JPS61148852A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS61148852A JPS61148852A JP27080784A JP27080784A JPS61148852A JP S61148852 A JPS61148852 A JP S61148852A JP 27080784 A JP27080784 A JP 27080784A JP 27080784 A JP27080784 A JP 27080784A JP S61148852 A JPS61148852 A JP S61148852A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- leads
- mounting
- bonding
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/60—Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は半導体装置、特に高集積度で多数の外部接続端
子を有する半導体集積回路に用いて好適な技術に関する
。
子を有する半導体集積回路に用いて好適な技術に関する
。
半導体集積回路については、集積度の向上、使用周波数
の高周波化、更にパッケージの小型化などが要求され、
これらのニーズに応えた製品が提供されつつある。
の高周波化、更にパッケージの小型化などが要求され、
これらのニーズに応えた製品が提供されつつある。
一方、上述の如き半導体集積回路は静電気によって破壊
されやすいことが知られているが、製品完成後の例えば
運搬中、或いはその後の実装時に静電による破壊が発生
すると、それまでの工程が全て無駄になってしまう。
されやすいことが知られているが、製品完成後の例えば
運搬中、或いはその後の実装時に静電による破壊が発生
すると、それまでの工程が全て無駄になってしまう。
そこで、「日経エレクトロニクスＪ（１９８４年４月２
３日号、日経マグロウヒル社発行、ｐ１７９〜ｐ１９３
）に示す如き静電破壊の防止方法が提案されている。
３日号、日経マグロウヒル社発行、ｐ１７９〜ｐ１９３
）に示す如き静電破壊の防止方法が提案されている。
ところで、本発明者が静電破壊の発生原因について検討
したところ忙よると、各端子間圧電位差が生じたとき、
上記破壊が発生することが明らかになった。
したところ忙よると、各端子間圧電位差が生じたとき、
上記破壊が発生することが明らかになった。
そして製品完成後、実装終了時点までの間において上記
電位差を生じせしめなければ、静電破壊を著しく低減し
得ること忙気付いた。
電位差を生じせしめなければ、静電破壊を著しく低減し
得ること忙気付いた。
本発明は、上述の如き技術的検討の結果なされたもので
ある。
ある。
本発明の目的は、各外部接続端子を人為的に短絡状態忙
なすことにより、静電気圧よる破壊防止を行い得る半導
体装置を提供することにある。
なすことにより、静電気圧よる破壊防止を行い得る半導
体装置を提供することにある。
本発明の上記ならび忙その他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される発明の概要を簡単に述べれば、
下記の通りである。
下記の通りである。
すなわち、半導体装置の各外部接続端子を例えば環状に
形成された導烹体忙よって短絡戸、各外部接続端子間に
電位差を生じさせないよ５＆Ｃ構成することにより、半
導体装置の静電破壊を低減する、という本発明の目的を
達成するものである。
形成された導烹体忙よって短絡戸、各外部接続端子間に
電位差を生じさせないよ５＆Ｃ構成することにより、半
導体装置の静電破壊を低減する、という本発明の目的を
達成するものである。
以下、第１図及び第２図を参照して本発明を適用した半
導体装置の一実施例を説明する。なお、第１図は半導体
装置の平面図であり、第２図は一側面図である。
導体装置の一実施例を説明する。なお、第１図は半導体
装置の平面図であり、第２図は一側面図である。
本実施例の特徴は、半導体集積回路（以下においてＩＣ
という）の各外部接続端子（以下においてリード）を環
状の導電体と導電性接着材を用いて短絡し、各リード間
を強制的−同電位にすることにある。
という）の各外部接続端子（以下においてリード）を環
状の導電体と導電性接着材を用いて短絡し、各リード間
を強制的−同電位にすることにある。
第１図に示すように、ＩＣＩのパッケージ２の外周囲か
ら各リード３が突出し、その上面には環状に形成された
導電体４が導電性接着材（図示せず）によって通電可能
に接着されている。
ら各リード３が突出し、その上面には環状に形成された
導電体４が導電性接着材（図示せず）によって通電可能
に接着されている。
上記導電体４は、例えばカーボン等の導電性を有する物
質を含有した合成樹脂であ°りてよい。上記導電体４の
接着は、ＩＣＩが完成した後に行われるのであるが、こ
こで注目すべきことは上記接着が広い面積で行われるの
ではなく、第２図に示す如く言わば点接着ともいうべき
小面積において行われることである。
質を含有した合成樹脂であ°りてよい。上記導電体４の
接着は、ＩＣＩが完成した後に行われるのであるが、こ
こで注目すべきことは上記接着が広い面積で行われるの
ではなく、第２図に示す如く言わば点接着ともいうべき
小面積において行われることである。
すなわち、各リード３の幅は狭く、その厚さも薄く、僅
かな力によりても容易に変形しやすいので、運搬中、実
装中、実装後を問わず変形防止に留意しなければならな
い。また、静電気による電流は大電流ではないので、何
れか−のり−ドに静電圧が印加された場合、導電体４の
幅や厚さを小にしても上記各リード３を同電位にするこ
とができるＯ 従って、上述の如く接着面積を小にすることにより、Ｉ
ＣＩを運搬する際はもとより、実装が完了するまでの間
は、導電体４によって各リード３を同電位に保持し、実
装後に導電体４を剥離する場合は、各リード３を変形さ
せるほどの引っ張り力が働かず、極めて容易に剥離作業
を行うことができる。
かな力によりても容易に変形しやすいので、運搬中、実
装中、実装後を問わず変形防止に留意しなければならな
い。また、静電気による電流は大電流ではないので、何
れか−のり−ドに静電圧が印加された場合、導電体４の
幅や厚さを小にしても上記各リード３を同電位にするこ
とができるＯ 従って、上述の如く接着面積を小にすることにより、Ｉ
ＣＩを運搬する際はもとより、実装が完了するまでの間
は、導電体４によって各リード３を同電位に保持し、実
装後に導電体４を剥離する場合は、各リード３を変形さ
せるほどの引っ張り力が働かず、極めて容易に剥離作業
を行うことができる。
（１）ＩＣの各リードを導電体により同電位に保持でき
るので、各リード間の電位差に起因する破壊を低減する
ことができる。
るので、各リード間の電位差に起因する破壊を低減する
ことができる。
（２）上記（１）により、ＩＣを運搬するためのマガジ
ン等に静電破壊防止のための処理を特に行う必要がなく
、この分生量コストを低減させることができる。
ン等に静電破壊防止のための処理を特に行う必要がなく
、この分生量コストを低減させることができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることは言うまでもない。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることは言うまでもない。
例えばＩＣの形状は上記形状（フラットパッケージ）に
限定されず、デエアルインライン型などのＩＣであって
もよい。
限定されず、デエアルインライン型などのＩＣであって
もよい。
以上に主として本発明者忙よってなされた発明をその背
景となった利用分野であるＩＣに適用した場合について
述べたが、それに限定されるものではなく、トランジス
タ、ノ何ブリットＩＣなどに利用することができる。
景となった利用分野であるＩＣに適用した場合について
述べたが、それに限定されるものではなく、トランジス
タ、ノ何ブリットＩＣなどに利用することができる。
第１囚は本発明を適用した半導体装置の一実施例を示す
平面図を示し、 第２図は上記半導体装置の一側面図を示す。 １・・・半導体装置、２・・・パッケージ、３・・・リ
ード、４・・・導電体。
平面図を示し、 第２図は上記半導体装置の一側面図を示す。 １・・・半導体装置、２・・・パッケージ、３・・・リ
ード、４・・・導電体。
Claims (1)
- １、半導体装置を構成する各外部接続端子を着脱自在の
導電体で短絡したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27080784A JPS61148852A (ja) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27080784A JPS61148852A (ja) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61148852A true JPS61148852A (ja) | 1986-07-07 |
Family
ID=17491290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27080784A Pending JPS61148852A (ja) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61148852A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5163850A (en) * | 1991-04-18 | 1992-11-17 | Polaroid Corporation | Electrostatic discharge protection devices for semiconductor chip packages |
| US5490033A (en) * | 1994-04-28 | 1996-02-06 | Polaroid Corporation | Electrostatic discharge protection device |
| US5583733A (en) * | 1994-12-21 | 1996-12-10 | Polaroid Corporation | Electrostatic discharge protection device |
| US5599205A (en) * | 1994-07-20 | 1997-02-04 | Polaroid Corporation | Electrostatic discharge protection device |
| US5697501A (en) * | 1995-12-21 | 1997-12-16 | Polaroid Corporation | Electrostatic discharge protection device |
| US5812357A (en) * | 1996-10-11 | 1998-09-22 | Polaroid Corporation | Electrostatic discharge protection device |
| US5847914A (en) * | 1995-12-21 | 1998-12-08 | Polaroid Corporation | Electrostatic discharge protection device |
| US5877933A (en) * | 1997-04-16 | 1999-03-02 | Johansen; Arnold W. | Electrostatic discharge protection device for magnetoresistive head |
| US5963415A (en) * | 1997-07-05 | 1999-10-05 | Polaroid Corporation | Electrostatic discharge protection device |
-
1984
- 1984-12-24 JP JP27080784A patent/JPS61148852A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5163850A (en) * | 1991-04-18 | 1992-11-17 | Polaroid Corporation | Electrostatic discharge protection devices for semiconductor chip packages |
| US5490033A (en) * | 1994-04-28 | 1996-02-06 | Polaroid Corporation | Electrostatic discharge protection device |
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| US5746621A (en) * | 1994-07-20 | 1998-05-05 | Polaroid Corporation | Electrostatic discharge protection device |
| US5583733A (en) * | 1994-12-21 | 1996-12-10 | Polaroid Corporation | Electrostatic discharge protection device |
| US5633780A (en) * | 1994-12-21 | 1997-05-27 | Polaroid Corporation | Electrostatic discharge protection device |
| US5697501A (en) * | 1995-12-21 | 1997-12-16 | Polaroid Corporation | Electrostatic discharge protection device |
| US5847914A (en) * | 1995-12-21 | 1998-12-08 | Polaroid Corporation | Electrostatic discharge protection device |
| US5812357A (en) * | 1996-10-11 | 1998-09-22 | Polaroid Corporation | Electrostatic discharge protection device |
| US5877933A (en) * | 1997-04-16 | 1999-03-02 | Johansen; Arnold W. | Electrostatic discharge protection device for magnetoresistive head |
| US5963415A (en) * | 1997-07-05 | 1999-10-05 | Polaroid Corporation | Electrostatic discharge protection device |
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