JPS6114565A - 水素イオン濃度測定装置 - Google Patents
水素イオン濃度測定装置Info
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- JPS6114565A JPS6114565A JP59136337A JP13633784A JPS6114565A JP S6114565 A JPS6114565 A JP S6114565A JP 59136337 A JP59136337 A JP 59136337A JP 13633784 A JP13633784 A JP 13633784A JP S6114565 A JPS6114565 A JP S6114565A
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- hydrogen
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
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- Pathology (AREA)
- Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
10発明の背景
[技術分野]
この発明は水素イオン濃度の測定装置に関する。
[先行技術および問題点]
溶液中の水素イオン濃度を測定する機器の一つとして水
素電極が知られている。水素電極は白金黒/白金電極を
用い、水素ガスの還元反応を電極電位として取り出しこ
れに基づいて溶液中の水素イオン濃度を測定するもので
あり、応答速度が早いという利点がある。しかしこの水
素電極においては、水素イオン濃度の測索時に溶液中に
水素ガスを直接吹込んでおり、白金電極を定常的に水素
ガスと接触させることが困難であるため、電極電位が安
定し難いという欠点がある。加えて、白金電極は酸素に
敏感であり、水素イオン濃度の測定に際し当該溶液中に
溶存酸素が存在するとその影響を受けやすく、正確な水
素イオン濃度の測定がおこない難いという欠点もある。
素電極が知られている。水素電極は白金黒/白金電極を
用い、水素ガスの還元反応を電極電位として取り出しこ
れに基づいて溶液中の水素イオン濃度を測定するもので
あり、応答速度が早いという利点がある。しかしこの水
素電極においては、水素イオン濃度の測索時に溶液中に
水素ガスを直接吹込んでおり、白金電極を定常的に水素
ガスと接触させることが困難であるため、電極電位が安
定し難いという欠点がある。加えて、白金電極は酸素に
敏感であり、水素イオン濃度の測定に際し当該溶液中に
溶存酸素が存在するとその影響を受けやすく、正確な水
素イオン濃度の測定がおこない難いという欠点もある。
溶存酸素分圧が140m+wHg付近では特に影響を受
けやすい。したがって、体液、血液中の水素イオン濃度
の測定に際しては、溶存酸素の影響を強く受けるためそ
の測定は困難である。
けやすい。したがって、体液、血液中の水素イオン濃度
の測定に際しては、溶存酸素の影響を強く受けるためそ
の測定は困難である。
Il、発明の目的
したがって、この発明の目的は、溶液中の溶存酸素の影
響を受けずに溶液中の水素イオン濃度を安定にかつ正確
に測定するための水素イオン濃度測定装置を提供するこ
とにある。
響を受けずに溶液中の水素イオン濃度を安定にかつ正確
に測定するための水素イオン濃度測定装置を提供するこ
とにある。
この発明によれば、溶液中の水素イオン濃度を電位応答
で測定するための装置であって、溶液中の水素イオン濃
度に応答して電位を発生する手段として疎水性の多孔質
膜と、この多孔質膜の表面上に形成された金薄膜と、こ
の金薄膜の表面上に形成された金以外の貴金属膜とを具
備してなる水素イオンセンサーを有し、かつ該センサー
を該多孔質膜側において水素ガスと接触させる手段およ
び該センサーを該貴金属層側において該溶液と接触させ
る手段を有することを特徴とする水素イオン濃度測定装
置が提供される。
で測定するための装置であって、溶液中の水素イオン濃
度に応答して電位を発生する手段として疎水性の多孔質
膜と、この多孔質膜の表面上に形成された金薄膜と、こ
の金薄膜の表面上に形成された金以外の貴金属膜とを具
備してなる水素イオンセンサーを有し、かつ該センサー
を該多孔質膜側において水素ガスと接触させる手段およ
び該センサーを該貴金属層側において該溶液と接触させ
る手段を有することを特徴とする水素イオン濃度測定装
置が提供される。
IIl、発明の詳細な説明
以下、この発明を添付の図面に沿って詳しく説明する。
第1図には、この発明の水素イオン濃度測定装置におい
て水素イオンセンサーとして用いられる複合膜電極の構
成を示している。図示のように、この水素イオンセンサ
ー10は疎水性多孔質膜12を備えている。この膜12
は水素ガスを透過させ得るという意味で多孔質であり、
また液体の透過を阻止し得るという意味で疎水性である
。このような多孔質膜の例を挙げると、フッ素含有高分
子(例えば、ポリ(フッ化ビニリデン、テフロン)、セ
ルロース系高分子(例えば、ニトロセルロース、再生セ
ルロース)、ポリ(塩化ビニル)およびその共重合体(
例えば、塩化ビニル/エチレン共重合体)、ポリ塩化ビ
ニリデン、シリコーン、ポリアクリロニトリルおよびそ
の共重合体(例えば、アクリロニトリル/ブタジェン共
重合体)等の膜である。この多孔質膜の厚さは、通常、
50μmないし1.0mmであることが望ましい。また
、その気孔の孔径は、0.002 JLmなl/3L、
10JLmである。
て水素イオンセンサーとして用いられる複合膜電極の構
成を示している。図示のように、この水素イオンセンサ
ー10は疎水性多孔質膜12を備えている。この膜12
は水素ガスを透過させ得るという意味で多孔質であり、
また液体の透過を阻止し得るという意味で疎水性である
。このような多孔質膜の例を挙げると、フッ素含有高分
子(例えば、ポリ(フッ化ビニリデン、テフロン)、セ
ルロース系高分子(例えば、ニトロセルロース、再生セ
ルロース)、ポリ(塩化ビニル)およびその共重合体(
例えば、塩化ビニル/エチレン共重合体)、ポリ塩化ビ
ニリデン、シリコーン、ポリアクリロニトリルおよびそ
の共重合体(例えば、アクリロニトリル/ブタジェン共
重合体)等の膜である。この多孔質膜の厚さは、通常、
50μmないし1.0mmであることが望ましい。また
、その気孔の孔径は、0.002 JLmなl/3L、
10JLmである。
さて、多孔質膜12の表面上には、この発明に従って、
金薄膜14が形成されている。この金薄膜14は蒸着、
スパッタ、イオンブレーティング等ノいわゆる真空蓄積
法によって形成できる。その膜厚は、一般に、0.OI
ILmないし1.0pmである。
金薄膜14が形成されている。この金薄膜14は蒸着、
スパッタ、イオンブレーティング等ノいわゆる真空蓄積
法によって形成できる。その膜厚は、一般に、0.OI
ILmないし1.0pmである。
上記金薄膜14の表面上に、金以外の貴金属の膜18が
例えば上記真空蓄積法によって形成されている。この貴
金属膜16は水素の酸化還元反応を発現させる媒体とな
るものであり、その例を挙げると、白金、パラジウム、
銀等である。また、その膜厚は、通常、0.01 p−
mないし0.51上mであることが望ましい。この貴金
属膜16は、ここの貴金属からなる単一層で形成されて
いてもよいし、あるいは多層構造を取っていてもよい。
例えば上記真空蓄積法によって形成されている。この貴
金属膜16は水素の酸化還元反応を発現させる媒体とな
るものであり、その例を挙げると、白金、パラジウム、
銀等である。また、その膜厚は、通常、0.01 p−
mないし0.51上mであることが望ましい。この貴金
属膜16は、ここの貴金属からなる単一層で形成されて
いてもよいし、あるいは多層構造を取っていてもよい。
多層構造の例を挙げると、金薄[12上に形成されたパ
ラジウム層とその上に形成された白金層との二層構造貴
金属膜である。貴金属膜16がパラジウムを含むと、そ
の結果の水素イオンセンサーの電極電位応答がより一層
安定化する。パラジウムは水素を吸蔵する傾向が強いか
らである。また、白金は水素イオンに対する感応性が良
好である。
ラジウム層とその上に形成された白金層との二層構造貴
金属膜である。貴金属膜16がパラジウムを含むと、そ
の結果の水素イオンセンサーの電極電位応答がより一層
安定化する。パラジウムは水素を吸蔵する傾向が強いか
らである。また、白金は水素イオンに対する感応性が良
好である。
この発明の水素イオン濃度測定装置の水素イオンセンサ
ーは、以上述べた多孔質II!12.金薄[14および
貴金属膜16だけで構成されていてもよいが、第1図に
示すように、貴金属膜16を覆って水素イオン選択透過
膜18を形成してもよい。この水素イオン選択透過膜1
8は水素イオン濃度を測定しようとする溶液中の水素イ
オンを優先的に透過させるもので、これが存在すると溶
液中の溶存酸素の影響をより受は難くなるので好ましい
。この水素イオン選択透過膜18は、ヒドロキシ芳香族
化合物(例えばフェノール)および(または)窒素含有
芳香族化合物(例えば、1.2−ジアミノベンゼン)の
電解酸化重合体で形成される。この電解酸化重合は、所
定の芳香族化合物を溶解した電解浴中に陰極と陽極とを
浸漬し両電極に一定の電圧を印加し陰極上に電解酸化重
合膜を形成するそれ自体既知の方法である。この場合、
陰極には貴金属膜16を用いる。
ーは、以上述べた多孔質II!12.金薄[14および
貴金属膜16だけで構成されていてもよいが、第1図に
示すように、貴金属膜16を覆って水素イオン選択透過
膜18を形成してもよい。この水素イオン選択透過膜1
8は水素イオン濃度を測定しようとする溶液中の水素イ
オンを優先的に透過させるもので、これが存在すると溶
液中の溶存酸素の影響をより受は難くなるので好ましい
。この水素イオン選択透過膜18は、ヒドロキシ芳香族
化合物(例えばフェノール)および(または)窒素含有
芳香族化合物(例えば、1.2−ジアミノベンゼン)の
電解酸化重合体で形成される。この電解酸化重合は、所
定の芳香族化合物を溶解した電解浴中に陰極と陽極とを
浸漬し両電極に一定の電圧を印加し陰極上に電解酸化重
合膜を形成するそれ自体既知の方法である。この場合、
陰極には貴金属膜16を用いる。
さらに、水素イオン選択透過膜18上に、ポリカーボネ
ートおよびその共重合体、ポリヒドロキシ01〜C1o
アルキルメタクリレート(例えばポリヒドロキシエチル
メタクリレート)およびその共重合体、ポリエーテルウ
レタン共重合体等の保護膜20を形成して、水素イオン
センサーを血清、血液、体液中でも使用できるようにす
ることが好ましい。その膜厚は、0.05gmないし1
0gmが適当である。
ートおよびその共重合体、ポリヒドロキシ01〜C1o
アルキルメタクリレート(例えばポリヒドロキシエチル
メタクリレート)およびその共重合体、ポリエーテルウ
レタン共重合体等の保護膜20を形成して、水素イオン
センサーを血清、血液、体液中でも使用できるようにす
ることが好ましい。その膜厚は、0.05gmないし1
0gmが適当である。
なお、上記水素イオンセンサー10のリード線22は金
薄膜14から取ることができる。
薄膜14から取ることができる。
以上述べた水素イオンセンサー10において、多孔質膜
12上には金薄膜14が形成されているが、金は酸素の
酸化還元反応に関与せず、したがって溶液中の溶存酸素
の影響を排除できる。また、金薄11114は多孔質1
i12と貴金属膜16との間の接着層としても作用する
。多孔質膜12と金以外の貴金属とは付着性がよくない
が、金薄膜14が介在することによってそれらが剥離す
ることなく一体となった複合膜が得られる。加えて、多
孔質膜はその気孔の孔径は数ILmのオーダーであるが
、金はそれよりも一桁低いオーダーの気孔径のものが容
易に得られる。しかも、′濡れに対して伸縮が少なく安
定している。
12上には金薄膜14が形成されているが、金は酸素の
酸化還元反応に関与せず、したがって溶液中の溶存酸素
の影響を排除できる。また、金薄11114は多孔質1
i12と貴金属膜16との間の接着層としても作用する
。多孔質膜12と金以外の貴金属とは付着性がよくない
が、金薄膜14が介在することによってそれらが剥離す
ることなく一体となった複合膜が得られる。加えて、多
孔質膜はその気孔の孔径は数ILmのオーダーであるが
、金はそれよりも一桁低いオーダーの気孔径のものが容
易に得られる。しかも、′濡れに対して伸縮が少なく安
定している。
第2図には、上記水素イオンセンサー10を備えたこの
発明の水素イオン濃度測定装置の一例が示されている。
発明の水素イオン濃度測定装置の一例が示されている。
図示の装置30は、液体室32および気体室34を具備
する二基装置である。液体室32の口部32a と気体
室34の口部34aとが対向して配置されている。液体
室32には、水素イオン濃度を測定すべき溶液3Bが収
容され、その上部に設けられた開口32bから栓体38
を介して標準電極(例えば、銀/塩化銀電極)40が溶
液3Bに達して挿入されている。一方、気体室34内に
は、その上部に設けられた開口34bから栓体 42を
介して気体導入管44および気体排出管46が挿入され
ている。容管44および46にはそれぞれ気体流量調節
弁44aおよび4f3aが設置されている。
する二基装置である。液体室32の口部32a と気体
室34の口部34aとが対向して配置されている。液体
室32には、水素イオン濃度を測定すべき溶液3Bが収
容され、その上部に設けられた開口32bから栓体38
を介して標準電極(例えば、銀/塩化銀電極)40が溶
液3Bに達して挿入されている。一方、気体室34内に
は、その上部に設けられた開口34bから栓体 42を
介して気体導入管44および気体排出管46が挿入され
ている。容管44および46にはそれぞれ気体流量調節
弁44aおよび4f3aが設置されている。
液体室32と気体室34との間には、それぞれの口部3
2aおよび34aを密に閉塞するように、第1図に示し
た水素イオンセンサー10(図中、膜18および20は
省略しである)が挿入されている。このために、ゴムバ
ッキングを介挿してもよい。水素イオンセンサー10は
、多孔質膜12が気体室34側に、そして貴金属膜16
が液体室32側に位置するように配置されている。水素
イオンセンサー10は貴金属膜16偏において溶液38
と接触している。標準電極40と水素イオンセンサーの
リード線22とは電位計48に接続されている。
2aおよび34aを密に閉塞するように、第1図に示し
た水素イオンセンサー10(図中、膜18および20は
省略しである)が挿入されている。このために、ゴムバ
ッキングを介挿してもよい。水素イオンセンサー10は
、多孔質膜12が気体室34側に、そして貴金属膜16
が液体室32側に位置するように配置されている。水素
イオンセンサー10は貴金属膜16偏において溶液38
と接触している。標準電極40と水素イオンセンサーの
リード線22とは電位計48に接続されている。
溶液36の水素イオン濃度を測定するに当り、気体室3
4に水素ガスを導入して水素イオンセンサー10の多孔
質膜12と接触させる。そして、溶液36中に浸漬した
標準電極40と水素イオンセンサー10との間に生じた
起電力を電位計48で読み取り、その値により、予め作
成しておいた起電力とpHとの検量線を用いて水素イオ
ン濃度を知ることができる。
4に水素ガスを導入して水素イオンセンサー10の多孔
質膜12と接触させる。そして、溶液36中に浸漬した
標準電極40と水素イオンセンサー10との間に生じた
起電力を電位計48で読み取り、その値により、予め作
成しておいた起電力とpHとの検量線を用いて水素イオ
ン濃度を知ることができる。
実施例 1
まず、多孔質膜として限外ろ過膜として使用されている
ハロゲン化ポリオレフィン膜(バイオメディカル社製ダ
イヤフィルターM型)を用い、その片面にスパッタ法に
より金を0.05gmの厚さに被着した。この金薄膜を
有する多孔質膜を第2図に示すような電解セルにセンサ
ー10の代りに設置した。液体室32に0.01M塩化
パラジウム水溶液を仕込み、気体室34に水素ガスを導
入し、さらに液体室32内には標準電極(銀/塩化銀電
極) 40に加えて対極としての白金網を挿入した。
ハロゲン化ポリオレフィン膜(バイオメディカル社製ダ
イヤフィルターM型)を用い、その片面にスパッタ法に
より金を0.05gmの厚さに被着した。この金薄膜を
有する多孔質膜を第2図に示すような電解セルにセンサ
ー10の代りに設置した。液体室32に0.01M塩化
パラジウム水溶液を仕込み、気体室34に水素ガスを導
入し、さらに液体室32内には標準電極(銀/塩化銀電
極) 40に加えて対極としての白金網を挿入した。
しかる後、−〇、7ボルト(対銀/塩化銀電極)で定電
位電解して白金薄膜上に黒色パラジウム膜を形成した。
位電解して白金薄膜上に黒色パラジウム膜を形成した。
こうして、この発明の水素イオン濃度測定装置の水素イ
オンセンサーを作製した。これを、液体室32内に気体
を吹込むための気体導入管を付加的に設けた以外は第2
図に示すような装置に設置し、以下の実験をおこなった
。
オンセンサーを作製した。これを、液体室32内に気体
を吹込むための気体導入管を付加的に設けた以外は第2
図に示すような装置に設置し、以下の実験をおこなった
。
すなわち、液体室32にpH8,86のリン酸緩衝液を
を仕込み、一方気体室34には760mmHgおよび8
00mmHgの水素ガスを導入した。この時、液体室の
リン酸緩衝液には上記付加的な気体導入管から窒素ガス
で分圧を調製した酸素ガスをリンm緩衝液に吹込むよう
に導入した。これら条件の下で、リン酸緩衝液に導入す
る酸素分圧を変化させ、水素イオンセンサーの起電力(
対銀/塩化銀電極二以下同じ)を測定した。結果を第3
図に示す。図中、11aは水素ガス圧7eO+*mHg
の場合を、線すは水素ガス圧800mmHgの場合を示
す。この結果から、この発明の水素イオン濃度測定装置
は、酸素分圧が?OOmmHgと高くてもその影響を受
けないことがわかる。
を仕込み、一方気体室34には760mmHgおよび8
00mmHgの水素ガスを導入した。この時、液体室の
リン酸緩衝液には上記付加的な気体導入管から窒素ガス
で分圧を調製した酸素ガスをリンm緩衝液に吹込むよう
に導入した。これら条件の下で、リン酸緩衝液に導入す
る酸素分圧を変化させ、水素イオンセンサーの起電力(
対銀/塩化銀電極二以下同じ)を測定した。結果を第3
図に示す。図中、11aは水素ガス圧7eO+*mHg
の場合を、線すは水素ガス圧800mmHgの場合を示
す。この結果から、この発明の水素イオン濃度測定装置
は、酸素分圧が?OOmmHgと高くてもその影響を受
けないことがわかる。
さらに、上記水素イオン濃度測定装置を用い、液体室中
の溶液のpHを4.0から8.0に変化させ、その時の
起電力を測定した。結果を第4図に示す。図示の直線の
勾配は80mV/pH(25℃)であった。
の溶液のpHを4.0から8.0に変化させ、その時の
起電力を測定した。結果を第4図に示す。図示の直線の
勾配は80mV/pH(25℃)であった。
実施例 2
金薄膜の厚さをOo−03pとし、その表面に白金薄膜
をスッパタ法で0.04pmの厚さに形成した以外は実
施例1と同様にして水素イオンセンサーを作製した。こ
れを用いて実施例1と同様に起電力と酸素分圧との関係
を調べた。結果を第5図(線a)に示す。この結果から
、この実施例の水素イオンセンサーは溶存酸素に影響を
受けないことがわかる。
をスッパタ法で0.04pmの厚さに形成した以外は実
施例1と同様にして水素イオンセンサーを作製した。こ
れを用いて実施例1と同様に起電力と酸素分圧との関係
を調べた。結果を第5図(線a)に示す。この結果から
、この実施例の水素イオンセンサーは溶存酸素に影響を
受けないことがわかる。
実施例 3
実施例2の水素イオンセンサーの白金薄膜上に1.2−
ジアミノベンゼンの電解酸化重合膜を形成した。この電
解酸化重合は、通常の三電極セルを用い、対極として白
金網、比較極としてカロメル電極および動作極に実施例
2のセンサーを使用し、10mにの1,2−ジアミノベ
ンゼンを含有するPH約6.86のリン酸緩衝液中でお
こなった。動作電極電位を0ボルトから1.0ボルトの
間で走査し、酸化重合反応が生起していることを確認し
た後、1.0ボルトで3分間定電位電解した。しかる後
、得られた電解酸化重合膜の表面を蒸留水で3回洗浄し
た。
ジアミノベンゼンの電解酸化重合膜を形成した。この電
解酸化重合は、通常の三電極セルを用い、対極として白
金網、比較極としてカロメル電極および動作極に実施例
2のセンサーを使用し、10mにの1,2−ジアミノベ
ンゼンを含有するPH約6.86のリン酸緩衝液中でお
こなった。動作電極電位を0ボルトから1.0ボルトの
間で走査し、酸化重合反応が生起していることを確認し
た後、1.0ボルトで3分間定電位電解した。しかる後
、得られた電解酸化重合膜の表面を蒸留水で3回洗浄し
た。
こうして得たセンサーを用いて実施例2と同様にして、
その起電力と溶存酸素分圧との関係を調べた。結果を第
5図に線すで示す。この結果から、このセンサーは、溶
存酸素の影響を受けずに ・水素イオン濃度の測定
がおこなえることがわかる。しかも、このセンサーは、
実施例2のセンサーよりも溶存酸素の影響を受は難しく
こともわかる。
その起電力と溶存酸素分圧との関係を調べた。結果を第
5図に線すで示す。この結果から、このセンサーは、溶
存酸素の影響を受けずに ・水素イオン濃度の測定
がおこなえることがわかる。しかも、このセンサーは、
実施例2のセンサーよりも溶存酸素の影響を受は難しく
こともわかる。
実施例 4
多孔質膜としてフロロポア膜を用いた以外は実施例2と
同様にしてセンサーを作製し、実施例3と同じく起電力
と溶存酸素との関係を調べた。結果を下記表1に示す。
同様にしてセンサーを作製し、実施例3と同じく起電力
と溶存酸素との関係を調べた。結果を下記表1に示す。
この結果からこのセンサーは溶存酸素の影響を受けずに
水素イオン濃度を測定できることがわかる。
水素イオン濃度を測定できることがわかる。
表 1
”−I No、 Poz mmHE (mlυ−17
,58−825,3 2700−626,8 314,4−625,1 472,3−625,2 5185,0−824,9 625LO−623,9 7700,0−623,9 8233,5−1325,0 9157,8−1325,1 実施例 5 実施例1のセンサーのパラジウム表面にスパッタ法によ
り白金薄膜(厚さ0.0EHz、m)を形成し。
,58−825,3 2700−626,8 314,4−625,1 472,3−625,2 5185,0−824,9 625LO−623,9 7700,0−623,9 8233,5−1325,0 9157,8−1325,1 実施例 5 実施例1のセンサーのパラジウム表面にスパッタ法によ
り白金薄膜(厚さ0.0EHz、m)を形成し。
水素イオンセンサーを作製した。これを用いて実施例1
と同様にして溶存酸素の影響を調べた。結果を第6図に
示す。この結果からこのセンサーは溶存酸素の影響を受
けずに水素イオン濃度を測定できることがわかる。
と同様にして溶存酸素の影響を調べた。結果を第6図に
示す。この結果からこのセンサーは溶存酸素の影響を受
けずに水素イオン濃度を測定できることがわかる。
rv、発明の具体的効果
以上述べたように、この発明の水素イオン濃度測定装置
によれば溶液中の溶存酸素の影響を受けずに水素イオン
濃度を安定昏確実に測定することができる。
によれば溶液中の溶存酸素の影響を受けずに水素イオン
濃度を安定昏確実に測定することができる。
第1図はこの発明の水素イオン濃度測定装置の水素イオ
ンセンサーの断面図、第2図はこの発明の水素イオン濃
度測定装置の断面図、第3図ないし第6図はこの発明の
水素イオン濃度測定装置の特性を示すグラフ図。 12会・多孔質膜、 14争−金薄膜、16・・貴金属
膜、 18争・水素イオン選択透過膜、 20争・保
護膜、 32・・気体室、34・・液体室 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図
ンセンサーの断面図、第2図はこの発明の水素イオン濃
度測定装置の断面図、第3図ないし第6図はこの発明の
水素イオン濃度測定装置の特性を示すグラフ図。 12会・多孔質膜、 14争−金薄膜、16・・貴金属
膜、 18争・水素イオン選択透過膜、 20争・保
護膜、 32・・気体室、34・・液体室 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図
Claims (1)
- 溶液中の水素イオン濃度を電位応答で測定するための装
置であって、溶液中の水素イオン濃度に応答して電位を
発生する手段として疎水性の多孔質膜と、この多孔質膜
の表面上に形成された金薄膜と、この金薄膜の表面上に
形成された金以外の貴金属膜とを具備してなる水素イオ
ンセンサーを有し、かつ該センサーを該多孔質膜側にお
いて水素ガスと接触させる手段および該センサーを該貴
金属膜側において該溶液と接触させる手段を有すること
を特徴とする水素イオン濃度測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59136337A JPS6114565A (ja) | 1984-06-30 | 1984-06-30 | 水素イオン濃度測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59136337A JPS6114565A (ja) | 1984-06-30 | 1984-06-30 | 水素イオン濃度測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6114565A true JPS6114565A (ja) | 1986-01-22 |
JPH0418627B2 JPH0418627B2 (ja) | 1992-03-27 |
Family
ID=15172850
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59136337A Granted JPS6114565A (ja) | 1984-06-30 | 1984-06-30 | 水素イオン濃度測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6114565A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1984
- 1984-06-30 JP JP59136337A patent/JPS6114565A/ja active Granted
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Also Published As
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---|---|
JPH0418627B2 (ja) | 1992-03-27 |
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