JPH04249843A - 反射電子検出器 - Google Patents

反射電子検出器

Info

Publication number
JPH04249843A
JPH04249843A JP2333696A JP33369690A JPH04249843A JP H04249843 A JPH04249843 A JP H04249843A JP 2333696 A JP2333696 A JP 2333696A JP 33369690 A JP33369690 A JP 33369690A JP H04249843 A JPH04249843 A JP H04249843A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
scintillators
backscattered electron
electron
electron detector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2333696A
Other languages
English (en)
Inventor
Kikuhiro Hikita
疋田 喜久博
Jirou Toumatsu
等松 治郎
Shoji Shimakura
島倉 昌二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Topcon Corp
Original Assignee
Topcon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Topcon Corp filed Critical Topcon Corp
Priority to JP2333696A priority Critical patent/JPH04249843A/ja
Priority to US07/800,570 priority patent/US5198675A/en
Publication of JPH04249843A publication Critical patent/JPH04249843A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/244Detectors; Associated components or circuits therefor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2443Scintillation detectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2445Photon detectors for X-rays, light, e.g. photomultipliers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/24475Scattered electron detectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24507Intensity, dose or other characteristics of particle beams or electromagnetic radiation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、電子顕微鏡など電子線装置の反射電子の検
出を有効に行うための反射電子検出器に関する。
〔従来の技術〕
従来の電子顕微鏡など電子線装置の反射電子検出器とし
ては、半導体を利用したタイプと、シンチレータを利用
したタイプがあり、シンチレータを利用したタイプとし
ては、第7図に示すようなものがある。
電子顕微鏡の試料室1の上方に対物レンズ2があり、対
物レンズ2を通過して放射される電子線3は試料4を照
射し、試料4から反射される反射電子5がシンチレータ
6の螢光体などを塗布した反射電子受感部7に当って光
が放出され、その光を光電子倍増管8や増幅器9を組合
せて構成した反射電子検出器10によって検出するよう
になっている。
〔発明が解決しょうとする課題〕
ところでこのような、従来のシンチレータ6にあっては
、電子線3は第8図に示すように、シンチレータ6にあ
けられた孔6aを通過して試料4を照射するが、それに
よって発生した反射電子5がシンチレータ6の反射電子
受感部7のうち、反射電子検出器8の本体側7aに当っ
たものは、直接反射電子検出器8で捕捉され高い効率で
検出される。しかし反射電子受感部7のうち、反射電子
検出器10本体と反対側7bに当って発生した光は、光
路が複雑なため端面からの透過、反射、散乱などにより
、光電子倍増管8に到達せず、従って検出されないこと
になる。このように反射電子5はシンチレータ6の反射
電子受感部7により全面的に捕捉されるのでなく、反射
電子受感部7の反射電子検出器10本体側7aによって
のみ捕捉されるので検出効率も悪く、大幅な検出効率の
向上は期待できないという問題があった。この発明はこ
のような従来の課題に着目してなされたもので、シンチ
レータ6の検出効率を増大させ、検出効率を向上させる
ことができる反射電子検出器を得ることをその目的とす
る。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は上記の課題を解決するための手段として、その
構成を、シンチレータ、光電子倍増管、増幅器によって
構成した電子線装置の反射電子検出器において、対物レ
ンズと試料との間の位置に、複数個のシンチレータを受
感部を互いに近接させて配置し、互いに近接した該受感
部の対向部に、電子線通過用切欠部を設けることとした
〔作用〕
次に本発明の作用を説明する。電子線装置の反射電子検
出器は、対物レンズと試料との間の位置に、複数個のシ
ンチレータを受感部を互いに近接させて装着したので、
シンチレータの反射電子検出器の本体側はそのまゝの形
で残るが、シンチレータの反射電子検出器の反対側の受
感部は必然的に消滅し、直接反射電子検出器で捕捉され
て高い効率で検出される本体側の受感部のみで検出され
ることになり、また互いに近接した受感部の近接部に、
電子線通過用切欠部が設けられているため、複数個のシ
ンチレータの受感部が互いに近接していても、その切欠
きが通孔となって電子線は受感部の間を通過することが
できる。
〔実施例〕
以下、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図は本発明の実施例を示す図で、従来技術と同様に
、電子顕微鏡の試料室11の上方に対物レンズ12があ
り、対物レンズ12を通過して放射される電子線13は
試料14を照射し、試料14から反射される反射電子1
5がプラスチックシンチレータ16の反射電子受感部1
7によって検出されて光が放出され、その光を光電子倍
増管18や増幅器19を組合せて構成した反射電子検出
器20によって検出するものである。そして対物レンズ
12と試料14との間の位置に、第2図に示すように、
2個のプラスチックシンチレータ16を、電子線13が
通過する中心線に対称の位置に、受感部17を互いに近
接させて配置する。
従って受感部17の反射電子検出器20から遠い部分は
消滅し、反射電子検出器20の本体に近い側の受感部1
7aのみが残ることになる。また互いに近接したプラス
チックシンチレータ16の受感部17の近接する部分2
1の中央部に、電子線通過用の切欠部である凹部22を
設けて、2個の受感部17が互いに近接しても、電子線
の通過の妨げとならないようになっている。なお複数個
のプラスチックシンチレータ16の受感部17は、互い
に近接して隙間がなくなり接触してもよく、その場合は
凹部22の切欠の量を少し多くして、接触部に孔があい
た状態となる。
また反射電子検出器20は、これを使用しないときには
、X線検出器やカソードルミネッセンス検出器を取付け
る場合もあるから、試料室11の壁面に対して進退自在
になっており、第3図に示すように、受感部17が試料
室11の内壁11aの付近まで移動できるようになって
いる。
さらに受感部17の電子線が当る部分は、凹状に湾曲し
ており、電子線が外部に漏れないようにして検出効率を
向上させると共に、試料14が傾斜したときにも、十分
に電子線を検出できるようになっている。
上記のような構成によって、受感部17の反射電子検出
器20の本体側17aのみが残り、光路が複雑なため端
面からの透過、反射、散乱などにより反射電子検出器2
0の光電子倍増管18に到達しない受感部17の反射電
子検出器20から遠い側の受感部はなくなるので、直接
反射電子検出器20で捕捉されて高い効率で検出される
本体側受感部17aのみで検出することになる。また互
いに近接した受感部17の対向部21の中央に、電子線
通過用凹部22が設けられているため、2個のプラスチ
ックシンチレータ16の受感部17が互いに近接してい
ても、その凹部22が通孔となって電子線は2個の受感
部17の間を通過することができる。
上記の実施例は2個の反射電子検出器20が、電子線軸
に対して互いに対称の位置に設けられる場合について述
べたが、第4図に示すように、2個の反射電子検出器2
5,26の中心線が必ずしも一直線にならなくてもよい
。更に反射電子検出器20は2個以上複数個設けてもよ
く、例えば第5図に示すように、4個の反射電子検出器
31,32,33,34が、電子線13の通路を中心と
した位置に、互いに衝合するように取付けてもよい。ま
た上記の実施例ではシンチレータとしてプラスチックシ
ンチレータを用いるものについて述べたが、プラスチッ
クシンチレータに限定されるものではなく、ガラス製や
、プラスチックとガラスの複合体から成るのもの等でも
よい。
第6図は試料室11の、対物レンズ12と試料14との
間における断面図で、反射電子検出器の取付用として多
数のポートが開けられているものを示している。第4図
の実施例はこれらのポートのうち、ポート3及びポート
7に、反射電子検出器25,26を取付けた場合であり
、第5図の実施例は4個の反射電子検出器31,32,
33,34が、それぞれポート■、ポート■ポート■及
びポート■に取付けられた使用例である。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明によれば、シンチレータ
、光電子倍増管、増幅器によって構成した電子線装置の
反射電子検出器において、対物レンズと試料との間の位
置に、複数個のシンチレータを受感部を互いに近接させ
て配置し、互いに近接した該受惑部の対向部に、電子線
通過用切欠き部を設けたので、光路が複雑なため端面か
らの透過、反射、散乱などにより反射電子検出器の光電
子倍増管に到達しないような受感部はなくなり、直接反
射電子検出器で捕捉されて高い効率で検出される受感部
のみで検出することになって、効率の高い反射電子検出
器を得ることができる。またシンチレータを複数個設け
るので、検出出力は複数個の個数だけ倍増され、感度が
向上した反射電子検出器が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例に係る反射電子検出器の側面図
、第2図は第1図の反射電子検出器のシンチレータ部の
平面図、第3図は反射電子検出器を後退させた場合の側
面図、第4図は本発明の他の実施例のシンチレータ部の
平面図、第5図は本発明の更に他の実施例のシンチレー
タ部の平面図、第6図は試料室の対物レンズと試料との
間における横断面図、第7図は従来の反射電子検出器と
その試料室への取付状態を示す側面図、第8図は第7図
の反射電子検出器のシンチレータ部の縦断面図である。 11…試料室 12…対物レンズ 14…試料 16…シンチレータ 17…シンチレータ受感部 18…光電子倍増管 19…増幅器 20…反射電子検出器 21…受感部の対向部 22…切欠き部(凹部) 特許出願人 株式会社 エービーティ 代 理 人 弁理士 土橋 皓

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. シンチレータ、光電子倍増管、増幅器によって構成した
    電子線装置の反射電子検出器において、試料室の対物レ
    ンズと試料との間の位置に、複数個のシンチレータを受
    感部を互いに近接させて配置し、互いに近接した該受感
    部の対向部に、電子線通過用切欠部を設けたことを特徴
    とする電子線装置の反射電子検出器。
JP2333696A 1990-11-30 1990-11-30 反射電子検出器 Pending JPH04249843A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2333696A JPH04249843A (ja) 1990-11-30 1990-11-30 反射電子検出器
US07/800,570 US5198675A (en) 1990-11-30 1991-11-27 Backscattered electron detector for an electron beam apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2333696A JPH04249843A (ja) 1990-11-30 1990-11-30 反射電子検出器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04249843A true JPH04249843A (ja) 1992-09-04

Family

ID=18268945

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2333696A Pending JPH04249843A (ja) 1990-11-30 1990-11-30 反射電子検出器

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5198675A (ja)
JP (1) JPH04249843A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005251737A (ja) * 2004-02-04 2005-09-15 Sii Nanotechnology Inc 荷電粒子ビーム装置のガス吹き付けノズル及び荷電粒子ビーム装置並びに加工方法
JP2012500447A (ja) * 2008-08-20 2012-01-05 株式会社アドバンテスト 電子検出装置及び走査型電子顕微鏡

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8920344D0 (en) * 1989-09-08 1989-10-25 Isis Innovation Method and apparatus for imaging dislocations in materials
US5485008A (en) * 1994-06-23 1996-01-16 University Of Maryland, College Park Low magnification gas limiting aperture assembly for electron microscopy devices
GB2314926B (en) * 1996-07-01 1999-08-25 K E Developments Ltd Detector devices
JP3719794B2 (ja) * 1996-11-11 2005-11-24 株式会社トプコン 反射電子検出装置及びそれを有する走査型電子顕微鏡装置
EP0917178A1 (de) * 1997-11-17 1999-05-19 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Detektor für Sekundärkorpuskeln und dessen Anordnung in einem Korpuskularstrahlgerät
US6775452B2 (en) 2001-05-18 2004-08-10 Applied Materials, Inc. Phosphor coated waveguide for efficient collection of electron-generated photons
US6768836B2 (en) * 2001-11-02 2004-07-27 Applied Materials, Inc. Phosphor coated waveguide for the efficient collection of electron-generated photons
GB2428868B (en) * 2005-10-28 2008-11-19 Thermo Electron Corp Spectrometer for surface analysis and method therefor
DE602006021746D1 (de) * 2006-09-07 2011-06-16 Integrated Circuit Testing Asymmetrischer ringförmiger Detektor
US7872236B2 (en) 2007-01-30 2011-01-18 Hermes Microvision, Inc. Charged particle detection devices
CN101929965B (zh) * 2008-09-04 2012-09-05 汉民微测科技股份有限公司 带电粒子检测装置及检测方法
US7960697B2 (en) 2008-10-23 2011-06-14 Hermes-Microvision, Inc. Electron beam apparatus
US7919760B2 (en) * 2008-12-09 2011-04-05 Hermes-Microvision, Inc. Operation stage for wafer edge inspection and review
US8094924B2 (en) * 2008-12-15 2012-01-10 Hermes-Microvision, Inc. E-beam defect review system
US8624186B2 (en) * 2010-05-25 2014-01-07 Hermes Microvision, Inc. Movable detector for charged particle beam inspection or review
WO2012016198A2 (en) 2010-07-30 2012-02-02 Pulsetor, Llc Electron detector including an intimately-coupled scintillator-photomultiplier combination, and electron microscope and x-ray detector employing same
EP2739958B1 (en) 2011-08-05 2016-01-20 Pulsetor, LLC Electron detector including one or more intimately-coupled scintillator-photomultiplier combinations, and electron microscope employing same

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3319065A (en) * 1963-11-29 1967-05-09 Jones & Laughlin Steel Corp Scintillation detector comprising a flat annular scintillating crystal
JPS5910688Y2 (ja) * 1977-09-14 1984-04-03 富士通株式会社 電子検出器
US4217495A (en) * 1978-04-18 1980-08-12 Robinson Vivian N E Electron microscope backscattered electron detectors
US4559450A (en) * 1982-08-06 1985-12-17 Unisearch Limited Quantitative compositional analyser for use with scanning electron microscopes
DE3500903A1 (de) * 1985-01-12 1986-07-17 Fa. Carl Zeiss, 7920 Heidenheim Detektor fuer rueckstreuelektronen
GB2229854B (en) * 1989-03-28 1993-10-27 Robinson Vivian N E Backscattered electron detector

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005251737A (ja) * 2004-02-04 2005-09-15 Sii Nanotechnology Inc 荷電粒子ビーム装置のガス吹き付けノズル及び荷電粒子ビーム装置並びに加工方法
JP2012500447A (ja) * 2008-08-20 2012-01-05 株式会社アドバンテスト 電子検出装置及び走査型電子顕微鏡

Also Published As

Publication number Publication date
US5198675A (en) 1993-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH04249843A (ja) 反射電子検出器
CN101023342B (zh) 用于检查试样表面的方法、装置以及荧光物质的应用
JP4945025B2 (ja) 軸方向高解像度を有する走査型顕微鏡方法
US8513604B2 (en) Detection device and particle beam device having a detection device
JP5825799B2 (ja) レーザ処理システム、対象物台、およびレーザ処理方法
CN101776599A (zh) 用于粒子分类系统的光学检测器
US7659514B2 (en) Asymmetric annular detector
JPS61271438A (ja) 浮遊微粒子測定方法及びその装置
WO2004029589A1 (ja) フローセル及びそれを用いた粒子測定装置
US6775452B2 (en) Phosphor coated waveguide for efficient collection of electron-generated photons
US11694873B2 (en) Charged particle beam apparatus
CZ2010731A3 (cs) Scintilacní detekcní jednotka pro detekci zpetne odražených elektronu pro elektronové nebo iontové mikroskopy
JPH03214038A (ja) 空気中に散布されたエアロゾルと粉麈などの測定装置
JP2003004625A (ja) フローサイトメータ
JP2006250725A (ja) フローセルユニット及びフローサイトメータ並びに蛍光検出方法
WO2018173294A1 (ja) 計測装置
US4954770A (en) Spin-polarization detector
Nikitin et al. Scattered radiation suppression by means of X-ray capillary systems
JPH08178831A (ja) 光散乱式粒子検出装置
JP2004093526A (ja) カソードルミネッセンス分析装置
JP2832338B2 (ja) 光散乱物体の光学特性測定法および装置
JPH0493686A (ja) ビーム位置検出装置
JPH02304316A (ja) 超高感度光計測装置
JPS5948338B2 (ja) 流体内の粒子を粒度測定分析する装置
JPS6237182Y2 (ja)