JP2000103848A - 溶剤可溶性低弾性率ポリイミド - Google Patents
溶剤可溶性低弾性率ポリイミドInfo
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- JP2000103848A JP2000103848A JP27317198A JP27317198A JP2000103848A JP 2000103848 A JP2000103848 A JP 2000103848A JP 27317198 A JP27317198 A JP 27317198A JP 27317198 A JP27317198 A JP 27317198A JP 2000103848 A JP2000103848 A JP 2000103848A
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- polyimide
- structural unit
- mmol
- dianhydride
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 配線基板を形成した際に反りの少ないポリイ
ミドを提供する。 【解決手段】 テトラカルボン酸ジ無水物とジアミンの
反応生成物であるポリイミドであって、シロキサンを1
0〜70重量%含有し、かつ酸価が10〜150mmo
lKOH/100gresinである、溶剤可溶性低弾
性率ポリイミド。
ミドを提供する。 【解決手段】 テトラカルボン酸ジ無水物とジアミンの
反応生成物であるポリイミドであって、シロキサンを1
0〜70重量%含有し、かつ酸価が10〜150mmo
lKOH/100gresinである、溶剤可溶性低弾
性率ポリイミド。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板の部材を
構成する材料として用いることのできるポリイミドに関
し、特に多層プリント基板の絶縁層の材料として用いる
ことのできるポリイミドに関する。
構成する材料として用いることのできるポリイミドに関
し、特に多層プリント基板の絶縁層の材料として用いる
ことのできるポリイミドに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体技術の飛躍的な発展により半導体
パッケージの小型化、多ピン化、ファインピッチ化、電
子部品の極小化などが急速に進み、いわゆる高密度実装
化が進行している。それに伴い、回路基板も片側配線か
ら両面配線へ、さらに多層化、薄型化が進められてい
る。
パッケージの小型化、多ピン化、ファインピッチ化、電
子部品の極小化などが急速に進み、いわゆる高密度実装
化が進行している。それに伴い、回路基板も片側配線か
ら両面配線へ、さらに多層化、薄型化が進められてい
る。
【0003】現在、回路基板の銅パターンの形成には主
としてサブトラクティブ法とアディティブ法が用いられ
ている。
としてサブトラクティブ法とアディティブ法が用いられ
ている。
【0004】サブトラクティブ法は、銅張り積層板に穴
を開けた後に、穴の内部と表面に銅めっきを行い、フォ
トエッチングによりパターンを形成する方法である。こ
のサブトラクティブ法は技術的に完成度が高く、またコ
ストも安いが、銅箔の厚さ等による制約から微細パター
ンの形成は困難である。
を開けた後に、穴の内部と表面に銅めっきを行い、フォ
トエッチングによりパターンを形成する方法である。こ
のサブトラクティブ法は技術的に完成度が高く、またコ
ストも安いが、銅箔の厚さ等による制約から微細パター
ンの形成は困難である。
【0005】一方アディティブ法は無電解メッキ用の触
媒を含有した積層板上の回路パターン形成部以外の部分
にレジストを形成し、積層板の露出している部分に無電
解銅メッキ等により回路パターンを形成する方法であ
る。このアディティブ法は、微細パターンの形成が可能
であるが、コスト、信頼性の面で難がある。
媒を含有した積層板上の回路パターン形成部以外の部分
にレジストを形成し、積層板の露出している部分に無電
解銅メッキ等により回路パターンを形成する方法であ
る。このアディティブ法は、微細パターンの形成が可能
であるが、コスト、信頼性の面で難がある。
【0006】多層回路基板の場合には、上記の方法によ
って作製した片面あるいは両面の回路基板を、ガラス布
にエポキシ樹脂等を含浸させた半硬化状態のプリプレグ
と一緒に加圧積層する方法が用いられている。この場
合、プリプレグは各層の接着剤の役割をなし、層間の接
続はスルーホールを形成して内部に無電解メッキ等を施
すことにより行っている。
って作製した片面あるいは両面の回路基板を、ガラス布
にエポキシ樹脂等を含浸させた半硬化状態のプリプレグ
と一緒に加圧積層する方法が用いられている。この場
合、プリプレグは各層の接着剤の役割をなし、層間の接
続はスルーホールを形成して内部に無電解メッキ等を施
すことにより行っている。
【0007】また高密度実装化の進展により、多層回路
基板においては薄型化及び軽量化と、その一方で単位面
積当たりの高い配線能力が要求され、一層当たりの基板
の薄型化や、層間の接続あるいは部品の搭載方法等に様
々な工夫がなされている。
基板においては薄型化及び軽量化と、その一方で単位面
積当たりの高い配線能力が要求され、一層当たりの基板
の薄型化や、層間の接続あるいは部品の搭載方法等に様
々な工夫がなされている。
【0008】しかしながら、上記のサブトラクティブ法
により作製された両面回路基板を用いた多層回路基板の
作成は、両面回路基板の穴形成の為のドリル加工の精度
と、微細化に限界があるために高密度化の限界があり、
製造コストの低減も困難であった。
により作製された両面回路基板を用いた多層回路基板の
作成は、両面回路基板の穴形成の為のドリル加工の精度
と、微細化に限界があるために高密度化の限界があり、
製造コストの低減も困難であった。
【0009】一方、近年では上述のような要求を満たす
ものとして、基板上に導体パターン層と絶縁層とを順次
積層して作製される多層配線板が開発されている、この
多層配線板は、銅メッキ層のフォトエッチングと感光性
樹脂のパターニングを交互に行って作製される為、高精
細な配線と、任意の位置での層間接続が可能となってい
る。
ものとして、基板上に導体パターン層と絶縁層とを順次
積層して作製される多層配線板が開発されている、この
多層配線板は、銅メッキ層のフォトエッチングと感光性
樹脂のパターニングを交互に行って作製される為、高精
細な配線と、任意の位置での層間接続が可能となってい
る。
【0010】しかしながらこの方式では、銅めっきとフ
ォトエッチングを交互に複数回行うため工程が煩雑とな
り、また、基板上に1層ずつ積み上げる直列プロセスの
ため、中間工程でトラブルが発生すると製品の再生が困
難となり、製造コストの低減に支障をきたしていた。
ォトエッチングを交互に複数回行うため工程が煩雑とな
り、また、基板上に1層ずつ積み上げる直列プロセスの
ため、中間工程でトラブルが発生すると製品の再生が困
難となり、製造コストの低減に支障をきたしていた。
【0011】さらに、従来の多層回路基板においては、
層間の接続がバイアホールを作成することにより行われ
ていたため、煩雑なフォトリソグラフィー工程が必要で
あり、製造コストの低減の妨げとなっていた。
層間の接続がバイアホールを作成することにより行われ
ていたため、煩雑なフォトリソグラフィー工程が必要で
あり、製造コストの低減の妨げとなっていた。
【0012】一方、回路基板における絶縁層の形成方法
の1つとして、所望の導電性パターンを形成した後、こ
の導電性パターン上に樹脂電着法で絶縁樹脂層を形成し
て絶縁性パターンとする方法が特開平8−116172
号公報に開示されている。
の1つとして、所望の導電性パターンを形成した後、こ
の導電性パターン上に樹脂電着法で絶縁樹脂層を形成し
て絶縁性パターンとする方法が特開平8−116172
号公報に開示されている。
【0013】このような絶縁パターンの形成に用いられ
る樹脂としては、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ウ
レタン系樹脂等が挙げられる。しかしながら、これらの
樹脂はいずれも耐熱性、電気絶縁性等の特性を十分に満
足させることが出来ず、得られた絶縁パターンの特性は
不十分であった。
る樹脂としては、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ウ
レタン系樹脂等が挙げられる。しかしながら、これらの
樹脂はいずれも耐熱性、電気絶縁性等の特性を十分に満
足させることが出来ず、得られた絶縁パターンの特性は
不十分であった。
【0014】これに対し、優れた絶縁性と耐熱性とを備
えるものとしてポリイミド樹脂が知られており、上述の
電着法により、ポリイミド樹脂からなる絶縁性パターン
を形成する方法が提案されている。この場合、電着性を
持たせるため、ポリイミド樹脂にカルボキシル基を導入
させてある。このポリイミド電着を用いることにより、
電気絶縁性、耐熱性等の特性を満足する絶縁性パターン
を得ることができる。
えるものとしてポリイミド樹脂が知られており、上述の
電着法により、ポリイミド樹脂からなる絶縁性パターン
を形成する方法が提案されている。この場合、電着性を
持たせるため、ポリイミド樹脂にカルボキシル基を導入
させてある。このポリイミド電着を用いることにより、
電気絶縁性、耐熱性等の特性を満足する絶縁性パターン
を得ることができる。
【0015】しかしながら、通常の溶剤可溶型ポリイミ
ド樹脂を用いて絶縁パターンを形成した場合には、金属
配線部と絶縁層部で熱膨張係数が異なる為、熱履歴によ
り配線の反りが生じてしまうという問題が生じることが
あった。
ド樹脂を用いて絶縁パターンを形成した場合には、金属
配線部と絶縁層部で熱膨張係数が異なる為、熱履歴によ
り配線の反りが生じてしまうという問題が生じることが
あった。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような課
題を解決しようとするものであって、本発明の目的は、
配線板を形成した際に、熱履歴を経ても反りの発生量を
抑えることのできるポリイミドを提供することである。
題を解決しようとするものであって、本発明の目的は、
配線板を形成した際に、熱履歴を経ても反りの発生量を
抑えることのできるポリイミドを提供することである。
【0017】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、下記の特
定の構造を有するポリイミドを提供することによって、
上記課題が解決することを見出した。すなわち、本発明
のポリイミドは、テトラカルボン酸ジ無水物とジアミン
の反応生成物であるポリイミドであって、シロキサンを
10〜70重量%含有し、かつ酸価が10〜150mm
olKOH/100gresinであることを特徴とし
ている。
定の構造を有するポリイミドを提供することによって、
上記課題が解決することを見出した。すなわち、本発明
のポリイミドは、テトラカルボン酸ジ無水物とジアミン
の反応生成物であるポリイミドであって、シロキサンを
10〜70重量%含有し、かつ酸価が10〜150mm
olKOH/100gresinであることを特徴とし
ている。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、本発明のポリイミドについ
て具体的に説明する。
て具体的に説明する。
【0019】ポリイミド 本発明のポリイミドは、テトラカルボン酸ジ無水物とジ
アミンの反応生成物であるポリイミドであって、シロキ
サンを10〜70重量%含有し、かつ酸価が10〜15
0mmolKOH/100gresinであることを特
徴とする、溶剤可溶性低弾性率ポリイミドであれば特に
限定されない。シロキサンの量が10%以下であると、
弾性率の低下が観察されず、反りの解消の効果がない。
70重量%以上であると、転写工程で、絶縁層部がブリ
ードを生じてしまう。酸価が10mmolKOH/10
0gresin以下であると、水に分散させることがで
きない。150mmolKOH/100gresin以
上であると、水分散性が良好すぎて、電界を加えても塗
膜が析出しない。
アミンの反応生成物であるポリイミドであって、シロキ
サンを10〜70重量%含有し、かつ酸価が10〜15
0mmolKOH/100gresinであることを特
徴とする、溶剤可溶性低弾性率ポリイミドであれば特に
限定されない。シロキサンの量が10%以下であると、
弾性率の低下が観察されず、反りの解消の効果がない。
70重量%以上であると、転写工程で、絶縁層部がブリ
ードを生じてしまう。酸価が10mmolKOH/10
0gresin以下であると、水に分散させることがで
きない。150mmolKOH/100gresin以
上であると、水分散性が良好すぎて、電界を加えても塗
膜が析出しない。
【0020】本発明のポリイミドの溶解性とは、NM
P、DMP、DMAc、γブチロラクトン、DMSO、
スルホランなど、好ましくはNMP等の溶剤に可溶性で
あって、電着塗料を形成することが可能であるものを意
味する。
P、DMP、DMAc、γブチロラクトン、DMSO、
スルホランなど、好ましくはNMP等の溶剤に可溶性で
あって、電着塗料を形成することが可能であるものを意
味する。
【0021】本発明のポリイミドの弾性率は好ましくは
5×109dyn/cm2以下であるが、より好ましくは
5×105〜5×109dyn/cm2、特に好ましくは
1×106〜1×109dyn/cm2を有することが好
ましい。弾性率が高いと、応力の緩和が生じ難く反りの
低減が困難であり、低いと膜自身の強度が低下し、転写
紙の流動性が高くなるとの問題点がある。
5×109dyn/cm2以下であるが、より好ましくは
5×105〜5×109dyn/cm2、特に好ましくは
1×106〜1×109dyn/cm2を有することが好
ましい。弾性率が高いと、応力の緩和が生じ難く反りの
低減が困難であり、低いと膜自身の強度が低下し、転写
紙の流動性が高くなるとの問題点がある。
【0022】本発明のポリイミドは、熱膨張係数が、0
〜350℃の温度範囲において好ましくは500×10
-6/K以下であり、より好ましくは350×10-6/K
以下であり、特に好ましくは200×10-6/K以下で
ある。500×10-6/K以上では、応力緩和による反
りの低減以上にポリイミドの膨張が激しく、反りを低減
することが困難となる。
〜350℃の温度範囲において好ましくは500×10
-6/K以下であり、より好ましくは350×10-6/K
以下であり、特に好ましくは200×10-6/K以下で
ある。500×10-6/K以上では、応力緩和による反
りの低減以上にポリイミドの膨張が激しく、反りを低減
することが困難となる。
【0023】さらに、本発明のポリイミドは、10%熱
分解温度が、好ましくは250℃以上、より好ましくは
350℃以上、特に好ましくは450℃以上であること
が、多層回路基板等の電子部材の耐熱性の観点から好ま
しい。
分解温度が、好ましくは250℃以上、より好ましくは
350℃以上、特に好ましくは450℃以上であること
が、多層回路基板等の電子部材の耐熱性の観点から好ま
しい。
【0024】また、本発明のポリイミドのイミド化率
は、好ましくは85%以上、より好ましくは90%以
上、特に好ましくは95%以上が好ましい。イミド化率
が85%以下では、残留アミック酸が金属イオンのマイ
グレーションを促進させたり、ポリイミド溶液の経時変
化が著しい問題点がある。
は、好ましくは85%以上、より好ましくは90%以
上、特に好ましくは95%以上が好ましい。イミド化率
が85%以下では、残留アミック酸が金属イオンのマイ
グレーションを促進させたり、ポリイミド溶液の経時変
化が著しい問題点がある。
【0025】本発明のポリイミドの重量平均分子量は、
10,000〜100,000が好ましい。特に好まし
くは50,000〜80,000である。分子量が1
0,000以下であると、均一な塗膜を得難く、10
0,000以上ではゲル化が生じてしまう。分子量測定
は、東ソー(株)製高速GPC装置を用いた。用いたカ
ラムは、東ソー(株)製TSKgelαM、溶媒はDM
F+10mmolリン酸緩衝液(pH7.0)流速0.
5cm/minで行った。
10,000〜100,000が好ましい。特に好まし
くは50,000〜80,000である。分子量が1
0,000以下であると、均一な塗膜を得難く、10
0,000以上ではゲル化が生じてしまう。分子量測定
は、東ソー(株)製高速GPC装置を用いた。用いたカ
ラムは、東ソー(株)製TSKgelαM、溶媒はDM
F+10mmolリン酸緩衝液(pH7.0)流速0.
5cm/minで行った。
【0026】酸ジ無水物 本発明のポリイミドの合成に用いられる酸ジ無水物は特
に限定されないが、具体的には、3,4,3′,4′ビ
フェニルテトラカルボン酸ジ無水物、3,4,3′,
4′ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無水物、2,
3,3′,4′ビフェニルエーテルテトラカルボン酸ジ
無水物、3,4,3′,4′ビフェニルスルホンテトラ
カルボン酸ジ無水物、ビス(ジカルボキシルフェニル)
プロパン二無水物、4,4′−[2,2,2−トリフル
オロ−1−(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス
(1,2−ベンゼンジカルボン酸ジ無水物)(6FD
A)、ビストリフルオロメチル化ピロメリット酸、ビス
(ジカルボキジフェニル)スルホン二無水物、ビス(ジ
カルボキジフェニル)エーテル二無水物、チオフェンテ
トラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、
1,2,5,6ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、
2,3,5,6−ピリジンテトラカルボン酸二無水物、
等の芳香族酸ジ無水物 1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸ジ無水物、シ
クロペンタンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロオク
テンテトラカルボン酸、ビシクロ(2,2,2)−オク
ト−7−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸ジ無
水物、5(2,5−ジオキソテトラヒドロフリル)3−
メチル−3シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水
物、等の脂肪族酸ジ無水物を挙げることができる。
に限定されないが、具体的には、3,4,3′,4′ビ
フェニルテトラカルボン酸ジ無水物、3,4,3′,
4′ベンゾフェノンテトラカルボン酸ジ無水物、2,
3,3′,4′ビフェニルエーテルテトラカルボン酸ジ
無水物、3,4,3′,4′ビフェニルスルホンテトラ
カルボン酸ジ無水物、ビス(ジカルボキシルフェニル)
プロパン二無水物、4,4′−[2,2,2−トリフル
オロ−1−(トリフルオロメチル)エチリデン]ビス
(1,2−ベンゼンジカルボン酸ジ無水物)(6FD
A)、ビストリフルオロメチル化ピロメリット酸、ビス
(ジカルボキジフェニル)スルホン二無水物、ビス(ジ
カルボキジフェニル)エーテル二無水物、チオフェンテ
トラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、
1,2,5,6ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、
2,3,5,6−ピリジンテトラカルボン酸二無水物、
等の芳香族酸ジ無水物 1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸ジ無水物、シ
クロペンタンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロオク
テンテトラカルボン酸、ビシクロ(2,2,2)−オク
ト−7−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸ジ無
水物、5(2,5−ジオキソテトラヒドロフリル)3−
メチル−3シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水
物、等の脂肪族酸ジ無水物を挙げることができる。
【0027】これらの酸ジ無水物は単独、又は2種以上
の組み合わせで用いることができるが、酸ジ無水物及び
芳香族ジアミンを選択してポリイミドを合成するにあた
り、これらの組み合わせが溶剤可溶となる組成を選ぶ必
要がある。
の組み合わせで用いることができるが、酸ジ無水物及び
芳香族ジアミンを選択してポリイミドを合成するにあた
り、これらの組み合わせが溶剤可溶となる組成を選ぶ必
要がある。
【0028】芳香族ジアミン 本発明のポリイミドの合成に用いられる芳香族ジアミン
は、特に限定されないが、好ましくは3,5−ジアミン
安息香酸と、ジアミノシロキサンと共に使用可能なジア
ミンである。
は、特に限定されないが、好ましくは3,5−ジアミン
安息香酸と、ジアミノシロキサンと共に使用可能なジア
ミンである。
【0029】このうち、ジアミノシロキサンはとして
は、例えば、
は、例えば、
【0030】
【化13】 が挙げられる。
【0031】また、芳香族実施例アミンとしては例えば
2,4(又は、2,5−)ジアミノトルエン、1,4ベ
ンゼンジアミン、1,3ベンゼンジアミン6−メチル
1,3−ベンゼンジアミン、4,4′−ジアミノ−3,
3′−ジメチル−1,1′−ビフェニル、4,4′−ア
ミノ−3,3′−ジメトキシ−1,1′−ビフェニル、
4,4′−メチレンビス(ベンゼンアミン)、4,4′
−オキシビス(ベンゼンアミン)、3,4′−オキシビ
ス(ベンゼンアミン)、3,3′−カルボキニル(ベン
ゼンアミン)、4,4′−チオビス(ベンゼンアミ
ン)、4,4′−スルホニル(ベンゼンアミン)、3,
3′−スルホニル(ベンゼンアミン)、1−メチルエチ
リジン4,4′−ビス(ベンゼンアミン、)3,3′−
ジクロロ−4,4′−ジアミノビフェニル、3,3′−
ジニトロ−4,4′−ジアミノビフェニル、3,3′−
ジアミノベンゾフェノン、1,5−ジアミノナフタレ
ン、1−トリフルオロメチル2,2,2−トリフルオロ
エチリジン4,4’−ビス(ベンゼンアミン)、1,
1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−ビス−4
(4−アミノフェニル)プロパン、4,4′−ジアミノ
ベンズアニリド、2,6−ジアミノピリジン、4,4′
−ジアミノ−3,3′,5,5′−テトラメチルビフェ
ニル、2,2ビス(4(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル)プロパン、ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フ
ェニル)スルホン、ビス(4−(4−アミノフェノキ
シ)フェニル)スルホン、ビス(4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル)エチル、1,4−ビス(4−アミノ
フェノキシ)ベンゼン、1,3ビス(3−アミノフェノ
キシ)ベンゼン、9,9′−ビス(4−アミノフェニ
ル)フルオレン、ベンジジン−3,3−ジカルボン酸、
4,4′−(または、3,4′−、3,3′−、2,
4′−)ジアミノ−ビフェニルエ−テル、ジアミノシラ
ン化合物、等を挙げることができる。
2,4(又は、2,5−)ジアミノトルエン、1,4ベ
ンゼンジアミン、1,3ベンゼンジアミン6−メチル
1,3−ベンゼンジアミン、4,4′−ジアミノ−3,
3′−ジメチル−1,1′−ビフェニル、4,4′−ア
ミノ−3,3′−ジメトキシ−1,1′−ビフェニル、
4,4′−メチレンビス(ベンゼンアミン)、4,4′
−オキシビス(ベンゼンアミン)、3,4′−オキシビ
ス(ベンゼンアミン)、3,3′−カルボキニル(ベン
ゼンアミン)、4,4′−チオビス(ベンゼンアミ
ン)、4,4′−スルホニル(ベンゼンアミン)、3,
3′−スルホニル(ベンゼンアミン)、1−メチルエチ
リジン4,4′−ビス(ベンゼンアミン、)3,3′−
ジクロロ−4,4′−ジアミノビフェニル、3,3′−
ジニトロ−4,4′−ジアミノビフェニル、3,3′−
ジアミノベンゾフェノン、1,5−ジアミノナフタレ
ン、1−トリフルオロメチル2,2,2−トリフルオロ
エチリジン4,4’−ビス(ベンゼンアミン)、1,
1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−ビス−4
(4−アミノフェニル)プロパン、4,4′−ジアミノ
ベンズアニリド、2,6−ジアミノピリジン、4,4′
−ジアミノ−3,3′,5,5′−テトラメチルビフェ
ニル、2,2ビス(4(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル)プロパン、ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フ
ェニル)スルホン、ビス(4−(4−アミノフェノキ
シ)フェニル)スルホン、ビス(4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル)エチル、1,4−ビス(4−アミノ
フェノキシ)ベンゼン、1,3ビス(3−アミノフェノ
キシ)ベンゼン、9,9′−ビス(4−アミノフェニ
ル)フルオレン、ベンジジン−3,3−ジカルボン酸、
4,4′−(または、3,4′−、3,3′−、2,
4′−)ジアミノ−ビフェニルエ−テル、ジアミノシラ
ン化合物、等を挙げることができる。
【0032】これらは単独、又は2種以上混合したポリ
イミド組成物とすることができるが、芳香族ジアミン及
び酸ジ無水物を選択してポリイミドを合成するにあた
り、これらの組み合わせが溶剤可溶となる組成を選ぶ必
要がある。
イミド組成物とすることができるが、芳香族ジアミン及
び酸ジ無水物を選択してポリイミドを合成するにあた
り、これらの組み合わせが溶剤可溶となる組成を選ぶ必
要がある。
【0033】構造単位 本発明のポリイミドは、好ましくは、下記一般式(1)
【0034】
【化14】 (式中A1は式、
【0035】
【化15】 から選ばれる基であり、B1は式、
【0036】
【化16】 から選ばれる基である)によって表される構造単位から
なる共重合体である。
なる共重合体である。
【0037】さらに本発明のポリイミドは、好ましくは
下記一般式(2)
下記一般式(2)
【0038】
【化17】 (式中、A2およびA3は独立して、
【0039】
【化18】 から選ばれる構造単位であり、B2は、
【0040】
【化19】 から選ばれる構造単位であり、B3は、
【0041】
【化20】 から選ばれる構造単位である)によって表されるブロッ
ク共重合体である。
ク共重合体である。
【0042】さらに本発明のポリイミドは、好ましくは
下記一般式(3)
下記一般式(3)
【0043】
【化21】 (式中、A4は、
【0044】
【化22】 から選ばれる構造単位であり、A5は、
【0045】
【化23】 から選ばれる構造単位であり、B4は、
【0046】
【化24】 から選ばれる構造単位であり、B5は、
【0047】
【化25】 から選ばれる構造単位である)で表される構造単位から
なるブロック共重合体である。
なるブロック共重合体である。
【0048】ポリイミドの製造方法 通常、ポリイミドは、酸ジ無水物と、ジアミンの脱水重
縮合反応により合成を行う。その際、下記式で表される
ポリアミック酸を経た形でポリイミドが生成する。
縮合反応により合成を行う。その際、下記式で表される
ポリアミック酸を経た形でポリイミドが生成する。
【0049】
【化26】 しかしながら、この反応は平衡反応であり、ポリアミッ
ク酸からポリイミド、ポリイミドからポリアミック酸両
方向反応が同時に生じる。このため、ポリアミック酸を
経たポリイミドはランダムな状態となり、ブロック共重
合体とはならない。一般にランダム共重合体はブロック
共重合体交互共重合体より、物理的、化学的性質が劣る
と言われている。そのため本発明では好ましくは酸触媒
を用い、脱水された水を逐次取り除きながら1段階でイ
ミド化を行う方法により、ブロック共重合体を製造す
る。
ク酸からポリイミド、ポリイミドからポリアミック酸両
方向反応が同時に生じる。このため、ポリアミック酸を
経たポリイミドはランダムな状態となり、ブロック共重
合体とはならない。一般にランダム共重合体はブロック
共重合体交互共重合体より、物理的、化学的性質が劣る
と言われている。そのため本発明では好ましくは酸触媒
を用い、脱水された水を逐次取り除きながら1段階でイ
ミド化を行う方法により、ブロック共重合体を製造す
る。
【0050】
【実施例】以下本発明を実施例に基いて説明する。
【0051】(実施例1)1リットル容量の三つ口セパ
ラブルフラスコにステンレス鋼製イカリ攪拌器、窒素導
入管及びストップコックの付いたトラップの上に玉付き
冷却管をつけた還流冷却器を取り付けた。窒素気流を流
しながら温度調整機のついたシリコーン浴中にセパラブ
ルフラスコをつけて加熱した。反応温度は浴温で示し
た。
ラブルフラスコにステンレス鋼製イカリ攪拌器、窒素導
入管及びストップコックの付いたトラップの上に玉付き
冷却管をつけた還流冷却器を取り付けた。窒素気流を流
しながら温度調整機のついたシリコーン浴中にセパラブ
ルフラスコをつけて加熱した。反応温度は浴温で示し
た。
【0052】3,4,3′,4′−ビフェニルテトラカ
ルボン酸ジ無水物(BPDA90mmol)29g、ジ
アミノシロキサン(分子量=848、 60mmol/
信越シリコン(株)製)50.88g、ビス(4−(3
−アミノフェノキシ)フェニル)スルホン(m−BAP
S 16.5mmol)7.14g、3,5ジアミノ安
息香酸(DABz15mmol)2.28g、γバレロ
ラクトン(9mmol)2.28g、ピリジン(18m
mol)1.42g、NMP201g、トルエン60
g、を加えて、窒素を通じながらシリコン浴中、室温で
30分間攪拌(200rpm)を行った。その後重合停
止剤としてマレイン酸無水物(3mmol)0.29g
を加えた。ついで180℃に昇温して、トルエン−水留
出分を系外に除きながら、3時間加熱攪拌して反応を終
了した、30%ポリイミドワニスを得た。得られたポリ
イミドの酸価は17mmol/100gresin(分
子量5882にカルボキシル基が1個)、得られたポリ
イミドの分子量分布を東ソー株式会社製高速GPC装置
で測定した。Mn=19000、Mw=32000、M
z=49000、Mw/Mn=1.67、Mz/Mn=
2.52であった。 (実施例2)1リットル容量の三つ口セパラブルフラス
コにステンレス鋼製イカリ攪拌器、窒素導入管及びスト
ップコックの付いたトラップの上に、玉付き冷却管をつ
けた還流冷却器を取り付けた。窒素気流を流しながら、
温度調整機のついたシリコ−ン浴中にセパラブルフラス
コをつけて加熱した。反応温度は浴温で示した。
ルボン酸ジ無水物(BPDA90mmol)29g、ジ
アミノシロキサン(分子量=848、 60mmol/
信越シリコン(株)製)50.88g、ビス(4−(3
−アミノフェノキシ)フェニル)スルホン(m−BAP
S 16.5mmol)7.14g、3,5ジアミノ安
息香酸(DABz15mmol)2.28g、γバレロ
ラクトン(9mmol)2.28g、ピリジン(18m
mol)1.42g、NMP201g、トルエン60
g、を加えて、窒素を通じながらシリコン浴中、室温で
30分間攪拌(200rpm)を行った。その後重合停
止剤としてマレイン酸無水物(3mmol)0.29g
を加えた。ついで180℃に昇温して、トルエン−水留
出分を系外に除きながら、3時間加熱攪拌して反応を終
了した、30%ポリイミドワニスを得た。得られたポリ
イミドの酸価は17mmol/100gresin(分
子量5882にカルボキシル基が1個)、得られたポリ
イミドの分子量分布を東ソー株式会社製高速GPC装置
で測定した。Mn=19000、Mw=32000、M
z=49000、Mw/Mn=1.67、Mz/Mn=
2.52であった。 (実施例2)1リットル容量の三つ口セパラブルフラス
コにステンレス鋼製イカリ攪拌器、窒素導入管及びスト
ップコックの付いたトラップの上に、玉付き冷却管をつ
けた還流冷却器を取り付けた。窒素気流を流しながら、
温度調整機のついたシリコ−ン浴中にセパラブルフラス
コをつけて加熱した。反応温度は浴温で示した。
【0053】3,4,3′,4′−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸ジ無水物(BDTA90mmol)29
g、ジアミノシロキサン(分子量=848、 60mm
ol/信越シリコン(株)製)50.88g、ビス(3
−アミノフェノキシ)1,3−ベンゼン(APB16.
5mmol)4.83g、DABz(15mmol)
2.28g、γバレロラクトン(9mmol)0.90
g、ピリジン(18mmol)1.42g、NMP19
5g、トルエン60gを加えて、窒素を通じながらシリ
コン浴中、室温で30分攪拌(200rpm)を行っ
た。その後重合停止剤としてマレイン酸無水物(3mm
ol)0.29gを加えた。ついで180℃に昇温し
て、トルエン−水留出分を系外に除きながら、3時間、
加熱、撹絆して反応を終了させた。30%ポリイミドワ
ニスを得た。得られたポリイミドの酸価は17mmol
KOH/100gresin(分子量5910にカルボ
キシル基が1個)。得られたポリイミドの分子量をGP
Cを用いて測定した。Mn=18000、 Mw=32
000、Mz=46000、Mw/Mn=1.67、M
z/Mn=2.52であった。
ラカルボン酸ジ無水物(BDTA90mmol)29
g、ジアミノシロキサン(分子量=848、 60mm
ol/信越シリコン(株)製)50.88g、ビス(3
−アミノフェノキシ)1,3−ベンゼン(APB16.
5mmol)4.83g、DABz(15mmol)
2.28g、γバレロラクトン(9mmol)0.90
g、ピリジン(18mmol)1.42g、NMP19
5g、トルエン60gを加えて、窒素を通じながらシリ
コン浴中、室温で30分攪拌(200rpm)を行っ
た。その後重合停止剤としてマレイン酸無水物(3mm
ol)0.29gを加えた。ついで180℃に昇温し
て、トルエン−水留出分を系外に除きながら、3時間、
加熱、撹絆して反応を終了させた。30%ポリイミドワ
ニスを得た。得られたポリイミドの酸価は17mmol
KOH/100gresin(分子量5910にカルボ
キシル基が1個)。得られたポリイミドの分子量をGP
Cを用いて測定した。Mn=18000、 Mw=32
000、Mz=46000、Mw/Mn=1.67、M
z/Mn=2.52であった。
【0054】(実施例3)1リットル容量の三つロセパ
ラブルフラスコにステンレス鋼製イカリ撹絆器、窒素導
入管及びストップコックの付いたトラップの上に玉付き
冷却管をつけた還流冷却器を取り付けた。窒素気流を流
しながら温度調整機のついたシリコ−ン浴中にセパラブ
ルフラスコをつけて加熱した。反応温度は浴温で示し
た。
ラブルフラスコにステンレス鋼製イカリ撹絆器、窒素導
入管及びストップコックの付いたトラップの上に玉付き
冷却管をつけた還流冷却器を取り付けた。窒素気流を流
しながら温度調整機のついたシリコ−ン浴中にセパラブ
ルフラスコをつけて加熱した。反応温度は浴温で示し
た。
【0055】BTDA(140mmol)45.08
g、ジアミノシロキサン(60mmol)50.88
g、γバレロラクトン(14mmol)1.40g、ピ
リジン(28mmol)2.21g、NMP200g、
トルエン100gを加えて、窒素を通じながらシリコン
浴中、室温で30分攪拌(200rpm)、ついで18
0℃に昇温して、2時間、200rpmで撹絆しながら
反応させた。トルエン−水留出分15mlを除去し、空
冷して、m−BAPS(20mmol)8.65g、D
ABz(40mmol)6.09gを添加し、室温で3
0分攪拌したのち(200rpm)、次いで1800℃
に昇温して加熱攪拌し、トルエン−水留出分15mlを
除去した。その後、トルエン−水留出分を系外に除きな
がら、1800℃に加熱、3時間35分間攪拌して反応
を終了させた。30%ポリイミドワニスを得た。得られ
たポリイミドの酸価は32mmolKOH/100gr
esin(分子量3146にカルボキシル基が1個)。
得られたポリイミドの分子量をGPC装置を用いて測定
した。Mn=20200、Mw=38500、Mz=6
6600、Mw/Mn=1.91、Mz/Mn=3.3
0であった。
g、ジアミノシロキサン(60mmol)50.88
g、γバレロラクトン(14mmol)1.40g、ピ
リジン(28mmol)2.21g、NMP200g、
トルエン100gを加えて、窒素を通じながらシリコン
浴中、室温で30分攪拌(200rpm)、ついで18
0℃に昇温して、2時間、200rpmで撹絆しながら
反応させた。トルエン−水留出分15mlを除去し、空
冷して、m−BAPS(20mmol)8.65g、D
ABz(40mmol)6.09gを添加し、室温で3
0分攪拌したのち(200rpm)、次いで1800℃
に昇温して加熱攪拌し、トルエン−水留出分15mlを
除去した。その後、トルエン−水留出分を系外に除きな
がら、1800℃に加熱、3時間35分間攪拌して反応
を終了させた。30%ポリイミドワニスを得た。得られ
たポリイミドの酸価は32mmolKOH/100gr
esin(分子量3146にカルボキシル基が1個)。
得られたポリイミドの分子量をGPC装置を用いて測定
した。Mn=20200、Mw=38500、Mz=6
6600、Mw/Mn=1.91、Mz/Mn=3.3
0であった。
【0056】(比較例1)1リットル容量の三つ口セパ
ラブルフラスコにステンレス鋼製イカリ攪拌器、窒素導
入管及びストップコックの付いたトラップの上に玉付き
冷却管をつけた還流冷却器を取り付けた。窒素気流を流
しながら温度調整機のついたシリコ−ン浴中にセパラブ
ルフラスコをつけて加熱した。反応温度は浴温で示し
た。
ラブルフラスコにステンレス鋼製イカリ攪拌器、窒素導
入管及びストップコックの付いたトラップの上に玉付き
冷却管をつけた還流冷却器を取り付けた。窒素気流を流
しながら温度調整機のついたシリコ−ン浴中にセパラブ
ルフラスコをつけて加熱した。反応温度は浴温で示し
た。
【0057】3,4,3’,4’−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸ジ無水物(BTDA)96.67g(30
0ミリモル)、2,4ジアミノトルエン(三井化学製)
18.33g(150mmol)、バレロラクトン4.
5g(45mmol)、ピリジン7.2g(90mmo
l)を三つ口フラスコに入れ、NMP450g、トルエ
ン75gを添加した。窒素を通じながら180rpmで
攪拌した後、シリコン浴中、1時間180℃、180r
pmで加熱撹絆した。トルエン30gを除去後、空冷
し、3,4,3′,4′−ビフェニルテトラカルボン酸
ジ無水物(BPDA/宇部興産(株))44.13g
(150mmol)、3,5ジアミノ安息香酸(DAB
z/大日本インキ)22.8g(150mmol)、
2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル]プロパン(BAPP/和歌山糖化(株)品)64.
98g(158.3mmol)、マレイン酸無水物1.
63g(15.66mmol)NMP479g、トルエ
ン75gを仕込んだ。室温で1時間180rpmで攪拌
した後、180℃、180rpmで加熱撹絆した。1時
間後より、水−トルエン共沸物を系外に除き、4時間1
80℃に加熱した。20%NMP溶液のポリイミドを得
た。得られたポリイミドの酸価は60mmolKOH/
100gresin(分子量1675にカルボキシル基
が1個)であった。このものを、高速液体クロマトグラ
フィ−で紫外線で検出し、ポリスチレン換算の分子量を
測定した。数平均分子量Mn=22600、重量平均分
子量Mw=40100、Z平均分子量Mz=6350
0、Mw/Mn=1.77であった。
ラカルボン酸ジ無水物(BTDA)96.67g(30
0ミリモル)、2,4ジアミノトルエン(三井化学製)
18.33g(150mmol)、バレロラクトン4.
5g(45mmol)、ピリジン7.2g(90mmo
l)を三つ口フラスコに入れ、NMP450g、トルエ
ン75gを添加した。窒素を通じながら180rpmで
攪拌した後、シリコン浴中、1時間180℃、180r
pmで加熱撹絆した。トルエン30gを除去後、空冷
し、3,4,3′,4′−ビフェニルテトラカルボン酸
ジ無水物(BPDA/宇部興産(株))44.13g
(150mmol)、3,5ジアミノ安息香酸(DAB
z/大日本インキ)22.8g(150mmol)、
2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル]プロパン(BAPP/和歌山糖化(株)品)64.
98g(158.3mmol)、マレイン酸無水物1.
63g(15.66mmol)NMP479g、トルエ
ン75gを仕込んだ。室温で1時間180rpmで攪拌
した後、180℃、180rpmで加熱撹絆した。1時
間後より、水−トルエン共沸物を系外に除き、4時間1
80℃に加熱した。20%NMP溶液のポリイミドを得
た。得られたポリイミドの酸価は60mmolKOH/
100gresin(分子量1675にカルボキシル基
が1個)であった。このものを、高速液体クロマトグラ
フィ−で紫外線で検出し、ポリスチレン換算の分子量を
測定した。数平均分子量Mn=22600、重量平均分
子量Mw=40100、Z平均分子量Mz=6350
0、Mw/Mn=1.77であった。
【0058】(比較例2)1リットル容量の三つ口セパ
ラブルフラスコにステンレス鋼製イカリ撹絆器、窒素導
入管及びストップコックの付いたトラップを装備した玉
付き冷却管を取り付けた。窒素気流を流しながら温度調
整機のついたシリコ−ン浴中にセバラブルフラスコをつ
けて加熱した。反応温度は浴温で示した。
ラブルフラスコにステンレス鋼製イカリ撹絆器、窒素導
入管及びストップコックの付いたトラップを装備した玉
付き冷却管を取り付けた。窒素気流を流しながら温度調
整機のついたシリコ−ン浴中にセバラブルフラスコをつ
けて加熱した。反応温度は浴温で示した。
【0059】ビシクロ(2,2,2)−オクト−7−エ
ン−2,3,5,6−テトラカルボン酸ジ無水物(Al
drich社製品)19.85g(80mmol)、
3,5−ジアミノ安息香酸(DABz/大日本インキ製
品)18.26g(120mmol)、バレロラクトン
2.4g(24mmol)、ピリジン4.0g(50m
mol)を三つ口フラスコに入れ、Nメチル−2−ピロ
リドン(NMP)200g、トルエン60gを添加し
た。窒素を通じながら室温で30分間攪拌した後、シリ
コン浴中、180℃、180rpmで1時間20分間加
熱撹絆した。トルエン40gを系外に除いた。空冷した
後、3,4,3′,4′−ビフェニルテトラカルボン酸
ジ無水物(BPDA/宇部興産(株))47.08g
(160mmol)、ビス[4−(3−アミノフェノキ
シ)フェニル]スルホン17.3g(40mmol)
(和歌山精化(株)品)、2,2ビス[4−(4−アミ
ノフェノキシ)フェニル]プロパン16.42g(40
mmol)(和歌山精化(株)品)、ジアミノシランX
−22−161AS(信越化学製品、アミン等量44
0)35.20g(40mmol)、N−メチル−ピロ
リドン382g、トルエン60gを加えた。室温で1時
間180rpmで攪拌した後、180℃,180rpm
で加熱撹絆した。1時間後より、トルエン−水の共沸物
15mlずつ系外に除いた。4時間30分加熱した。こ
の溶液のポリイミドの濃度は20%であり、酸価82m
molKOH/100gresin(分子量1174に
1個カルボキシル基1個)であった。東ソ−製高速液体
クロマトグラフィ−でポリスチレン換算の分子量を測定
した。数平均分子量Mn=32000、重量平均分子量
Mw=49200、Z平均分子量Mz=49200、M
w/Mn=1.50であった。
ン−2,3,5,6−テトラカルボン酸ジ無水物(Al
drich社製品)19.85g(80mmol)、
3,5−ジアミノ安息香酸(DABz/大日本インキ製
品)18.26g(120mmol)、バレロラクトン
2.4g(24mmol)、ピリジン4.0g(50m
mol)を三つ口フラスコに入れ、Nメチル−2−ピロ
リドン(NMP)200g、トルエン60gを添加し
た。窒素を通じながら室温で30分間攪拌した後、シリ
コン浴中、180℃、180rpmで1時間20分間加
熱撹絆した。トルエン40gを系外に除いた。空冷した
後、3,4,3′,4′−ビフェニルテトラカルボン酸
ジ無水物(BPDA/宇部興産(株))47.08g
(160mmol)、ビス[4−(3−アミノフェノキ
シ)フェニル]スルホン17.3g(40mmol)
(和歌山精化(株)品)、2,2ビス[4−(4−アミ
ノフェノキシ)フェニル]プロパン16.42g(40
mmol)(和歌山精化(株)品)、ジアミノシランX
−22−161AS(信越化学製品、アミン等量44
0)35.20g(40mmol)、N−メチル−ピロ
リドン382g、トルエン60gを加えた。室温で1時
間180rpmで攪拌した後、180℃,180rpm
で加熱撹絆した。1時間後より、トルエン−水の共沸物
15mlずつ系外に除いた。4時間30分加熱した。こ
の溶液のポリイミドの濃度は20%であり、酸価82m
molKOH/100gresin(分子量1174に
1個カルボキシル基1個)であった。東ソ−製高速液体
クロマトグラフィ−でポリスチレン換算の分子量を測定
した。数平均分子量Mn=32000、重量平均分子量
Mw=49200、Z平均分子量Mz=49200、M
w/Mn=1.50であった。
【0060】(配線基板の反りの評価)金属配線と有機
絶縁層からなる基板の反りσの値は、下の式により求め
られる。 σ=3L2E1E2ΔαΔT/2h(E1 2+14E1E2+
E1 2) L:長さ、E1:金属の弾性率、E2:有機絶縁層の弾性
率、Δα:熱膨張係数の差、ΔT:温度差、h:膜厚 通常金属配線は銅で形成される場合が多いので、E1は
1×1013dyne/cm2、銅の熱膨張係数は1.7
×10-5とした。
絶縁層からなる基板の反りσの値は、下の式により求め
られる。 σ=3L2E1E2ΔαΔT/2h(E1 2+14E1E2+
E1 2) L:長さ、E1:金属の弾性率、E2:有機絶縁層の弾性
率、Δα:熱膨張係数の差、ΔT:温度差、h:膜厚 通常金属配線は銅で形成される場合が多いので、E1は
1×1013dyne/cm2、銅の熱膨張係数は1.7
×10-5とした。
【0061】以上の式を用いて、実施例及び比較例のポ
リイミドを配線基板に用いた場合の反りを、計算によっ
て求めて評価を行った。この式より、反りを低減させる
方法として、(ジメチルシロキサンを導入して)弾性率
を低下させることが効果的であることがわかる。
リイミドを配線基板に用いた場合の反りを、計算によっ
て求めて評価を行った。この式より、反りを低減させる
方法として、(ジメチルシロキサンを導入して)弾性率
を低下させることが効果的であることがわかる。
【0062】図1は、本発明の実施例1のポリイミドの
弾性率の測定データを示すグラフである。図1中、E’
は貯蔵弾性率、E”は損失弾性率、tanδ=E’/
E”である。このポリイミドは、温度範囲0〜300℃
で2.6×108〜1.8×106dyn/cm2であっ
た。
弾性率の測定データを示すグラフである。図1中、E’
は貯蔵弾性率、E”は損失弾性率、tanδ=E’/
E”である。このポリイミドは、温度範囲0〜300℃
で2.6×108〜1.8×106dyn/cm2であっ
た。
【0063】図2は、本発明の実施例1のポリイミドの
熱膨張係数の測定データを示すグラフである。このポリ
イミドは温度範囲0〜350℃で220〜440×10
-6であった。
熱膨張係数の測定データを示すグラフである。このポリ
イミドは温度範囲0〜350℃で220〜440×10
-6であった。
【0064】比較として用いた溶剤可溶型ポリイミド
は、3,4,3′,4′−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸ジ無水物(BDTA)、2,2−ビス[4−(4−
アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)、
ジアミノ安息香酸(DABz)、2,4−ジアミノトル
エン(DAT)、3,4,3′,4′−ビフェニルテト
ラカルボン酸ジ無水物(BPDA)からなるブロック共
重合ポリイミドである。
は、3,4,3′,4′−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸ジ無水物(BDTA)、2,2−ビス[4−(4−
アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)、
ジアミノ安息香酸(DABz)、2,4−ジアミノトル
エン(DAT)、3,4,3′,4′−ビフェニルテト
ラカルボン酸ジ無水物(BPDA)からなるブロック共
重合ポリイミドである。
【0065】図3は、この比較ポリイミドの弾性率の測
定データを示すグラフである。図3中、E’は貯蔵弾性
率、E”は損失弾性率、tanδ=E’/E”である。
このポリイミドの弾性率は温度範囲0〜350℃で1.
5×109〜3.5×109dyn/cm2であった。
定データを示すグラフである。図3中、E’は貯蔵弾性
率、E”は損失弾性率、tanδ=E’/E”である。
このポリイミドの弾性率は温度範囲0〜350℃で1.
5×109〜3.5×109dyn/cm2であった。
【0066】図4は、この比較ポリイミドの熱膨張係数
の測定データを示すグラフである。このポリイミドの熱
膨張係数は、温度範囲0〜350℃で53〜57×10
-6であった。
の測定データを示すグラフである。このポリイミドの熱
膨張係数は、温度範囲0〜350℃で53〜57×10
-6であった。
【0067】実際に配線を作成し反りの測定を行った。
作成した配線はライン幅20μm、長さ4000μm、
銅膜厚10μm、ポリイミド膜厚10μmであった。測
定方法はユニオン光学(株)製、非接触深度測定機Hi
sometを用い、配線中心部と中心から2000μm
離れた先端の反りを測定した。実施例1のポリイミドを
用いた配線では、反りは−10.3μm、比較例1を用
いた配線では、反りは31.4μmっであった。反りの
大幅な改善が観察された。
作成した配線はライン幅20μm、長さ4000μm、
銅膜厚10μm、ポリイミド膜厚10μmであった。測
定方法はユニオン光学(株)製、非接触深度測定機Hi
sometを用い、配線中心部と中心から2000μm
離れた先端の反りを測定した。実施例1のポリイミドを
用いた配線では、反りは−10.3μm、比較例1を用
いた配線では、反りは31.4μmっであった。反りの
大幅な改善が観察された。
【0068】
【発明の効果】このポリイミドを用いて製造した配線板
は、配線パターンの有機絶縁層部の弾性率が低い為、熱
履歴の影響で応力が生じても、応力の緩和が生じ、基板
が反るという問題がない。
は、配線パターンの有機絶縁層部の弾性率が低い為、熱
履歴の影響で応力が生じても、応力の緩和が生じ、基板
が反るという問題がない。
【図1】本発明実施例1のポリイミドの弾性率測定結果
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図2】本発明実施例1のポリイミドの熱膨張測定結果
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図3】比較例1のポリイミドの弾性率測定結果を示す
グラフである。
グラフである。
【図4】比較例1のポリイミドの熱膨張測定結果を示す
グラフである。
グラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川 合 研三郎 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 大日本印刷株式会社内 (72)発明者 安 藤 雅 之 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号 大日本印刷株式会社内 Fターム(参考) 4J043 PA02 PA04 PA09 PC016 PC066 PC116 PC136 PC146 QB15 QB26 RA35 SA06 SB01 SB03 TA22 TB01 TB03 UA121 UA122 UA131 UA132 UA141 UA221 UA622 UA722 UB011 UB061 UB062 UB121 UB131 UB152 UB301 UB401 UB402 VA021 VA031 VA041 VA051 VA061 WA09 WA16 ZA12 ZA32 ZA46 ZB47 ZB50
Claims (8)
- 【請求項1】テトラカルボン酸ジ無水物とジアミンの反
応生成物であるポリイミドであって、シロキサンを10
〜70重量%含有し、かつ酸価が10〜150mmol
KOH/100gresinであることを特徴とする、
溶剤可溶性低弾性率ポリイミド。 - 【請求項2】弾性率が、0〜350℃の温度範囲におい
て、109dyn/cm2以下である、請求項1に記載の
ポリイミド。 - 【請求項3】熱膨張係数が、0〜350℃の温度範囲に
おいて500×10-6/K以下である、請求項1に記載
のポリイミド。 - 【請求項4】熱分解温度が、250℃以上である、請求
項1に記載のポリイミド。 - 【請求項5】重量平均分子量が10,000〜100,
000である、請求項1に記載のポリイミド。 - 【請求項6】前記ポリイミドが、下記一般式(1) 【化1】 (式中A1は式、 【化2】 から選ばれる基であり、 B1は式、 【化3】 から選ばれる基である)によって表される構造単位から
なる共重合体である、請求項1〜5のいずれか1項に記
載のポリイミド。 - 【請求項7】前記ポリイミドが、下記一般式(2) 【化4】 (式中、A2およびA3は独立して、 【化5】 から選ばれる構造単位であり、 B2は、 【化6】 から選ばれる構造単位であり、 B3は、 【化7】 から選ばれる構造単位である)によって表されるブロッ
ク共重合体である、請求項1〜5のいずれか1項に記載
のポリイミド。 - 【請求項8】前記ポリイミドが、下記一般式(3) 【化8】 (式中、A4は、 【化9】 から選ばれる構造単位であり、 A5は、 【化10】 から選ばれる構造単位であり、 B4は、 【化11】 から選ばれる構造単位であり、 B5は、 【化12】 から選ばれる構造単位である)で表される構造単位から
なるブロック共重合体である、請求項1〜5のいずれか
1項に記載のポリイミド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27317198A JP2000103848A (ja) | 1998-09-28 | 1998-09-28 | 溶剤可溶性低弾性率ポリイミド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27317198A JP2000103848A (ja) | 1998-09-28 | 1998-09-28 | 溶剤可溶性低弾性率ポリイミド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000103848A true JP2000103848A (ja) | 2000-04-11 |
Family
ID=17524098
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27317198A Pending JP2000103848A (ja) | 1998-09-28 | 1998-09-28 | 溶剤可溶性低弾性率ポリイミド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000103848A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005162954A (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-23 | Pi R & D Co Ltd | 電着塗料組成物及びそれを用いた電着方法 |
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WO2006043599A1 (ja) | 2004-10-19 | 2006-04-27 | Nitto Denko Corporation | 耐熱性樹脂 |
JP2006312268A (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Mitsui Chemicals Inc | ポリイミド接着シート、その製造方法並びに該シートからなるポリイミド金属積層体 |
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JP2012116911A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 粘着剤組成物および粘着テープ |
JP2012138289A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-19 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 絶縁導体、その製造方法及びこれを用いたコイル |
CN105367794A (zh) * | 2014-08-21 | 2016-03-02 | 台虹科技股份有限公司 | 可溶性热塑性聚酰亚胺组合物及由其制成的积层板 |
-
1998
- 1998-09-28 JP JP27317198A patent/JP2000103848A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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