JPS61120316A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS61120316A JPS61120316A JP24116384A JP24116384A JPS61120316A JP S61120316 A JPS61120316 A JP S61120316A JP 24116384 A JP24116384 A JP 24116384A JP 24116384 A JP24116384 A JP 24116384A JP S61120316 A JPS61120316 A JP S61120316A
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- JP
- Japan
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- film
- magnetic
- thin film
- alloy film
- amorphous
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気記録再生装置に用いられる薄膜磁気ヘッド
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
従来の技術
従来、非晶質合金磁性膜をパターン形成する場合、非晶
質合金膜は化学的に安定でるるため、結晶質合金膜のよ
うにエツチング液を用いて化学的にエツチングすること
が困難であった。そのため通常、非晶質磁性合金膜を形
成後、磁路パターン部分にフォトレジスト層を形成して
、これをマスクとして、磁路パターン部分以外をスパッ
タエツチングする方法、あるいは磁路パターン部分以外
にフォトレジスト層を形成した後、非晶質磁性合金膜を
形成し、フォトレジストを溶剤で溶かして、フォ）Ｌ／
シスト上の非晶質磁性合金膜を除去する方法（リフトオ
フ法）によって磁路パターンを形成している。
質合金膜は化学的に安定でるるため、結晶質合金膜のよ
うにエツチング液を用いて化学的にエツチングすること
が困難であった。そのため通常、非晶質磁性合金膜を形
成後、磁路パターン部分にフォトレジスト層を形成して
、これをマスクとして、磁路パターン部分以外をスパッ
タエツチングする方法、あるいは磁路パターン部分以外
にフォトレジスト層を形成した後、非晶質磁性合金膜を
形成し、フォトレジストを溶剤で溶かして、フォ）Ｌ／
シスト上の非晶質磁性合金膜を除去する方法（リフトオ
フ法）によって磁路パターンを形成している。
発明が解決しようとする問題点
しかし、スパッタエツチングでパターン形成する場合に
は、マスクとなるフォトレジスト層モ非晶質磁性合金膜
と同時にスパッタエツチングされるだめ、非晶質磁性合
金膜の厚みが、厚過ぎるとマスクが先に無くなり、パタ
ーン形成できなくなる。一方、リフトオフでパターン形
成する場合でも、非晶質磁性合金膜の厚みが、厚過ぎる
と、パターンエツジ部分で膜が機械的に分断されにくく
なり、パターン形成は困難となる。通常の薄膜磁気ヘッ
ドのパターンの大きさを考えると、フォトリングラフィ
技術によってフォトレジストパターンを精度良く形成す
るためには、フォトレジスト層の厚みは、６μｍ以内に
することが望ましい。
は、マスクとなるフォトレジスト層モ非晶質磁性合金膜
と同時にスパッタエツチングされるだめ、非晶質磁性合
金膜の厚みが、厚過ぎるとマスクが先に無くなり、パタ
ーン形成できなくなる。一方、リフトオフでパターン形
成する場合でも、非晶質磁性合金膜の厚みが、厚過ぎる
と、パターンエツジ部分で膜が機械的に分断されにくく
なり、パターン形成は困難となる。通常の薄膜磁気ヘッ
ドのパターンの大きさを考えると、フォトリングラフィ
技術によってフォトレジストパターンを精度良く形成す
るためには、フォトレジスト層の厚みは、６μｍ以内に
することが望ましい。
そのため、スパッタエツチングあるいはリフトオフでパ
ターン形成する場合の、非晶質磁性合金膜の厚みも高々
５μｍ程度と考えられる。
ターン形成する場合の、非晶質磁性合金膜の厚みも高々
５μｍ程度と考えられる。
問題点を解決するための手段
本発明は非晶質磁性合金膜によって磁路が構成される薄
膜磁気ヘッドにおいて非晶質磁性合金膜の厚みが比較的
厚い場合でもパターン形成可能とするものであり、磁路
パターン以外の不要な非晶質磁性合金膜を加熱すること
によって結晶化させ、結晶化部分のみをエツチング液で
化学的に除去してパターン形成するものである。
膜磁気ヘッドにおいて非晶質磁性合金膜の厚みが比較的
厚い場合でもパターン形成可能とするものであり、磁路
パターン以外の不要な非晶質磁性合金膜を加熱すること
によって結晶化させ、結晶化部分のみをエツチング液で
化学的に除去してパターン形成するものである。
作用
本発明による作用は次のようになる。非晶質磁性合金膜
の加熱には、集束したレーザビームめるいＵｔ電子ビー
ム用い、ビームスボッ） ヲ膜表面上を走査させる。そ
うすると、ビームスポットが当った部分のみが急速に加
熱され、非晶質磁性合金膜の結晶化温度を超える温度に
達し、結晶化する。ビームスポットが他の部分へ移動す
ると、下地等へ熱が急速に逃げるため、結晶化部分の大
きさはほぼビームスポットの大きさに限定され、寸法精
度良く結晶化部分を膜内に形成できる。レーザビームに
よる加熱の場合、非晶質磁性合金膜表面の磁路パターン
以外の部分にカーボン膜のような光吸収膜を形成してお
くと、効果的な加熱ができると同時にさらに寸法精度良
く結晶化部分を膜内に形成できる。また、集束したレー
ザビームあるいは電子ビームによる加熱では、膜の深さ
方向５μｍ以上の加熱も容易である。このようにして非
晶質磁性合金膜を部分的に結晶化させたものをエツチン
グ液に浸すと、化学的に安定な非晶質部分と不安定な結
晶質部分とでエツチングレートが大幅に異なるため、結
晶質部分のみが除去される。
の加熱には、集束したレーザビームめるいＵｔ電子ビー
ム用い、ビームスボッ） ヲ膜表面上を走査させる。そ
うすると、ビームスポットが当った部分のみが急速に加
熱され、非晶質磁性合金膜の結晶化温度を超える温度に
達し、結晶化する。ビームスポットが他の部分へ移動す
ると、下地等へ熱が急速に逃げるため、結晶化部分の大
きさはほぼビームスポットの大きさに限定され、寸法精
度良く結晶化部分を膜内に形成できる。レーザビームに
よる加熱の場合、非晶質磁性合金膜表面の磁路パターン
以外の部分にカーボン膜のような光吸収膜を形成してお
くと、効果的な加熱ができると同時にさらに寸法精度良
く結晶化部分を膜内に形成できる。また、集束したレー
ザビームあるいは電子ビームによる加熱では、膜の深さ
方向５μｍ以上の加熱も容易である。このようにして非
晶質磁性合金膜を部分的に結晶化させたものをエツチン
グ液に浸すと、化学的に安定な非晶質部分と不安定な結
晶質部分とでエツチングレートが大幅に異なるため、結
晶質部分のみが除去される。
さらに、集束したレーザビームあるいは電子ビームによ
る加熱では、膜の深さ方向には第３図のように加熱され
るため、“結晶化部分９が除去されルトパターンエッジ
はなだらかな形状になる。薄膜磁気ヘッドは、通常多く
の膜が積層されて構成されるため、パターンエツジがシ
ャープな形状であると、その上に形成される膜の切断等
が起こる場合がある。本発明によるとパターンエツジが
なだらかな形状になるため、好都合である。
る加熱では、膜の深さ方向には第３図のように加熱され
るため、“結晶化部分９が除去されルトパターンエッジ
はなだらかな形状になる。薄膜磁気ヘッドは、通常多く
の膜が積層されて構成されるため、パターンエツジがシ
ャープな形状であると、その上に形成される膜の切断等
が起こる場合がある。本発明によるとパターンエツジが
なだらかな形状になるため、好都合である。
実施例
以下、実施例について説明する。第２図に本発明を適用
した垂直磁気記録再生用の薄膜磁気ヘッドの構造の断面
図を示す。非磁性材料からなる基板１上にＣｏを主成分
とし、Ｎｂ 、 Ｚｒを少量含む非晶質磁性合金膜（厚
み２０μｍ）からなるリターン磁路４が形成され、絶縁
層６（Ｓｉ０２ 、厚み１ μｍ） ＊薄膜コイ／Ｉ
／６（人Ｅ、厚み３μｍＬ絶縁層ア（Ｓｉ０２．厚み６
ｉｔ ｍ ） ｐ主磁極８ （リターン磁路と同じ非
晶質磁性合金膜、厚み０．３μｍ）が順次形成された構
造である。絶縁層７を形成後、その表面をラッピングし
て、平坦化すると主磁極８の磁気特性への段差による悪
影響を無くすことができる。第２図に示した薄膜磁気ヘ
ッドの製造工程のうち、本発明にかかわる工程を第１図
に示す。まず、第１図ａに示すように基板１上に非晶質
磁性合金膜を厚さ２０μｍスパッタリングで形成し、破
線で示すリターン磁路パターン以外の不要な部分をレー
・ザビーム３を走査して、加熱、結晶化させる。次にこ
れを硝酸でエツチングして結晶化部分を除去し、リター
ン磁路４を形成する（第１図ｂ）。結晶化部分は約２０
分で完全に工ッチング除去され、非晶質部分はほとんど
エツチングされない。
した垂直磁気記録再生用の薄膜磁気ヘッドの構造の断面
図を示す。非磁性材料からなる基板１上にＣｏを主成分
とし、Ｎｂ 、 Ｚｒを少量含む非晶質磁性合金膜（厚
み２０μｍ）からなるリターン磁路４が形成され、絶縁
層６（Ｓｉ０２ 、厚み１ μｍ） ＊薄膜コイ／Ｉ
／６（人Ｅ、厚み３μｍＬ絶縁層ア（Ｓｉ０２．厚み６
ｉｔ ｍ ） ｐ主磁極８ （リターン磁路と同じ非
晶質磁性合金膜、厚み０．３μｍ）が順次形成された構
造である。絶縁層７を形成後、その表面をラッピングし
て、平坦化すると主磁極８の磁気特性への段差による悪
影響を無くすことができる。第２図に示した薄膜磁気ヘ
ッドの製造工程のうち、本発明にかかわる工程を第１図
に示す。まず、第１図ａに示すように基板１上に非晶質
磁性合金膜を厚さ２０μｍスパッタリングで形成し、破
線で示すリターン磁路パターン以外の不要な部分をレー
・ザビーム３を走査して、加熱、結晶化させる。次にこ
れを硝酸でエツチングして結晶化部分を除去し、リター
ン磁路４を形成する（第１図ｂ）。結晶化部分は約２０
分で完全に工ッチング除去され、非晶質部分はほとんど
エツチングされない。
本実施例ではリターン磁路４のパターンエツジ部分が、
なだらかになっているため、段差が２０μｍもめるにも
かかわらず、その上に形成される膜がパターンエツジ部
分で切断することはない。
なだらかになっているため、段差が２０μｍもめるにも
かかわらず、その上に形成される膜がパターンエツジ部
分で切断することはない。
他の実施例として、前記実施例のリターン磁路４と主磁
極８を入れ変えた構成の垂直磁気ヘッドにおいても、本
発明は適用できる。また、本発明は非晶質磁性合金膜を
磁路として用いる他のタイプの薄膜磁気ヘッドにも適用
でき、非晶質磁性合金膜の厚みが厚い場合に特に有効で
ある。
極８を入れ変えた構成の垂直磁気ヘッドにおいても、本
発明は適用できる。また、本発明は非晶質磁性合金膜を
磁路として用いる他のタイプの薄膜磁気ヘッドにも適用
でき、非晶質磁性合金膜の厚みが厚い場合に特に有効で
ある。
発明の効果
本発明は非晶質磁性合金膜のパターン形成を容易にする
ものであり、特に非晶質磁性台”金膜の厚みが厚い場合
に効果が大きい。またレーザビームおるいは電子ビーム
で膜表面を走査することにより、フォトリソグラフィに
よるパターニングの必要が無く、直接パターン形成可能
である。さらにパターンエツジ部分がなだらかな形状に
なるため薄膜磁気ヘッドの工程において好ましい効果が
ある。
ものであり、特に非晶質磁性台”金膜の厚みが厚い場合
に効果が大きい。またレーザビームおるいは電子ビーム
で膜表面を走査することにより、フォトリソグラフィに
よるパターニングの必要が無く、直接パターン形成可能
である。さらにパターンエツジ部分がなだらかな形状に
なるため薄膜磁気ヘッドの工程において好ましい効果が
ある。
第１図は本発明による薄膜磁気ヘッドの製造工程の一部
を示す図、第２図は本発明による薄膜磁気ヘッドの構造
を示す断面図、第３図は本発明におけるレーザビームに
よる加熱のされがたを示す図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・非晶質磁性合金膜
、３・・・・・・レーザビーム、４・・・・・・リター
ン磁路、５・・・・・・絶縁層、６・・・・・・薄膜コ
イル、７・・・・・・絶縁層、８・・・・・・主磁極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名＃Ｉ
１図 第２図 第３図
を示す図、第２図は本発明による薄膜磁気ヘッドの構造
を示す断面図、第３図は本発明におけるレーザビームに
よる加熱のされがたを示す図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・非晶質磁性合金膜
、３・・・・・・レーザビーム、４・・・・・・リター
ン磁路、５・・・・・・絶縁層、６・・・・・・薄膜コ
イル、７・・・・・・絶縁層、８・・・・・・主磁極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名＃Ｉ
１図 第２図 第３図
Claims (5)
- （１）非晶質磁性合金膜によって磁路が構成される薄膜
磁気ヘッドにおいて、磁路パターン以外の不要な非晶質
磁性合金膜を加熱することによって結晶化させ、結晶化
部分のみをエッチング液で化学的に除去して磁路パター
ンを形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
法。 - （２）集束したレーザビームあるいは電子ビームで加熱
することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜
磁気ヘッドの製造方法。 - （３）磁路パターン以外の非晶質磁性合金膜表面上に光
吸収膜を形成した後、集束したレーザビームで加熱する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気
ヘッドの製造方法。 - （４）光吸収膜が、カーボン膜であることを特徴とする
特許請求の範囲第３項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法
。 - （５）非晶質磁性合金膜がＣｏを主成分とし、スパッタ
リングで形成されることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24116384A JPS61120316A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24116384A JPS61120316A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61120316A true JPS61120316A (ja) | 1986-06-07 |
Family
ID=17070193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24116384A Pending JPS61120316A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61120316A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130248057A1 (en) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | Fih (Hong Kong) Limited | Method for forming patterns on substrates and articles manufactured by the same |
-
1984
- 1984-11-15 JP JP24116384A patent/JPS61120316A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130248057A1 (en) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | Fih (Hong Kong) Limited | Method for forming patterns on substrates and articles manufactured by the same |
| US8911876B2 (en) * | 2012-03-23 | 2014-12-16 | Shenzhen Futaihong Precision Industry Co., Ltd. | Method for forming patterns on substrates and articles manufactured by the same |
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