JPS61150225A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPS61150225A
JPS61150225A JP59272221A JP27222184A JPS61150225A JP S61150225 A JPS61150225 A JP S61150225A JP 59272221 A JP59272221 A JP 59272221A JP 27222184 A JP27222184 A JP 27222184A JP S61150225 A JPS61150225 A JP S61150225A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding wires
resin
pellet
semiconductor
semiconductor pellet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59272221A
Other languages
English (en)
Inventor
Masanori Hirano
正徳 平野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP59272221A priority Critical patent/JPS61150225A/ja
Publication of JPS61150225A publication Critical patent/JPS61150225A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • H01L2224/45016Cross-sectional shape being elliptic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] この発明は、例えば半導体装置の製造工程において、ボ
ンディング接続の施された半導体ペレットの周囲を樹脂
封止し、LSI等の高集積度ICを製造する際に使用さ
れる半導体装置の製造方法に関する。
[発明の技術的背景] 一般に、LSIなどの樹脂封止型半導体装置は、第1図
に示すように構成されている。すなわち、まず集積回路
網の形成された半導体ペレット11をリードフレームの
ペレットベッド12上に載置貼着する。次に、半導体ペ
レット11の回路網電極となるポンディングパッド部と
リードフレームの各・内部リード13a’、13bの先
端部とを、ボンディングワイヤ14a、14bにより接
続する。そして、このボンディングワイヤ14a、14
bおよび上記内部リード13a、13bを含む上記半導
体ペレット11の周囲をエポキシ等の樹脂15により封
止する。この場合、内部リード13a、13bから内側
の空間を金型、(図示せず)等によって囲み、この金型
内に熱により溶かされる溶融樹脂を流入し込み充填して
樹脂封止を施している。この際、上記溶融樹脂は、通常
ボンディングワイヤ14a、14bを横切るようにして
流し込まれるものである。ここで、上記ボンディングワ
イヤ14a、 14bには、断面円形状の金線ワイヤを
朗いている。
[背景技術の問題点] しかし、このように断面円形状のボンディングワイヤ1
4a、14bによりボンディング接続を施し、そして溶
融樹脂の流し込みによる樹脂封止を行なったのでは、第
3図に示すように、ボンディングワイヤ14が断面円形
状であるが故に、矢印Aで示すような溶融樹脂の流入圧
力を多大且つ均一に受ける状態となる。このため、樹脂
封止時においてボンディングワイヤ14a、14bが切
断されることがあり、歩留り低下の原因となっている。
[発明の目的] この発明は上記のような問題点に鑑みなされたもので、
半導体ペレットの樹脂封止時において、ボンディングワ
イヤに多大且つ均一な圧力が加わることなく、ボンディ
ングワイヤが切断されるのを防止することができるよう
になる半導体装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
[発明の概要] すなわちこの発明に係わる半導体装置の製造方法は、半
導体ペレットの電極とリードフレームの内部リードとを
断面偏平形状のボンディングワイヤにて接続し、上記内
部リードおよびボンディングワイヤを含む半導体ペレッ
トの周囲をボンディングワイヤの偏平方向に対応して流
し込まれる溶融樹脂により樹脂封止するようにしたもの
である。
[発明の実施例] 以下図面によりこの発明の一実施例を説明する。
本実施例における半導体装置の製造方法は、まず、前記
第1図にて示されたように、例えば半導体素子の製造過
程を経て集積回路網の形成された半導体ペレット11を
、金属板に打抜き加工等を施して形成されたリードフレ
ームのペレットベッド12上に載置貼着する。次に、上
記半導体ペレット11の回路網電極となるパッド部と上
記リードフレームの内部リード13a、13bとを、例
えば第2図に示すような断面楕円形状の偏平したボンデ
ィングワイヤ21によりボンディング接続する。そして
、上記内部リード13a、13bおよびボンディングワ
イA721を含む半導体ペレット11の周囲空間を、図
示しない金型により囲み、この金型内に熱により溶かさ
れるエポキシ系の溶融樹脂15を注入充填する。
これにより、半導体ペレット11の樹脂封止が施される
もので、この場合、上記溶融樹脂15は上記ボンディン
グワイヤ21の偏平方向に対応して流し込む。ここで、
上記断面楕円形状のボンディングワイヤ21は、例えば
ワイヤ引出し時において、予め楕円形状に形成された型
内を介して引出すことにより得られるもので、この断面
楕円形状のボンディングワイヤ21には、上記第2図に
矢印Bで示すように、樹脂封止時において流し込む溶融
樹脂15が、その楕円形状面に沿って緩やかに接触する
ようになる。したがって、ボンディングワイヤ21に加
わる溶融樹脂の流入圧力は、前記第3図における従来例
に比較して大幅に軽減されるようになり、ワイヤ切断お
よび変形等の不良発生を防止することができる。
[発明の効果] 以上のようにこの発明によれば、半導体ペレットの電極
と内部リードとを断面偏平形状のボンディングワイヤに
て接続し、上記内部リードおよびボンディングワイヤを
含む半導体ペレットの周囲を、ボンディングワイヤの偏
平方向に対応して流し込まれる溶融樹脂により樹脂封止
するようにしたので、この樹脂封止時にボンディングワ
イヤに多大且つ均一な圧力が加わることなく、ワイヤが
切断されるのを防止して半導体製品の歩留り向上が可能
となる半導体装置の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
11図は樹脂封止型半導体装置の断面構成図、第2図は
この発明の一実施例に係わる半導体装置の製造方法に用
いられる断面楕円形状のボンディングワイヤを示す図、
第3図は従来の製造方法にて用いられる断面円形状のボ
ンディングワイヤを示す図である。 11・・・半導体ペレット、12・・・ペレットベッド
、13a、13b・・・内部リード、15・・・樹脂、
21・・・ボンディングワイヤ。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. リードフレームのペレットベッド上に半導体ペレットを
    載置し、この半導体ペレットの電極と上記リードフレー
    ムの内部リードとを断面偏平形状のボンディングワイヤ
    にて接続する手段と、上記内部リードおよびボンディン
    グワイヤを含む半導体ペレットの周囲をボンディングワ
    イヤの偏平方向に対応して流し込まれる溶融樹脂により
    樹脂封止する手段とを具備したことを特徴とする半導体
    装置の製造方法。
JP59272221A 1984-12-24 1984-12-24 半導体装置の製造方法 Pending JPS61150225A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59272221A JPS61150225A (ja) 1984-12-24 1984-12-24 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59272221A JPS61150225A (ja) 1984-12-24 1984-12-24 半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61150225A true JPS61150225A (ja) 1986-07-08

Family

ID=17510797

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59272221A Pending JPS61150225A (ja) 1984-12-24 1984-12-24 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61150225A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02154434A (ja) * 1988-12-06 1990-06-13 T & K Internatl Kenkyusho:Kk 電子部品の樹脂封止成形方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02154434A (ja) * 1988-12-06 1990-06-13 T & K Internatl Kenkyusho:Kk 電子部品の樹脂封止成形方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH09199637A (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JPH08148644A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS6151933A (ja) 半導体装置の製法
JPH08264569A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPS61150225A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2873009B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2003243598A (ja) 半導体装置及びその半導体装置の製造方法
JP2555428B2 (ja) リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2555931B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2001185567A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPS62171131A (ja) 半導体装置
JPH07335682A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH0653399A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS60253235A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH02123745A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH02295140A (ja) 半導体装置の樹脂封止方法
JP2723855B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPH0691118B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH05326587A (ja) 樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法及びその装置
JPH08186137A (ja) 半導体チップの樹脂封止方法
JPH07105408B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法及び成型金型
JPH04213864A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH05235073A (ja) 半導体装置の樹脂封止方法
JPH05144863A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6333851A (ja) Icパツケ−ジ