように、光導
波装置（１２、２２）がシンチレータ結晶（１１）に取
付けられかつ構成されていることを特徴とする後方散乱
電子の検出器。 ２、シンチレータ結晶（１１）が方形でありかつ光導波
装置（１２）の光入射面（１５ａ、１６ａ）がシンチレ
ータ結晶（１１）の相互に向かい合つた２つの側壁（１
１ｄ、１１ｅ）に設けられている特許請求の範囲第１項
記載の検出器。 ６ 光導波装置（１２）が偏向プリズム（１５、１６）
、光導波棒（１７、１８）及び円筒状光導波体（１９）
から構成されている特許請求の範囲第２項記載の検出器
。 ４、光導波装置（２２）がシンチレータ結晶（１１）の
板面（１１ｆ）に取付けられている特許請求の範囲第１
項記載の検出器。 ５、光導波装置（２２）が側壁（２５ｂ、２５ｃ）に鏡
面を有する板状部材（２５）と、光導波棒（１７、１８
）と、円筒状光導波体（１９）とから構成される特許請
求の範囲第４項記載の検出器。 ６、シンチレータ結晶（１１）としてＹＡＰ：Ｃｅ＾３
＾＋が設けられている特許請求の範囲第１項から第５項
までのいずれか１項記載の検出器。 ７、シンチレータ結晶（１１）の、プレパラート（４２
）に面した表面上に厚さ５０ｎｍのアルミニウム層（４
４）がかつその他の全ての自由表面上に、鏡面層（１２
ａ）が施されている特許請求の範囲第１項から第６項ま
でのいずれか１項記載の検出器。 ８、光導波装置（１２、２２）の、シンチレータ結晶（
１１）に境界を接する部分に鏡面層（１２ａ、２２ａ）
が施されている特許請求の範囲第１項から第７項までの
いずれか１項記載の検出器。 ９、プレパラートに面した側に補強板（４５）が接合さ
れている特許請求の範囲第１項から第８項までのいずれ
か１項記載の検出器。 １０、プレパラートに面した側にワイヤネツト（４６）
が施され、該ネツトが検出器とプレパラートとの距離が
短すぎる際に、信号を放出する接点を閉じる特許請求の
範囲第１項から第９項までのいずれか１項記載の検出器
。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19853500903 DE3500903A1 (de) | 1985-01-12 | 1985-01-12 | Detektor fuer rueckstreuelektronen |
| DE3500903.9 | 1985-01-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61164179A true JPS61164179A (ja) | 1986-07-24 |
Family
ID=6259725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61002324A Pending JPS61164179A (ja) | 1985-01-12 | 1986-01-10 | 後方散乱電子の検出器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4700075A (ja) |
| EP (1) | EP0191293B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61164179A (ja) |
| DE (2) | DE3500903A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0215545A (ja) * | 1988-07-01 | 1990-01-19 | Hitachi Ltd | Ｘ線マスクの欠陥検査方法及びその装置 |
| JP2008157846A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Horiba Ltd | 放射線検出器 |
| KR20150036579A (ko) | 2012-09-25 | 2015-04-07 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 전자 현미경 및 전자선 검출기 |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4831267A (en) * | 1987-02-16 | 1989-05-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Detector for charged particles |
| US4829243A (en) * | 1988-02-19 | 1989-05-09 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Electron beam testing of electronic components |
| US4929041A (en) * | 1989-01-09 | 1990-05-29 | Johnston Pump/General Valve, Inc. | Cathodoluminescence system for use in a scanning electron microscope including means for controlling optical fiber aperture |
| DE3938660A1 (de) * | 1989-11-21 | 1991-05-23 | Integrated Circuit Testing | Korpuskularstrahlgeraet |
| JPH04249843A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-09-04 | Topcon Corp | 反射電子検出器 |
| US5440920A (en) * | 1994-02-03 | 1995-08-15 | Molecular Imaging Systems | Scanning force microscope with beam tracking lens |
| GB2314926B (en) * | 1996-07-01 | 1999-08-25 | K E Developments Ltd | Detector devices |
| CZ284288B6 (cs) * | 1997-03-13 | 1998-10-14 | Preciosa, A. S. | Detekční systém rastrovacího elektronového mikroskopu |
| DE19729526C2 (de) * | 1997-07-10 | 1999-07-22 | Frank Siegelin | Beheizbarer Probentisch zur in-situ Abbildung in Rasterelektronenmikroskopen bei hihen Temperaturen |
| US5864141A (en) * | 1997-07-23 | 1999-01-26 | Southeastern Univ. Research Assn. | Compact, high-resolution, gamma ray imaging for scintimammography and other medical diagostic applications |
| US6775452B2 (en) | 2001-05-18 | 2004-08-10 | Applied Materials, Inc. | Phosphor coated waveguide for efficient collection of electron-generated photons |
| US6768836B2 (en) * | 2001-11-02 | 2004-07-27 | Applied Materials, Inc. | Phosphor coated waveguide for the efficient collection of electron-generated photons |
| EP1898443B1 (en) * | 2006-09-07 | 2011-05-04 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Asymmetric annular detector |
| US7872236B2 (en) | 2007-01-30 | 2011-01-18 | Hermes Microvision, Inc. | Charged particle detection devices |
| CN101929965B (zh) * | 2008-09-04 | 2012-09-05 | 汉民微测科技股份有限公司 | 带电粒子检测装置及检测方法 |
| US7960697B2 (en) * | 2008-10-23 | 2011-06-14 | Hermes-Microvision, Inc. | Electron beam apparatus |
| US7919760B2 (en) * | 2008-12-09 | 2011-04-05 | Hermes-Microvision, Inc. | Operation stage for wafer edge inspection and review |
| US8094924B2 (en) * | 2008-12-15 | 2012-01-10 | Hermes-Microvision, Inc. | E-beam defect review system |
| GB2478900A (en) * | 2009-09-10 | 2011-09-28 | Univ Sheffield | Collection of electromagnetic radiation emitted from particle irradiated samples |
| DE102010026169B4 (de) * | 2010-07-06 | 2014-09-04 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Partikelstrahlsystem |
| CZ307557B6 (cs) | 2010-10-07 | 2018-12-05 | Tescan Orsay Holding, A.S. | Scintilační detekční jednotka pro detekci zpětně odražených elektronů pro elektronové nebo iontové mikroskopy |
| CN103063691B (zh) * | 2011-10-18 | 2014-11-12 | 北京睿思厚德辐射信息科技开发有限公司 | 双飞线多缝扫描背散射平面成像立体成像和自扫描成像装置 |
| WO2017024250A1 (en) * | 2015-08-05 | 2017-02-09 | Playhard, Inc. | Systems and methods for a stellate beam splitter |
| WO2018217646A1 (en) | 2017-05-22 | 2018-11-29 | Howmedica Osteonics Corp. | Device for in-situ fabrication process monitoring and feedback control of an electron beam additive manufacturing process |
| AU2019206103A1 (en) | 2018-07-19 | 2020-02-06 | Howmedica Osteonics Corp. | System and process for in-process electron beam profile and location analyses |
| WO2020059114A1 (ja) | 2018-09-21 | 2020-03-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5418269A (en) * | 1977-07-11 | 1979-02-10 | Jeol Ltd | Electron beam detector |
| JPS5910688Y2 (ja) * | 1977-09-14 | 1984-04-03 | 富士通株式会社 | 電子検出器 |
| US4217495A (en) * | 1978-04-18 | 1980-08-12 | Robinson Vivian N E | Electron microscope backscattered electron detectors |
| JPS55128242A (en) * | 1979-03-28 | 1980-10-03 | Hitachi Ltd | Reflection electron detector |
| NL7902963A (nl) * | 1979-04-13 | 1980-10-15 | Philips Nv | Detektor voor elektronenmikroskoop. |
| JPS58155380A (ja) * | 1982-03-12 | 1983-09-16 | Jeol Ltd | 電子検出器 |
| DE3375251D1 (en) * | 1982-07-16 | 1988-02-11 | Lintech Instr Ltd | An elektrode system of a retarding-field spectrometer for a voltage measuring electron beam apparatus |
| US4560882A (en) * | 1984-08-31 | 1985-12-24 | Regents Of The University Of California | High-efficiency X-radiation converters |
-
1985
- 1985-01-12 DE DE19853500903 patent/DE3500903A1/de not_active Withdrawn
-
1986
- 1986-01-09 DE DE8686100214T patent/DE3664841D1/de not_active Expired
- 1986-01-09 EP EP86100214A patent/EP0191293B1/de not_active Expired
- 1986-01-10 JP JP61002324A patent/JPS61164179A/ja active Pending
- 1986-01-13 US US06/818,248 patent/US4700075A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0215545A (ja) * | 1988-07-01 | 1990-01-19 | Hitachi Ltd | Ｘ線マスクの欠陥検査方法及びその装置 |
| JP2008157846A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Horiba Ltd | 放射線検出器 |
| KR20150036579A (ko) | 2012-09-25 | 2015-04-07 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 전자 현미경 및 전자선 검출기 |
| US9355815B2 (en) | 2012-09-25 | 2016-05-31 | Hitachi High-Technologies Corporation | Electron microscope and electron beam detector |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0191293A2 (de) | 1986-08-20 |
| US4700075A (en) | 1987-10-13 |
| EP0191293A3 (en) | 1986-08-27 |
| EP0191293B1 (de) | 1989-08-02 |
| DE3664841D1 (en) | 1989-09-07 |
| DE3500903A1 (de) | 1986-07-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61164179A (ja) | 後方散乱電子の検出器 | |
| US5294790A (en) | Probe unit for near-field optical scanning microscope | |
| JP3262909B2 (ja) | 光学システム | |
| CA1150541A (en) | Optical system with high coupling efficiency, in particular for attenuation measurement apparatuses employing the back-scattering technique | |
| US7006741B1 (en) | Contact-field optical microscope | |
| US5362964A (en) | Environmental scanning electron microscope | |
| JPS6327419Y2 (ja) | ||
| EP0764866B1 (en) | Confocal microscope | |
| US6265711B1 (en) | Scanning probe microscope assembly and method for making spectrophotometric near-field optical and scanning measurements | |
| KR20030042576A (ko) | 활성이온의 상향전이를 이용한 도파로-플라즈몬 공명 센서및 이미징 시스템 | |
| JP3872817B2 (ja) | 集積化された光学的ルミネセンスセンサ | |
| JPH0125186B2 (ja) | ||
| CN104584182A (zh) | 电子显微镜及电子射线检测器 | |
| US4881818A (en) | Differential imaging device | |
| US20030030900A1 (en) | Microscope and segmenting device for a microscope | |
| JPH0545304A (ja) | 円偏光ｘ線を用いた磁区観察法及びその装置 | |
| US11515120B2 (en) | Charged particle beam apparatus | |
| US3328594A (en) | Inspecting apparatus using fiber optics | |
| JP3117795B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JP3189244B2 (ja) | 近接視野顕微鏡 | |
| JPS5931174B2 (ja) | 透過形走査電子顕微鏡 | |
| JPH0630236B2 (ja) | 走査型反射電子回折顕微装置 | |
| CN115791655A (zh) | 一种光胶内镜面反射多光程原子气室及其应用 | |
| US20080197273A1 (en) | Light Detection Apparatus | |
| JPH06317600A (ja) | 発光走査型トンネル顕微鏡および顕微測定方法 |