JPH0475578B2 - - Google Patents
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- JPH0475578B2 JPH0475578B2 JP19278983A JP19278983A JPH0475578B2 JP H0475578 B2 JPH0475578 B2 JP H0475578B2 JP 19278983 A JP19278983 A JP 19278983A JP 19278983 A JP19278983 A JP 19278983A JP H0475578 B2 JPH0475578 B2 JP H0475578B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
- G11B5/78—Tape carriers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/008—Recording on, or reproducing or erasing from, magnetic tapes, sheets, e.g. cards, or wires
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する強磁性金属薄
膜を磁気記録層とする磁気テープに関する。 従来例の構成とその問題点 回転磁気ヘツドにより音声,画像等の記録,再
生を行う技術は磁気記録の中でも最も高密度記録
が進んでいる。 しかし高密度化の要求はますます強くなつてお
り、高密度化に適する磁気記録媒体として強磁性
金属薄膜を磁気記録層とする磁気テープの実用化
が待たれている。 磁気テープに求められる性能のうち基本特性に
信号出力の大きなことと、ノイズの発生の少ない
ことが挙げられる。 一方安全な走行が得られる点や、耐しよく耐侯
性に優れている点や、磁気記録層の耐久性が優れ
ている等の実用特性も当然満足するものでなけれ
ばならない。 しかし、かかる両特性を同時に満足せしめるこ
とは容易ではなく、現在知られているうちで最も
バランスのとれた磁気テープは、CO−Ni−O系
の蒸着膜を磁気記録層とするもので、フエライト
ヘツドにより記録再生が可能であり初期的には、
現在実用になつているγ−Fe2O3の強磁性微粒子
を結合剤中に分散させた磁気塗料を支持体上に塗
布,乾燥固定したいわゆる塗布形テープに比べて
記録波長0.8μmで16〜17dBの高い出力が得られ
ている。 しかし各種の環境下で記録再生をくり返すと、
S/N(信号対雑音比)が悪化することがあり、
特に高温高湿下では画面がゆれ、極端にS/Nが
悪化することがあり、その原因は摺動ノイズの増
加と走行性の悪化にあり、高温高湿下でも走行が
安定で摺動ノイズも少い磁気テープが求められて
いる。 発明の目的 本発明は高温高湿環境下で安定に走行し、かつ
摺動ノイズが低く且つ安定している磁気テープを
得ることを目的とするものである。 発明の構成 本発明の磁気テープは回転磁気ヘツドの走査方
向と直交する方向に亀裂を有する強磁性金属薄膜
からなる磁気記録層から構成されている。 亀裂はトラツク方向に10本/cmから500本/cm
好ましくは100本/cmから200本/cmであれば良
く、トラツク方向と直交する亀裂であることの重
要性は後述する実施例でも明らかなように、最も
良好な回転磁気ヘツドと磁気テープの接触状態を
実現できるもので、亀裂が例えば磁気テープの長
手方向と直交する状態に配されていると、同一ト
ラツクをスチル状態でくり返し摺接していると磁
性膜に傷の発生がみられる頻度が多くなることか
ら、磁気記録層を構成するミクロ構造の差が原因
しているものと推察されるもので、ミクロな微粒
子にかかる応力に対して、かん和作用が、本発明
の構成の場合が最小になるためと考えられる。 本発明の構成によれば、回転磁気ヘツドに対し
てのダメージも少なくできるから、長時間使用し
ても、特に摩擦力の大きくなる高温高湿環境下で
の使用に於ても、摺動ノイズが増えないから、優
れたS/Nを維持することができるのである。 実施例の説明 以下本発明の1実施例について、第1図,第2
図を参照しながら説明する。 第1図は本発明の1実施例における磁気テープ
の断面図、第2図は同磁気テープの磁気記録層の
亀裂の方向と記録トラツクとの関係を示す模式図
を示すものである。1は支持体であり、支持体1
上に、下塗り層2を配し、その上に亀裂7を有す
る磁気記録層3、最上面に潤滑層4を配して成る
もので、亀裂7は第2図に示したように、記録の
トラツク6、即ち回転磁気ヘツド(図示せぬ)の
走査方向(矢印A方向)に対して直交する状態で
構成されているものである。 磁気記録層3の表面5上に示されたトラツク6
の方向と磁気テープの長手方向のなす角をαと
し、亀裂7の方向(矢印B方向)と磁気テープ長
手方向のなす角の小さい方をβとすると、α+β
がほぼ90度となるように亀裂7が存在する。 本発明に用いることのできる支持体1は、ポリ
エチレンテレフタレート,ポリエチレンナフタレ
ート,芳香族ポリアミド,ポリアミド等の高分子
フイルムか、下地層として非磁性層,軟磁性層,
無機コロイド微粒子を含む下塗り層のいずれかを
配したもの等がある。 本発明に用いられる磁気記録層3は、Co,Co
−Ni,Co−Cr,Co−Ti,Co−Ce,Co−Ru,
Co−Si,Co−Mn,Co−Mo,Co−Ni−Mg,及
びそれらの部分酸化膜等の中から選ばれた面内に
磁化容易軸を有する強磁性金属薄膜,Co−Cr−
Co−W,Co−Mo,Co−Ni−Cr等の中より選ば
れた膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する強磁性
金属薄膜が適している。 磁気記録層3の形成法は、電子ビーム蒸着法,
イオンプレーテイング法,界電蒸着法,スパツタ
リング法,イオンビームデポジシヨン法,無電解
めつき法等の中から適宜選択できる。 亀裂7の形成法は、熱ロールに沿わせてテープ
化した時にトラツク方向に相当する方向に応力を
集中させる方法があるが、その他に、磁気記録層
を外側或いは内側にして、曲げ応力を与えてトラ
ツク方向に直交するクラツクを発生させることも
でき、広幅のテープ原反で処理するか、所定の幅
に裁断後テープ状態でクラツクを発生させるかは
適宜選べばよい。 以下に、さらに具体的な実施例を説明する。 支持体として厚さ12μmのポリエチレンテレフ
タレートフイルム上に、平均粒子径200Åのチタ
ニア微粒子を、ポリエステル樹脂と共にトルエン
中に溶かし分散させた状態でナイフコータで塗
布,乾燥させた。 出来上つた下塗り層は1μCm角に平均10ケのチ
タニン微粒子を分散させた、約60Åのポリエステ
ル樹脂層である。 この支持体上に下塗り層を形成した基板を直径
50cmの冷却キヤンに沿わせて移動させながら強磁
性金属薄膜を形成することのできる巻取り蒸着装
置により、2種類の磁気記録層を形成させた。 第1の磁気記録層は、冷却キヤンと至近距離が
10cmで、基板の移動方向の幅が5インチのCo−
Cr(Crが19重量%含まれる)ターゲツトを2枚配
置し、13.56MHz,3KWの高周波グロー放電によ
る(放電ガスは3×10-3Torrのアルゴンを用い
た。)高周波スパツタリング法により、Co−Cr垂
直磁化膜を0.18μm形成した。 このCo−Cr垂直磁化膜は、飽和磁束密度が
3800〔G〕,垂直方向の保磁力は1000〔O¨e〕,面内
方向の保磁力は190〔O¨e〕であつた。 この磁気記録層上にトリステアリンを200ppm
トルエンに溶解させた溶液をリバースロール法に
より塗布し、乾燥させ、平均40Åのトリステアリ
ンから成る潤滑層を形成し、8mm幅に裁断して磁
気テープとしたのち、70℃に加熱した直径2mmの
ピン(ステンレス棒で作成)とゴムローラ(直径
1.5cm,ゴムの表面硬度70度)でこの磁気テープ
をはさみ、押圧を変化させて、トラツク方向と直
交する亀裂を発生させた。 第1表は磁気テープの条件及び評価結果を示す
表で、比較例は、βが90゜の場合である。 なお、本実施例の磁気テープ及び比較テープは
トラツク角度α=59゜のビデオテープレコーダに
て比較評価した。
膜を磁気記録層とする磁気テープに関する。 従来例の構成とその問題点 回転磁気ヘツドにより音声,画像等の記録,再
生を行う技術は磁気記録の中でも最も高密度記録
が進んでいる。 しかし高密度化の要求はますます強くなつてお
り、高密度化に適する磁気記録媒体として強磁性
金属薄膜を磁気記録層とする磁気テープの実用化
が待たれている。 磁気テープに求められる性能のうち基本特性に
信号出力の大きなことと、ノイズの発生の少ない
ことが挙げられる。 一方安全な走行が得られる点や、耐しよく耐侯
性に優れている点や、磁気記録層の耐久性が優れ
ている等の実用特性も当然満足するものでなけれ
ばならない。 しかし、かかる両特性を同時に満足せしめるこ
とは容易ではなく、現在知られているうちで最も
バランスのとれた磁気テープは、CO−Ni−O系
の蒸着膜を磁気記録層とするもので、フエライト
ヘツドにより記録再生が可能であり初期的には、
現在実用になつているγ−Fe2O3の強磁性微粒子
を結合剤中に分散させた磁気塗料を支持体上に塗
布,乾燥固定したいわゆる塗布形テープに比べて
記録波長0.8μmで16〜17dBの高い出力が得られ
ている。 しかし各種の環境下で記録再生をくり返すと、
S/N(信号対雑音比)が悪化することがあり、
特に高温高湿下では画面がゆれ、極端にS/Nが
悪化することがあり、その原因は摺動ノイズの増
加と走行性の悪化にあり、高温高湿下でも走行が
安定で摺動ノイズも少い磁気テープが求められて
いる。 発明の目的 本発明は高温高湿環境下で安定に走行し、かつ
摺動ノイズが低く且つ安定している磁気テープを
得ることを目的とするものである。 発明の構成 本発明の磁気テープは回転磁気ヘツドの走査方
向と直交する方向に亀裂を有する強磁性金属薄膜
からなる磁気記録層から構成されている。 亀裂はトラツク方向に10本/cmから500本/cm
好ましくは100本/cmから200本/cmであれば良
く、トラツク方向と直交する亀裂であることの重
要性は後述する実施例でも明らかなように、最も
良好な回転磁気ヘツドと磁気テープの接触状態を
実現できるもので、亀裂が例えば磁気テープの長
手方向と直交する状態に配されていると、同一ト
ラツクをスチル状態でくり返し摺接していると磁
性膜に傷の発生がみられる頻度が多くなることか
ら、磁気記録層を構成するミクロ構造の差が原因
しているものと推察されるもので、ミクロな微粒
子にかかる応力に対して、かん和作用が、本発明
の構成の場合が最小になるためと考えられる。 本発明の構成によれば、回転磁気ヘツドに対し
てのダメージも少なくできるから、長時間使用し
ても、特に摩擦力の大きくなる高温高湿環境下で
の使用に於ても、摺動ノイズが増えないから、優
れたS/Nを維持することができるのである。 実施例の説明 以下本発明の1実施例について、第1図,第2
図を参照しながら説明する。 第1図は本発明の1実施例における磁気テープ
の断面図、第2図は同磁気テープの磁気記録層の
亀裂の方向と記録トラツクとの関係を示す模式図
を示すものである。1は支持体であり、支持体1
上に、下塗り層2を配し、その上に亀裂7を有す
る磁気記録層3、最上面に潤滑層4を配して成る
もので、亀裂7は第2図に示したように、記録の
トラツク6、即ち回転磁気ヘツド(図示せぬ)の
走査方向(矢印A方向)に対して直交する状態で
構成されているものである。 磁気記録層3の表面5上に示されたトラツク6
の方向と磁気テープの長手方向のなす角をαと
し、亀裂7の方向(矢印B方向)と磁気テープ長
手方向のなす角の小さい方をβとすると、α+β
がほぼ90度となるように亀裂7が存在する。 本発明に用いることのできる支持体1は、ポリ
エチレンテレフタレート,ポリエチレンナフタレ
ート,芳香族ポリアミド,ポリアミド等の高分子
フイルムか、下地層として非磁性層,軟磁性層,
無機コロイド微粒子を含む下塗り層のいずれかを
配したもの等がある。 本発明に用いられる磁気記録層3は、Co,Co
−Ni,Co−Cr,Co−Ti,Co−Ce,Co−Ru,
Co−Si,Co−Mn,Co−Mo,Co−Ni−Mg,及
びそれらの部分酸化膜等の中から選ばれた面内に
磁化容易軸を有する強磁性金属薄膜,Co−Cr−
Co−W,Co−Mo,Co−Ni−Cr等の中より選ば
れた膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する強磁性
金属薄膜が適している。 磁気記録層3の形成法は、電子ビーム蒸着法,
イオンプレーテイング法,界電蒸着法,スパツタ
リング法,イオンビームデポジシヨン法,無電解
めつき法等の中から適宜選択できる。 亀裂7の形成法は、熱ロールに沿わせてテープ
化した時にトラツク方向に相当する方向に応力を
集中させる方法があるが、その他に、磁気記録層
を外側或いは内側にして、曲げ応力を与えてトラ
ツク方向に直交するクラツクを発生させることも
でき、広幅のテープ原反で処理するか、所定の幅
に裁断後テープ状態でクラツクを発生させるかは
適宜選べばよい。 以下に、さらに具体的な実施例を説明する。 支持体として厚さ12μmのポリエチレンテレフ
タレートフイルム上に、平均粒子径200Åのチタ
ニア微粒子を、ポリエステル樹脂と共にトルエン
中に溶かし分散させた状態でナイフコータで塗
布,乾燥させた。 出来上つた下塗り層は1μCm角に平均10ケのチ
タニン微粒子を分散させた、約60Åのポリエステ
ル樹脂層である。 この支持体上に下塗り層を形成した基板を直径
50cmの冷却キヤンに沿わせて移動させながら強磁
性金属薄膜を形成することのできる巻取り蒸着装
置により、2種類の磁気記録層を形成させた。 第1の磁気記録層は、冷却キヤンと至近距離が
10cmで、基板の移動方向の幅が5インチのCo−
Cr(Crが19重量%含まれる)ターゲツトを2枚配
置し、13.56MHz,3KWの高周波グロー放電によ
る(放電ガスは3×10-3Torrのアルゴンを用い
た。)高周波スパツタリング法により、Co−Cr垂
直磁化膜を0.18μm形成した。 このCo−Cr垂直磁化膜は、飽和磁束密度が
3800〔G〕,垂直方向の保磁力は1000〔O¨e〕,面内
方向の保磁力は190〔O¨e〕であつた。 この磁気記録層上にトリステアリンを200ppm
トルエンに溶解させた溶液をリバースロール法に
より塗布し、乾燥させ、平均40Åのトリステアリ
ンから成る潤滑層を形成し、8mm幅に裁断して磁
気テープとしたのち、70℃に加熱した直径2mmの
ピン(ステンレス棒で作成)とゴムローラ(直径
1.5cm,ゴムの表面硬度70度)でこの磁気テープ
をはさみ、押圧を変化させて、トラツク方向と直
交する亀裂を発生させた。 第1表は磁気テープの条件及び評価結果を示す
表で、比較例は、βが90゜の場合である。 なお、本実施例の磁気テープ及び比較テープは
トラツク角度α=59゜のビデオテープレコーダに
て比較評価した。
【表】
ここで、第1表で示す*1のC/Nは0.3μmの
ギヤツプのフエライトヘツドを用いて記録再生を
くり返し、キヤリアの中心記録波長0.8μmでCは
0.8μmの出力ノイズは0.6μmから0.7μmの範囲の
平均値で比較し、1回目の再生出力を20℃55%
RHで測定し、30℃85%RHで100回走行した後、
再び20℃55%RHの環境で測定した時の変化を
〔dB〕で示した。 *2は、38℃80%RH環境下で走行をくり返し
た時、テープ鳴きが発生した回数で表中100以上
と示してあるのは、評価を100回で打ち切つたこ
とを示し、それまでテープ鳴きは発生しなかつた
ことを示している。 *3は、スチル状態で磁性層にすりきずが発生
するまでの時間をテープの場所を変化させて10点
測定した平均時間で示した。 なお、本実施例の磁気テープはセンダストやア
モルフアス等の合金ヘツドで記録再生しても、安
定した再生出力を確保できるもので、従来のテー
プ構成のものに比べて磁気ヘツドとの接触状態が
安定していることと、ヘツド摩耗が少ないこと
も、亀裂の方向の効果として認められるものであ
る。 第2の磁気記録層は、冷却キヤンの直下30cm
に、Co−Ni〔Ni21重量%〕の蒸発源を配し、
25KV,55KWの電子ビーム加熱によりCo−Niを
蒸発させ、1×10-5Torrの酸素分圧の中で、最
小入射角50゜の条件で斜め蒸着し、部分酸化され
たCo−Ni薄膜を0.15μm形成した。 このCo−Ni薄膜は、飽和磁束密度5800〔G〕、
面内方向の保磁力は1020〔O¨e〕であつた。 このCo−Ni薄膜上にミリステン酸を200ppmメ
チルエチルケトンに溶解させた溶液をリバースロ
ール法により塗布し、乾燥させ約50Åのミリスチ
ン酸から成る潤滑層を形成し、8mm幅に裁断して
から、前記したCo−Cr垂直磁化膜の場合と同様
のやり方で亀裂を発生させて、相互比較した。 その亀裂条件及び磁気テープの性能比較結果を
第2表に示した。評価結果に示した項目及び評価
法は、Co−Cr垂直磁化膜の時と同じである。
ギヤツプのフエライトヘツドを用いて記録再生を
くり返し、キヤリアの中心記録波長0.8μmでCは
0.8μmの出力ノイズは0.6μmから0.7μmの範囲の
平均値で比較し、1回目の再生出力を20℃55%
RHで測定し、30℃85%RHで100回走行した後、
再び20℃55%RHの環境で測定した時の変化を
〔dB〕で示した。 *2は、38℃80%RH環境下で走行をくり返し
た時、テープ鳴きが発生した回数で表中100以上
と示してあるのは、評価を100回で打ち切つたこ
とを示し、それまでテープ鳴きは発生しなかつた
ことを示している。 *3は、スチル状態で磁性層にすりきずが発生
するまでの時間をテープの場所を変化させて10点
測定した平均時間で示した。 なお、本実施例の磁気テープはセンダストやア
モルフアス等の合金ヘツドで記録再生しても、安
定した再生出力を確保できるもので、従来のテー
プ構成のものに比べて磁気ヘツドとの接触状態が
安定していることと、ヘツド摩耗が少ないこと
も、亀裂の方向の効果として認められるものであ
る。 第2の磁気記録層は、冷却キヤンの直下30cm
に、Co−Ni〔Ni21重量%〕の蒸発源を配し、
25KV,55KWの電子ビーム加熱によりCo−Niを
蒸発させ、1×10-5Torrの酸素分圧の中で、最
小入射角50゜の条件で斜め蒸着し、部分酸化され
たCo−Ni薄膜を0.15μm形成した。 このCo−Ni薄膜は、飽和磁束密度5800〔G〕、
面内方向の保磁力は1020〔O¨e〕であつた。 このCo−Ni薄膜上にミリステン酸を200ppmメ
チルエチルケトンに溶解させた溶液をリバースロ
ール法により塗布し、乾燥させ約50Åのミリスチ
ン酸から成る潤滑層を形成し、8mm幅に裁断して
から、前記したCo−Cr垂直磁化膜の場合と同様
のやり方で亀裂を発生させて、相互比較した。 その亀裂条件及び磁気テープの性能比較結果を
第2表に示した。評価結果に示した項目及び評価
法は、Co−Cr垂直磁化膜の時と同じである。
【表】
【表】
以上のように本実施例によれば、第1表及び第
2表からわかるように、C/Nが安定し、くり返
し走行でも走行が安定し、さらにスチル耐久性が
優れていることの他に、センダストやアモルフア
ス等の合金ヘツドで記録再生を行つても、優れた
C/Nをくり返し使用でも確保できるもので、本
実施例の磁気テープはいかなる磁気ヘツドとも良
好な接触状態を保ち、かつヘツド摩耗も少ないも
のである。 更に、FM音声記録に於てもくり返し使用でド
ロツプアウトが従来構成のテープでは初期値の5
倍から10倍に30回使用時で増大するのに対し、本
実施例の磁気テープは増加しない点もこれからの
高密度磁気記録に有利である。 発明の効果 以上のように本発明の磁気テープは、回転磁気
ヘツドの走査方向と直交する方向に亀裂を有する
磁気記録層を形成することにより、磁気ヘツドと
の良好な接触状態が保持され、同時に磁気ヘツド
から受けるテープの応力もかん和させる作用があ
り、高温高湿環境下で安定に走行し、かつ摺動ノ
イズが低く安定することが出来、高密度磁気記録
を担う実用性能の優れたものである。
2表からわかるように、C/Nが安定し、くり返
し走行でも走行が安定し、さらにスチル耐久性が
優れていることの他に、センダストやアモルフア
ス等の合金ヘツドで記録再生を行つても、優れた
C/Nをくり返し使用でも確保できるもので、本
実施例の磁気テープはいかなる磁気ヘツドとも良
好な接触状態を保ち、かつヘツド摩耗も少ないも
のである。 更に、FM音声記録に於てもくり返し使用でド
ロツプアウトが従来構成のテープでは初期値の5
倍から10倍に30回使用時で増大するのに対し、本
実施例の磁気テープは増加しない点もこれからの
高密度磁気記録に有利である。 発明の効果 以上のように本発明の磁気テープは、回転磁気
ヘツドの走査方向と直交する方向に亀裂を有する
磁気記録層を形成することにより、磁気ヘツドと
の良好な接触状態が保持され、同時に磁気ヘツド
から受けるテープの応力もかん和させる作用があ
り、高温高湿環境下で安定に走行し、かつ摺動ノ
イズが低く安定することが出来、高密度磁気記録
を担う実用性能の優れたものである。
第1図は本発明の1実施例における磁気テープ
の拡大断面図、第2図は同磁気テープの磁気記録
層の亀裂の方向を記録トラツクとの関係を示す模
式図である。 3……磁気記録層、7……亀裂。
の拡大断面図、第2図は同磁気テープの磁気記録
層の亀裂の方向を記録トラツクとの関係を示す模
式図である。 3……磁気記録層、7……亀裂。
Claims (1)
- 1 回転磁気ヘツドの走査方向と直交する方向に
亀裂を有する強磁性金属薄膜からなる磁気記録層
を備えたことを特徴とする磁気テープ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19278983A JPS6085435A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 磁気テ−プ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19278983A JPS6085435A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 磁気テ−プ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6085435A JPS6085435A (ja) | 1985-05-14 |
JPH0475578B2 true JPH0475578B2 (ja) | 1992-12-01 |
Family
ID=16297019
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19278983A Granted JPS6085435A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 磁気テ−プ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6085435A (ja) |
-
1983
- 1983-10-14 JP JP19278983A patent/JPS6085435A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6085435A (ja) | 1985-05-14 |
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