JPS6112880B2 - - Google Patents
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- JPS6112880B2 JPS6112880B2 JP54075049A JP7504979A JPS6112880B2 JP S6112880 B2 JPS6112880 B2 JP S6112880B2 JP 54075049 A JP54075049 A JP 54075049A JP 7504979 A JP7504979 A JP 7504979A JP S6112880 B2 JPS6112880 B2 JP S6112880B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
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-
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- C30—CRYSTAL GROWTH
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は砒化ガリウムもしくはこれを主成分
とする化合物半導体層の気相成長に適した縦型気
相成長装置に関する。
とする化合物半導体層の気相成長に適した縦型気
相成長装置に関する。
一般に、化合物半導体、例えば砒化ガリウム
(GaAs)の気相成長法として、有機ガリウムの一
種であるトリメチルガリウム(TMG)と砒素の
水素化合物であるアルシン(AsH3)との熱分解を
利用しておこなう方法が知られている。そして、
この成長法を実施するのに際しては、気相成長炉
として縦型のものが多量の原料ガスを必要としな
いので最近では横型のものに比して使用されてい
る。即ち、この縦型の炉においては、試料である
結晶基板の上面にほぼ垂直に原料ガスが供給され
るので、このガスの供給方向と気相成長方向とが
一致し、このため少ないガスの供給で気相成長さ
せることができる。しかし、このような縦型炉で
は結晶基板と、この基板上方に位置するガス導入
口との間隔をかなり大きくしなければならないの
で、基板近くで暖められたガスが上方に昇り、対
流が生じるので、以下のような問題があつた。
1)炉内の一様なガスの流れが妨げられるため
に、成長層に厚さむらが生じる。2)反応を終え
たガスが再び炉の上流部に逆流し、原料ガスの汚
染が生じる。3)炉上部まで暖められたガスが昇
るので、ここで原料ガスの分解が起り、所望の砒
化ガリウムとは別の生成物が生じ、この結果気相
成長層の成長速度が低下する。 このように、炉
内で対流を生じさせると、厚さの均一性が悪く、
かつ純度の劣る成長層を低成長速度でしか成長さ
せることができなかつた。このような対流による
影響は成長炉の内径が増加すればより顕著になる
ため、従来では内径6cm程度の炉を使用すること
が一般的であつた。このために、一度に多数の基
板に成長層を形成することができず、したがつて
この従来の縦型気相成長炉では、熱分解気相成長
法の原理的な特長である量産性の良さを充分に発
揮することが不可能であつた。
(GaAs)の気相成長法として、有機ガリウムの一
種であるトリメチルガリウム(TMG)と砒素の
水素化合物であるアルシン(AsH3)との熱分解を
利用しておこなう方法が知られている。そして、
この成長法を実施するのに際しては、気相成長炉
として縦型のものが多量の原料ガスを必要としな
いので最近では横型のものに比して使用されてい
る。即ち、この縦型の炉においては、試料である
結晶基板の上面にほぼ垂直に原料ガスが供給され
るので、このガスの供給方向と気相成長方向とが
一致し、このため少ないガスの供給で気相成長さ
せることができる。しかし、このような縦型炉で
は結晶基板と、この基板上方に位置するガス導入
口との間隔をかなり大きくしなければならないの
で、基板近くで暖められたガスが上方に昇り、対
流が生じるので、以下のような問題があつた。
1)炉内の一様なガスの流れが妨げられるため
に、成長層に厚さむらが生じる。2)反応を終え
たガスが再び炉の上流部に逆流し、原料ガスの汚
染が生じる。3)炉上部まで暖められたガスが昇
るので、ここで原料ガスの分解が起り、所望の砒
化ガリウムとは別の生成物が生じ、この結果気相
成長層の成長速度が低下する。 このように、炉
内で対流を生じさせると、厚さの均一性が悪く、
かつ純度の劣る成長層を低成長速度でしか成長さ
せることができなかつた。このような対流による
影響は成長炉の内径が増加すればより顕著になる
ため、従来では内径6cm程度の炉を使用すること
が一般的であつた。このために、一度に多数の基
板に成長層を形成することができず、したがつて
この従来の縦型気相成長炉では、熱分解気相成長
法の原理的な特長である量産性の良さを充分に発
揮することが不可能であつた。
したがつて、この発明の目的は原料ガスの供給
量を少くできると云う縦型反応炉の効果を有しな
がら、量産性に優れ、かつ均一な厚さで、高純度
の成長層を作業性良く形成することの可能な縦型
気相成長装置を提供することである。
量を少くできると云う縦型反応炉の効果を有しな
がら、量産性に優れ、かつ均一な厚さで、高純度
の成長層を作業性良く形成することの可能な縦型
気相成長装置を提供することである。
以下に、この発明の一実施例に係る縦型気相成
長装置を添付図面を参照して、これを使用した砒
化ガリウムの気相成長法の例と共に説明する。
長装置を添付図面を参照して、これを使用した砒
化ガリウムの気相成長法の例と共に説明する。
第1図並びに第2図において、符号10は気相
成長炉を示し、小径の円筒状の上方炉部11と、
大径の円筒状の下方炉部12と、これらを同心的
に融着してなる接続部13とからなり、透明石英
により構成されている。上方炉部11は内径D1
が約10cm、従つて横断面積が102×π/4cm3の上室1 1aを有しており、かつその高さは直径の1.5〜
2.5倍に設定されている。下方炉部12は内径D2
が約15cm、従つて横断面積が152×π/4cm3の下室1 2aを有する。この下室12aには上室11a近
くに位置するようにして支持台14が設けられて
いる。この支持台14はモータ16により回転さ
れるシヤフト15上に固定されており、炉内で回
転可能となつている。この支持台14上面には試
料、この例では砒化ガリウム基板16が複数枚載
置可能となつている。この支持台14はグラフア
イトからなる本体17と、この本体の外表面を被
覆し、シリコン・カーバイトからなる保護層18
と、この保護層18の上面に取外し可能に設けら
れたシリコン板19とにより構成され、このシリ
コン板19上に直接前記砒化ガリウム基板16が
載置されて、気相成長がおこなわれる。この支持
台14は横断面が前記上室11aの内径よりも大
きくかつ下室12aの内径よりも小さい径の円柱
状に構成され、これの外側全体に渡つて下室12
aの内側と等間隔をなすように、炉と同心的に配
置されている。前記上方炉部11の上壁中央には
ガス導入口20を介してガス導入ダクト21が接
続され、これを介して後述するガスが炉内に導入
される。また前記上方炉部11の上壁内面にはこ
れと所定間隔を有して透明石英製の拡散板22が
設けられている。この拡散板22は円板形をな
し、その外周側が上室11aの内側と少しの間隔
を有するようにして、前記ガス導入口20と同心
的に設けられており、この導入口20からのガス
を分散する機能を有している。前記下方炉部12
の下部にはガス導出ダクト22が接続されてお
り、かくして、ガス導入ダクト21から導入され
たガスは炉内を下方に流れ、ガス導出ダクト22
から排出される。前記ガス導入ダクトには、夫々
流量制御バルブを介してガス源が接続されてい
る。この実施例ではガス源として、水素で希釈さ
れ、ドーピングガスとなる硫化水素(H2S)ガス
の供給源23と、水素で希釈されたアルシン
(AsH3)ガスの供給源24と、水素ガス(H2)の
供給源25と、この水素ガス供給源25からの水
素ガスにより蒸気化されて供給されるトリメチル
ガリウム(TMG)の供給源26とが接続されて
いる。前記硫化水素とトリメチルガリウムは炉内
で熱分解されて砒化ガリウムの気相成長を果し、
前記水素ガスはキヤリヤーガスとして働らく。尚
第1図中符号33は前記支持台14を介して試料
を成長温度に加熱するためのRFコイルを示す。
上記実施例では支持台14としてその上面が平面
のものを使用したが、一度により多くの試料に気
相成長を果させるためには、上面を立体的にすれ
ば良く、その例を第2A図に示す。この例では支
持台14として四角錐形のものを使用し、4個の
傾斜上面14a上に夫々試料を載置可能としてい
る。そして、この上面14aの下端には、試料が
滑り落ちるのを防止するためのリブ14bが突設
され、また上端は、ここに至る混合ガスを各上面
14aに均一に分散できるように丸味を有してい
る。
成長炉を示し、小径の円筒状の上方炉部11と、
大径の円筒状の下方炉部12と、これらを同心的
に融着してなる接続部13とからなり、透明石英
により構成されている。上方炉部11は内径D1
が約10cm、従つて横断面積が102×π/4cm3の上室1 1aを有しており、かつその高さは直径の1.5〜
2.5倍に設定されている。下方炉部12は内径D2
が約15cm、従つて横断面積が152×π/4cm3の下室1 2aを有する。この下室12aには上室11a近
くに位置するようにして支持台14が設けられて
いる。この支持台14はモータ16により回転さ
れるシヤフト15上に固定されており、炉内で回
転可能となつている。この支持台14上面には試
料、この例では砒化ガリウム基板16が複数枚載
置可能となつている。この支持台14はグラフア
イトからなる本体17と、この本体の外表面を被
覆し、シリコン・カーバイトからなる保護層18
と、この保護層18の上面に取外し可能に設けら
れたシリコン板19とにより構成され、このシリ
コン板19上に直接前記砒化ガリウム基板16が
載置されて、気相成長がおこなわれる。この支持
台14は横断面が前記上室11aの内径よりも大
きくかつ下室12aの内径よりも小さい径の円柱
状に構成され、これの外側全体に渡つて下室12
aの内側と等間隔をなすように、炉と同心的に配
置されている。前記上方炉部11の上壁中央には
ガス導入口20を介してガス導入ダクト21が接
続され、これを介して後述するガスが炉内に導入
される。また前記上方炉部11の上壁内面にはこ
れと所定間隔を有して透明石英製の拡散板22が
設けられている。この拡散板22は円板形をな
し、その外周側が上室11aの内側と少しの間隔
を有するようにして、前記ガス導入口20と同心
的に設けられており、この導入口20からのガス
を分散する機能を有している。前記下方炉部12
の下部にはガス導出ダクト22が接続されてお
り、かくして、ガス導入ダクト21から導入され
たガスは炉内を下方に流れ、ガス導出ダクト22
から排出される。前記ガス導入ダクトには、夫々
流量制御バルブを介してガス源が接続されてい
る。この実施例ではガス源として、水素で希釈さ
れ、ドーピングガスとなる硫化水素(H2S)ガス
の供給源23と、水素で希釈されたアルシン
(AsH3)ガスの供給源24と、水素ガス(H2)の
供給源25と、この水素ガス供給源25からの水
素ガスにより蒸気化されて供給されるトリメチル
ガリウム(TMG)の供給源26とが接続されて
いる。前記硫化水素とトリメチルガリウムは炉内
で熱分解されて砒化ガリウムの気相成長を果し、
前記水素ガスはキヤリヤーガスとして働らく。尚
第1図中符号33は前記支持台14を介して試料
を成長温度に加熱するためのRFコイルを示す。
上記実施例では支持台14としてその上面が平面
のものを使用したが、一度により多くの試料に気
相成長を果させるためには、上面を立体的にすれ
ば良く、その例を第2A図に示す。この例では支
持台14として四角錐形のものを使用し、4個の
傾斜上面14a上に夫々試料を載置可能としてい
る。そして、この上面14aの下端には、試料が
滑り落ちるのを防止するためのリブ14bが突設
され、また上端は、ここに至る混合ガスを各上面
14aに均一に分散できるように丸味を有してい
る。
上記のような構成の成長相炉を使用して実際に
砒化ガリウムの成長層を形成する場合につき以下
に説明する。鏡面研磨した10cm2の面積を有する面
方位が(100)の砒化ガリウム高抵抗基板を有機
溶剤で洗滌した後に硫酸系エツチング溶液で化学
エツチングする。なお、この基板としては
(100)±5度の範囲の面方位の砒化ガリウム基板
を使用することが好ましい。次に上記基板を支持
台14上に複数枚載置し、これをREコイル33
により約700℃に加熱する。そして、供給源26
から水素で希釈され、濃度が4.62%のトリメチル
ガリウムを40ml/分の流量で、供給源24から水
素で希釈され、濃度が5%のアルシンガスを600
ml/分の流量で、そして供給源25から水素ガス
をキヤリヤーガスとして炉内に、これらガスの全
流量が15/分となるようにして、導入口20よ
り流入させ炉中を上方から下方に向つてこの混合
ガスを流すことにより気相成長をおこなう。な
お、この時の成長時間は60分に設定し、厚さ約10
μmの砒化ガリウム気相成長層を得るようにして
いる。
砒化ガリウムの成長層を形成する場合につき以下
に説明する。鏡面研磨した10cm2の面積を有する面
方位が(100)の砒化ガリウム高抵抗基板を有機
溶剤で洗滌した後に硫酸系エツチング溶液で化学
エツチングする。なお、この基板としては
(100)±5度の範囲の面方位の砒化ガリウム基板
を使用することが好ましい。次に上記基板を支持
台14上に複数枚載置し、これをREコイル33
により約700℃に加熱する。そして、供給源26
から水素で希釈され、濃度が4.62%のトリメチル
ガリウムを40ml/分の流量で、供給源24から水
素で希釈され、濃度が5%のアルシンガスを600
ml/分の流量で、そして供給源25から水素ガス
をキヤリヤーガスとして炉内に、これらガスの全
流量が15/分となるようにして、導入口20よ
り流入させ炉中を上方から下方に向つてこの混合
ガスを流すことにより気相成長をおこなう。な
お、この時の成長時間は60分に設定し、厚さ約10
μmの砒化ガリウム気相成長層を得るようにして
いる。
以上のようにして形成した成長層の、中心から
の距離に対する厚さの変動度並びに電子濃度の変
動度を測定し、夫々第3A図並びに第3B図に示
してある。一方、小径の上室と大径の下室とに室
が分離していないので15cmの一様な内径の筒状の
室を有する従来技術に係る気相成長炉を使用して
上記実施例と全く同じ条件で成長させた同様の測
定結果を参考のために第4A図並びに第4B図に
示してある。上記第3A図と第4A図との比較に
より、実施例の成長炉を使用する方法により形成
された成長層は、炉の中心からの距離に係りなく
10μm±0.5μmの範囲内の厚さとなり、±5%の
厚さのバラツキしかなかつた。これに対して、比
較例の成長炉により形成された成長層は、60分の
成長時間では10μmの厚さには形成されず、最高
7μmであり、しかも炉中心から離れるのに従つ
て薄くなる傾向があつた。このために所望の10μ
mの厚さの成長層を得るためにはより成長時間を
長くしなければならず、しかもこのようにしても
使用できるのは炉中心付近で成長させたものだけ
である。また、第3B図と第4B図との比較によ
り、実施例の場合では、電子濃度も炉中心からの
距離に係りなく、8×1014/cm3を中心として±11
%の変動しか生じなかつたのに対して比較例の場
合では電子濃度のバラツキが非常に大きく、しか
も炉中心付近では成長層がP型となつていた。
の距離に対する厚さの変動度並びに電子濃度の変
動度を測定し、夫々第3A図並びに第3B図に示
してある。一方、小径の上室と大径の下室とに室
が分離していないので15cmの一様な内径の筒状の
室を有する従来技術に係る気相成長炉を使用して
上記実施例と全く同じ条件で成長させた同様の測
定結果を参考のために第4A図並びに第4B図に
示してある。上記第3A図と第4A図との比較に
より、実施例の成長炉を使用する方法により形成
された成長層は、炉の中心からの距離に係りなく
10μm±0.5μmの範囲内の厚さとなり、±5%の
厚さのバラツキしかなかつた。これに対して、比
較例の成長炉により形成された成長層は、60分の
成長時間では10μmの厚さには形成されず、最高
7μmであり、しかも炉中心から離れるのに従つ
て薄くなる傾向があつた。このために所望の10μ
mの厚さの成長層を得るためにはより成長時間を
長くしなければならず、しかもこのようにしても
使用できるのは炉中心付近で成長させたものだけ
である。また、第3B図と第4B図との比較によ
り、実施例の場合では、電子濃度も炉中心からの
距離に係りなく、8×1014/cm3を中心として±11
%の変動しか生じなかつたのに対して比較例の場
合では電子濃度のバラツキが非常に大きく、しか
も炉中心付近では成長層がP型となつていた。
上記のような小内径の上室と大内径の下室とよ
りなる成長炉の効果は、上室の横断面積が200cm2
以下で、かつ下室の横断面積がこれの4倍よりも
小さい場合にほぼ同様に得られる。もし、上室の
横断面積が200cm2以上になると、この上室でのガ
スの対流が顕著に生じるようになつて、成長層の
厚さの不均一性並びに電子濃度分布が第4A図並
びに第4B図に示すような傾向を示すようになつ
て来る。このような傾向は下室の横断面積が上室
の4倍以上になつても同様に生じる。
りなる成長炉の効果は、上室の横断面積が200cm2
以下で、かつ下室の横断面積がこれの4倍よりも
小さい場合にほぼ同様に得られる。もし、上室の
横断面積が200cm2以上になると、この上室でのガ
スの対流が顕著に生じるようになつて、成長層の
厚さの不均一性並びに電子濃度分布が第4A図並
びに第4B図に示すような傾向を示すようになつ
て来る。このような傾向は下室の横断面積が上室
の4倍以上になつても同様に生じる。
また本発明の効果は上室11aの高さをその径
の1.5〜2.5倍に設定すことにより十分なものとな
る。すなわち高さが直径の1.5倍より小さいと、
上室11aでのガスが十分な乱流とならずに基板
16に供給され、基板16への成長層の厚さの不
均一、不純物濃度分布の不均一等の原因となる。
一方、高さが直径の2.5倍以上になると、上室1
1aでのガス流が層流となつてしまい、局部的な
対流の影響が強く現われる結果、やはり成長層の
厚さや不純物濃度分布の不均一が生じるからであ
る。
の1.5〜2.5倍に設定すことにより十分なものとな
る。すなわち高さが直径の1.5倍より小さいと、
上室11aでのガスが十分な乱流とならずに基板
16に供給され、基板16への成長層の厚さの不
均一、不純物濃度分布の不均一等の原因となる。
一方、高さが直径の2.5倍以上になると、上室1
1aでのガス流が層流となつてしまい、局部的な
対流の影響が強く現われる結果、やはり成長層の
厚さや不純物濃度分布の不均一が生じるからであ
る。
なお、より良好な成長層を得るためには以下の
ような点を考慮すれば良いことが発明者達の実験
の結果認識できた。
ような点を考慮すれば良いことが発明者達の実験
の結果認識できた。
1 成長炉の内周側と支持台の外周側との間で規
定される間隙の最小断面積が上室の横断面積と
等しいかより小さくする。
定される間隙の最小断面積が上室の横断面積と
等しいかより小さくする。
これは、もしこの間隙の最小断面積をこれ以
上大きくすると下室と上室との間で対流が生じ
易くなつて良好な結果が得られなくなるためで
ある。なお、ここで間隙の最小断面積とは、炉
内周側と支持台の外周側との間隙で、最小距離
の所を支持台外周側全域に渡つて得た積分値で
ある。
上大きくすると下室と上室との間で対流が生じ
易くなつて良好な結果が得られなくなるためで
ある。なお、ここで間隙の最小断面積とは、炉
内周側と支持台の外周側との間隙で、最小距離
の所を支持台外周側全域に渡つて得た積分値で
ある。
なお、第5図は前記上室の横断面積が支持台
と炉との間の最小横断面積と等しい場合と、前
者が後者の半分の場合とにつき、前記と同様の
方法で気相成長層を形成してホール素子を製造
した場合のホール抵抗Rd(Ω)の、炉中心か
らの距離に対する変動測定結果を表わす。この
図にて、曲線Aは上記断面積が等しい場合を、
そして曲線Bは半分の場合を夫々示す。この図
において、断面積が等しい方が、炉中心からの
距離に係りなくホール抵抗がほぼ一様であるこ
とが理解できよう。
と炉との間の最小横断面積と等しい場合と、前
者が後者の半分の場合とにつき、前記と同様の
方法で気相成長層を形成してホール素子を製造
した場合のホール抵抗Rd(Ω)の、炉中心か
らの距離に対する変動測定結果を表わす。この
図にて、曲線Aは上記断面積が等しい場合を、
そして曲線Bは半分の場合を夫々示す。この図
において、断面積が等しい方が、炉中心からの
距離に係りなくホール抵抗がほぼ一様であるこ
とが理解できよう。
2 上室の上部に拡散板のように導入された混合
ガスを分散するための手段を設ける。
ガスを分散するための手段を設ける。
3 砒化ガリウムを成長させるのに際しては炉中
に導入される混合ガス中の有機ガリウムの濃度
を水素ガスに対して0.005%〜0.05%にする。
に導入される混合ガス中の有機ガリウムの濃度
を水素ガスに対して0.005%〜0.05%にする。
これはもし、濃度が0.005%以下になると成
長層の電子濃度のバラツキが大きくなつてしま
い、また0.05%以上になると電子濃度にバラツ
キが生じ、かつ成長層表面の結晶状態が悪くな
るためである。なお、参考のために、成長温度
が720℃、AsH3/TMGモル比が15、H2S/
TMGモル比が0.001、で水素ガスをキヤリヤー
ガスとして使用し、これらの混合ガスの流速を
1cm/秒にした条件下で、混合ガス中のTMG
の濃度を変えて気相成長させた時の成長層の電
子濃度の分布を第6図に示す。
長層の電子濃度のバラツキが大きくなつてしま
い、また0.05%以上になると電子濃度にバラツ
キが生じ、かつ成長層表面の結晶状態が悪くな
るためである。なお、参考のために、成長温度
が720℃、AsH3/TMGモル比が15、H2S/
TMGモル比が0.001、で水素ガスをキヤリヤー
ガスとして使用し、これらの混合ガスの流速を
1cm/秒にした条件下で、混合ガス中のTMG
の濃度を変えて気相成長させた時の成長層の電
子濃度の分布を第6図に示す。
4 混合ガスの流速を0.5cm/秒〜4cm/秒にす
る。
る。
これはもし、流速がこの範囲外の場合には結
晶性が悪く、移動度が低くなる傾向があるため
である。なお、参考のために、成長温度が720
℃、TMGの濃度が0.02%、AsH3/TMGモル比
が15、H2S/TMGモル比が0.001の条件下で、
混合ガスの流速を変えて砒化ガリウムを気相成
長させた時の成長層の移動度を第7図に示す。
晶性が悪く、移動度が低くなる傾向があるため
である。なお、参考のために、成長温度が720
℃、TMGの濃度が0.02%、AsH3/TMGモル比
が15、H2S/TMGモル比が0.001の条件下で、
混合ガスの流速を変えて砒化ガリウムを気相成
長させた時の成長層の移動度を第7図に示す。
5 成長炉中の混合ガスの圧力を100mmHg以下
に保つ。
に保つ。
以上のようにして構成された成長炉においては
200cm3以下の横断面積を有し、かつ高さが直径の
1.5〜2.5倍に設定された上室と、これよりも大き
く、かつ4倍よりも小さい横断面積の下室とに炉
内が分離し、上室側から導入された混合ガスによ
り下室に設けられた支持台上の試料に気相成長を
おこなわせているので、上室中での混合ガスの対
流が生じ難く、したがつて少ないガス供給量で高
純度の成長層を均一な厚さで成長させることがで
きる。また、下室を横断面積を大きくしているの
で、多量の気相成長層を一度に形成することがで
きて、熱分解気相成長法の利点である量生産を可
能としている。
200cm3以下の横断面積を有し、かつ高さが直径の
1.5〜2.5倍に設定された上室と、これよりも大き
く、かつ4倍よりも小さい横断面積の下室とに炉
内が分離し、上室側から導入された混合ガスによ
り下室に設けられた支持台上の試料に気相成長を
おこなわせているので、上室中での混合ガスの対
流が生じ難く、したがつて少ないガス供給量で高
純度の成長層を均一な厚さで成長させることがで
きる。また、下室を横断面積を大きくしているの
で、多量の気相成長層を一度に形成することがで
きて、熱分解気相成長法の利点である量生産を可
能としている。
なお、この発明の気相成長装置を有機ガリウム
と砒素の水素化合物とによる砒化ガリウムの気相
成長法に適用したが、他の物質による砒化ガリウ
ムの気相成長法もしくは砒化ガリウム以外の化合
物半導体の気相成長法にも適用することが可能で
ある。
と砒素の水素化合物とによる砒化ガリウムの気相
成長法に適用したが、他の物質による砒化ガリウ
ムの気相成長法もしくは砒化ガリウム以外の化合
物半導体の気相成長法にも適用することが可能で
ある。
第1図はこの発明の一実施例に係る気相成長装
置の全体を概略的に示す図、第2図は同気相成長
装置の要部を示す断面図、第2A図は同装置に使
用されている支持台の変形例を示す側面図、第3
A図並びに第3B図は同気相成長装置を使用して
成長された砒化ガリウム層の炉中の位置による厚
さの変動度並びに電子濃度の変動度を測定して
夫々示す線図、第4A図並びに第4B図は、比較
のために、従来の成長炉を使用して成長された砒
化ガリウム層の炉中の位置による厚さの変動度並
びに電子濃度の変動度を測定して示す、第3A図
並びに第3B図と同様の線図、第5図は実施例に
係る気相成長装置と、本願の範囲外の気相成長装
置とにより夫々成長されたホール素子のホール抵
抗の相違を示す線図、第6図は混合ガス中のトリ
メチルガリウムの濃度の変化に対する成長層の電
子濃度の変化を示す線図、そして第7図は混合ガ
スの流速の変化に対する成長層の室温における移
動度の変化を示す線図である。 10……気相成長炉、11……上方炉部、11
a……上室、12……下方炉部、12a……下
室、13……接続部、14……支持台、21……
ガス導入ダクト。
置の全体を概略的に示す図、第2図は同気相成長
装置の要部を示す断面図、第2A図は同装置に使
用されている支持台の変形例を示す側面図、第3
A図並びに第3B図は同気相成長装置を使用して
成長された砒化ガリウム層の炉中の位置による厚
さの変動度並びに電子濃度の変動度を測定して
夫々示す線図、第4A図並びに第4B図は、比較
のために、従来の成長炉を使用して成長された砒
化ガリウム層の炉中の位置による厚さの変動度並
びに電子濃度の変動度を測定して示す、第3A図
並びに第3B図と同様の線図、第5図は実施例に
係る気相成長装置と、本願の範囲外の気相成長装
置とにより夫々成長されたホール素子のホール抵
抗の相違を示す線図、第6図は混合ガス中のトリ
メチルガリウムの濃度の変化に対する成長層の電
子濃度の変化を示す線図、そして第7図は混合ガ
スの流速の変化に対する成長層の室温における移
動度の変化を示す線図である。 10……気相成長炉、11……上方炉部、11
a……上室、12……下方炉部、12a……下
室、13……接続部、14……支持台、21……
ガス導入ダクト。
Claims (1)
- 1 横断面積が200cm2以下であり、高さが径の1.5
〜2.5倍である上室を規定する上方炉部と、横断
面積が上室より大きく、かつ4倍よりも小さい下
室を規定する下方炉部、並びにこれら上方炉部と
下方炉部とを接続する接続部とからなる気相成長
炉と、上面に試料が乗せられ、前記気相成長炉と
の間の間隙の最小断面積が前記上室の横断面積と
略等しくなるように上室近くの下室中に設けられ
た支持台と、前記上室中に原料ガスを導入する導
入口とを具備してなることを特徴とする縦型気相
成長装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7504979A JPS55167041A (en) | 1979-06-14 | 1979-06-14 | Vertical type gaseous phase growth device |
US06/054,949 US4290385A (en) | 1979-06-14 | 1979-07-05 | Vertical type vapor-phase growth apparatus |
DE19792928206 DE2928206C2 (de) | 1978-07-31 | 1979-07-12 | Vertikale Dampfphasen-Aufwachsvorrichtung |
US06/228,350 US4348981A (en) | 1979-06-14 | 1981-01-26 | Vertical type vapor-phase growth apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7504979A JPS55167041A (en) | 1979-06-14 | 1979-06-14 | Vertical type gaseous phase growth device |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17326385A Division JPS61111521A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 縦型気相成長装置 |
JP17326285A Division JPS61184819A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 気相成長方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS55167041A JPS55167041A (en) | 1980-12-26 |
JPS6112880B2 true JPS6112880B2 (ja) | 1986-04-10 |
Family
ID=13564951
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7504979A Granted JPS55167041A (en) | 1978-07-31 | 1979-06-14 | Vertical type gaseous phase growth device |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4290385A (ja) |
JP (1) | JPS55167041A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01116784U (ja) * | 1988-02-02 | 1989-08-07 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55167041A (en) * | 1979-06-14 | 1980-12-26 | Toshiba Corp | Vertical type gaseous phase growth device |
DD206687A3 (de) * | 1981-07-28 | 1984-02-01 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Verfahren und vorrichtung zur gasfuehrung fuer lp cvd prozesse in einem rohrreaktor |
US4777022A (en) * | 1984-08-28 | 1988-10-11 | Stephen I. Boldish | Epitaxial heater apparatus and process |
TW239164B (ja) * | 1992-08-12 | 1995-01-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
US5551982A (en) * | 1994-03-31 | 1996-09-03 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor wafer process chamber with susceptor back coating |
EP0854210B1 (en) * | 1996-12-19 | 2002-03-27 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Vapor deposition apparatus for forming thin film |
US7320733B2 (en) * | 2003-05-09 | 2008-01-22 | Sukegawa Electric Co., Ltd. | Electron bombardment heating apparatus and temperature controlling apparatus and control method thereof |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA770834A (en) * | 1967-10-31 | Siemens-Schuckertwerke Aktiengesellschaft | Method of epitaxially producing p-n junctions in silicon | |
DE1444502B2 (de) * | 1963-08-01 | 1970-01-08 | IBM Deutschland Internationale Büro-Maschinen OmbH, 7032 Sindelfingen | Verfahren zur Regelung der Schärfe von an Galliumarsenid-Einkristallen zu bildenden pn-übergängen |
US3231337A (en) * | 1963-10-29 | 1966-01-25 | Merck & Co Inc | Apparatus for the preparation of semiconductor material |
US3297501A (en) * | 1963-12-31 | 1967-01-10 | Ibm | Process for epitaxial growth of semiconductor single crystals |
US3338761A (en) * | 1965-03-31 | 1967-08-29 | Texas Instruments Inc | Method and apparatus for making compound materials |
US3675619A (en) * | 1969-02-25 | 1972-07-11 | Monsanto Co | Apparatus for production of epitaxial films |
US3745969A (en) * | 1971-04-19 | 1973-07-17 | Motorola Inc | Offset top ejection vapor deposition apparatus |
JPS55167041A (en) * | 1979-06-14 | 1980-12-26 | Toshiba Corp | Vertical type gaseous phase growth device |
-
1979
- 1979-06-14 JP JP7504979A patent/JPS55167041A/ja active Granted
- 1979-07-05 US US06/054,949 patent/US4290385A/en not_active Expired - Lifetime
-
1981
- 1981-01-26 US US06/228,350 patent/US4348981A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01116784U (ja) * | 1988-02-02 | 1989-08-07 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4348981A (en) | 1982-09-14 |
JPS55167041A (en) | 1980-12-26 |
US4290385A (en) | 1981-09-22 |
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