JPS6111481B2 - - Google Patents
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- JPS6111481B2 JPS6111481B2 JP53017275A JP1727578A JPS6111481B2 JP S6111481 B2 JPS6111481 B2 JP S6111481B2 JP 53017275 A JP53017275 A JP 53017275A JP 1727578 A JP1727578 A JP 1727578A JP S6111481 B2 JPS6111481 B2 JP S6111481B2
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- JP
- Japan
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- coupling circuit
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- coupling
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- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 58
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 58
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
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- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/203—Strip line filters
- H01P1/20327—Electromagnetic interstage coupling
- H01P1/20336—Comb or interdigital filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/18—Modifications of frequency-changers for eliminating image frequencies
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J3/00—Continuous tuning
- H03J3/02—Details
- H03J3/16—Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability
- H03J3/18—Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability by discharge tube or semiconductor device simulating variable reactance
- H03J3/185—Tuning without displacement of reactive element, e.g. by varying permeability by discharge tube or semiconductor device simulating variable reactance with varactors, i.e. voltage variable reactive diodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Noise Elimination (AREA)
- Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子同調式チユーナに好適な超高周波
帯の電子同調回路に関し、更に詳しくは、プリン
ト基板上に共振ライン等を設けた平面回路化電子
同調式チユーナのイメージ妨害比を、従来方式で
の特定周波数で最大の妨害比を得る方式をひろげ
て、全受信帯域について最大の妨害比が得られる
ようにすることを目的とする。
帯の電子同調回路に関し、更に詳しくは、プリン
ト基板上に共振ライン等を設けた平面回路化電子
同調式チユーナのイメージ妨害比を、従来方式で
の特定周波数で最大の妨害比を得る方式をひろげ
て、全受信帯域について最大の妨害比が得られる
ようにすることを目的とする。
従来の電子同調式チユーナのうち、高周波増巾
器のものは四つの共振回路部から、高周波増巾器
のないものは三つの共振回路部からそれぞれ構成
されている。第1図は高周波増巾器電子チユーナ
の原理的構成例で、プリント基板上に共振ライン
をパターン化して構成したサスペンデツドライン
方式によるものである。1/4波長形のものは片端
にコンデンサ及び可変容量素子が接続され、1/2
波長形に関しては片端にコンデンサ、もう一方の
端には可変容量素子が接続されている。第1図に
示したものは1/4波長形の例である。
器のものは四つの共振回路部から、高周波増巾器
のないものは三つの共振回路部からそれぞれ構成
されている。第1図は高周波増巾器電子チユーナ
の原理的構成例で、プリント基板上に共振ライン
をパターン化して構成したサスペンデツドライン
方式によるものである。1/4波長形のものは片端
にコンデンサ及び可変容量素子が接続され、1/2
波長形に関しては片端にコンデンサ、もう一方の
端には可変容量素子が接続されている。第1図に
示したものは1/4波長形の例である。
図において、高周波信号は入力端子1から結合
回路2を通して共振回路3に供給される。共振回
路3で選択された信号は高周波増巾器4によつて
増巾され、段間同調回路に供給される。共振回路
5及び6は段間同調回路を形成し、その出力信号
は混合ダイオード10に供給される。7及び8は
イメージトラツプ用結合回路である。イメージト
ラツプ用結合回路8はプリント基板17の裏面を
通り、共振回路6と交叉し結合回路22の直下ま
で延びている回路である。
回路2を通して共振回路3に供給される。共振回
路3で選択された信号は高周波増巾器4によつて
増巾され、段間同調回路に供給される。共振回路
5及び6は段間同調回路を形成し、その出力信号
は混合ダイオード10に供給される。7及び8は
イメージトラツプ用結合回路である。イメージト
ラツプ用結合回路8はプリント基板17の裏面を
通り、共振回路6と交叉し結合回路22の直下ま
で延びている回路である。
共振回路9はトランジスタ11、可変容量ダイ
オード13及びコンデンサ14とともに局部発振
回路を形成し、ここで発振した局部発振信号と段
間同調回路からの高周波出力が混合ダイオード1
0で混合され、得られた中間周波信号はコイル1
5とコンデンサ15′で形成される低域通過フイ
〓〓〓
ルタを通して中間周波端子16から取り出され
る。可変容量ダイオード13はそれぞれ端子20
から印加される直流電圧によりその容量が変化し
それぞれ共振回路の同調周波数を変化させるもの
である。
オード13及びコンデンサ14とともに局部発振
回路を形成し、ここで発振した局部発振信号と段
間同調回路からの高周波出力が混合ダイオード1
0で混合され、得られた中間周波信号はコイル1
5とコンデンサ15′で形成される低域通過フイ
〓〓〓
ルタを通して中間周波端子16から取り出され
る。可変容量ダイオード13はそれぞれ端子20
から印加される直流電圧によりその容量が変化し
それぞれ共振回路の同調周波数を変化させるもの
である。
第2図は第1図の回路筐体の断面図を示してい
る。
る。
図において17は誘電体プリント基板、18は
プリント基板上に構成されている導体、19は接
地導体を示している。平面化回路構成においては
ガラスエポキシ基板などの誘電体基板を用いて、
その片面もしくは両面に回路を構成し、第2図に
示すようなサスペンデツト構造となつている。こ
の方式のチユーナは小型化と同時に共振回路間の
結合の無調整化や終端容量の同一基板上への一体
化が可能であるため生産性が高くなるなどの特徴
をもつている。
プリント基板上に構成されている導体、19は接
地導体を示している。平面化回路構成においては
ガラスエポキシ基板などの誘電体基板を用いて、
その片面もしくは両面に回路を構成し、第2図に
示すようなサスペンデツト構造となつている。こ
の方式のチユーナは小型化と同時に共振回路間の
結合の無調整化や終端容量の同一基板上への一体
化が可能であるため生産性が高くなるなどの特徴
をもつている。
次に第3図、第4図を用いて段間同調部のイメ
ージトラツプ用結合回路について説明する。図に
おいて21は高周波増巾器4からの出力を共振回
路5に供給するための結合回路、22は段間同調
回路からの出力を混合ダイオード10に供給する
ための結合回路である。5〜8は第1図の同一符
号部分と同一である。
ージトラツプ用結合回路について説明する。図に
おいて21は高周波増巾器4からの出力を共振回
路5に供給するための結合回路、22は段間同調
回路からの出力を混合ダイオード10に供給する
ための結合回路である。5〜8は第1図の同一符
号部分と同一である。
第4図は段間同調部の特性曲線図で、図中横軸
は周波数s、縦軸は挿入損失L,は同調周波
数1Fは同調周波数に対するイメージ周波数を
示している。曲線25は段間同調回路にイメージ
トラツプ用結合回路7及び8がない場合を、曲線
26はイメージトラツプ用結合回路7及び8があ
る第3図の場合の特性曲線を示す。
は周波数s、縦軸は挿入損失L,は同調周波
数1Fは同調周波数に対するイメージ周波数を
示している。曲線25は段間同調回路にイメージ
トラツプ用結合回路7及び8がない場合を、曲線
26はイメージトラツプ用結合回路7及び8があ
る第3図の場合の特性曲線を示す。
イメージトラツプ用結合回路7及び8がない場
合は、イメージ妨害比が充分とれないことが多
い。たとえば、日本におけるテレビジヨンUHF
帯の周波数は470MHz〜770MHzであり、そのイメ
ージ周波数1Fはチヤンネルの中心より約120M
Hz離れたところにあつて、第4図で示した同調周
波数でのイメージ妨害比Iは約40dB程度であ
る。
合は、イメージ妨害比が充分とれないことが多
い。たとえば、日本におけるテレビジヨンUHF
帯の周波数は470MHz〜770MHzであり、そのイメ
ージ周波数1Fはチヤンネルの中心より約120M
Hz離れたところにあつて、第4図で示した同調周
波数でのイメージ妨害比Iは約40dB程度であ
る。
一方、第3図に示したように、イメージトラツ
プ用結合回路を設けると、第4図26に示すよう
にイメージ妨害比がΔI(8〜15dB)だけ改善
することができ、約48〜55dBのイメージ妨害比
が得られることになる。
プ用結合回路を設けると、第4図26に示すよう
にイメージ妨害比がΔI(8〜15dB)だけ改善
することができ、約48〜55dBのイメージ妨害比
が得られることになる。
しかし、このような方式によつても以下に述べ
るように十分な特性が得られたとは言い難い。第
5図はイメージ妨害比を示す特性図で、横軸は受
信周波数S、縦軸はイメージ妨害比Iを示す。
図中27はイメージトラツプ用結合回路がないと
きの特性曲線、28は第1図又は第3図に示した
ようなイメージトラツプ用結合回路7,8がある
ときの特性曲線図である。曲線37については後
述する。特性曲線28からわかるように、同調周
波数MHzにおいてのみイメージ周波数でのトラ
ツプ効果が得られるものであり、他の同調周波数
においてはこのようなトラツプ効果は見られな
い。
るように十分な特性が得られたとは言い難い。第
5図はイメージ妨害比を示す特性図で、横軸は受
信周波数S、縦軸はイメージ妨害比Iを示す。
図中27はイメージトラツプ用結合回路がないと
きの特性曲線、28は第1図又は第3図に示した
ようなイメージトラツプ用結合回路7,8がある
ときの特性曲線図である。曲線37については後
述する。特性曲線28からわかるように、同調周
波数MHzにおいてのみイメージ周波数でのトラ
ツプ効果が得られるものであり、他の同調周波数
においてはこのようなトラツプ効果は見られな
い。
また、第3図のようにgの結合位置にイメージ
トラツプ用結合回路7,8が構成されている場合
トラツプ周波数Tと同調周波数Sとの差(T
−S)との同調周波数Sとの関係は第6図の直
線29のようになる。直線29から明らかなよう
に、イメージ周波数(1F=120MHz、第6図直
線36)のトラツプ効果は特定周波数において
のみ現われる。また、同調周波数Oにおいては
T−S=92MHz、同調周波数oにおいてはT
−S=134MHzでトラツプ効果が現われる。
トラツプ用結合回路7,8が構成されている場合
トラツプ周波数Tと同調周波数Sとの差(T
−S)との同調周波数Sとの関係は第6図の直
線29のようになる。直線29から明らかなよう
に、イメージ周波数(1F=120MHz、第6図直
線36)のトラツプ効果は特定周波数において
のみ現われる。また、同調周波数Oにおいては
T−S=92MHz、同調周波数oにおいてはT
−S=134MHzでトラツプ効果が現われる。
このイメージトラツプ周波数は、イメージトラ
ツプ用結合回路7,8の結合位置gを変えること
により任意に選定することができる。たとえば、
同調周波数Oに対してイメージトラツプ効果を
もたせるためには、結合位置を第6図の直線で示
す位置go=g−Δgにすればよく、同調周波数
oに対してイメージトラツプ効果をもたせるた
めには、結合位置を第6図の直線31で示す位置
gn=g+Δgとすればよい。
ツプ用結合回路7,8の結合位置gを変えること
により任意に選定することができる。たとえば、
同調周波数Oに対してイメージトラツプ効果を
もたせるためには、結合位置を第6図の直線で示
す位置go=g−Δgにすればよく、同調周波数
oに対してイメージトラツプ効果をもたせるた
めには、結合位置を第6図の直線31で示す位置
gn=g+Δgとすればよい。
上述のように、第1図または第3図のようにイ
メージトラツプ用結合回路を形成した場合は、特
定の周波数に対して一番大きいトラツプ効果は得
られるが、同調周波数Sの全帯域においてイメ
ージ周波数でのトラツプ効果を大巾に得ることが
できない。すなわち、受信周波数全帯域において
イメージ妨害比が改善されないという大きな欠点
がある。
メージトラツプ用結合回路を形成した場合は、特
定の周波数に対して一番大きいトラツプ効果は得
られるが、同調周波数Sの全帯域においてイメ
ージ周波数でのトラツプ効果を大巾に得ることが
できない。すなわち、受信周波数全帯域において
イメージ妨害比が改善されないという大きな欠点
がある。
本発明はこのような欠点を解決すべくなされた
もので、同調周波数全域においてイメージ周波数
でのトラツプ効果をもたせた超高周波帯の電子同
調回路を提供するものである。以下第5図〜第7
〓〓〓
図を用いて本発明の一実施例を詳細に説明する。
なお説明の都合上従来方式と同様にイメージ周波
数のトラツプについて説明するが、本発明はイメ
ージ周波数トラツプについて限定するものではな
い。
もので、同調周波数全域においてイメージ周波数
でのトラツプ効果をもたせた超高周波帯の電子同
調回路を提供するものである。以下第5図〜第7
〓〓〓
図を用いて本発明の一実施例を詳細に説明する。
なお説明の都合上従来方式と同様にイメージ周波
数のトラツプについて説明するが、本発明はイメ
ージ周波数トラツプについて限定するものではな
い。
第7図は本発明による段間同調回路の構成を示
し、a図は平面図、b図はa図のAA′線断面側面
図である。図中33,34および35は本発明に
よるイメージトラツプ結合回路であり、その他の
各符号は第1図または第3図の同一符号部分と同
一である。
し、a図は平面図、b図はa図のAA′線断面側面
図である。図中33,34および35は本発明に
よるイメージトラツプ結合回路であり、その他の
各符号は第1図または第3図の同一符号部分と同
一である。
イメージトラツプ結合回路33はB点において
誘電体基板17を貫通してイメージトラツプ結合
回路34に接続している。また、イメージトラツ
プ結合回路34は、C点において誘電体基板17
を貫通して結合回路22に接続している。
誘電体基板17を貫通してイメージトラツプ結合
回路34に接続している。また、イメージトラツ
プ結合回路34は、C点において誘電体基板17
を貫通して結合回路22に接続している。
イメージトラツプ結合回路35はC点を起点と
し、共振ライン5,6の延長方向に対して傾きを
もつて延びており、D点で筐体19に接地されて
いる。
し、共振ライン5,6の延長方向に対して傾きを
もつて延びており、D点で筐体19に接地されて
いる。
go′は共振ライン6の中心から端までの結合距
離、gは共振ライン6の中心からイメージトラツ
プ結合回路33までの結合距離、gn′は共振ライ
ン6の中心からイメージトラツプ結合回路35の
端Dまでの結合距離を示している。
離、gは共振ライン6の中心からイメージトラツ
プ結合回路33までの結合距離、gn′は共振ライ
ン6の中心からイメージトラツプ結合回路35の
端Dまでの結合距離を示している。
また、αは共振ライン6とイメージトラツプ結
合回路35とが回路平面内においてなす角度、β
はイメージトラツプ結合回路35が回路平面に対
してなす角度で、これらはgo′〜gn′の結合位置に
対する同調周波数を決定するパラメータである。
合回路35とが回路平面内においてなす角度、β
はイメージトラツプ結合回路35が回路平面に対
してなす角度で、これらはgo′〜gn′の結合位置に
対する同調周波数を決定するパラメータである。
このような構成によると、イメージトラツプ用
結合回路35と同調回路部6との結合距離が漸次
変化した状態で結合するので、第3図においてイ
メージトラツプ結合回路の結合位置をgo〜gnま
で変化させた場合と同様に、同軸(受信)周波数
全域O〜oにおいてイメージ周波数に対してト
ラツプ効果をもたせることができる。すなわち第
6図において、同調周波数O〜oの全域におい
て直線36に示すようにイメージ周波数(120M
Hz)に対してトラツプ効果をもたせることが可能
である。この場合、gの結合位置に対する同調周
波数において、特にイメージ周波数に対するトラ
ツプ効果が強くなる。この結果、イメージ妨害比
Iは第5図の曲線37に示すようになり、前述し
た従来方式に比較して20dB以上と大巾に改善す
ることができる。なお同図中点下はgの結合位置
(同調周波数)において示すピークである。
結合回路35と同調回路部6との結合距離が漸次
変化した状態で結合するので、第3図においてイ
メージトラツプ結合回路の結合位置をgo〜gnま
で変化させた場合と同様に、同軸(受信)周波数
全域O〜oにおいてイメージ周波数に対してト
ラツプ効果をもたせることができる。すなわち第
6図において、同調周波数O〜oの全域におい
て直線36に示すようにイメージ周波数(120M
Hz)に対してトラツプ効果をもたせることが可能
である。この場合、gの結合位置に対する同調周
波数において、特にイメージ周波数に対するトラ
ツプ効果が強くなる。この結果、イメージ妨害比
Iは第5図の曲線37に示すようになり、前述し
た従来方式に比較して20dB以上と大巾に改善す
ることができる。なお同図中点下はgの結合位置
(同調周波数)において示すピークである。
第8図は本発明の他の実施例で、イメージトラ
ツプ結合回路33,34および35を平面パター
ンとして構成したものである。図中の各符号およ
び動作は第7図の実施例と同様である。
ツプ結合回路33,34および35を平面パター
ンとして構成したものである。図中の各符号およ
び動作は第7図の実施例と同様である。
第9図は本発明を使用した電子同調式チユーナ
の実施例である。各部の符号と動作は第1図およ
び第7図と同様であり説明は省略する。
の実施例である。各部の符号と動作は第1図およ
び第7図と同様であり説明は省略する。
上述の説明では高周波増巾器付の電子同調チユ
ーナにについて説明したが、高周波増巾器のない
場合も全く同様の作用効果を呈する。
ーナにについて説明したが、高周波増巾器のない
場合も全く同様の作用効果を呈する。
また、上述の説明ではイメージトラツプ結合回
路34,35が共振ライン6と交叉し、出力結合
回路22と接続させた場合について説明明した
が、これらのイメージトラツプ結合回路34,3
5が他の共振ライン5と交叉し、入力結合回路2
1と接続させても全く同様の作用効果を呈する。
路34,35が共振ライン6と交叉し、出力結合
回路22と接続させた場合について説明明した
が、これらのイメージトラツプ結合回路34,3
5が他の共振ライン5と交叉し、入力結合回路2
1と接続させても全く同様の作用効果を呈する。
以上のように、本発明は広帯域の電子同調式チ
ユーナななどの全帯域の帯域外阻止特性を大巾に
改善することのできる超高周波電子同調回路を提
供するものであり、複数個の共振回路を有する前
述以外の可変同調回路においても、その選択度特
性を大巾に改善するのに有効である。
ユーナななどの全帯域の帯域外阻止特性を大巾に
改善することのできる超高周波電子同調回路を提
供するものであり、複数個の共振回路を有する前
述以外の可変同調回路においても、その選択度特
性を大巾に改善するのに有効である。
第1図は従来の高周波増巾器電子付チユーナの
原理構成図、第2図は第1図の断面図、第3図は
第1図の電子同調回路部の構成図、第4図は第3
図の電子同調回路部の動作特性図、第5図および
第6図は第3図の電子同調回路部および本発明に
よる電子同調回路の動作特性図、第7図a,bは
本発明の一実施例における電子同調回路の構成
図、第8図a,bは本発明による電子同調回路の
他の実施例を示す構成図、第9図は本発明を使用
した高周波増巾器電子付チユーナの構成図であ
る。 2,21,22……結合回路、3,5,6,9
……共振回路、4……高周波増巾器、7,8,3
3,34,35……イメージトラツプ用結合回
路、10……混合ダイオード、12,14,15
……コンデンサ、13……可変容量ダイオード、
15……コイル、16……中間周波端子、17…
…誘電体プリント基板、18……導体、19……
〓〓〓
筐体。 〓〓〓
原理構成図、第2図は第1図の断面図、第3図は
第1図の電子同調回路部の構成図、第4図は第3
図の電子同調回路部の動作特性図、第5図および
第6図は第3図の電子同調回路部および本発明に
よる電子同調回路の動作特性図、第7図a,bは
本発明の一実施例における電子同調回路の構成
図、第8図a,bは本発明による電子同調回路の
他の実施例を示す構成図、第9図は本発明を使用
した高周波増巾器電子付チユーナの構成図であ
る。 2,21,22……結合回路、3,5,6,9
……共振回路、4……高周波増巾器、7,8,3
3,34,35……イメージトラツプ用結合回
路、10……混合ダイオード、12,14,15
……コンデンサ、13……可変容量ダイオード、
15……コイル、16……中間周波端子、17…
…誘電体プリント基板、18……導体、19……
〓〓〓
筐体。 〓〓〓
Claims (1)
- 1 誘電体基板の一平面上に形成された複数の共
振回路を有する同調回路部と、前記同調回路部の
両側に配された入力結合回路および出力結合回路
と、前記共振回路の少なくとも1つと前記誘電体
基板の上下面で部分的に略直交叉し、前記入力結
合回路または出力結合回路に電気的に接続された
第1のイメージトラツプ用結合回路と、前記第1
のイメージトラツプ用結合回路とその第1のイメ
ージトラツプ用結合回路に電気的に接続されてい
る前記入力結合回路または出力結合回路との接続
部に一端が接続され、また前記共振回路の少なく
とも1つとの結合距離が漸次変化するように前記
共振回路に対して前記誘電体基板の上下面で、か
つ一定の角度で順次離れていくよう配された第2
のイメージトラツプ用結合回路とを具備し、前記
共振回路、入力結合回路、出力結合回路、及び第
1のイメージトラツプ用結合回路を少なくとも平
面回路構成として電子同調回路。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1727578A JPS54109301A (en) | 1978-02-15 | 1978-02-15 | Electronic tuner circuit |
US06/012,216 US4214217A (en) | 1978-02-15 | 1979-02-14 | Electronic tuning circuit having image trapping element |
CA321,478A CA1130937A (en) | 1978-02-15 | 1979-02-14 | Electronic tuning circuit having image trapping element |
DE2905684A DE2905684C2 (de) | 1978-02-15 | 1979-02-14 | Elektronische Abstimmschaltung |
GB7905450A GB2019683B (en) | 1978-02-15 | 1979-02-15 | Tuning circuit having image frequency trapping element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1727578A JPS54109301A (en) | 1978-02-15 | 1978-02-15 | Electronic tuner circuit |
Publications (2)
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JPS54109301A JPS54109301A (en) | 1979-08-27 |
JPS6111481B2 true JPS6111481B2 (ja) | 1986-04-03 |
Family
ID=11939415
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1727578A Granted JPS54109301A (en) | 1978-02-15 | 1978-02-15 | Electronic tuner circuit |
Country Status (5)
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Families Citing this family (12)
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