JPH04249843A - 反射電子検出器 - Google Patents
反射電子検出器Info
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- JPH04249843A JPH04249843A JP2333696A JP33369690A JPH04249843A JP H04249843 A JPH04249843 A JP H04249843A JP 2333696 A JP2333696 A JP 2333696A JP 33369690 A JP33369690 A JP 33369690A JP H04249843 A JPH04249843 A JP H04249843A
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- electron
- electron detector
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005136 cathodoluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
-
- H—ELECTRICITY
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- H01J2237/2443—Scintillation detectors
-
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- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2445—Photon detectors for X-rays, light, e.g. photomultipliers
-
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- H01J2237/24475—Scattered electron detectors
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電子顕微鏡など電子線装置の反射電子の検
出を有効に行うための反射電子検出器に関する。
出を有効に行うための反射電子検出器に関する。
従来の電子顕微鏡など電子線装置の反射電子検出器とし
ては、半導体を利用したタイプと、シンチレータを利用
したタイプがあり、シンチレータを利用したタイプとし
ては、第7図に示すようなものがある。
ては、半導体を利用したタイプと、シンチレータを利用
したタイプがあり、シンチレータを利用したタイプとし
ては、第7図に示すようなものがある。
電子顕微鏡の試料室1の上方に対物レンズ2があり、対
物レンズ2を通過して放射される電子線3は試料4を照
射し、試料4から反射される反射電子5がシンチレータ
6の螢光体などを塗布した反射電子受感部7に当って光
が放出され、その光を光電子倍増管8や増幅器9を組合
せて構成した反射電子検出器10によって検出するよう
になっている。
物レンズ2を通過して放射される電子線3は試料4を照
射し、試料4から反射される反射電子5がシンチレータ
6の螢光体などを塗布した反射電子受感部7に当って光
が放出され、その光を光電子倍増管8や増幅器9を組合
せて構成した反射電子検出器10によって検出するよう
になっている。
ところでこのような、従来のシンチレータ6にあっては
、電子線3は第8図に示すように、シンチレータ6にあ
けられた孔6aを通過して試料4を照射するが、それに
よって発生した反射電子5がシンチレータ6の反射電子
受感部7のうち、反射電子検出器8の本体側7aに当っ
たものは、直接反射電子検出器8で捕捉され高い効率で
検出される。しかし反射電子受感部7のうち、反射電子
検出器10本体と反対側7bに当って発生した光は、光
路が複雑なため端面からの透過、反射、散乱などにより
、光電子倍増管8に到達せず、従って検出されないこと
になる。このように反射電子5はシンチレータ6の反射
電子受感部7により全面的に捕捉されるのでなく、反射
電子受感部7の反射電子検出器10本体側7aによって
のみ捕捉されるので検出効率も悪く、大幅な検出効率の
向上は期待できないという問題があった。この発明はこ
のような従来の課題に着目してなされたもので、シンチ
レータ6の検出効率を増大させ、検出効率を向上させる
ことができる反射電子検出器を得ることをその目的とす
る。
、電子線3は第8図に示すように、シンチレータ6にあ
けられた孔6aを通過して試料4を照射するが、それに
よって発生した反射電子5がシンチレータ6の反射電子
受感部7のうち、反射電子検出器8の本体側7aに当っ
たものは、直接反射電子検出器8で捕捉され高い効率で
検出される。しかし反射電子受感部7のうち、反射電子
検出器10本体と反対側7bに当って発生した光は、光
路が複雑なため端面からの透過、反射、散乱などにより
、光電子倍増管8に到達せず、従って検出されないこと
になる。このように反射電子5はシンチレータ6の反射
電子受感部7により全面的に捕捉されるのでなく、反射
電子受感部7の反射電子検出器10本体側7aによって
のみ捕捉されるので検出効率も悪く、大幅な検出効率の
向上は期待できないという問題があった。この発明はこ
のような従来の課題に着目してなされたもので、シンチ
レータ6の検出効率を増大させ、検出効率を向上させる
ことができる反射電子検出器を得ることをその目的とす
る。
本発明は上記の課題を解決するための手段として、その
構成を、シンチレータ、光電子倍増管、増幅器によって
構成した電子線装置の反射電子検出器において、対物レ
ンズと試料との間の位置に、複数個のシンチレータを受
感部を互いに近接させて配置し、互いに近接した該受感
部の対向部に、電子線通過用切欠部を設けることとした
。
構成を、シンチレータ、光電子倍増管、増幅器によって
構成した電子線装置の反射電子検出器において、対物レ
ンズと試料との間の位置に、複数個のシンチレータを受
感部を互いに近接させて配置し、互いに近接した該受感
部の対向部に、電子線通過用切欠部を設けることとした
。
次に本発明の作用を説明する。電子線装置の反射電子検
出器は、対物レンズと試料との間の位置に、複数個のシ
ンチレータを受感部を互いに近接させて装着したので、
シンチレータの反射電子検出器の本体側はそのまゝの形
で残るが、シンチレータの反射電子検出器の反対側の受
感部は必然的に消滅し、直接反射電子検出器で捕捉され
て高い効率で検出される本体側の受感部のみで検出され
ることになり、また互いに近接した受感部の近接部に、
電子線通過用切欠部が設けられているため、複数個のシ
ンチレータの受感部が互いに近接していても、その切欠
きが通孔となって電子線は受感部の間を通過することが
できる。
出器は、対物レンズと試料との間の位置に、複数個のシ
ンチレータを受感部を互いに近接させて装着したので、
シンチレータの反射電子検出器の本体側はそのまゝの形
で残るが、シンチレータの反射電子検出器の反対側の受
感部は必然的に消滅し、直接反射電子検出器で捕捉され
て高い効率で検出される本体側の受感部のみで検出され
ることになり、また互いに近接した受感部の近接部に、
電子線通過用切欠部が設けられているため、複数個のシ
ンチレータの受感部が互いに近接していても、その切欠
きが通孔となって電子線は受感部の間を通過することが
できる。
以下、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図は本発明の実施例を示す図で、従来技術と同様に
、電子顕微鏡の試料室11の上方に対物レンズ12があ
り、対物レンズ12を通過して放射される電子線13は
試料14を照射し、試料14から反射される反射電子1
5がプラスチックシンチレータ16の反射電子受感部1
7によって検出されて光が放出され、その光を光電子倍
増管18や増幅器19を組合せて構成した反射電子検出
器20によって検出するものである。そして対物レンズ
12と試料14との間の位置に、第2図に示すように、
2個のプラスチックシンチレータ16を、電子線13が
通過する中心線に対称の位置に、受感部17を互いに近
接させて配置する。
、電子顕微鏡の試料室11の上方に対物レンズ12があ
り、対物レンズ12を通過して放射される電子線13は
試料14を照射し、試料14から反射される反射電子1
5がプラスチックシンチレータ16の反射電子受感部1
7によって検出されて光が放出され、その光を光電子倍
増管18や増幅器19を組合せて構成した反射電子検出
器20によって検出するものである。そして対物レンズ
12と試料14との間の位置に、第2図に示すように、
2個のプラスチックシンチレータ16を、電子線13が
通過する中心線に対称の位置に、受感部17を互いに近
接させて配置する。
従って受感部17の反射電子検出器20から遠い部分は
消滅し、反射電子検出器20の本体に近い側の受感部1
7aのみが残ることになる。また互いに近接したプラス
チックシンチレータ16の受感部17の近接する部分2
1の中央部に、電子線通過用の切欠部である凹部22を
設けて、2個の受感部17が互いに近接しても、電子線
の通過の妨げとならないようになっている。なお複数個
のプラスチックシンチレータ16の受感部17は、互い
に近接して隙間がなくなり接触してもよく、その場合は
凹部22の切欠の量を少し多くして、接触部に孔があい
た状態となる。
消滅し、反射電子検出器20の本体に近い側の受感部1
7aのみが残ることになる。また互いに近接したプラス
チックシンチレータ16の受感部17の近接する部分2
1の中央部に、電子線通過用の切欠部である凹部22を
設けて、2個の受感部17が互いに近接しても、電子線
の通過の妨げとならないようになっている。なお複数個
のプラスチックシンチレータ16の受感部17は、互い
に近接して隙間がなくなり接触してもよく、その場合は
凹部22の切欠の量を少し多くして、接触部に孔があい
た状態となる。
また反射電子検出器20は、これを使用しないときには
、X線検出器やカソードルミネッセンス検出器を取付け
る場合もあるから、試料室11の壁面に対して進退自在
になっており、第3図に示すように、受感部17が試料
室11の内壁11aの付近まで移動できるようになって
いる。
、X線検出器やカソードルミネッセンス検出器を取付け
る場合もあるから、試料室11の壁面に対して進退自在
になっており、第3図に示すように、受感部17が試料
室11の内壁11aの付近まで移動できるようになって
いる。
さらに受感部17の電子線が当る部分は、凹状に湾曲し
ており、電子線が外部に漏れないようにして検出効率を
向上させると共に、試料14が傾斜したときにも、十分
に電子線を検出できるようになっている。
ており、電子線が外部に漏れないようにして検出効率を
向上させると共に、試料14が傾斜したときにも、十分
に電子線を検出できるようになっている。
上記のような構成によって、受感部17の反射電子検出
器20の本体側17aのみが残り、光路が複雑なため端
面からの透過、反射、散乱などにより反射電子検出器2
0の光電子倍増管18に到達しない受感部17の反射電
子検出器20から遠い側の受感部はなくなるので、直接
反射電子検出器20で捕捉されて高い効率で検出される
本体側受感部17aのみで検出することになる。また互
いに近接した受感部17の対向部21の中央に、電子線
通過用凹部22が設けられているため、2個のプラスチ
ックシンチレータ16の受感部17が互いに近接してい
ても、その凹部22が通孔となって電子線は2個の受感
部17の間を通過することができる。
器20の本体側17aのみが残り、光路が複雑なため端
面からの透過、反射、散乱などにより反射電子検出器2
0の光電子倍増管18に到達しない受感部17の反射電
子検出器20から遠い側の受感部はなくなるので、直接
反射電子検出器20で捕捉されて高い効率で検出される
本体側受感部17aのみで検出することになる。また互
いに近接した受感部17の対向部21の中央に、電子線
通過用凹部22が設けられているため、2個のプラスチ
ックシンチレータ16の受感部17が互いに近接してい
ても、その凹部22が通孔となって電子線は2個の受感
部17の間を通過することができる。
上記の実施例は2個の反射電子検出器20が、電子線軸
に対して互いに対称の位置に設けられる場合について述
べたが、第4図に示すように、2個の反射電子検出器2
5,26の中心線が必ずしも一直線にならなくてもよい
。更に反射電子検出器20は2個以上複数個設けてもよ
く、例えば第5図に示すように、4個の反射電子検出器
31,32,33,34が、電子線13の通路を中心と
した位置に、互いに衝合するように取付けてもよい。ま
た上記の実施例ではシンチレータとしてプラスチックシ
ンチレータを用いるものについて述べたが、プラスチッ
クシンチレータに限定されるものではなく、ガラス製や
、プラスチックとガラスの複合体から成るのもの等でも
よい。
に対して互いに対称の位置に設けられる場合について述
べたが、第4図に示すように、2個の反射電子検出器2
5,26の中心線が必ずしも一直線にならなくてもよい
。更に反射電子検出器20は2個以上複数個設けてもよ
く、例えば第5図に示すように、4個の反射電子検出器
31,32,33,34が、電子線13の通路を中心と
した位置に、互いに衝合するように取付けてもよい。ま
た上記の実施例ではシンチレータとしてプラスチックシ
ンチレータを用いるものについて述べたが、プラスチッ
クシンチレータに限定されるものではなく、ガラス製や
、プラスチックとガラスの複合体から成るのもの等でも
よい。
第6図は試料室11の、対物レンズ12と試料14との
間における断面図で、反射電子検出器の取付用として多
数のポートが開けられているものを示している。第4図
の実施例はこれらのポートのうち、ポート3及びポート
7に、反射電子検出器25,26を取付けた場合であり
、第5図の実施例は4個の反射電子検出器31,32,
33,34が、それぞれポート■、ポート■ポート■及
びポート■に取付けられた使用例である。
間における断面図で、反射電子検出器の取付用として多
数のポートが開けられているものを示している。第4図
の実施例はこれらのポートのうち、ポート3及びポート
7に、反射電子検出器25,26を取付けた場合であり
、第5図の実施例は4個の反射電子検出器31,32,
33,34が、それぞれポート■、ポート■ポート■及
びポート■に取付けられた使用例である。
以上説明したように、この発明によれば、シンチレータ
、光電子倍増管、増幅器によって構成した電子線装置の
反射電子検出器において、対物レンズと試料との間の位
置に、複数個のシンチレータを受感部を互いに近接させ
て配置し、互いに近接した該受惑部の対向部に、電子線
通過用切欠き部を設けたので、光路が複雑なため端面か
らの透過、反射、散乱などにより反射電子検出器の光電
子倍増管に到達しないような受感部はなくなり、直接反
射電子検出器で捕捉されて高い効率で検出される受感部
のみで検出することになって、効率の高い反射電子検出
器を得ることができる。またシンチレータを複数個設け
るので、検出出力は複数個の個数だけ倍増され、感度が
向上した反射電子検出器が得られる。
、光電子倍増管、増幅器によって構成した電子線装置の
反射電子検出器において、対物レンズと試料との間の位
置に、複数個のシンチレータを受感部を互いに近接させ
て配置し、互いに近接した該受惑部の対向部に、電子線
通過用切欠き部を設けたので、光路が複雑なため端面か
らの透過、反射、散乱などにより反射電子検出器の光電
子倍増管に到達しないような受感部はなくなり、直接反
射電子検出器で捕捉されて高い効率で検出される受感部
のみで検出することになって、効率の高い反射電子検出
器を得ることができる。またシンチレータを複数個設け
るので、検出出力は複数個の個数だけ倍増され、感度が
向上した反射電子検出器が得られる。
第1図は本発明の実施例に係る反射電子検出器の側面図
、第2図は第1図の反射電子検出器のシンチレータ部の
平面図、第3図は反射電子検出器を後退させた場合の側
面図、第4図は本発明の他の実施例のシンチレータ部の
平面図、第5図は本発明の更に他の実施例のシンチレー
タ部の平面図、第6図は試料室の対物レンズと試料との
間における横断面図、第7図は従来の反射電子検出器と
その試料室への取付状態を示す側面図、第8図は第7図
の反射電子検出器のシンチレータ部の縦断面図である。 11…試料室 12…対物レンズ 14…試料 16…シンチレータ 17…シンチレータ受感部 18…光電子倍増管 19…増幅器 20…反射電子検出器 21…受感部の対向部 22…切欠き部(凹部) 特許出願人 株式会社 エービーティ 代 理 人 弁理士 土橋 皓
、第2図は第1図の反射電子検出器のシンチレータ部の
平面図、第3図は反射電子検出器を後退させた場合の側
面図、第4図は本発明の他の実施例のシンチレータ部の
平面図、第5図は本発明の更に他の実施例のシンチレー
タ部の平面図、第6図は試料室の対物レンズと試料との
間における横断面図、第7図は従来の反射電子検出器と
その試料室への取付状態を示す側面図、第8図は第7図
の反射電子検出器のシンチレータ部の縦断面図である。 11…試料室 12…対物レンズ 14…試料 16…シンチレータ 17…シンチレータ受感部 18…光電子倍増管 19…増幅器 20…反射電子検出器 21…受感部の対向部 22…切欠き部(凹部) 特許出願人 株式会社 エービーティ 代 理 人 弁理士 土橋 皓
Claims (1)
- シンチレータ、光電子倍増管、増幅器によって構成した
電子線装置の反射電子検出器において、試料室の対物レ
ンズと試料との間の位置に、複数個のシンチレータを受
感部を互いに近接させて配置し、互いに近接した該受感
部の対向部に、電子線通過用切欠部を設けたことを特徴
とする電子線装置の反射電子検出器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2333696A JPH04249843A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 反射電子検出器 |
US07/800,570 US5198675A (en) | 1990-11-30 | 1991-11-27 | Backscattered electron detector for an electron beam apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2333696A JPH04249843A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 反射電子検出器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04249843A true JPH04249843A (ja) | 1992-09-04 |
Family
ID=18268945
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2333696A Pending JPH04249843A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 反射電子検出器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5198675A (ja) |
JP (1) | JPH04249843A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005251737A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-09-15 | Sii Nanotechnology Inc | 荷電粒子ビーム装置のガス吹き付けノズル及び荷電粒子ビーム装置並びに加工方法 |
JP2012500447A (ja) * | 2008-08-20 | 2012-01-05 | 株式会社アドバンテスト | 電子検出装置及び走査型電子顕微鏡 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US5485008A (en) * | 1994-06-23 | 1996-01-16 | University Of Maryland, College Park | Low magnification gas limiting aperture assembly for electron microscopy devices |
GB2314926B (en) * | 1996-07-01 | 1999-08-25 | K E Developments Ltd | Detector devices |
JP3719794B2 (ja) * | 1996-11-11 | 2005-11-24 | 株式会社トプコン | 反射電子検出装置及びそれを有する走査型電子顕微鏡装置 |
EP0917178A1 (de) * | 1997-11-17 | 1999-05-19 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Detektor für Sekundärkorpuskeln und dessen Anordnung in einem Korpuskularstrahlgerät |
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US6768836B2 (en) * | 2001-11-02 | 2004-07-27 | Applied Materials, Inc. | Phosphor coated waveguide for the efficient collection of electron-generated photons |
GB2428868B (en) * | 2005-10-28 | 2008-11-19 | Thermo Electron Corp | Spectrometer for surface analysis and method therefor |
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US7872236B2 (en) | 2007-01-30 | 2011-01-18 | Hermes Microvision, Inc. | Charged particle detection devices |
CN101929965B (zh) * | 2008-09-04 | 2012-09-05 | 汉民微测科技股份有限公司 | 带电粒子检测装置及检测方法 |
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US7919760B2 (en) * | 2008-12-09 | 2011-04-05 | Hermes-Microvision, Inc. | Operation stage for wafer edge inspection and review |
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