JPS61127866A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS61127866A JPS61127866A JP25028984A JP25028984A JPS61127866A JP S61127866 A JPS61127866 A JP S61127866A JP 25028984 A JP25028984 A JP 25028984A JP 25028984 A JP25028984 A JP 25028984A JP S61127866 A JPS61127866 A JP S61127866A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- plasma cvd
- substrate holding
- substrate
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、成膜膜厚分布を改善したプラズマＣＶＤ装置
に関する。
に関する。
（従来技術とその問題点）
プラズマＣＶＤ装置は非晶質シリコン（以下ａ−３７と
略記する）膜や菫化シリコン膜の作成に現在広く用いら
れており、その特徴は、（１１比較的低温（一般に２０
０℃〜３００℃）で成膜できる、（２）反応ガスを切替
える操作だけで各槙の性質の膜を生成できる、（３）蒸
着法やイオンブレーティング法等の他の真空成膜法と較
べて、比較的大面積に均一な成膜ができる、（４）他の
装置で得られない独自の機能・物性をもつ膜を生成する
ことがでさる、等である。
略記する）膜や菫化シリコン膜の作成に現在広く用いら
れており、その特徴は、（１１比較的低温（一般に２０
０℃〜３００℃）で成膜できる、（２）反応ガスを切替
える操作だけで各槙の性質の膜を生成できる、（３）蒸
着法やイオンブレーティング法等の他の真空成膜法と較
べて、比較的大面積に均一な成膜ができる、（４）他の
装置で得られない独自の機能・物性をもつ膜を生成する
ことがでさる、等である。
プラズマＣＶＤ装置の構造は、使用する基板の形状や成
膜目的によりても異なるが、基板の形状が平板形の場合
には、通常Ｗｊｚ図の構造の千行平真空容器１内には、
反応ガスがガス導入口２を追じて導入され、同時に排気
口３を通じて真空排気され、容器１内の圧力が１０ Ｐ
ａ〜５００ ｐ、程度に保たれる。反応ガスが電極７の
内部を通して導入され、電極表面の多数の孔から吹出さ
れる場合もある。反応ガスとしては、ａ−８４膜を作成
する場合には一般にモノシラン（ＳｉＨ４）、ジシラン
（８ｉｚＨａ） 、四７ツ化シリコン（８ｉＦ４）、水
素、アルゴン等が用いられ、ＳｉＮ膜を作成する場合に
は一般にモノシラン、窒素、アンモニア等が用いられる
。基板４は基板保持電極５上に載せられ、ヒ−ター６で
加熱される。電極７に電圧を印加すると、電極５と電極
７の間でグロー放電が起こりプラズマが発生する。７に
印加する電圧としては一般に１０ ｋＨｚ〜１００ Ｍ
Ｈ２の高周波電圧が用いられる。生成したプラズマ中で
反応ガスが盛んに分解し、基板４の表面上に膜が析出す
る。
膜目的によりても異なるが、基板の形状が平板形の場合
には、通常Ｗｊｚ図の構造の千行平真空容器１内には、
反応ガスがガス導入口２を追じて導入され、同時に排気
口３を通じて真空排気され、容器１内の圧力が１０ Ｐ
ａ〜５００ ｐ、程度に保たれる。反応ガスが電極７の
内部を通して導入され、電極表面の多数の孔から吹出さ
れる場合もある。反応ガスとしては、ａ−８４膜を作成
する場合には一般にモノシラン（ＳｉＨ４）、ジシラン
（８ｉｚＨａ） 、四７ツ化シリコン（８ｉＦ４）、水
素、アルゴン等が用いられ、ＳｉＮ膜を作成する場合に
は一般にモノシラン、窒素、アンモニア等が用いられる
。基板４は基板保持電極５上に載せられ、ヒ−ター６で
加熱される。電極７に電圧を印加すると、電極５と電極
７の間でグロー放電が起こりプラズマが発生する。７に
印加する電圧としては一般に１０ ｋＨｚ〜１００ Ｍ
Ｈ２の高周波電圧が用いられる。生成したプラズマ中で
反応ガスが盛んに分解し、基板４の表面上に膜が析出す
る。
８は電極シールドであって通常接地電位にあり、プラズ
マが不必要な部分に広がるのを防ぐ目的で取付けられる
。ｗＪ２図では高周波印加を億７を上方にし、基板保持
電極５を下方にしたものを示しているが、この上下が逆
の場合や、両を極を鉛直にする場合もある。また、１つ
の真空容器中に電極５又は７が複数設置される場合もあ
る。しかしそれらの場合でも上記の各部材の基本的な構
成と機能はこの第２図で説明したものと変らない。電極
５及び７の放電面の形状は、その目的により円形、正方
形、長方形などがある。
マが不必要な部分に広がるのを防ぐ目的で取付けられる
。ｗＪ２図では高周波印加を億７を上方にし、基板保持
電極５を下方にしたものを示しているが、この上下が逆
の場合や、両を極を鉛直にする場合もある。また、１つ
の真空容器中に電極５又は７が複数設置される場合もあ
る。しかしそれらの場合でも上記の各部材の基本的な構
成と機能はこの第２図で説明したものと変らない。電極
５及び７の放電面の形状は、その目的により円形、正方
形、長方形などがある。
このようなプラズマＣＶＤ装置で成膜する場合には、電
極５と７の間に生じるプラズマのプラズマ費夏分布が膜
厚分布に大きい影響そ及はす。従来のプラズマＣＶＤ装
置の場合は、電極５と電極７の電極間隔はすべての電極
表面で等間隔即ち平行対向面になっているため、電極の
端部ではその電界強度が中央部に比べて弱く、プラズマ
密度が小さくなり従って成膜膜厚が薄くなる。このため
均一な膜厚のえられる部分は！偽中央部分に眠られてし
まい、均一膜厚が要求されるときはｔ憾の寸法に対して
有効に成膜できる部分が小さくなるという欠点があった
。この有効面積を拡大する為には！極面積を拡大する必
要があり、装置全体が大きくなるとともに装置コストが
上昇するという問題を生じる。
極５と７の間に生じるプラズマのプラズマ費夏分布が膜
厚分布に大きい影響そ及はす。従来のプラズマＣＶＤ装
置の場合は、電極５と電極７の電極間隔はすべての電極
表面で等間隔即ち平行対向面になっているため、電極の
端部ではその電界強度が中央部に比べて弱く、プラズマ
密度が小さくなり従って成膜膜厚が薄くなる。このため
均一な膜厚のえられる部分は！偽中央部分に眠られてし
まい、均一膜厚が要求されるときはｔ憾の寸法に対して
有効に成膜できる部分が小さくなるという欠点があった
。この有効面積を拡大する為には！極面積を拡大する必
要があり、装置全体が大きくなるとともに装置コストが
上昇するという問題を生じる。
（発明の目的）
本発明はこの欠点を解決し、電極面積を拡大することな
く、均一に成膜でさる面積を拡大したプラズマＣＶＤ装
置の提供を目的とする。
く、均一に成膜でさる面積を拡大したプラズマＣＶＤ装
置の提供を目的とする。
（発明の構成）
本発明は、互にその表面を平行にして対向している爾周
波印加！他と基板保持電極とをそなえるプラズマＣＶＤ
装置において、前記嶋周彼印加篭極の端部を前記基板保
持電極に向って突出させる構成によって、前記目的を達
成したものである。
波印加！他と基板保持電極とをそなえるプラズマＣＶＤ
装置において、前記嶋周彼印加篭極の端部を前記基板保
持電極に向って突出させる構成によって、前記目的を達
成したものである。
（実施例）
第１図は本発明の実施例のプラズマＣＶＤ装置でありで
、図中の符号１〜８の部材はすでに説明した第２図の各
部材に対応している。９は高周波印加ｔ＆７に取付けら
れた補助電極で、本発明の特徴を示す。
、図中の符号１〜８の部材はすでに説明した第２図の各
部材に対応している。９は高周波印加ｔ＆７に取付けら
れた補助電極で、本発明の特徴を示す。
補助電極９は４電性のものであればよく、材料は任意に
選択できるが、を極７と同材料であることが望ましい。
選択できるが、を極７と同材料であることが望ましい。
電極７と補助電極９とは電気的に接続されて同電位にな
っているので、′１１Ｌ他間隔ｄはｔｍの端部でのみ補
助電極の高さｈだけ接近する構造になる。補助電極の高
さｈはＯくｈくｄの範囲内で任意に選ぶことができるが
ｈが小さすぎる場合には本発明の効果は現われず、ｈが
大きすぎてあまりｄに近接すると、！極間の空間に反応
ガスを光分に供給または排気できなくなるため成膜速度
が全体的に減少してしまうと同時に補助電極９と基板保
持電極５との間で異常放電を起こし易くなる。セして膜
厚分布は却って悪くなる。
っているので、′１１Ｌ他間隔ｄはｔｍの端部でのみ補
助電極の高さｈだけ接近する構造になる。補助電極の高
さｈはＯくｈくｄの範囲内で任意に選ぶことができるが
ｈが小さすぎる場合には本発明の効果は現われず、ｈが
大きすぎてあまりｄに近接すると、！極間の空間に反応
ガスを光分に供給または排気できなくなるため成膜速度
が全体的に減少してしまうと同時に補助電極９と基板保
持電極５との間で異常放電を起こし易くなる。セして膜
厚分布は却って悪くなる。
補助電極９を第１図のように取付ける場合には電極の端
部で電極間隔が狭くなる為、従来の装置で生じていた電
極端部の電界強度の低下を防ぐことができる。これによ
ってプラズマ密度は電極端部に至るまで均一になり、均
一に成膜できる面積を拡大することができる。
部で電極間隔が狭くなる為、従来の装置で生じていた電
極端部の電界強度の低下を防ぐことができる。これによ
ってプラズマ密度は電極端部に至るまで均一になり、均
一に成膜できる面積を拡大することができる。
第１表に捌々の高さｈの補助電極９を取付けた場合の効
果を調べた実験データを示す。ただし電極の放電面は５
６０ｍＸ５６０ｍｍで、電極間隔ｄ＝４０ｍ、反応ガス
はＳｉＨ４とＨ２の混合ガスを用い圧力を１１０ ｐａ
、放電時間を３０分としてガラス基板上にａ−８ｉを生
成させた結果である。
果を調べた実験データを示す。ただし電極の放電面は５
６０ｍＸ５６０ｍｍで、電極間隔ｄ＝４０ｍ、反応ガス
はＳｉＨ４とＨ２の混合ガスを用い圧力を１１０ ｐａ
、放電時間を３０分としてガラス基板上にａ−８ｉを生
成させた結果である。
第１表
第１表からも明らかなように補助電極９を取付けること
２こより均一な膜厚の得られる範囲の拡大に成功してい
る。補助電極９の高さｈの最適値は、主として電極間隔
および成膜条件により異なるが、いずれの場合も補助電
極の取付けによって均一膜厚の範囲を拡大できることが
明らかになった。
２こより均一な膜厚の得られる範囲の拡大に成功してい
る。補助電極９の高さｈの最適値は、主として電極間隔
および成膜条件により異なるが、いずれの場合も補助電
極の取付けによって均一膜厚の範囲を拡大できることが
明らかになった。
次に補助電極を取付けた場合の％憾シールドの構造の諸
例を第３図〜第６図に示す。第３図は電極シールド８が
電極７のみを囲っている例である。
例を第３図〜第６図に示す。第３図は電極シールド８が
電極７のみを囲っている例である。
また第４図は電極シールド８が′ｔ！Ｌ極７及び補助電
極９を囲っている例である。また第５図は電極シールド
８及び絶縁シールド１０が電極７を囲っている例である
。また第６図は絶縁シールド１０が電極７及び補助電極
９を囲っている例である。第３図〜第６図のいずれの場
合も、電極７の電極端部が基板保持電極５に接近してお
り、均一膜厚範囲を広げる効果はこの接近によって得ら
れる。
極９を囲っている例である。また第５図は電極シールド
８及び絶縁シールド１０が電極７を囲っている例である
。また第６図は絶縁シールド１０が電極７及び補助電極
９を囲っている例である。第３図〜第６図のいずれの場
合も、電極７の電極端部が基板保持電極５に接近してお
り、均一膜厚範囲を広げる効果はこの接近によって得ら
れる。
なお、本発明の電極形状の改良はこれを同軸型の向１こ
は存在しないが、軸方向に存在するため、軸方向の端部
ｌこおいて膜厚が薄くなる傾向がある。
は存在しないが、軸方向に存在するため、軸方向の端部
ｌこおいて膜厚が薄くなる傾向がある。
この場合も、この端部の高周波電極を基板保持電極に向
って突出させ接近させることにより、端部の生成膜厚の
薄くなるのを防ぐことができる。第７図及び第８図に同
軸型プラズマＣＶＤ装置への本発明の適用例を示す。こ
れらの図でも各部材の符号は第２図の部材に対応してい
る。
って突出させ接近させることにより、端部の生成膜厚の
薄くなるのを防ぐことができる。第７図及び第８図に同
軸型プラズマＣＶＤ装置への本発明の適用例を示す。こ
れらの図でも各部材の符号は第２図の部材に対応してい
る。
第７図は高周波印加電極が基板保持電極の外側にある場
合を示したものである。円筒状基板の場合は、この図の
ように、基板保持電極が基板そのものになることがある
。
合を示したものである。円筒状基板の場合は、この図の
ように、基板保持電極が基板そのものになることがある
。
第８図は高周波印加電極が内側にある場合の図である。
第７図及び第８図のいずれの場合も、軸方向の端部の補
助電極９の突き出しにより均一膜厚範囲を広げることが
できる。
助電極９の突き出しにより均一膜厚範囲を広げることが
できる。
（発明の効果）
本発明によｎば、電極面積を拡張することなく、膜厚を
均一に成膜することのできる面積を拡大したプラズマＣ
ＶＤ装置を提供することができる。
均一に成膜することのできる面積を拡大したプラズマＣ
ＶＤ装置を提供することができる。
第１図は本発明の実施例の平行平板型プラズマＣＶＤ装
置の概要を示す。第２図は従来の同様の装置を示す。第
３図〜第６図は本発明の他の実施例の電極部分の拡大図
である。第７図及び第８図は同軸型プラズマＣＶＤ装置
における本発明の実施例の概要を示す。
置の概要を示す。第２図は従来の同様の装置を示す。第
３図〜第６図は本発明の他の実施例の電極部分の拡大図
である。第７図及び第８図は同軸型プラズマＣＶＤ装置
における本発明の実施例の概要を示す。
Claims (1)
- 互にその表面を平行にして対向している高周波印加電極
と基板保持電極とをそなえるプラズマＣＶＤ装置におい
て、該高周波印加電極の端部を該基板保持電極に向って
突出させたことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25028984A JPS61127866A (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25028984A JPS61127866A (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61127866A true JPS61127866A (ja) | 1986-06-16 |
Family
ID=17205689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25028984A Pending JPS61127866A (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61127866A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996031997A1 (fr) * | 1995-04-07 | 1996-10-10 | Seiko Epson Corporation | Equipement de traitement de surface |
| US5753886A (en) * | 1995-02-07 | 1998-05-19 | Seiko Epson Corporation | Plasma treatment apparatus and method |
| US5831238A (en) * | 1993-12-09 | 1998-11-03 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for bonding using brazing material at approximately atmospheric pressure |
| US5835996A (en) * | 1995-12-18 | 1998-11-10 | Seiko Epscon Corporation | Power generation method and power generator using a piezoelectric element, and electronic device using the power |
| US5918354A (en) * | 1996-04-02 | 1999-07-06 | Seiko Epson Corporation | Method of making a piezoelectric element |
| US6004631A (en) * | 1995-02-07 | 1999-12-21 | Seiko Epson Corporation | Apparatus and method of removing unnecessary matter and coating process using such method |
| US6051150A (en) * | 1995-08-07 | 2000-04-18 | Seiko Epson Corporation | Plasma etching method and method of manufacturing liquid crystal display panel |
| US6332567B1 (en) | 1996-03-18 | 2001-12-25 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric element, manufacturing method thereof, and mounting apparatus of piezoelectric resonators |
| US6342275B1 (en) | 1993-12-24 | 2002-01-29 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for atmospheric pressure plasma surface treatment, method of manufacturing semiconductor device, and method of manufacturing ink jet printing head |
| USRE42307E1 (en) | 2001-08-21 | 2011-04-26 | Intersil Americas Inc. | Thermally compensated current sensing of intrinsic power converter elements |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59199037A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-12 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 薄膜生成装置 |
-
1984
- 1984-11-27 JP JP25028984A patent/JPS61127866A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59199037A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-12 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 薄膜生成装置 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5831238A (en) * | 1993-12-09 | 1998-11-03 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for bonding using brazing material at approximately atmospheric pressure |
| US6342275B1 (en) | 1993-12-24 | 2002-01-29 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for atmospheric pressure plasma surface treatment, method of manufacturing semiconductor device, and method of manufacturing ink jet printing head |
| US5753886A (en) * | 1995-02-07 | 1998-05-19 | Seiko Epson Corporation | Plasma treatment apparatus and method |
| US6004631A (en) * | 1995-02-07 | 1999-12-21 | Seiko Epson Corporation | Apparatus and method of removing unnecessary matter and coating process using such method |
| WO1996031997A1 (fr) * | 1995-04-07 | 1996-10-10 | Seiko Epson Corporation | Equipement de traitement de surface |
| US6051150A (en) * | 1995-08-07 | 2000-04-18 | Seiko Epson Corporation | Plasma etching method and method of manufacturing liquid crystal display panel |
| US5835996A (en) * | 1995-12-18 | 1998-11-10 | Seiko Epscon Corporation | Power generation method and power generator using a piezoelectric element, and electronic device using the power |
| US6332567B1 (en) | 1996-03-18 | 2001-12-25 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric element, manufacturing method thereof, and mounting apparatus of piezoelectric resonators |
| US5918354A (en) * | 1996-04-02 | 1999-07-06 | Seiko Epson Corporation | Method of making a piezoelectric element |
| USRE42307E1 (en) | 2001-08-21 | 2011-04-26 | Intersil Americas Inc. | Thermally compensated current sensing of intrinsic power converter elements |
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