JPH0475578B2 - - Google Patents
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- JPH0475578B2 JPH0475578B2 JP19278983A JP19278983A JPH0475578B2 JP H0475578 B2 JPH0475578 B2 JP H0475578B2 JP 19278983 A JP19278983 A JP 19278983A JP 19278983 A JP19278983 A JP 19278983A JP H0475578 B2 JPH0475578 B2 JP H0475578B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
- G11B5/78—Tape carriers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/008—Recording on, or reproducing or erasing from, magnetic tapes, sheets, e.g. cards, or wires
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する強磁性金属薄
膜を磁気記録層とする磁気テープに関する。 従来例の構成とその問題点 回転磁気ヘツドにより音声，画像等の記録，再
生を行う技術は磁気記録の中でも最も高密度記録
が進んでいる。 しかし高密度化の要求はますます強くなつてお
り、高密度化に適する磁気記録媒体として強磁性
金属薄膜を磁気記録層とする磁気テープの実用化
が待たれている。 磁気テープに求められる性能のうち基本特性に
信号出力の大きなことと、ノイズの発生の少ない
ことが挙げられる。 一方安全な走行が得られる点や、耐しよく耐侯
性に優れている点や、磁気記録層の耐久性が優れ
ている等の実用特性も当然満足するものでなけれ
ばならない。 しかし、かかる両特性を同時に満足せしめるこ
とは容易ではなく、現在知られているうちで最も
バランスのとれた磁気テープは、CO−Ni−Ｏ系
の蒸着膜を磁気記録層とするもので、フエライト
ヘツドにより記録再生が可能であり初期的には、
現在実用になつているγ−Fe2O3の強磁性微粒子
を結合剤中に分散させた磁気塗料を支持体上に塗
布，乾燥固定したいわゆる塗布形テープに比べて
記録波長0.8μｍで16〜17dBの高い出力が得られ
ている。 しかし各種の環境下で記録再生をくり返すと、
Ｓ／Ｎ（信号対雑音比）が悪化することがあり、
特に高温高湿下では画面がゆれ、極端にＳ／Ｎが
悪化することがあり、その原因は摺動ノイズの増
加と走行性の悪化にあり、高温高湿下でも走行が
安定で摺動ノイズも少い磁気テープが求められて
いる。 発明の目的 本発明は高温高湿環境下で安定に走行し、かつ
摺動ノイズが低く且つ安定している磁気テープを
得ることを目的とするものである。 発明の構成 本発明の磁気テープは回転磁気ヘツドの走査方
向と直交する方向に亀裂を有する強磁性金属薄膜
からなる磁気記録層から構成されている。 亀裂はトラツク方向に10本／cmから500本／cm
好ましくは100本／cmから200本／cmであれば良
く、トラツク方向と直交する亀裂であることの重
要性は後述する実施例でも明らかなように、最も
良好な回転磁気ヘツドと磁気テープの接触状態を
実現できるもので、亀裂が例えば磁気テープの長
手方向と直交する状態に配されていると、同一ト
ラツクをスチル状態でくり返し摺接していると磁
性膜に傷の発生がみられる頻度が多くなることか
ら、磁気記録層を構成するミクロ構造の差が原因
しているものと推察されるもので、ミクロな微粒
子にかかる応力に対して、かん和作用が、本発明
の構成の場合が最小になるためと考えられる。 本発明の構成によれば、回転磁気ヘツドに対し
てのダメージも少なくできるから、長時間使用し
ても、特に摩擦力の大きくなる高温高湿環境下で
の使用に於ても、摺動ノイズが増えないから、優
れたＳ／Ｎを維持することができるのである。 実施例の説明 以下本発明の１実施例について、第１図，第２
図を参照しながら説明する。 第１図は本発明の１実施例における磁気テープ
の断面図、第２図は同磁気テープの磁気記録層の
亀裂の方向と記録トラツクとの関係を示す模式図
を示すものである。１は支持体であり、支持体１
上に、下塗り層２を配し、その上に亀裂７を有す
る磁気記録層３、最上面に潤滑層４を配して成る
もので、亀裂７は第２図に示したように、記録の
トラツク６、即ち回転磁気ヘツド（図示せぬ）の
走査方向（矢印Ａ方向）に対して直交する状態で
構成されているものである。 磁気記録層３の表面５上に示されたトラツク６
の方向と磁気テープの長手方向のなす角をαと
し、亀裂７の方向（矢印Ｂ方向）と磁気テープ長
手方向のなす角の小さい方をβとすると、α＋β
がほぼ90度となるように亀裂７が存在する。 本発明に用いることのできる支持体１は、ポリ
エチレンテレフタレート，ポリエチレンナフタレ
ート，芳香族ポリアミド，ポリアミド等の高分子
フイルムか、下地層として非磁性層，軟磁性層，
無機コロイド微粒子を含む下塗り層のいずれかを
配したもの等がある。 本発明に用いられる磁気記録層３は、Co，Co
−Ni，Co−Cr，Co−Ti，Co−Ce，Co−Ru，
Co−Si，Co−Mn，Co−Mo，Co−Ni−Mg，及
びそれらの部分酸化膜等の中から選ばれた面内に
磁化容易軸を有する強磁性金属薄膜，Co−Cr−
Co−Ｗ，Co−Mo，Co−Ni−Cr等の中より選ば
れた膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する強磁性
金属薄膜が適している。 磁気記録層３の形成法は、電子ビーム蒸着法，
イオンプレーテイング法，界電蒸着法，スパツタ
リング法，イオンビームデポジシヨン法，無電解
めつき法等の中から適宜選択できる。 亀裂７の形成法は、熱ロールに沿わせてテープ
化した時にトラツク方向に相当する方向に応力を
集中させる方法があるが、その他に、磁気記録層
を外側或いは内側にして、曲げ応力を与えてトラ
ツク方向に直交するクラツクを発生させることも
でき、広幅のテープ原反で処理するか、所定の幅
に裁断後テープ状態でクラツクを発生させるかは
適宜選べばよい。 以下に、さらに具体的な実施例を説明する。 支持体として厚さ12μｍのポリエチレンテレフ
タレートフイルム上に、平均粒子径200Åのチタ
ニア微粒子を、ポリエステル樹脂と共にトルエン
中に溶かし分散させた状態でナイフコータで塗
布，乾燥させた。 出来上つた下塗り層は1μCｍ角に平均10ケのチ
タニン微粒子を分散させた、約60Åのポリエステ
ル樹脂層である。 この支持体上に下塗り層を形成した基板を直径
50cmの冷却キヤンに沿わせて移動させながら強磁
性金属薄膜を形成することのできる巻取り蒸着装
置により、２種類の磁気記録層を形成させた。 第１の磁気記録層は、冷却キヤンと至近距離が
10cmで、基板の移動方向の幅が５インチのCo−
Cr（Crが19重量％含まれる）ターゲツトを２枚配
置し、13.56MHz，3KWの高周波グロー放電によ
る（放電ガスは３×10-3Torrのアルゴンを用い
た。）高周波スパツタリング法により、Co−Cr垂
直磁化膜を0.18μｍ形成した。 このCo−Cr垂直磁化膜は、飽和磁束密度が
3800〔Ｇ〕，垂直方向の保磁力は1000〔O¨e〕，面内
方向の保磁力は190〔O¨e〕であつた。 この磁気記録層上にトリステアリンを200ppm
トルエンに溶解させた溶液をリバースロール法に
より塗布し、乾燥させ、平均40Åのトリステアリ
ンから成る潤滑層を形成し、８mm幅に裁断して磁
気テープとしたのち、70℃に加熱した直径２mmの
ピン（ステンレス棒で作成）とゴムローラ（直径
1.5cm，ゴムの表面硬度70度）でこの磁気テープ
をはさみ、押圧を変化させて、トラツク方向と直
交する亀裂を発生させた。 第１表は磁気テープの条件及び評価結果を示す
表で、比較例は、βが90゜の場合である。 なお、本実施例の磁気テープ及び比較テープは
トラツク角度α＝59゜のビデオテープレコーダに
て比較評価した。
膜を磁気記録層とする磁気テープに関する。 従来例の構成とその問題点 回転磁気ヘツドにより音声，画像等の記録，再
生を行う技術は磁気記録の中でも最も高密度記録
が進んでいる。 しかし高密度化の要求はますます強くなつてお
り、高密度化に適する磁気記録媒体として強磁性
金属薄膜を磁気記録層とする磁気テープの実用化
が待たれている。 磁気テープに求められる性能のうち基本特性に
信号出力の大きなことと、ノイズの発生の少ない
ことが挙げられる。 一方安全な走行が得られる点や、耐しよく耐侯
性に優れている点や、磁気記録層の耐久性が優れ
ている等の実用特性も当然満足するものでなけれ
ばならない。 しかし、かかる両特性を同時に満足せしめるこ
とは容易ではなく、現在知られているうちで最も
バランスのとれた磁気テープは、CO−Ni−Ｏ系
の蒸着膜を磁気記録層とするもので、フエライト
ヘツドにより記録再生が可能であり初期的には、
現在実用になつているγ−Fe2O3の強磁性微粒子
を結合剤中に分散させた磁気塗料を支持体上に塗
布，乾燥固定したいわゆる塗布形テープに比べて
記録波長0.8μｍで16〜17dBの高い出力が得られ
ている。 しかし各種の環境下で記録再生をくり返すと、
Ｓ／Ｎ（信号対雑音比）が悪化することがあり、
特に高温高湿下では画面がゆれ、極端にＳ／Ｎが
悪化することがあり、その原因は摺動ノイズの増
加と走行性の悪化にあり、高温高湿下でも走行が
安定で摺動ノイズも少い磁気テープが求められて
いる。 発明の目的 本発明は高温高湿環境下で安定に走行し、かつ
摺動ノイズが低く且つ安定している磁気テープを
得ることを目的とするものである。 発明の構成 本発明の磁気テープは回転磁気ヘツドの走査方
向と直交する方向に亀裂を有する強磁性金属薄膜
からなる磁気記録層から構成されている。 亀裂はトラツク方向に10本／cmから500本／cm
好ましくは100本／cmから200本／cmであれば良
く、トラツク方向と直交する亀裂であることの重
要性は後述する実施例でも明らかなように、最も
良好な回転磁気ヘツドと磁気テープの接触状態を
実現できるもので、亀裂が例えば磁気テープの長
手方向と直交する状態に配されていると、同一ト
ラツクをスチル状態でくり返し摺接していると磁
性膜に傷の発生がみられる頻度が多くなることか
ら、磁気記録層を構成するミクロ構造の差が原因
しているものと推察されるもので、ミクロな微粒
子にかかる応力に対して、かん和作用が、本発明
の構成の場合が最小になるためと考えられる。 本発明の構成によれば、回転磁気ヘツドに対し
てのダメージも少なくできるから、長時間使用し
ても、特に摩擦力の大きくなる高温高湿環境下で
の使用に於ても、摺動ノイズが増えないから、優
れたＳ／Ｎを維持することができるのである。 実施例の説明 以下本発明の１実施例について、第１図，第２
図を参照しながら説明する。 第１図は本発明の１実施例における磁気テープ
の断面図、第２図は同磁気テープの磁気記録層の
亀裂の方向と記録トラツクとの関係を示す模式図
を示すものである。１は支持体であり、支持体１
上に、下塗り層２を配し、その上に亀裂７を有す
る磁気記録層３、最上面に潤滑層４を配して成る
もので、亀裂７は第２図に示したように、記録の
トラツク６、即ち回転磁気ヘツド（図示せぬ）の
走査方向（矢印Ａ方向）に対して直交する状態で
構成されているものである。 磁気記録層３の表面５上に示されたトラツク６
の方向と磁気テープの長手方向のなす角をαと
し、亀裂７の方向（矢印Ｂ方向）と磁気テープ長
手方向のなす角の小さい方をβとすると、α＋β
がほぼ90度となるように亀裂７が存在する。 本発明に用いることのできる支持体１は、ポリ
エチレンテレフタレート，ポリエチレンナフタレ
ート，芳香族ポリアミド，ポリアミド等の高分子
フイルムか、下地層として非磁性層，軟磁性層，
無機コロイド微粒子を含む下塗り層のいずれかを
配したもの等がある。 本発明に用いられる磁気記録層３は、Co，Co
−Ni，Co−Cr，Co−Ti，Co−Ce，Co−Ru，
Co−Si，Co−Mn，Co−Mo，Co−Ni−Mg，及
びそれらの部分酸化膜等の中から選ばれた面内に
磁化容易軸を有する強磁性金属薄膜，Co−Cr−
Co−Ｗ，Co−Mo，Co−Ni−Cr等の中より選ば
れた膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する強磁性
金属薄膜が適している。 磁気記録層３の形成法は、電子ビーム蒸着法，
イオンプレーテイング法，界電蒸着法，スパツタ
リング法，イオンビームデポジシヨン法，無電解
めつき法等の中から適宜選択できる。 亀裂７の形成法は、熱ロールに沿わせてテープ
化した時にトラツク方向に相当する方向に応力を
集中させる方法があるが、その他に、磁気記録層
を外側或いは内側にして、曲げ応力を与えてトラ
ツク方向に直交するクラツクを発生させることも
でき、広幅のテープ原反で処理するか、所定の幅
に裁断後テープ状態でクラツクを発生させるかは
適宜選べばよい。 以下に、さらに具体的な実施例を説明する。 支持体として厚さ12μｍのポリエチレンテレフ
タレートフイルム上に、平均粒子径200Åのチタ
ニア微粒子を、ポリエステル樹脂と共にトルエン
中に溶かし分散させた状態でナイフコータで塗
布，乾燥させた。 出来上つた下塗り層は1μCｍ角に平均10ケのチ
タニン微粒子を分散させた、約60Åのポリエステ
ル樹脂層である。 この支持体上に下塗り層を形成した基板を直径
50cmの冷却キヤンに沿わせて移動させながら強磁
性金属薄膜を形成することのできる巻取り蒸着装
置により、２種類の磁気記録層を形成させた。 第１の磁気記録層は、冷却キヤンと至近距離が
10cmで、基板の移動方向の幅が５インチのCo−
Cr（Crが19重量％含まれる）ターゲツトを２枚配
置し、13.56MHz，3KWの高周波グロー放電によ
る（放電ガスは３×10-3Torrのアルゴンを用い
た。）高周波スパツタリング法により、Co−Cr垂
直磁化膜を0.18μｍ形成した。 このCo−Cr垂直磁化膜は、飽和磁束密度が
3800〔Ｇ〕，垂直方向の保磁力は1000〔O¨e〕，面内
方向の保磁力は190〔O¨e〕であつた。 この磁気記録層上にトリステアリンを200ppm
トルエンに溶解させた溶液をリバースロール法に
より塗布し、乾燥させ、平均40Åのトリステアリ
ンから成る潤滑層を形成し、８mm幅に裁断して磁
気テープとしたのち、70℃に加熱した直径２mmの
ピン（ステンレス棒で作成）とゴムローラ（直径
1.5cm，ゴムの表面硬度70度）でこの磁気テープ
をはさみ、押圧を変化させて、トラツク方向と直
交する亀裂を発生させた。 第１表は磁気テープの条件及び評価結果を示す
表で、比較例は、βが90゜の場合である。 なお、本実施例の磁気テープ及び比較テープは
トラツク角度α＝59゜のビデオテープレコーダに
て比較評価した。
【表】
ここで、第１表で示す＊１のＣ／Ｎは0.3μｍの
ギヤツプのフエライトヘツドを用いて記録再生を
くり返し、キヤリアの中心記録波長0.8μｍでＣは
0.8μｍの出力ノイズは0.6μｍから0.7μｍの範囲の
平均値で比較し、１回目の再生出力を20℃55％
RHで測定し、30℃85％RHで100回走行した後、
再び20℃55％RHの環境で測定した時の変化を
〔dB〕で示した。 ＊２は、38℃80％RH環境下で走行をくり返し
た時、テープ鳴きが発生した回数で表中100以上
と示してあるのは、評価を100回で打ち切つたこ
とを示し、それまでテープ鳴きは発生しなかつた
ことを示している。 ＊３は、スチル状態で磁性層にすりきずが発生
するまでの時間をテープの場所を変化させて10点
測定した平均時間で示した。 なお、本実施例の磁気テープはセンダストやア
モルフアス等の合金ヘツドで記録再生しても、安
定した再生出力を確保できるもので、従来のテー
プ構成のものに比べて磁気ヘツドとの接触状態が
安定していることと、ヘツド摩耗が少ないこと
も、亀裂の方向の効果として認められるものであ
る。 第２の磁気記録層は、冷却キヤンの直下30cm
に、Co−Ni〔Ni21重量％〕の蒸発源を配し、
25KV，55KWの電子ビーム加熱によりCo−Niを
蒸発させ、１×10-5Torrの酸素分圧の中で、最
小入射角50゜の条件で斜め蒸着し、部分酸化され
たCo−Ni薄膜を0.15μｍ形成した。 このCo−Ni薄膜は、飽和磁束密度5800〔Ｇ〕、
面内方向の保磁力は1020〔O¨e〕であつた。 このCo−Ni薄膜上にミリステン酸を200ppmメ
チルエチルケトンに溶解させた溶液をリバースロ
ール法により塗布し、乾燥させ約50Åのミリスチ
ン酸から成る潤滑層を形成し、８mm幅に裁断して
から、前記したCo−Cr垂直磁化膜の場合と同様
のやり方で亀裂を発生させて、相互比較した。 その亀裂条件及び磁気テープの性能比較結果を
第２表に示した。評価結果に示した項目及び評価
法は、Co−Cr垂直磁化膜の時と同じである。
ギヤツプのフエライトヘツドを用いて記録再生を
くり返し、キヤリアの中心記録波長0.8μｍでＣは
0.8μｍの出力ノイズは0.6μｍから0.7μｍの範囲の
平均値で比較し、１回目の再生出力を20℃55％
RHで測定し、30℃85％RHで100回走行した後、
再び20℃55％RHの環境で測定した時の変化を
〔dB〕で示した。 ＊２は、38℃80％RH環境下で走行をくり返し
た時、テープ鳴きが発生した回数で表中100以上
と示してあるのは、評価を100回で打ち切つたこ
とを示し、それまでテープ鳴きは発生しなかつた
ことを示している。 ＊３は、スチル状態で磁性層にすりきずが発生
するまでの時間をテープの場所を変化させて10点
測定した平均時間で示した。 なお、本実施例の磁気テープはセンダストやア
モルフアス等の合金ヘツドで記録再生しても、安
定した再生出力を確保できるもので、従来のテー
プ構成のものに比べて磁気ヘツドとの接触状態が
安定していることと、ヘツド摩耗が少ないこと
も、亀裂の方向の効果として認められるものであ
る。 第２の磁気記録層は、冷却キヤンの直下30cm
に、Co−Ni〔Ni21重量％〕の蒸発源を配し、
25KV，55KWの電子ビーム加熱によりCo−Niを
蒸発させ、１×10-5Torrの酸素分圧の中で、最
小入射角50゜の条件で斜め蒸着し、部分酸化され
たCo−Ni薄膜を0.15μｍ形成した。 このCo−Ni薄膜は、飽和磁束密度5800〔Ｇ〕、
面内方向の保磁力は1020〔O¨e〕であつた。 このCo−Ni薄膜上にミリステン酸を200ppmメ
チルエチルケトンに溶解させた溶液をリバースロ
ール法により塗布し、乾燥させ約50Åのミリスチ
ン酸から成る潤滑層を形成し、８mm幅に裁断して
から、前記したCo−Cr垂直磁化膜の場合と同様
のやり方で亀裂を発生させて、相互比較した。 その亀裂条件及び磁気テープの性能比較結果を
第２表に示した。評価結果に示した項目及び評価
法は、Co−Cr垂直磁化膜の時と同じである。
【表】
【表】
以上のように本実施例によれば、第１表及び第
２表からわかるように、Ｃ／Ｎが安定し、くり返
し走行でも走行が安定し、さらにスチル耐久性が
優れていることの他に、センダストやアモルフア
ス等の合金ヘツドで記録再生を行つても、優れた
Ｃ／Ｎをくり返し使用でも確保できるもので、本
実施例の磁気テープはいかなる磁気ヘツドとも良
好な接触状態を保ち、かつヘツド摩耗も少ないも
のである。 更に、FM音声記録に於てもくり返し使用でド
ロツプアウトが従来構成のテープでは初期値の５
倍から10倍に30回使用時で増大するのに対し、本
実施例の磁気テープは増加しない点もこれからの
高密度磁気記録に有利である。 発明の効果 以上のように本発明の磁気テープは、回転磁気
ヘツドの走査方向と直交する方向に亀裂を有する
磁気記録層を形成することにより、磁気ヘツドと
の良好な接触状態が保持され、同時に磁気ヘツド
から受けるテープの応力もかん和させる作用があ
り、高温高湿環境下で安定に走行し、かつ摺動ノ
イズが低く安定することが出来、高密度磁気記録
を担う実用性能の優れたものである。
２表からわかるように、Ｃ／Ｎが安定し、くり返
し走行でも走行が安定し、さらにスチル耐久性が
優れていることの他に、センダストやアモルフア
ス等の合金ヘツドで記録再生を行つても、優れた
Ｃ／Ｎをくり返し使用でも確保できるもので、本
実施例の磁気テープはいかなる磁気ヘツドとも良
好な接触状態を保ち、かつヘツド摩耗も少ないも
のである。 更に、FM音声記録に於てもくり返し使用でド
ロツプアウトが従来構成のテープでは初期値の５
倍から10倍に30回使用時で増大するのに対し、本
実施例の磁気テープは増加しない点もこれからの
高密度磁気記録に有利である。 発明の効果 以上のように本発明の磁気テープは、回転磁気
ヘツドの走査方向と直交する方向に亀裂を有する
磁気記録層を形成することにより、磁気ヘツドと
の良好な接触状態が保持され、同時に磁気ヘツド
から受けるテープの応力もかん和させる作用があ
り、高温高湿環境下で安定に走行し、かつ摺動ノ
イズが低く安定することが出来、高密度磁気記録
を担う実用性能の優れたものである。
第１図は本発明の１実施例における磁気テープ
の拡大断面図、第２図は同磁気テープの磁気記録
層の亀裂の方向を記録トラツクとの関係を示す模
式図である。 ３……磁気記録層、７……亀裂。
の拡大断面図、第２図は同磁気テープの磁気記録
層の亀裂の方向を記録トラツクとの関係を示す模
式図である。 ３……磁気記録層、７……亀裂。
Claims (1)
- １ 回転磁気ヘツドの走査方向と直交する方向に
亀裂を有する強磁性金属薄膜からなる磁気記録層
を備えたことを特徴とする磁気テープ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19278983A JPS6085435A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 磁気テ−プ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19278983A JPS6085435A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 磁気テ−プ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6085435A JPS6085435A (ja) | 1985-05-14 |
| JPH0475578B2 true JPH0475578B2 (ja) | 1992-12-01 |
Family
ID=16297019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19278983A Granted JPS6085435A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 磁気テ−プ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6085435A (ja) |
-
1983
- 1983-10-14 JP JP19278983A patent/JPS6085435A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6085435A (ja) | 1985-05-14 |
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