JPS61148843A - ステム - Google Patents
ステムInfo
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- JPS61148843A JPS61148843A JP27150484A JP27150484A JPS61148843A JP S61148843 A JPS61148843 A JP S61148843A JP 27150484 A JP27150484 A JP 27150484A JP 27150484 A JP27150484 A JP 27150484A JP S61148843 A JPS61148843 A JP S61148843A
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- stem
- copper
- mixture
- tungsten
- holes
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Connections Arranged To Contact A Plurality Of Conductors (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
庄ＪＬＬＱｌ団り１厨−
この発明はステムに関し、特に例えば電力用半導体素子
取付用に好適するものである。
取付用に好適するものである。
良未Δ皮ｒ
従来の半導体装置用ステムは、第２図に示すように、ス
テム基板１全体が鉄で構成され、透孔２にソーダガラス
３を介して鉄・ニッケル合金製のリード線５を気密かつ
絶縁して封着したもの（特公昭５５−５２１１；５号公
報）や、同図中に２点鎖線で示すように、ステム基板１
上に銅よりなるヒートシンク６をロウ付けしたものや、
第３図に示すように、鉄製のステム基板７の透孔８にソ
ーダガラス８を介して鉄拳ニッケル合金製のリード線ｌ
Ｏを気密かつ絶縁して封着するとともに、素子取付位置
に穿設した透孔■に銅製のヒートシンク１２を嵌合して
ロウ付けしたもの（特公昭５８−２０７０２合公報）や
、第４図に示すように、銅製のステム基板１３の透孔１
４に鉄製のアイレット１５中にソーダガラス１Ｇを介し
て鉄・ニッケル合金製のリード線１７を気密かつ絶縁し
て封着した気密端子Ｉ８をロウ付けしたもの（特公昭５
４−２８２８８号公報）等がある。
テム基板１全体が鉄で構成され、透孔２にソーダガラス
３を介して鉄・ニッケル合金製のリード線５を気密かつ
絶縁して封着したもの（特公昭５５−５２１１；５号公
報）や、同図中に２点鎖線で示すように、ステム基板１
上に銅よりなるヒートシンク６をロウ付けしたものや、
第３図に示すように、鉄製のステム基板７の透孔８にソ
ーダガラス８を介して鉄拳ニッケル合金製のリード線ｌ
Ｏを気密かつ絶縁して封着するとともに、素子取付位置
に穿設した透孔■に銅製のヒートシンク１２を嵌合して
ロウ付けしたもの（特公昭５８−２０７０２合公報）や
、第４図に示すように、銅製のステム基板１３の透孔１
４に鉄製のアイレット１５中にソーダガラス１Ｇを介し
て鉄・ニッケル合金製のリード線１７を気密かつ絶縁し
て封着した気密端子Ｉ８をロウ付けしたもの（特公昭５
４−２８２８８号公報）等がある。
光Ｍｌ脛１８．よう」３ｔＡ」υ１虞。
ところで、上記第２図のステムは、安価ではあるが、ス
テム基板１の熱伝導率が比較的小さいため大電力用の半
導体装置に用いることは困難で、一方、第２図の２点鎖
線や第３図以降に示すように銅製のヒートシンク６、■
２をロウ付けしたり、銅製のステム基板１３を用いるも
のでは、大電力用の半導体装置に好適するものではある
が、部品点類が多（、銅部材と他部材とのロウ付けも必
要で、加工費大により原価高であり、信頼性の点でも不
利である。
テム基板１の熱伝導率が比較的小さいため大電力用の半
導体装置に用いることは困難で、一方、第２図の２点鎖
線や第３図以降に示すように銅製のヒートシンク６、■
２をロウ付けしたり、銅製のステム基板１３を用いるも
のでは、大電力用の半導体装置に好適するものではある
が、部品点類が多（、銅部材と他部材とのロウ付けも必
要で、加工費大により原価高であり、信頼性の点でも不
利である。
。 ° １の
この発明は上記の問題点を解決するために、ステム基板
を銅Φタングステン混合物で構成して、その透孔に直接
ホウケイ酸ガラスを介してコバール製のリード線を気密
かつ絶縁して封着したものである。
を銅Φタングステン混合物で構成して、その透孔に直接
ホウケイ酸ガラスを介してコバール製のリード線を気密
かつ絶縁して封着したものである。
１肚
上記の手段によれば、銅・タングステン混合物の熱膨張
係数がコバールやホウケイ酸ガラスと略同等であるため
、直接封着が可能で、部品点数が少なく、ロウ付けも不
要で、加工費を低減できるし、熱伝導率はコバールの１
０倍以上、鉄の６倍以上もあるため、熱放散性の良いス
テムが提供できる。
係数がコバールやホウケイ酸ガラスと略同等であるため
、直接封着が可能で、部品点数が少なく、ロウ付けも不
要で、加工費を低減できるし、熱伝導率はコバールの１
０倍以上、鉄の６倍以上もあるため、熱放散性の良いス
テムが提供できる。
実ＪｉＬ４九
以下、この発明の一実施例のステムについて、図面を参
照して説明する。
照して説明する。
第１図Ａは平面図で、第１図Ｂは第１図ＡのＢ−Ｂ線に
沿う断面図である。図において、２０は銅・タングステ
ン、混合物からなるステム基板で、周辺にフランジ部２
１を存し、中央部には素子固着用の台状突起部２２を宵
し、この台状突起部２２の近傍には透孔２３．２３を有
する。各透孔２３．２３にはそれぞれホウケイ酸ガラス
２４．２４を介して、コバール製のリード線２５．２５
が気密かつ絶縁して封着されている。前記ステム基板２
０は銅とタングステンの微粉末の混合物をｉ末成型法で
加工したもので、例えば鋼１０〜２０重量％と、タング
ステン３０〜８０重量％との混合−よりな゛す、密度１
５〜１８ｇ／’ｃ−、比熱０．０５〜０．０８ ｃａｌ
／ ｇ ・’Ｃ，熱伝導率０．５〜０．Ｅｉｃａｌ／ｃ
＋ｗ ＊ ｓｅｃ ＊ ”Ｃ（Ｒ，Ｔ、） 、熱膨張係
数［ｉｏ 〜７０ＸＩＧ’／”Ｃ程度である。
沿う断面図である。図において、２０は銅・タングステ
ン、混合物からなるステム基板で、周辺にフランジ部２
１を存し、中央部には素子固着用の台状突起部２２を宵
し、この台状突起部２２の近傍には透孔２３．２３を有
する。各透孔２３．２３にはそれぞれホウケイ酸ガラス
２４．２４を介して、コバール製のリード線２５．２５
が気密かつ絶縁して封着されている。前記ステム基板２
０は銅とタングステンの微粉末の混合物をｉ末成型法で
加工したもので、例えば鋼１０〜２０重量％と、タング
ステン３０〜８０重量％との混合−よりな゛す、密度１
５〜１８ｇ／’ｃ−、比熱０．０５〜０．０８ ｃａｌ
／ ｇ ・’Ｃ，熱伝導率０．５〜０．Ｅｉｃａｌ／ｃ
＋ｗ ＊ ｓｅｃ ＊ ”Ｃ（Ｒ，Ｔ、） 、熱膨張係
数［ｉｏ 〜７０ＸＩＧ’／”Ｃ程度である。
なお、コバールの熱伝導率は０．０５Ｃａｌ／ｃ＋ａ
＠ ｓｅｃ・°Ｃ９熱膨張係数は４７Ｘ１０ ／”Ｃ
，鉄の熱伝導率は０．Ｉ Ｃ１１ｌ／ ａ１拳ｓｅｃ
・℃、−−膨張係数は１３２×１０’／”Ｃでλる。
＠ ｓｅｃ・°Ｃ９熱膨張係数は４７Ｘ１０ ／”Ｃ
，鉄の熱伝導率は０．Ｉ Ｃ１１ｌ／ ａ１拳ｓｅｃ
・℃、−−膨張係数は１３２×１０’／”Ｃでλる。
よりなるステム基板を用いたので、ホウケイ酸ガラスを
用いてコバール製のリード線を直接封止することができ
・−品点数が少なく・０ウツけも不１□□
用いてコバール製のリード線を直接封止することができ
・−品点数が少なく・０ウツけも不１□□
第１図Ａはこの発明の一実施例のステムの平面図で、第
１図Ｂはｉ１図会めＢ−Ｂ線に沿う断面第２図−ないし
第４図は一来の異なるステムの断面図である。 ２０・・・・・・ステム基板、 ２３・・・・・・透孔、 ２４・・・・・・ホウケイ酸ガラス、 ２５・・・・・・リード線。 図面の滲出（内容に変更なＬ） 某 ４ ■ 手続補正書（方式） ％式％ ２、発明の名称 ス テ ム ３、補正をする者 事件の関係特許出願人 〒５２０滋賀県大津市晴嵐２丁目９番１号関西日本電気
株式会社 ４、 Ｍ正命令の日付 昭和６０年 ４月３０日
１図Ｂはｉ１図会めＢ−Ｂ線に沿う断面第２図−ないし
第４図は一来の異なるステムの断面図である。 ２０・・・・・・ステム基板、 ２３・・・・・・透孔、 ２４・・・・・・ホウケイ酸ガラス、 ２５・・・・・・リード線。 図面の滲出（内容に変更なＬ） 某 ４ ■ 手続補正書（方式） ％式％ ２、発明の名称 ス テ ム ３、補正をする者 事件の関係特許出願人 〒５２０滋賀県大津市晴嵐２丁目９番１号関西日本電気
株式会社 ４、 Ｍ正命令の日付 昭和６０年 ４月３０日
Claims (1)
- ステム基板が銅・タングステン混合物で形成され、その
透孔にホウケイ酸ガラスを介してコバール製のリード線
が気密かつ絶縁して封着されてなるステム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27150484A JPS61148843A (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | ステム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27150484A JPS61148843A (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | ステム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61148843A true JPS61148843A (ja) | 1986-07-07 |
Family
ID=17500978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27150484A Pending JPS61148843A (ja) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | ステム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61148843A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57205984A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-17 | Nippon Electric Co | Method of producing airtight terminal |
| JPS5921032A (ja) * | 1982-07-26 | 1984-02-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置用基板 |
-
1984
- 1984-12-21 JP JP27150484A patent/JPS61148843A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57205984A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-17 | Nippon Electric Co | Method of producing airtight terminal |
| JPS5921032A (ja) * | 1982-07-26 | 1984-02-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置用基板 |
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