JPS61150124A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 兼業上の利用分野 本発明は高密度磁気記録に利用できる垂直磁気記録用の
磁気記録媒体に関するものである。

従来の技術 近年、磁気記録の高密度化の進歩は著しく、現在実用に
供されている長手記録に代る新しい記録方式である垂直
磁気記録方式が提案され、活発に開発が進められている
（例えば、テレビジョン学会誌、第３７巻、第８号、６
１８〜６２６頁（１９８３））。

この方式には、新しい垂直方向に磁化可能な強磁性薄膜
からなる磁気記碌層をもった磁気記録媒体が必要である
。

垂直磁気記録の実現は、特公昭５７−１７２８２号公報
に開示されたＧｏ−Ｃｒスパッタ膜によりなされたが、
これは、第３図に示すように、高分子基板１上に直接Ｃ
ｏ−０ｒ膜２をスパッタ蒸着したもので！誤録再生感度
は必ずしも満足のいくものではなかった。

その後第４図に示される媒体構成が提案されるに及び、
実用化の可能性がみえてきたため、各方面で勢力的な開
発が進められ゛るようになった。

第４図において、３は高分子基板、４はＮ１−Ｆ・に代
表される軟磁性層、６はＣｏ　−Ｃｒに代表される垂直
磁化膜である。

かかる構成の媒体は特公昭６Ｂ−９１号公報に開示され
ているように、記録感度が向上していることが特徴的で
ある。

特に軟磁性層の条件が垂直磁化膜の特性に影響を与え、
良好な信号対雑音比（以下Ｓ／Ｎと記す）を得るには、
（１）軟磁性層の困難軸をヘッドの走前方向にそろえる
。（２）軟磁性層の初透磁率を高くすることと均一化す
ること。（３）軟磁性層の抗磁力Ｈａを下げ、飽和磁化
Ｍｓを上げることが必要であると考えられている（第８
回日本応用磁気学会、学術講演概要集　１１１頁（１９
８４，１１）工発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記のような構成では、テープ状媒体と
しては特性を均一に出来ても、ディスク状媒体としては
、前述の（１）の条件を満足するように構成することは
出来ないから、高密度記録再生を行うには不都合がある
。即ち円周方向に磁気ヘッドが運動するディスク状媒体
では、感度むらがはっきシ生じてしまうので、回路処理
条件も複雑化する等実用上火きな問題である。

本発明は上記問題点に鑑み、ディスク状、テープ状の形
態の如何を問わず、Ｓ／Ｈの均一な、且つ良好な垂直磁
気記録用の磁気記録媒体を提供するものである。

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明の磁気記録媒体は、
高分子基板上に磁化容易軸が互いに直交する２つの軟磁
性層を積層し、その上に垂直磁化磁性層を積層した構成
を備えたものである。

作　　用 本発明は上記した構成によって、軟磁性層が、等方向な
性質を見かけ上官するようになるため、異方性のある場
合よりも感度もあがり、かつ均一化でき、ディスク状で
もテープ状でも良好なＳ／Ｎを高密度記録再生に於て達
成できることとなる。

実施例 以下本発明の実施例の磁気記録媒体について図面を参照
しながら説明する。

第１図は本発明の第１の実施例の拡大断面図を示すもの
である。第１図において、６は高分子基板、７は軟磁性
層で、第１軟磁性１８と第２軟磁性層９の２層構造から
なり、夫々の磁化容易軸はおよそ直交するよう構成され
ているものである。

１０は垂直磁化磁性層である。

高分子基板６は、ポリエチレンテレフタレート等のポリ
エステル類、ポリプロピレン等のポリオレイン類、セル
ローストリアセテート、ニトロセルロース等のセルロー
ス誘導体、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド
等で、厚みは４−から６０μｍで、表面粗さは２０人か
ら４００Ａで表面に、塗膜又は粒子を分散させた塗膜を
配したものも用いることができる。

本発明の軟磁性層は、Ｎ　ｉ　−Ｆ　ｅ　、Ｍｏ　−Ｎ
　ｉ　−Ｆ　ｅ　。

Ｎｉ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｎｂ−Ｔａ、Ａ
ｔ−Ｆｅ。

ＡＬ−３ｉ　−Ｆ　ｅ　、　Ｃｏ　−ＡＬ−Ｂ−Ｆ　ｓ
等の単独又は、複合（２層が異なる材質からなることを
意味する。）から成り、磁化容易軸がほぼお互いに直交
するよう構成されるもので、スパッタリング法、電子ビ
ーム蒸着法等により形成することができる。

本発明に用いることの出来る垂直磁化磁性層はＣｏ−Ｃ
ｒ　、　Ｃｏ　−０、Ｇｏ　７Ｖ　、　Ｃｏ−Ｗ、　Ｃ
ｏ　−Ｍｏ　、　Ｇｏ　−Ｎ　ｉ　−０、Ｃｏ　−Ｎ　
ｉ　−Ｆ　ｅ　−０、等の垂直方向に磁化容。

易軸を有する厚み０．０５μから０．３μｍの薄膜で、
電子ビーム蒸着法、スパッタリング法で得ることができ
る。

本発明の構成を磁気記録媒体としては磁気ディスクに限
ることなく磁気テープ状の形態として具体化しても後述
するように十分その効果を得ることができるものである
。

第１図に示した構成の第１の実施例について、更に詳し
く説明する。

厚み３０μｍのポリエチレンテレフタレート上に基板の
温度を６５℃で磁化容易軸が基板の移動方向にある第１
軟磁性層Ｎ１−Ｆｅ（Ｎｉ７９％）膜を０．２μｍの厚
さに高周波スパッタリング法（アルゴー圧カフＸ１０−
３　Ｔｏｒｒ、１３．５６Ｊ１．６５ＫＷ）　　で形成
し、その上に、基板温度を１０７℃にして磁化容易軸が
第１軟磁性層と直交するような、第２軟磁性層Ｎ１−Ｆ
ｅ（Ｎｉ７９％）膜を０．２３μｍ形成した。

その上に垂直磁化磁性層としてＣｏ−Ｃｒ（Ｃｒ２１ｗ
ｔ％）膜を同じく高周波スパッタリング法で０．１３μ
ｍ形成し、これを３インチの円盤状に打抜いて磁気ディ
スクを、８層幅にスリットして磁気テープを形成した。

この両者を薄膜ヘッドで記録再生して、Ｓ／Ｎを測定し
た。

膜の特性及びＳ／Ｎの測定結果を比較例と対比して検討
した。尚、比較例はＮ１−Ｆｅ（Ｎｉ７９％）膜を０．
４６μｍ高周波ス・くツタリング法で形成した上に前述
の条件でＧｏ−Ｃｒ膜を形成しディスクとテープを製造
したものを用いた。尚Ｎｉ−Ｆｅ膜の磁化容易軸は基板
の移動方向と直角方向に設定したＯ 比較検討結果を次表にまとめて示した。

〔注）米Ｉ　　Ｓ／Ｎは、トラック幅２００μｍ。

ピット長０．２１μｍ　（方形波）の再生時のもので、
平均値と変動幅を示しだ。

両者を比較すると、本発明の構成のも−のは、Ｓ／Ｎの
平均値が大きい点と、変動幅が小さく、かつ形態の差が
殆んどないという特徴がはっきりする。

これは、軟磁性層が実効的にほぼ等方向に作用すること
からくるものと推察されるもので、従来いわれていた困
難軸方向をヘッドの相対的なトレース方向と一致させる
考え方で実施してもＳ／Ｎの平均値は大きくできても変
動も大きくなるのに比較すると、本発明品の実用上の効
果は大きい。

第２の実施例として、第２図に示したように前述の第１
の実施例の第１軟磁性層８と第２軟磁性層９０間に、非
磁性中間層１１を配したものについても検討した。

非磁性層として高周波スパッタリング法又は電子ビーム
蒸着法により形成した、０．００５μｍから０．１　μ
ｍのＳｉＯ，Ｓｉ３Ｎ４．Ｔａ、ＴａＮ、Ｔｉ。

ＴｉＯ，ＴｉＮ、Ａｔ、Ａｔ２０３．ＡｔＮ等ヲ用イテ
、媒体を構成したものについて第１の実施例と同様にＳ
／Ｎを比較した。

これらの媒体のＳ／Ｎは、トラック幅を２００μｍから
１００μｍ　に狭くした時に１〜２　ｄＢ　向上が認め
られ、より高密度化に有効であることが確認された。

なお第１．第２のいずれの実施例でも前述した他の基板
フィルム材料、軟磁性層材料、垂直磁化磁性層材料のい
ずれでもほぼ同様の効果が得られることを確認した。

発明の効果 以上のように本発明によれば、高分子基板上に、磁化容
易軸が互いに直交する２つの軟磁性層を積層した上に垂
直磁化磁性層を配することで、磁気ディスク、磁気テー
プのいずれの形態でも高密度記録再生時のＳ／Ｎの改良
、及び均一性の改良を行うことができるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例の磁気記録媒体の拡大断
面図、第２図は本発明の第２の実施例の磁気記録媒体の
拡大断面図、第３図および第４図は従来の垂直磁気記録
用の磁気記録媒体の拡大断面図である。 ６・・・・・・高分子基板、８・・・・・・第１軟磁性
層、９・・・１・・第２軟磁性層、１０・・・・・・垂
直磁化磁性層、１１・・・・・・非磁性中間層。 ６・・・高今子基微 第２図 １１、、、非理ノ隨申間層 第３図 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 高分子基板上に軟磁性層と垂直磁化磁性層を積層してな
   る媒体にあって、該軟磁性層が、互いに磁化容易軸が直
   交する２つの層より成ることを特徴とする磁気記録媒体
   。