JPS61140139A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS61140139A JPS61140139A JP59263281A JP26328184A JPS61140139A JP S61140139 A JPS61140139 A JP S61140139A JP 59263281 A JP59263281 A JP 59263281A JP 26328184 A JP26328184 A JP 26328184A JP S61140139 A JPS61140139 A JP S61140139A
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、熱、光化学反応を用いた気相反応方法（以
下ｄｖＤ法という）により窒化アルミニュームを例えば
半導体エレクトロニクス用のパフシベイシッン被膜また
はファイナルコーティング用の絶縁膜として作製する方
法に関する。
下ｄｖＤ法という）により窒化アルミニュームを例えば
半導体エレクトロニクス用のパフシベイシッン被膜また
はファイナルコーティング用の絶縁膜として作製する方
法に関する。
この発明は有機アルミニュームと窒化物気体との光化学
反応を行わしめることにより、従来公知の５ｉＨｅとＮ
Ｈ，により作製された窒化珪素に比べて光学的エネルギ
バンド巾を大きく （窒化珪素は約５．０ｅＶ）約７ｅ
Ｖを有せしめた窒化アルミニュームを作製し、この窒化
アルミニュームをアクティブ素子の操護膜（パッシベイ
ション膜）またはファイナルコーティング膜として形成
せしめたものである。
反応を行わしめることにより、従来公知の５ｉＨｅとＮ
Ｈ，により作製された窒化珪素に比べて光学的エネルギ
バンド巾を大きく （窒化珪素は約５．０ｅＶ）約７ｅ
Ｖを有せしめた窒化アルミニュームを作製し、この窒化
アルミニュームをアクティブ素子の操護膜（パッシベイ
ション膜）またはファイナルコーティング膜として形成
せしめたものである。
この発明はアルミニュームの有機化合物例えばトリメチ
ルアルミニューム（（ＣＨ３） ３Ａ１） 、またはト
リエチルアルミニューム（（ＣｚＨｓ） Ｊｌ）を用い
、アンモニア（ＮＨ３） 、ヒドラジン（Ｎｚｏａ）、
窒化弗素（ＮＦ３゜ＮｉＦ２）を加えることにより、窒
化アルミニューム（以下＾ＩＮとも略記する）を９００
℃以下の温度好ましくは１００〜５００℃例えば３００
℃で形成する方法に関する。
ルアルミニューム（（ＣＨ３） ３Ａ１） 、またはト
リエチルアルミニューム（（ＣｚＨｓ） Ｊｌ）を用い
、アンモニア（ＮＨ３） 、ヒドラジン（Ｎｚｏａ）、
窒化弗素（ＮＦ３゜ＮｉＦ２）を加えることにより、窒
化アルミニューム（以下＾ＩＮとも略記する）を９００
℃以下の温度好ましくは１００〜５００℃例えば３００
℃で形成する方法に関する。
従来、ファイナルコーティングの被膜として窒化珪素膜
が用いられていた。この被膜は、グロー放電法を用いた
プラズマ気相反応方法によりシラン（Ｓｔｌ（４，）と
アンモニア（ＮＨ，）とを反応せしめ、２００〜４００
℃の基板温度にて被膜を作製していた。
が用いられていた。この被膜は、グロー放電法を用いた
プラズマ気相反応方法によりシラン（Ｓｔｌ（４，）と
アンモニア（ＮＨ，）とを反応せしめ、２００〜４００
℃の基板温度にて被膜を作製していた。
しかしかかる窒化珪素膜は、その膜内に珪素の不対結合
手、珪素のクラスタが残存することにより、電気的絶縁
性に対しバラツキを有し、耐圧低下を生ずる。さらに光
学的エネルギーバンド巾が５ｅＶと小さく、例えば不揮
発性メモリ（紫外線消去型）のパッシベイション膜とし
ての適用は不可能であった。
手、珪素のクラスタが残存することにより、電気的絶縁
性に対しバラツキを有し、耐圧低下を生ずる。さらに光
学的エネルギーバンド巾が５ｅＶと小さく、例えば不揮
発性メモリ（紫外線消去型）のパッシベイション膜とし
ての適用は不可能であった。
このため、Ｅｇが約７ｅＶを有し、紫外光の透光性に優
れ、かつナトリエームイオンに関し優れたバリア作用を
有する被膜が求められていた。
れ、かつナトリエームイオンに関し優れたバリア作用を
有する被膜が求められていた。
このため、本発明においては、この被膜として窒化アル
ミニュームを適用したものである。
ミニュームを適用したものである。
本発明はかかる目的のため、即ち有機アルミニューム特
に好ましくはＡ ｌ （ＣＨ３） ３ （ＴＭＡという
）とアンモニア（ＮＨ３）を用い、特に３００ｎｌ１１
以下の波長の紫外光を照射した光気相反応法を用いるこ
とにより窒化アルミニュームのパッシベイション膜を作
製せんとするものである。
に好ましくはＡ ｌ （ＣＨ３） ３ （ＴＭＡという
）とアンモニア（ＮＨ３）を用い、特に３００ｎｌ１１
以下の波長の紫外光を照射した光気相反応法を用いるこ
とにより窒化アルミニュームのパッシベイション膜を作
製せんとするものである。
その主たる反応式は
ＡＩ（ＣＨａ）ｚ＋ＮＨ３−→ ＡＩＮ ＋ ４ＣＨ４
である。
である。
このＴＩ’ｌ＾は東洋ストファ社製を用いた。その基礎
物性は以下の如くである。
物性は以下の如くである。
分子量 ７２゜０９
純度 ９９．９９９８Ｘ（ＡＩ トｔ、ｃ＞密度
０．１５２ｇ／ｍ ｌ （２０℃）融点 １
５．３℃ 蒸気圧 １度（’Ｃ） 蒸気圧（ｒｍｍＨｇ）２
０ ９．２ 以下に図面に従って本発明を記す。
０．１５２ｇ／ｍ ｌ （２０℃）融点 １
５．３℃ 蒸気圧 １度（’Ｃ） 蒸気圧（ｒｍｍＨｇ）２
０ ９．２ 以下に図面に従って本発明を記す。
第１図は、本発明に用いられた光ＣｖＤまたは熱ＣＶＯ
装置の概要を示す。
装置の概要を示す。
図面において、反応容器または真空容器（１）は石英か
らなっている。基板（２）はハロゲンヒータ（３）で下
側から加熱されたホルダ（２２）上に配設され、室温〜
９００℃好ましくは２００〜５００℃例えば３５０℃に
加熱されている。ドーピング系は流量計（６） 、 （
２６） 、バルブ（７）よりなり、アンモニアおよび窒
素はそれぞれ（９） 、 （１０）より供給される。さ
らにこの窒化物気体は分解反応をしても気体であるため
、反応室の窓の内側にノズルより吹きつけ、紫外光照射
による光励起がなされた気体を下側の基板表面に（１６
）に示されるようにふき下ろすようにした。加えて分解
反応をした時固体となるＴＭＡまたはその反応物が石英
窓の表面に至らないようにするための効果をも有せしめ
た。
らなっている。基板（２）はハロゲンヒータ（３）で下
側から加熱されたホルダ（２２）上に配設され、室温〜
９００℃好ましくは２００〜５００℃例えば３５０℃に
加熱されている。ドーピング系は流量計（６） 、 （
２６） 、バルブ（７）よりなり、アンモニアおよび窒
素はそれぞれ（９） 、 （１０）より供給される。さ
らにこの窒化物気体は分解反応をしても気体であるため
、反応室の窓の内側にノズルより吹きつけ、紫外光照射
による光励起がなされた気体を下側の基板表面に（１６
）に示されるようにふき下ろすようにした。加えて分解
反応をした時固体となるＴＭＡまたはその反応物が石英
窓の表面に至らないようにするための効果をも有せしめ
た。
またＴＭＡ（Ａｔ（ＣＨ３）ｆｆ（ＭＰ １５．３℃）
）は室温で液体であるため、バプラ（２０）に充填され
ている。このＴＭＡに対し窒素を（１１）よりバブルさ
せた。このバブラ（２０）により反応室（１）に至るま
では１００℃に流量計（２６）を含め加熱させ、配管内
壁へのＴＭＡの吸着を防いだ。さらにこのＴＭＡはノズ
ルより（１７）に示されるように基板（２）側に吹きつ
けるようにした。
）は室温で液体であるため、バプラ（２０）に充填され
ている。このＴＭＡに対し窒素を（１１）よりバブルさ
せた。このバブラ（２０）により反応室（１）に至るま
では１００℃に流量計（２６）を含め加熱させ、配管内
壁へのＴＭＡの吸着を防いだ。さらにこのＴＭＡはノズ
ルより（１７）に示されるように基板（２）側に吹きつ
けるようにした。
かくしてＴＭＡとアンモニアは反応室にて初めて混合し
、光励起をして反応をさせた。
、光励起をして反応をさせた。
さらに排気口（８）より圧力調整バルブ（１２）、スト
ップバルブ（１３）をへて、真空ポンプ（１４）より排
気させた。光化学反応させるため、３００ＩｔＩＩ以下
の波長の発生ランプ（低圧水銀ランプ、ウシオ電機製、
ＵＬＩ −４５ＥＬ２− Ｎ −１） （４）を１６本
及びそれに伴う電源系（５）を用いた。さらにこのう゛
ンプ室（２８）を排気系に連結し、真空引きした。この
ランプ室に反応性気体の逆蛎を防ぐため、（２４）より
窒素ガスを若干導入し、ヒータ（２５）にて６００℃に
加熱し分解した。さらにランプ室（２８）は反応室（１
）と同じ圧力として窓の石英ガラス（２６）が破損しな
いようにバルブ（２７）にて調整した。さらに加えて、
かくすると発生源より反応室に至る前に大気中の水蒸気
により１８４ ｎｎ＋の短波長光の吸収損を防ぐことが
できた。さらに基板（２）、ホルダ（２２）の加熱用の
ハロゲン加熱ヒータ（３）が反応空間（１）の下側に設
けられている。
ップバルブ（１３）をへて、真空ポンプ（１４）より排
気させた。光化学反応させるため、３００ＩｔＩＩ以下
の波長の発生ランプ（低圧水銀ランプ、ウシオ電機製、
ＵＬＩ −４５ＥＬ２− Ｎ −１） （４）を１６本
及びそれに伴う電源系（５）を用いた。さらにこのう゛
ンプ室（２８）を排気系に連結し、真空引きした。この
ランプ室に反応性気体の逆蛎を防ぐため、（２４）より
窒素ガスを若干導入し、ヒータ（２５）にて６００℃に
加熱し分解した。さらにランプ室（２８）は反応室（１
）と同じ圧力として窓の石英ガラス（２６）が破損しな
いようにバルブ（２７）にて調整した。さらに加えて、
かくすると発生源より反応室に至る前に大気中の水蒸気
により１８４ ｎｎ＋の短波長光の吸収損を防ぐことが
できた。さらに基板（２）、ホルダ（２２）の加熱用の
ハロゲン加熱ヒータ（３）が反応空間（１）の下側に設
けられている。
以下にその実施例を示す。
実施例１
この実施例はＴ？ｌＡとアンモニアとの光化学反応によ
りＡＩＮ被膜を作製せんとしたものである。
りＡＩＮ被膜を作製せんとしたものである。
第１図において、ヒータ（３）にて基板を５００℃以下
（例えば３５０℃）に加熱してＡＩＮ膜を形成するため
の半導体ＩＣが形成されたファイナルコーティング用に
アクティブ素子例えば第２図（Ａ）に示す絶縁ゲイト型
電界効果半導体装置が珪素基板（２）に設けられている
。かかる基板（２）をヒータ上方のホルダ（２２）上に
配設している。さらに、パルプ（７）を開にして、アン
モニアを導入した。さらにＴＭＡをＴＭＡ／ＮＨ３＃１
／ ５として導入した。反応容器内圧力は、０．１〜２
０ｔｏｒｒの範囲例えば１０ｔｏｒｒとした。すると反
応管内にＡＩＮを１８４ｎｍおよび２５４ｎｍの紫外光
の照射による光ＣＶＤ法において水銀増感を用いること
なり０．１人／秒の成長速度で得ることができた。この
被膜成長速度は３ ｔｏｒｒとすると０．０４人／秒と
減少した。
（例えば３５０℃）に加熱してＡＩＮ膜を形成するため
の半導体ＩＣが形成されたファイナルコーティング用に
アクティブ素子例えば第２図（Ａ）に示す絶縁ゲイト型
電界効果半導体装置が珪素基板（２）に設けられている
。かかる基板（２）をヒータ上方のホルダ（２２）上に
配設している。さらに、パルプ（７）を開にして、アン
モニアを導入した。さらにＴＭＡをＴＭＡ／ＮＨ３＃１
／ ５として導入した。反応容器内圧力は、０．１〜２
０ｔｏｒｒの範囲例えば１０ｔｏｒｒとした。すると反
応管内にＡＩＮを１８４ｎｍおよび２５４ｎｍの紫外光
の照射による光ＣＶＤ法において水銀増感を用いること
なり０．１人／秒の成長速度で得ることができた。この
被膜成長速度は３ ｔｏｒｒとすると０．０４人／秒と
減少した。
この反応生成物を０．２μｍの厚さとしてＩＲ（赤外線
吸収スペクトル）で調べたところ、９００ｃｍ −’に
巾広の大きな吸収が見られ、ＡＩＮ膜であることが判明
した。さらに本発明方法において重要なことは、かかる
ＡＩＮの作製に対してはＴＭＡもアンモニアも３００ｎ
ｍ以下の光で励起されるため、水銀を用いる必要がない
。さらにこのＡＩＮは熱伝導率が窒化珪素より約５倍も
優れているため、ＩｃにおいてＩＣチップ内の局部加熱
を防ぐことができる。さらにその光学的エネルギバンド
巾が約７ｅＶ（１７７ｎｍ）もあるため、紫外光（１８
４ｎｍおよび２５４ｎ曽）を透過させることができる。
吸収スペクトル）で調べたところ、９００ｃｍ −’に
巾広の大きな吸収が見られ、ＡＩＮ膜であることが判明
した。さらに本発明方法において重要なことは、かかる
ＡＩＮの作製に対してはＴＭＡもアンモニアも３００ｎ
ｍ以下の光で励起されるため、水銀を用いる必要がない
。さらにこのＡＩＮは熱伝導率が窒化珪素より約５倍も
優れているため、ＩｃにおいてＩＣチップ内の局部加熱
を防ぐことができる。さらにその光学的エネルギバンド
巾が約７ｅＶ（１７７ｎｍ）もあるため、紫外光（１８
４ｎｍおよび２５４ｎ曽）を透過させることができる。
このため、窓にだとえＡＩＮが付着しても、紫外光を反
応性気体に到遡させないいわゆるバリアにならないとい
う特長を有する。
応性気体に到遡させないいわゆるバリアにならないとい
う特長を有する。
またＡＩＮは窒化物であるため、ナトリエーム等のアル
カリイオンに対するバリア効果を同時に期待でき、ＩＣ
等の半導体素子のファイナルコーティング材料として理
想的であった。
カリイオンに対するバリア効果を同時に期待でき、ＩＣ
等の半導体素子のファイナルコーティング材料として理
想的であった。
実施例２
この実施例は、ＴＭＡとアンモニアとのプラズマＣＶＤ
法により窒化アルミニューム被膜を単結晶珪素基板また
はその基板に第２図（Ｂ）に示す如きバイポーラ素子ま
たはＳＩＴ素子等のアクティブ素子が１ケまたは複数ケ
設けられた基板上に作製した。
法により窒化アルミニューム被膜を単結晶珪素基板また
はその基板に第２図（Ｂ）に示す如きバイポーラ素子ま
たはＳＩＴ素子等のアクティブ素子が１ケまたは複数ケ
設けられた基板上に作製した。
実施例１と同様の装置を用いた。基板温度は３５０℃、
圧力０．２ ｔｏｒｒＳＴＭＡ／ＮＨ３＃ｌ／８とした
。高周波電源より１３．５６ＭＨｚを反応性気体の導入
後３０１１で加えた。
圧力０．２ ｔｏｒｒＳＴＭＡ／ＮＨ３＃ｌ／８とした
。高周波電源より１３．５６ＭＨｚを反応性気体の導入
後３０１１で加えた。
すると、この保護膜はきわめて緻密であり、かつ耐アル
カリ特性に優れたものであった。そのため、第２図（Ｂ
）に示す（１７）のリード（４０） 、 （４１”）。
カリ特性に優れたものであった。そのため、第２図（Ｂ
）に示す（１７）のリード（４０） 、 （４１”）。
（４４”）の下側の保護膜として電圧をファイナルコー
ティング（３５）としても優れていた。加えてこのＡＩ
Ｎはその熱伝導率が窒化珪素の５倍もあるためＩＣ中で
電力用素子に見られるごとく、発熱作用をしても、１つ
のチップ中てその発熱が大きい領域と小さな領域との間
をより均一に動作させることが可能である。
ティング（３５）としても優れていた。加えてこのＡＩ
Ｎはその熱伝導率が窒化珪素の５倍もあるためＩＣ中で
電力用素子に見られるごとく、発熱作用をしても、１つ
のチップ中てその発熱が大きい領域と小さな領域との間
をより均一に動作させることが可能である。
即ち、ＩＣの特徴である同一プロ°セスで作られるため
、特性にプラツキがない。また、作製後の局部的な発熱
による動作不良に対しても、このアクティブ素子の上面
に密接してＡＩＮが設けられているため、ＩＣの動作に
よる発熱がチップ全体へ分散させ、より高温での動作用
として優れたものであった。
、特性にプラツキがない。また、作製後の局部的な発熱
による動作不良に対しても、このアクティブ素子の上面
に密接してＡＩＮが設けられているため、ＩＣの動作に
よる発熱がチップ全体へ分散させ、より高温での動作用
として優れたものであった。
本発明において、アルミニューム膜としてＡＩＦ３（Ａ
ＩＦ、ＡＩＦｇを含む）またはＡｌＣｌ３を用いてもよ
い。
ＩＦ、ＡＩＦｇを含む）またはＡｌＣｌ３を用いてもよ
い。
第２図（Ｂ）においては、ファンナルコーティング（１
９）としては、実施例１に示されるごとく、光ＣＶＤ法
さらにこの上に連結してプラズマＣＶＤ法を行う多層膜
を用いてよいことはいうまでもない。
９）としては、実施例１に示されるごとく、光ＣＶＤ法
さらにこの上に連結してプラズマＣＶＤ法を行う多層膜
を用いてよいことはいうまでもない。
実施例３
この実施例は第２図に示された絶縁ゲート型電界効果半
導体装置（Ａ）およびバイポーラ型半導体装置（Ｂ）に
対し信頼性テストを行ったものである。
導体装置（Ａ）およびバイポーラ型半導体装置（Ｂ）に
対し信頼性テストを行ったものである。
第２図（Ａ）において、ＭＩＳ−ＦＥＴ素子を用いたロ
ジックＩＣを試料として、素子構造はシリコン基板（２
）、フィールド絶縁物（２１） 、ゲイト（３０） 、
ソース（３１） 、 ドレイン（３２） 、 リー
ド（３３） 、 （３４） 、層間絶縁物（２９） 、
ファイナルコーティングのＡＩＮ膜（３５） Ｈさ２
０００人である。
ジックＩＣを試料として、素子構造はシリコン基板（２
）、フィールド絶縁物（２１） 、ゲイト（３０） 、
ソース（３１） 、 ドレイン（３２） 、 リー
ド（３３） 、 （３４） 、層間絶縁物（２９） 、
ファイナルコーティングのＡＩＮ膜（３５） Ｈさ２
０００人である。
これらをプレッシャークツカーテスト １２０℃１０気
圧、湿度１００χとした。するとこのＡＩＮであっ・
でもまた従来より公知の窒化珪素膜にあっても、１０
０時間を経て、不良が０７３０であった。゛またこれら
の信頼性テストに加えて、その動作上限温度は窒化珪素
膜が７０℃までは動作できた。
圧、湿度１００χとした。するとこのＡＩＮであっ・
でもまた従来より公知の窒化珪素膜にあっても、１０
０時間を経て、不良が０７３０であった。゛またこれら
の信頼性テストに加えて、その動作上限温度は窒化珪素
膜が７０℃までは動作できた。
しかしＡＩＮを用いたＩＣにおいては、さらに電源電圧
を上昇せしめ、電流をさらに２０χも多く加えても、即
ち発熱がさらに２０℃も高い９０℃になっても、不良が
みられず、これまでの窒化珪素にかわる優れた特性を有
していた。
を上昇せしめ、電流をさらに２０χも多く加えても、即
ち発熱がさらに２０℃も高い９０℃になっても、不良が
みられず、これまでの窒化珪素にかわる優れた特性を有
していた。
本発明において、さらに第２図（Ｂ）にリード下側の絶
縁膜（３７）として熱ｃｖｎ法を用いたＡＩＮとするこ
とは可能である。その場合はＴＥ＾とＮＨ３，ＴＭＡと
ＮＨ３またはＮｚＨ４の反応を５００〜９００℃の温度
で用いることにより成就させる。
縁膜（３７）として熱ｃｖｎ法を用いたＡＩＮとするこ
とは可能である。その場合はＴＥ＾とＮＨ３，ＴＭＡと
ＮＨ３またはＮｚＨ４の反応を５００〜９００℃の温度
で用いることにより成就させる。
また、３００ ｎｖａ以下の光エネルギの照射による光
ＣＶＤ法としてエキシマ（波長５００〜１００ ｎｓ）
レーザを用いてもよいことはいうまでもない。
ＣＶＤ法としてエキシマ（波長５００〜１００ ｎｓ）
レーザを用いてもよいことはいうまでもない。
本発明において、光化学反応の励起用に水銀を同時に混
入し、水銀励起法を用いることも可能である。しかし水
銀バブラを用いた方法は排気物中に水銀が残りやすく、
公害問題が発生しやすい。
入し、水銀励起法を用いることも可能である。しかし水
銀バブラを用いた方法は排気物中に水銀が残りやすく、
公害問題が発生しやすい。
本発明における窒化物気体として非酸素化物の弗化窒素
（ＮＦ３．Ｎ１Ｆａ）またはその他の非酸化物のヒドラ
ジン塩を用いてもよい。
（ＮＦ３．Ｎ１Ｆａ）またはその他の非酸化物のヒドラ
ジン塩を用いてもよい。
第１図は窒化アルミニューム膜を作製するためのＣＶＤ
装置の概要を示す。 第２図は本発明の半導体装置の一例を示す。
装置の概要を示す。 第２図は本発明の半導体装置の一例を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に設けられたアクティブ素子の保護膜または
ファイナルコーティング膜として窒化アルミニューム被
膜が設けられたことを特徴とする半導体装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、アクティブ素子の
保護膜としてリード配線下またはリード配線上に窒化ア
ルミニューム被膜または該被膜と酸化珪素または窒化珪
素被膜との複合被膜が設けられたことを特徴とする半導
体装置。 ３、特許請求の範囲第１項において、アクティブ素子の
保護膜としてリード配線上に該リード配線に密着して窒
化アルミニューム被膜が設けられたことを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59263281A JPH0732152B2 (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 半導体装置作成方法 |
| US06/795,917 US4656101A (en) | 1984-11-07 | 1985-11-07 | Electronic device with a protective film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59263281A JPH0732152B2 (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 半導体装置作成方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6295975A Division JP2814061B2 (ja) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | 半導体装置作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61140139A true JPS61140139A (ja) | 1986-06-27 |
| JPH0732152B2 JPH0732152B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=17387284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59263281A Expired - Lifetime JPH0732152B2 (ja) | 1984-11-07 | 1984-12-13 | 半導体装置作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732152B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5821827A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS59152633A (ja) * | 1983-02-21 | 1984-08-31 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-12-13 JP JP59263281A patent/JPH0732152B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5821827A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS59152633A (ja) * | 1983-02-21 | 1984-08-31 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0732152B2 (ja) | 1995-04-10 |
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