JPS61121393A - 多層配線板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は多層配線板の製造方法に関し、特に高密度実装
を要求されるコンピューター等のプリント回路基板や、
Ｌ８Ｉ実装用の回路モジュール等に使用される多層基板
を、高性能でかつ経済的に製造する方法に関する。

〈従来技術〉 従来、コンピューターや通信機器等に使用される回路基
板としては、ガラス繊維にエポキシ樹脂やポリイミド樹
脂を含浸させたものの両面に銅箔を設けた基板があり、
又、配線密度をあげるため内層にも導体パターン層を設
け、各層の導体パターンをスルーホールメッキで接続さ
せた多層プリント回路基板がある。あるいは、アルミナ
セラミックやガラス等の無機絶縁基板の面上に印刷方式
にて金属／６タ一ン層を形成した厚膜配線基板、更には
樹脂基材や無機絶縁基板の面上にメッキや蒸着等の方式
にて金属ｔＲターン層を形成した、いわゆる薄膜配線基
板が用いられている。

これらの方式の場合、導体パターン層の上下間の接続の
為に絶縁層をドリル又は／ぞンチングにより穴あけ加工
を行い、この大円をメッキ法や導電性を有する材料で穴
埋めする方法がとられてきたが、Ｆリル径やＡンチング
ビンの微小化の限界から超高密度配線が困難となってい
る。

近年超大型コンピューターの高速演算化の為に超高密度
配線技術の要求が高く、これに対して絶縁層やバイアホ
ール（スルーホール）形成にＬ８Ｉで用いられるドライ
エツチングや湿式エツチング技術を応用して微細化をは
かつているが、プロセスが複雑なために製造コストが著
しく高いものとなり、実用化が困難となっている。又、
湿式エツチング法はフォトレジストを用いて絶縁層をエ
ツチングするため、約４５°のチー、Ｒ−角をもったバ
イアホールしか形成出来ず、絶縁層の膜厚にバイアホー
ル径が依存する欠点を有し、例えば膜厚２０μｍの絶縁
層に対し小径を２０μｍ確保するには大径は６０μｍに
なり、高密度実装への阻害要因になっている。

この欠点を解決するためにフォトレジストをそのまま絶
縁層として用いる試みがなされ、例えば特開昭５８−１
１９６９５号公報に開示されている。しかしながら開示
された樹脂の耐熱性が低い為に、Ｌ８Ｉｔ−実装する際
にかかる熱に耐えられず、偏頼性を欠く欠点を有してい
る。

更に、フォトレジストに耐熱性を付与するために、感光
性ポリイミＦ％前駆体を用いることが容易に考えられる
。しかしながら、特開昭５４−１４５７９４号公報、特
開昭５７−１６８９４２号公報等に記載された感光性ポ
リイミド前駆体を多層配線板の絶縁層として用いた場合
、導電性材料として使用する銅表面でこれらの樹脂が紫
外線を照射しなくても全面で硬化してしまい、バイアホ
ールを形成出来ない欠点があるので、樹脂と銅が直接接
触しない様に銅表面に’ｒｔ−？ｏｒの薄層を形成する
前処理工程を必要とする。したがってプロセスが非常に
複雑となり、実用化が離しい。

〈発明が解決しようとする問題点〉 本発明は上記の欠点を除き、極めて微小径のバイアホー
ルを精度よく形成し、又平坦性にも優れた多層配線板を
効率よく形成することを可能にした高密度実装に適した
配線板の製造方法を提供することを目的とする。

く問題点を解決するための手段〉 即ち、本発明は、（イ）支持基板の表面に導電性／Ｊタ
ーンを形成する工程（第一層形成工程）、（ロ）第一層
の表面に、一般式 〔式中のＸは（２＋ｎ）価の炭素環式基又は複素環式基
、Ｙは（２＋ｍ）価の炭素環式基又は複素−０−０−Ｎ
Ｈ−、Ｒは炭素−炭素二重結合を有する基、Ｗは熱処理
により一００ＯＲのカルボニル基と反応して環を形成し
うる基、ｎは１又は２、ｍは０，１又は２であり、かつ
０ＯＯＲと２は互いにオルト位又はペリ位の関係にある
〕で示される繰返し単位を有する光架橋性重合体層を設
け、該階上にフォトマスクを介して光照射し現像により
バイアホール用穴を形成し、ひきつづき該層を熱処理し
て高絶縁化する工程（絶縁層形成工程）、（／→更に該
層の表面に導体回路金形成し、バイアホール用穴を介し
て下層回路と電気的に接続する工程（配線層形成工程）
を含むことを特徴とする多層配線板の製造方法に関する
ものである。

本発明の第一層形成工程とは、アルミナセラミック板、
ガラス板、樹脂あるいはホーローで絶縁処理されたアル
ミ、鉄などの金属板、ガラス布基材エポキシ基板、ガラ
ス布基材ポリイミド基板、ポリイミ１４フィルム等から
選ばれた支持基板の表面に、メッキ法、蒸着法、スノソ
ツタ法、加圧接着法等で銅および／又はクロム等の導体
パターンを形成する工程である。

導体形成の具体例を示すと、下地基板を有機剤、酸ある
いはアルカリ水溶液から選ばれた洗浄剤で洗浄するか、
あるいは０．、ＯＦ４等を含むガスを用いプラズマエツ
チングにて表面をクリーニングする。その後、スパッタ
リング装置を用いクロム、鋼、金、ニッケル、アルミ等
から選ばれた金属をターゲットとし、単層ないしは複層
を下地基板の上に沈着させる。スパッタリングを用いた
場合、下地基板と導体の接着力がすぐれたものとなる。

又、蒸着により下地基板に導体を形成することも可能で
ある。更にこの導体層の上に電気メッキ等によシ銅等の
導体金属全沈着させ導体厚さを厚くする方法も可能であ
る。プロセス的にすぐれた方法としては、下地基板に無
電解メッキで銅層を形成したのち、メツキレシストを用
い／ｅターンメッキ法により導体パターンを形成する方
法があげられる。

更に、コスト的に有利な方法としては、銅箔等の金属箔
をラミネートし、化学エツチングにＬＤパターンを形成
する方法や、パターンを形成する方法や、スクリーン印
刷で導電性材料を印刷しパターンを形成゛する方法があ
げられる。

この第一層形成工程において、導体だけでなく通常厚膜
インキと称せられているペーストにより、抵抗体パター
／やコンデンサーパターンを形成し、第一層に機能回路
を形成することも可能である。

本発明の絶縁層形成工程とは、感光性１合体を絶縁層と
して用い微細バイアホールを形成する工程である。以下
に、さらに詳しく述べる。

まず、一般式 で示される繰り返し単位を有する重合体にミヒラーズケ
トン等の紫外線吸収ピーク波長が３００〜５００ｎｍに
ある増感剤を加え、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル
ピロリドン等の溶剤に溶解し、スピンコーター、ロール
コータ−１あるいはスクリーン印刷機等の塗布機を用い
て支持基板の上に塗布し、熱風乾燥機やホットプレート
等を用い溶剤を除去し塗膜を形成させる。

つづいてフォトマスクを使用し、バイアホール部以外の
部分に紫外線を照射し硬化させる。Ｔ−ブチロラクトン
、Ｎ−メチルピロリド７等の現像液、イソゾロビルアル
コール、キシレン等＋７）リンス液で未露光部を現像除
去してノ々イアホールを形成し、２００〜４５０℃の熱
処理により耐熱性の優れた絶縁層を形成する。

式（１）で示される重合体についてさらに詳しくのべる
と、式中のＸは三又は四価の炭素環式基又は撞素環式基
であって、このよりなＸとしては、例、ｔばベンゼン環
や、ナフタレン環、アントラセン環などの縮合多環芳香
環、ピリジン、チオフェンなどの複素環式基、及び一般
式（Ｉ［ｊｔ Ｘ：はＯＨ３又はＯＦｌである〕 で示される基などが挙げられる。これらの中で炭素数６
〜１４の芳香族炭化水素基や、Ｘｌが＋０Ｈｄ−。

ＯＦ。

― しく、さらに式 （ｑはＯ又は１である） （Ｌ）　　　　　　　　　　（ＩＩｇ）で示されるもの
が好ましい。

前記一般式（Ｉ）におけるＹは二、三又は四価の炭素環
式基又は複素環式基であって、このようなものとしては
、例えばす７タレン、アントラセンなどに由来する炭素
数１０〜１８の二価の芳香族炭化水素環、ピリジン、イ
ミダゾールなどに由来する複素環式基及び式 ｙ、　　　　　Ｙ４ 〔式中のＹｌはＨ＋　ＯＨｓ＊　（ＯＨｓ）ｔＯＨ＊　
０ＯＨｓ　＋０００Ｈ、ハｐグ／）Ｉｔ子又は８０３Ｈ
ｅ　Ｙｚは＋０Ｈｄ−。

（ただし、ｐは０又は１である）、−８Ｏｘ　　＊ＯＨ
。

ＯＨ，０ Ｙ３及びＹ４はＨｗ　ＯＨｓ　＊　０１Ｈｓ　ｔ　０Ｏ
Ｈｓ　ｒハロゲン原子、０ＯＯＨ，５ＯｓＨ又はＮＯｘ
、Ｙｇ及びＹ−はＨ，ＯＮ。

ハロゲン原子＋　ＯＨ３＋　ｏｃ）ｆａ、　８０３Ｈ又
はＯＨである〕 で示される基などが挙げられる。これらの中で炭素数１
０〜１４の二価の芳香族炭化水素環や、Ｙｚが＋ＯＨ，
−）−、（ただし、ｐは０又は１）、−υ。

８０２　　＊　　Ｏ−又は−Ｓ−で、かつＹ３及び￥４
がともに水素原子である式（ＩＩｓ）で示される基が好
ましく、さらに式 で示される基が好ましい。

前記一般式（Ｉ）におけるＷは、熱処理によりＲＯＭ（
Ｂは前記と同じ意味をもつ）ｔ−脱離せしめるに際し、
−００ＯＲのカルゼニル基と反応して環を形成しうる基
であって、このようなものとしては、特に−０−Ｎ　Ｈ
ｘが好適である。また、ｎとしては、２が好ましい。

本発明に用いられる重合体は、一般式 で示される化合物と、一般式 Ｗ で示される化合物とを重縮合又は重付加することにより
得られる。前記一般式間におけるｚｌの例としてｈ、−
０００Ｈ（Ｍｌ）、−０００１（Ｖり　、　−ＮＯＯ（
Ｖｓ）　。

−ＮＨｘ　（”／ａ）　、　−ＯＨ（Ｖｓ）があり、そ
れぞれに対応する一般式（Ｖ）の略号ｔ−（）内に示す
。また一般式（至）におけるＺ、（７）例としては、−
ＣＯＣｌ、　（Ｍｔ）　、　−０００Ｈ（Ｖｈ）。

−−ＮＯＯ（■３）　、　　ＮＴ（ｚ　（■ａ）があり
、それぞれに対応する一般式（至）の略号をかっこ内に
示す。なおＸ　、　ＬＹ及びＷは前記と同じ意味をもつ
。

前記の一般式（■で示される化合物と一般式（至）で示
される化合物との重縮合又は重付加反応により、２１と
ｚ冨とが反応して結合鎖２が形成する。この際の２１と
２２との好ましい組合せ、生成する２の穐類及び得られ
た重合体を加熱処理したときに生成する環構造名をまと
めて第１表に示す。

以下余白 第　　　１　　　表 〔注〕秦１環構造 工Ｍ　：　イミド環 ゛　　ＱＤ　ニ　キナゾリンジオン環 ＯＤ　：　オキサジンジオン環 なお、第１表における番号１及び２０組合せで、Ｗが０
ＯＮＨ，の場合は、加熱処理によりインインドロキナゾ
リンジオン環が形成され、この構造のものは特に高い耐
熱性を示すので好ましい。

また、（イ）成分の重合体は次に示す方法によっても製
造することができる。すなわち、一般式％式％（７） （式中のＸは前記と同じ意味をもつ） で示される化合物を前記一般式（■３）又は（■４）で
示される化合物と反応させて得られた生成物のカルゼキ
シル基金、一般式 （式中のＲは前記と同じ意味を、もつ）で示されるエポ
キシ化合物と反応させることにより、該重合体が得られ
る。この反応における好ましい組合せと反応式上式（”
１ｌｔ）　、　（■２）及び（■、）に示す。　　゛ 以下余白 〒 ■ 閲 ＝ ＋ ＋　　　　　　　　　　　ト に ／″＼　　　　　　／＼ ＋ ＋　　　　　　　　　　　　　　冶 ＝ 甲 山 ＋　　　　　　山 〒 前記の一般式（ｖｌ）で示される化合物は、例えば一般
式（ｖ６）で示される酸無水物をＲＯＨ（Ｒは前記と同
じ意味をもつ）で開環させて得られる。核酸無水物（Ｖ
＠）としては、例えば無水ピロメリット酸、３　、３’
ｌ　４　、４’−ペンゾフエノンテトラカルゼン酸二無
水物、３．３’、４．４’−ジフェニルエーテルテトラ
カルゼン酸二無水物、３＋３’５４１４’−ジフェニル
テトラカルゼン酸二無水物、３＃３’１４１４’−ジフ
ェニルスルホンテトラカルゼン酸二無水物、２，３．６
゜７−す７タレンテトラカルゼン酸無水物、チオ７エン
ー２．３，４．５−テトラカルダン酸無水物、２゜２−
ビス−（３，４−ビスカル２キシフエニル）プロノぞン
無水物などが挙げられ、アルコールＲＯＭとしては、例
えばアリルアルコール、クロチルアルコール、ケラニオ
ール、ネロール、シトロネロール、ペリリルアルコール
、ヒドロキシメチルスチレンなどが挙げられる。これら
の酸無水物（■＠）をアルコールＲＯＭと反応させるに
際して、ピリジン、ジメチルアミノピリジンなどを添加
することにより反応が加速される。

前記の第１表における番号１及び２０組合せは好ましい
実施態様の１例であり、この組合せで用いられる一般式
（■４）で示されるジアミンとしては、例えば４，４′
−ジアミノジフェニルエーテル、４゜４′−ジアミノビ
フェニル、２．４−ジアミノトルエン、４．４’−ジア
ミノベンゾフェノン、４．４’−ジアミノジフェニルス
ルホ／、フェニルイソダンジアミン、４．４’−ジアミ
ノジフェニルメタン、ｐ−フェニレンジアミ７、ｍ−７
二二レンシアミン、１．５−ジアミノナフタレ７．３．
３’−ジメトキシ−４，４’−ジアミノビフェニル、３
．３′−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、０
−）ルイジンスルホン、２，２ビス（４アミノフエノキ
シ７エ二ル）プロパン、ビス（４アミノフエノキシフエ
ニル）スルホン、ビス（４アミノフエノキシフエニル）
スルフィド、ｌ、４ビス（４アミノフエノキシ）ベンゼ
ン、１，３ビス（４−アミンフェノキク）ベンゼン、３
．４’ジアミノジフエニルエーテル、９．９−ビス（４
−アミノフェニル）アントラセン−（１０）、９．９ビ
ス（４アミノフエニル）フルオレン、３．３′ジアミノ
ジフエニルスルホン、４．４’−ジー（３−アミノフェ
ノキシ）ジフェニルスルホン、４．４’ジアミノベ／ズ
アニリド、３．４’ジアミノジフエニルエーテル、４．
４’−（１、ａ−フェニレンビス（１メチルエチリデン
））、４．４’−［：１．４−フェニレンビス（１−メ
チルエチリデ／）〕、４．４’−（ｍ−フェニレンジイ
ソプロピリデン）ビス（ｍ−トルイジン）、４．４’−
（１）−フェニレンジイソプロピリデン）ビス（ｍ−）
ルイジン）などが挙げられる。

さらに、前記一般式（りにおける几は炭素−炭素二重結
合を有する基であって、このようなものとしては、例え
ば、 −Ｒ“−０Ｈ＝ＯＨｚ　　　　　　　　　　　　　　　
　　（Ｄｉｓ）〔式中Ｒ′は、水素原子、又は、メチル
基、Ｂ”は、炭素数１ないし３のアルキル基、ｍは１な
いし２〕などが挙げられ、 （ＩＩ［ｔ）の例としては、 一０Ｈ２−０−０−ＯＨ＝ＯＨ＊ （ｍｚ）の例としては、 （■３）の例としては、 （■４）の例としては、 （Ｌ）の例としては、 一０Ｈｚ　　０Ｈ＝ＯＨｓ −ＯＨ，−ＯＨ，−０Ｈ＝ＯＨ。

（Ｉ６）の例としては、 などがあげられる。

光反応性組成物に有用な光重合開始剤は一般に使用され
るものでよいが、本発明に適するものは、例えばアント
ラキノン、２−メチルアントラキノン、２−エチルアン
トラキノン等のアントラキノン誘導体、ベンゾイン、ベ
ンゾインメチルエーテル、ベンゾインブチルエーテル等
のベンゾイン誘導体、クロルチオキサントン、ジイソプ
ロピルチオキサントン等のチオキサントン誘導体、ベン
ゾフェノン、４．４’−ジクロルベンゾフェノン、ミヒ
ラーケトン（４、４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾ
フェノン、４．４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンツ７
’：ｒ−／ン〕、シヘンゾス／マロン、アンスロン、ビ
アンスラニル０−ベンゾイル安息香酸メチル等のベンゾ
フェノン誘導体、ベンジル、ベンジルジメチルケタール
、ベンジル−β−メトキシエチルアセタール等のベンジ
ル誘導体、ｐ−ジメチルアミノアセトフェノン、ｐ−１
−ブチルトリクロロアセトフェノン、２−ヒドロキシ−
２−メチル−ゾロビオフェノン、２．２−ジェトキシア
セトフェノン等のアセトフェノン鱒導体。１−７エニル
ー１．２−プロパンジホンー２−（ｏ−メトキシカルゼ
ニル）オキシム、１−フェニルＬ、２−７”ロパンジオ
ンー２−（ｏ−エトキ７力ルゼニル）オキシム、１−フ
ェニル−１，２−ｆロパンシオンー２−　（ｏ−ベンゾ
イル）オキ７ム等のオキジム類が挙げられる。さらにこ
れらの開始剤と共に増減剤を用いることも出来る。これ
ら光重合開始剤等の使用量に制限はないが、好ましくは
０．１ないし１５％、さらに好ましくは０．５ないし０
％である。

本発明でいう配線層形成工程とは、メッキ法、スパッタ
リング法、蒸着法等によシ絶縁層表面に銅、クロム等の
配線、パターンを形成し、同時にバイアホール部を導体
化し、下層の導体パターンと電気的に接続する工程であ
る。鬼にくわしくのべると、たとえばメッキ法による配
線層形成方法の場合、支持基板又は絶縁層を液体ホーニ
ングあるいはプラズマエツチング等によシ粗面化し、該
層表面及びノ々イアホール用大円のぬれ性・接着性を改
善し、全面に有機酸銀塩等を用いて活性化処理を施し全
面に無電解鋼メッキを行い導体層を形成する。

次にフォトレジストを用い配線パターン以外の部分をマ
スクし、電気メッキにより銅配線パターンおよびバイア
ホール内部のメッキを行う。次に７オトレジストを剥離
し、過硫酸アンモニウム水溶液でクイックエツチングし
、配線部以外の不要な無電解メッキ部を除去する。この
方法における無電解メッキ法にかえてスパッタリングや
蒸着によシ配線／ぞターンを形成する方法もある。

この絶縁層形成と配線層形成を繰り返し行うことにより
、複数層の配線層をもつ多層配線板を製造することが出
来る。

以上説明した如く、本発明の製造方法は予め導体パター
ンを形成した後に重合体を形成するために、各層が平坦
な層となる特長を有する。特に本発明の絶縁層形成に使
用される重合体は、高濃度樹脂溶液にしても粘度が低く
２さえられるために塗膜形成性に優れ、かつ平坦化に大
きく寄与するとともに、厚い絶縁層が一度の塗布操作で
形成出来る特長を有し、接続信頼性に優れた高密度実装
用基板を提供することが出来る。又、上部導体パターン
と下部導体ノぞターンを接続するだめのバイアホール導
連体の形成において、フォトレジストを使用せずに直接
絶縁層をフォトプロセスで形成するので非常に微細な加
工が可能となり、高密度化とプロセスの簡略化をはかる
ことが出来る。

更に、絶縁層に形成されたパイ７ホール部の導体には、
電気的に接続する目的のみならず実装されたＬＳＩ等の
部品から発生する熱の導体としての効果があり、除熱設
計も本発明の多層配線板において可能となる。次に本発
明及びその効果を実施例により説明するが、本発明はこ
れによシなんら限定されるものではない。

まず本発明に使用する絶縁層を形成する重合体の製法を
参考例１〜３により説明する。

参考例１ ３ｔの七ノにラブルフラスコにピロメリット酸二無水物
４３．６　ｒ、２−ヒドロキシエチルメタクリレート５
１．１ｍ、γ−ブチロラクトン７４０ｄ及びピリジン１
０５１ｒＬｔを加えて室温で２０時間攪拌した。この溶
液（氷冷下、塩化チオニルｓｏｙを１時間かけて滴下し
、その後、室温で２時間攪拌を行った。

この溶液に４．４７−ジアミノジフェニルエーテル３１
．８２とＴ−ブチロラクトン３５０ｘｄの混合物を加え
て２時間攪拌した。さらにエタノール５１．４ｍを加え
１０時間攪拌した。次いでＴ−ブチロラクトン８００１
Ｅ／を加え、１０ｔの水中にゆっくりと注入したとこと
糸状の固形物が析出した。水を数回交換してよく洗浄し
ろ通抜、エタノールと水で充分に洗浄した後、真空乾燥
を行った。この粉末ポリマー２５２、ミヒラーズケトン
１．５２をＮ−メチルピロリドン３５−ＰＫ溶解しポリ
マー溶液Ｃ−１を得た。

参考例２ ピロメリット酸二無水物の変わりに、ペンゾフェノンテ
トラカルゼン酸二無水物６４．４　ｆを使った以外は参
考例１と同様に合成した。

この粉末ポリマー２５１、ミヒラーズヶトン１．５ｆを
Ｎ−メチルピロリドン２５５’に溶解しポリマー溶液０
−２を得た。

参考例３ ジアミノジフェニルエーテル１１０ｆｔＮ−メチルピロ
リドン２９０ｔＶＣ溶解しアミン溶液を調整した。

ヘンゾフェノンテトラカルデン酸二無水物１７７１をジ
メチルアセトアミド３１０ｆに分解させ、次にＮ−メチ
ルピロリドン１８０ｆを加えて溶解させ酸溶液を調整し
た。３ｔのセパラブルフラスコを用い、６０℃のアミン
溶液に酸溶液を加え３時間反応させることによシ重合体
溶液を得たこの重合体溶液ｓ　ｏ　ｙ、ミヒラーズヶト
ン１．２ｆを３０？のＮ−メチルピロリドンに溶解し九
溶液及びジメチルアミノエチルメタクリレート９．６１
をＮ−メチルピロリドン１０ｔに溶解した溶ａｔ−混合
し、ポリマー溶液Ｃ−３を得た。

実施例１ ５０ｍ角、厚さ１ｍのセラミック基板を脱脂・洗浄後、
ス・セックリング装置（日電アネルパ製５ＰＦ−４３０
Ｈ）により、ｘｏｏｏｉのＯｒ、およびｚｓｏｏ＋ｔＡ
のＱｕを付着させる。その後メツキレシストのためのフ
ォトレジスト（マイクロポジットＴＦ−２０．ｙプレー
社！！りを６　ｔｔｍ厚さに）’！夕＝ノグした。つづ
いて硫酸鋼メッキ浴に入れ、電流密度５０ｍ人／ｃｍ”
で銅メッキを行ない、厚さ５μｍ１ライン巾５０μｍ１
　ランド径１００μｍ１ランＰ間’ｓｏｏμｍの銅パタ
ーンを得た。

メツキレシストを専用リムーバーで除去したのち、過硫
酸アンモニウム水溶液および硝酸セリウム水溶液で不要
のＯｕおよびＯｒ　ｌｉｉをクイックエツチングした。

得られた第一層配線基板に参考例１で調製したポリマー
溶Ｈａ−１を、スピンコーターを用いて７００ｒｐｍ、
　１０秒の回転で成膜したのち、７０℃の熱風乾燥機を
用いて４０分乾燥した。

次いで、これに７５μｍφの黒丸が５００μｍ格子間隔
についているフォトマスクを密着させ、２５０Ｗ超高圧
水銀灯を有したマスクアライナ−（露光後）を用い２分
間Ｍ光した。露光後、γ−ブチロラクトン／イソプロピ
ルアルコール（１層１体積比）の現像液に６０秒浸漬し
たのち、イソプロピルアルコールでリンスした。引続き
Ｎｘ７Ｊ囲気下で２００℃１時間、更に４００℃ＩＦＲ
ｊ間熱処理し熱硬化した。

得られた絶縁層の厚さは１０μｍであった。

次に該層表面及び−ζイアホール内を液体ホー二／グ（
２ｋｇ／ｅｓ”）で洗浄・粗面化した。次に、これに無
電解メッキの為の前処理（車灯化学製ＭＫ　−２００及
びＭＫ−３３０を使用）を行ったのち、無電解メッキ（
車灯化学製ＭＫ−４５０）に浸漬し、無電解メッキした
。次に第一層配線パターンと同様の方法で電気メツキ法
により５μｍ厚さの第二層配線パターンを形成させた。

同様にして絶縁層形成と配線パターン形成を繰返し、配
線層が４層からなる多層配線板を製造した。このノ々イ
アホールをＳＯＯ穴有する多層配線板を用いて４２０℃
の乾熱放置６０分、２３℃の室温放置６０分のヒートシ
ョックテストを５０回行なったのち、バイアホール接続
信頼性評価を行たところ、断線等の異常にみられなかっ
た。

実施例２ ポリマー溶液０−２を用い、実施例１と同様の方法で５
層構造の多層配線板を製造した。

この多層配線板を切断し、バイアホール部の断面を樹脂
包理法により観察した。その結果、７０士５μｍ径のバ
イアホールが約７５°のチー、ｅ−角で形成されている
ことがわかった。

比較例１ ポリマー溶液０−３を用い、実施例１と同様の方法で２
層配線板を形成した。ノ々イアホールの導通テストを行
だところ、第一層配線と第二層配線は導通していなかっ
た。

比較例２ 絶縁層としてノぐイラリンＰＩ−２５５５（デュポン製
）を用い、ＯＭＲ−８３（東京応化工業製）を・９イア
ホール形成用エツチングレジストとしてアルカリエツチ
ングし、バイアホールを形成した以外は実施例１と同様
の方法で４Ｎ配線板を製造した。

実施例２と同様にしてバイアホール部の断面を観察した
結果、絶縁層厚さは１０μｍであり、テーパー角は約４
５°であった。ノ々イアホール上部の径は１００μｍ以
上であり、ランＦ径１００μｍｆ、超えた。

〈発明の効果〉 本発明に使用する光架橋性重合体は、高濃度溶液にして
も粘度があがらないために、高濃度溶液で塗布して絶縁
層を形成することが出来、多層配線化した場合でも平坦
性に優れた成形性を与える。

又、この重合体の有する優れた特長によい、バイアホー
ル部の形状をコントロールすることが出来る。更にまた
、銅表面上に塗布してもゲル化がおこらず、前処理をす
ることなく絶縁層を形成することが出来る。以上によシ
、本発明によれば接続信頼性が高く、微細パターンを有
する高密度多層配線板を簡易なプロセスで製造すること
が出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図Ｈ−ｙ　ｊは本発明の多層配線板製造における各
工程での一具体例を示した断面概略図である直は支持基
板に第一層配線層を形成した断面図である。ｂ　−ｄは
バイアホール金有する絶縁層形成工程を示す断面図であ
る。ｂは第一層配線層の表面に本発明による感光性重合
体３を塗布し、乾燥した断面を示す。Ｃはフォトマスク
４を介し、超高圧水銀灯により紫外線を照射し、感光性
重合体３を硬化させる工程である。ｄはＮ−メチルピロ
、リドン／イソプロピルアルコールからなる現像液で未
硬化部を除去し、ツクターニングした後に熱処理により
耐熱性を付与する工程である。 ６−ｙ　ｊは配線パターンおよびバイアホール導通部全
形成する工程である。 図中、１は支持基板、２は第一層配線パターン、３は本
発明による感光性重合体層、４はフォトマスク、５は紫
外線照射によシ硬化した部分、６は熱処理により硬化し
た絶縁層、７はバイアホール用穴、８は無電解メッキ又
はスノぞツタリング法によるメッキ活性層、９はメッキ
マスク用フォトレジスト、１０は紫外線で硬化したメッ
キマスク、１１は電気メッキによる導体層を示す。 特許出願人　旭化成工業株式会社 第１図 １２怜丹戸ミ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、（イ）支持基板の表面に導電性パターンを形成する
   工程（第一層形成工程）、（ロ）第一層の表面に、一般
   式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中のＸは（２＋ｎ）価の炭素環式基又は複素環式基
   、Ｙは（２＋ｍ）価の炭素環式基又は複素環式基、Ｚは
   ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼ 又は▲数式、化学式、表等があります▼、Ｒは炭素−炭
   素二重結合 を有する基、Ｗは熱処理により−ＣＯＯＲのカルボニル
   基と反応して環を形成しうる基、ｎは１又は２、ｍは０
   、１又は２であり、かつＣＯＯＲとＺは互いにオルト位
   又はベリ位の関係にある〕 で示される繰返し単位を有する光架橋性重合体層を設け
   、該層上にフォトマスクを介して光照射し、現像により
   バイアホール用穴を形成し、ひきつづき該層を熱処理し
   て高絶縁化する工程（絶縁層形成工程）、（ハ）更に該
   層の表面に導体回路を形成し、バイアホール用穴を介し
   て下層回路と電気的に接続する工程（配線層形成工程）
   を含むことを特徴とする多層配線板の製造方法