JPS61113778A - 表面処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はプラズマを用いた表面処理装置に係り、特に半
導体然積回路用のプラズマエツチングや、プラズマデポ
ジション装置に関する。

〔発明の背景〕

プラズマを用いた表面処理技術が工業的に活発に用いら
れている。このプラズマ表面処理装置は真空室、真空室
を排気する手段、真空室にガスを導入する手段、真空室
またはその一部にプラズマを発生させる手段、および試
料と試料を保持する手段から構成される。プラズマ表面
処理の特性は、プラズマ発生用ガス（放電ガス）の種類
、組成、濃度によって極端に変化する。表面処理の目的
によっては、これらパラメータを処理期間の途中で一定
時間（周期的に）変化させ、特定の処理特性を強調する
ことが必要になる場合がある。しかし従来装置ではこの
ような機能はなく、処理期間全般にわたって一定の特性
の処理しか行なうことはできなかった。

第１図と第２図に従来のプラズマを用いたエツチング装
置（プラズマエツチング装置）の構成例を示しである（
管野噌雄編「半導体プラズマプロセス技術」、産業図書
株式会社、　１９８０．　ｐｐ１０１〜１６４）。第１
図は有磁場マイクロ波放電を用いた装置であり、第２図
はＲＦ放電を用いた装置である。

有磁場マイクロ波放電を発生させる手段は、マグネトロ
ン１、マグネトロン用電源２、導波管３、放電管４、ソ
レノイドコイル５．永久磁石１２により構成される。Ｒ
Ｆ放電を発生させる手段は、’　　　　　　ＲＦ？Ｉｉ
源１５、コンデンサ１６、およびＲＦ上下電極１３．１
４より構成される。

プラズマエツチング装置を半導体素子製造プロセスに適
用するためには次のことが重要な課題となる。

（１）エツチング速度が大きいこと。

（２）第３図（ａ）に示す被エツチング物質２４とマス
ク２５を用いて、第３図（Ｃ）のようにアンダーカット
のない垂直エツチングが可能なこと。

すなわち、微細加工性が良いこと。

エツチング速度を大きくするためには、たとえば、被エ
ツチング物質２４がＳ　ｉ　ｅ　ｐｏｌｙｓｉである場
合にはＳＦ、を放電ガスとして用いるとよい。

しかし、この放電ガスは第３図（ｂ）のようにアンダー
カット２６が大きく条件（２）が満足されない。半導体
回路素子の微細化、素子製造の量産化に伴ない、上記条
件（１）、（２）を同時に満足するプラズマエツチング
装置が必要となる。

第１図、第２図の装置は、放電ガスの種類を変えること
によってプラズマデポジション装置としで使うこともで
きる。たとえば、放電ガスとしてＳ　ｉ　Ｈ，とＮＨ，
の混合ガスを用５・ると試料表面　　　　　　ｊ）上に
５ｉ−Ｎ膜が形成され、半導体素子の保護膜として用い
ることができる。しかし、この５ｉ−Ｎ膜中には多量の
水素が混入し素子特性を劣化させる（Ｒ，Ｂ、Ｆａｉｒ
　ｅｔ　ａｌ　１［ＥＥＥ、ＨＤ−２８，８３（１９８
１））。

また、第１図の装置で放電ガスとしてＳ　ｉ　Ｆ。

とＮ２　の混合ガスを用いても同様に５ｉ−Ｎ膜を形成
することができる。しかしこの場合は膜中に混入するフ
ッ素が問題となる。このような問題を解決できるプラズ
マデポジションＲ１ｉ？が必要である。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、被表面処理用試料に対する放電ガスＣ
種角、構成　ｇ度を処理途中で１回のみ、または複数回
周期的に変化させることにより、従来のプラズマ表面処
理装置では不可能であった特性を実現させることが可能
な表面処理装置を提供することにある。

〔発明の概要〕

放電ガスの種類１組成、ｆｊ４．度はプラズマ表面処理
特性を最も有効に変化させるパラメータである。

従って、被表面処理用試料に対する放電ガスの種類２組
成、ｔｉ度を処理途中で変化させることによって、特定
の表面処理特性を強調することが可能である。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の詳細な説明する。

〈実施例１〉 第４図は本発明を用いたプラズマエツチング装置の一構
成例である。プラズマ発生手段としては有磁場マイクロ
波放電を用い、被エツチング物質としてはＳｉ（または
ｐｏｌｙｓｉ）の例を示しである。装置概略の構成は、
第１図の装置を中間室２１を介して２台接続したものと
同じである。ガス供給手段はＳＦ、、Ｎ、の２種類のガ
ス源９ａ。

９ｂと、各ガス源につけられたガス流量調節用ニードル
バルブ８，８′とガス配管７，７′から構成される。室
見１匹礼挨生、試料１０が真空室６゜６′の間を１回も
しくは複数回（周数的に）移動することにある。この移
動は移動機構１９．１９’　。

１９′およびコントローラ１８によって制御される。

本実施例では、まず真空室６，６′および中間室２１を
高真空（約Ｉ　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ）に排気する。

次に真空室に放電ガスを所定量供給する。たとえば、真
空室６のｓｉｒ、分圧は５　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ、真
空室６′内のＮ２分圧は５　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒであ
る。

しかし、各分圧を広範囲（Ｉ　Ｘ　１０−５Ｔｏｒｒ〜
Ｉ　Ｘｌ　０−’Ｔｏｒｒ）に変えても本発明の効果は
変わらない。次に、ソレノイドコイル５，５′により放
電管４，４′部に磁場を形成し、マグネトロンによるマ
イクロ波（周波数１〜ｌ０ＧＨ，、通常は２．４５０Ｈ
，）を放電管４，４′内に導入すると有磁場マイクロ波
放電が発生する。すると、放電中で活性な粒子が（たと
えば、ＳＦ、放電では、Ｆ４イオンやＦラジカルが、Ｎ
２放電ではＮ１イオンやＮラジカルが）発生し、Ｓｉ表
面と物理・化学反応を起こす。

１　　　　　　　」」（施ｍｏａｔ案基２、第５図に示
すごとく、試料１０の真空室６，６′内（あるいは、Ｓ
Ｆ、とＮ、放電内）の滞在時間を変化させることにある
。

滞在時間の制御は移ａ機構１９，１９’　、１９’およ
びコント・ローラ１８により行なう。第５図において、
Ａ点は試料１０が真空室６内に、Ｂ点は試料１０が真空
室６′内にあることを表わす。滞在時間τ７．τ２を決
定する条件は後述するが、−例としてて□＝２５ｓｅｃ
、　　τ、　：＝　５　ｓｅｃを選ぶことができる。こ
のようにすることによって、ＳＦ、カスによる高速エツ
チング（エツチング速度〉２００ｒｖ／＋ｉｎ）がアン
ダーカットなく実現される。このような高速、垂直エツ
チングが本発明により初めて可能となったことを以下に
述べる。

エツチング開始後最初ので１の期間では、試料１０は真
空室６内にあり、試料表面とプラズマ中の閣性粒子（た
とえばＦ＋イオンやＦラジカル）が反応してエツチング
が進行する０本実施例では試料１０はプラズマに対して
負の浮遊電位ｖ（Ｖは約−２０■）になっており、Ｆ１
イオンは試料表面に垂直に入射する。従って、Ｆ４イオ
ンによるエツチングは試料表面に垂直となり、アンダー
カットは発生しない６一方、Ｆラジカルは電気的　　　
　　；寺に中性であるため、試料表面に等方向に入射し
てアンダーカットを発生させる。ところで、ＳＦ。

ガスによるエツチングでは、Ｆ１イオンによる効果より
Ｆラジカルによる効果の方が大きく、エツチング形状は
第６図（ａ）に示すごとく等方向となる。すなわち、τ
１の間に表面に垂直にｄ０深さだけエツチングされると
横方向にも約ｄ１のアンダーカットが発生している。次
ので２の期間は試料１０は真空室６′内にある。Ｎ２放
電ではＮ″″″イオンラジカルが発生しているので、こ
れら活性粒子により試料１０の表面は第６図（ｂ）に示
すように七される。次に試料１０を再び真空室６内に移
すと試料表面にはＦ＋イオンやＦラジカルが入射してく
る。しかし、Ｆラジカルでけでは窒化シリコン膜はほと
んどエツチングされないため、窒化シリコン膜で覆われ
た側面のエツチングは行なわれず、垂直方向のエツチン
グと新たに現われた側面のエツチングが行なわれる。

この時のアンダーカットの大きさはやはりｄｌである。

すなわち、第６図（Ｃ）のようになる。

これをくり返すことによって第６図（ｄ）のような断電
形状をしたエツチングが行なわれる。すなわち、はぼ垂
直にエツチングが可能となる。

τ。＝τ１＋τ２を１周期として、移動をｍ往復したと
すると、全エツチング時間ｔ、は。

ｔ、＝ｎｔ、　　　　　　　　　　　（１）であり、垂
直方向のエツチング深さｄｖ、および水平方向のエツチ
ング量ｄＲ（アンダーカット量）は。

ｄ、＝ｎｄ１　　　　　　　　　　（２）ｄ、Ｉ＝ｄ、
（３） である。垂直エツチングとしては一般にｄｖ／ｄ。

＞１０が必要であるから ｍ＞１０　　　　　　　　　　　　（４）が必要である
。実験によれば、τ□の間にエツチングされる垂直方向
のエツチング深さは２００ｎｍ以下であることが必要で
あった。これ以上τ□を大きくすると一旦形成された側
壁の窒化膓がエツチングされてアんダーカットが大きく
なるからである。すなわち、最終的な垂直方向のエツチ
ング速度がε　（ｎｍ／ｍ１ｎ）とするとτ、＜　（２
００／ε）Ｘ６０　　　（５）である必要がある。たと
えば、ε＝２００　ｎ　ｍ　７ｍ　ｉ　ｎとするとて□
＜　６０　ｓｅｃが必要である。また、Ｃ２の間ではエ
ツチングが行なわれないから、Ｃ７〈τ、も実用的には
必要となる。以上の条件より、前述では、τ、＝２５ｓ
ｅｃ、　　Ｃ２＝５ｓｅｃの結果を述べたが、τ１＝５
〜６０ｓｅｃで得られることを実験的に確認している。

本実施例では有磁場マイクロ波放電を用いた装置につい
て述べているが、ＲＦ放電を用いた装置、あるいは有磁
場マイクロ波放電とＲＦ放電を１組合わせた装置に本発
明を適用しても同様の効果が得られる。また１本実施例
ではＳＦｇ　、Ｎｚ　を用いた例を示したが、ＳＦ、の
かわりにＦ、そらには他のハロゲン元素を含むガス（た
とえば。

Ｃ，Ｆ、（ＣＦ４．Ｃ，Ｉｉ’、、Ｃ，Ｆ、、Ｃ，Ｆ、
、Ｃ，Ｆｌ。

等）力Ｘ、ＮＦ、、ＣＱ、、Ｃ，ＣＱ、ＣＣＣＱ４゜Ｃ
２ＣＱｒ、等）ガス、Ｃ，Ｆ、ＣＱｋ　（ｎｌｍｔｋ　
：Ｍ数）ガス、ＢＣＱ、、その他Ｂｒや工を含むガス等
）を用い、Ｎ２　のかわりに、０２やＣ−Ｈ系化合物ガ
スさらにはＮ、Ｏ，Ｃのうちいずれか１つ、又は複数の
元素を含むガスを用いても効果は同じである。特に、後
者に関しては、酸化シリコンやＳｉＣ膜は窒化シリコン
膜と同様にＦラジカルではエツチングされない６本実施
例では、各真空室にはそれぞれＳＦ、、Ｎ、の単一ガス
を導入しているが、表面処理の目的によっては、混合ガ
スを用いることも可能である。たとえば、真空室６に導
入するガスＳＦ、＋Ｈ，とした場合、Ｃ２を短かくする
ことが可能である。なぜならば、Ｈ２ガスはプラズマ中
のＦラジカル濃度を減少させる効果を持つからである。

また、本実施例では被エツチング物質がＳｉの場合につ
いて示したが、被エツチング物質がＳｉ以外の物質でも
同様の方法が使用できる。本実施例では、真空室６，６
′の間に中間室２１が設けられている。これは試料１０
１動時（７）ＳＦ、　Ｎ、　、）□、、。□２防ニオう
　　　　　　　島ためのものである。しかし１両真空室
の試料移動のための開口窓を排気ポートに比べ十分小さ
くできるならば、中間室２１は必ずしも必要ではない。

〈実施例２〉 第７図に別の実施例が示しである。実施例１と異なる点
は、以下のとおりである。

試料１０および試料台１１に外部電源３１より電圧印加
が可能である。外部より印加される電圧（外部電圧）と
しては直流、交流のいずれでも良いが、試料１０の表面
に電気的に絶縁性の薄膜が存在する場合は交流電圧（高
周波電圧（ＲＦ電圧））の方が絶呪膜表面での帯電を防
止するために優れている。実験的には高周波の周波数１
０〜１０００にＨｚ　＋高周波の電圧振幅０〜２００ｖ
が適当であった。

本機能により試料１ｏに入射するイオンを加速できろた
め、エツチング速度の増大、およびアンダーカットの減
少の有効である。外部電圧は試料１０がＳＦ、放電中に
ある全期間印加してもよいし、あるいは第８図に示され
るように一定のタイミングで印加してもよい。第８図で
は、試料１０がＳＦ６放電中に移動するとすぐに高周波
電圧がＣ１の期間印加されることが示されているが、こ
の印加のタイミングは表面処理の目的によってずらすこ
とも可能である。第８図において、τ。。

τ８．τ２．τ、は自由に選べるが、たとえば、ｚ、　
＝２５ｓｅｃ　、ｔ、　＝５ｓｅｃ　、ｃ、　＝５ｓｅ
ｃとして時、サブμｍパタンのＳｉの垂直エツチングが
可能であった。本実施例の効果は （１）被エツチング物質をＳｉ以外の物質に変えても （２）Ｓ　Ｆ、ガスを他のハロゲン元素を含むガス（実
施例１の説明参照）にかえても 同様に有効である。

試料に外部電圧と印加するとプラズマ中のイオンが加速
されて試料表面に入射するため、試料表面の温度が上昇
する。この温度上昇を防ぐためには、試料裏面よりガス
を吹きつければよい。第９図にその一例を示す。第９図
では、エツチングガスであるＳＦ、の一部を、バルブ３
２．パイプ７′を通して試料１０の裏面より吹きつける
ことにより、試料１０の冷却を行なっている。これによ
り、マスク材の光レジストの変質防止が可能である６第
９図の例ではＳＦ、、の一部を試料冷却用ガスとして用
いているがＨｅ、Ａ、等の希ガスを試料裏面に吹きつけ
て試料を冷却することももちろん可能である。また、第
７図、第９図に示した試料への外部電圧印加、試料冷却
を真空室６′内において行なうことも可能である。本実
施例での試料への外部電圧印加は、試料１０の移動をコ
ントロールするコントローラー８で外部電源３１をコン
トロールすることにより行なわれる。

〈実施例３〉 第１０回期の実施例を示した。本実施例の特徴は、メイ
ンコントローラ３３によりマグネトロン電源２，２′ガ
ス流流量節用ニードルバルブ８゜８′、コントローラ１
８．外部電源３１、ゲートバルブ３２のコントロールを
行なうようにしたこ呵 とにある。すなわち試料１０の移動およびゲートバルブ
３２の開閉はもとより、レーザ３４および検出器３５で
エツチングの状況を判定した、ガス流量調節用ニードル
バルブ８，８′の開閉およびマグネトロン電源２，２′
のｏｎ、ｏｆｆをメインコントローラ３３で行なう。ま
た、外部電源のｏｎ、ｏｆｆもメインコントローラ３３
で行なう。

本実施例では、エツチングの状況判定用にレーザ３４お
よび検出器３５の組合せを用いているが、分光器によっ
てプラズマの発光をモニタすることでもエツチングの状
況を判定できる。試料１０がＳｉの場合は、４４０．０
　ｎｍ　（Ｓ　ｉ　Ｆ）をモニタ波長に選ぶことができ
る。

〈実施例４〉 第１１図は公転（自公転）板３４を用いて複数枚の試料
１０を同時にエツチングする装置を示している（図では
説明の都合上、試料１０は１枚のみ描かれている）。試
料表面にはプラズマが間歇的に照射されている。実施例
１〜３では試料１０は移動機構によりＮ２　プラズマ部
分に搬送されたが、本実施例では搬送機構はない。その
かわりに公転板３４が回転機構３６により回転すること
により、ＳＦ＠　プラズマ照射とＮ２　プラズマ照射が
交互に行なわれる６実施例１〜３では、ゲートバルブに
上り真空室６および６′は分離されていたが、本実施例
ではゲートバルブはない。そのかわりに、仕切板３５に
よってＳＦ、およびＮ２の混入を防いでいる。仕切板に
開けられた開口部の面積を十分小さくして、かつ、放電
管４，４′を公転板３４に十分近づけることにより、ゲ
ートバルブを用いなくともＳＦ、とＮ２の混入は避けら
れる。

本実施例において注意すべきことは、公転板３４上にお
ける試料１０の配置である。すなわち、試料１０がＳＦ
、プラズマ照射とを受けている間（すなわち、放電管４
の開口部内にある間）は、他の試料はＮ２　プラズマ照
射を受けないよう（すなわち、放電管４′の開口部内に
ないよう）複数枚の試料１０を配置する必要がある。こ
のように配置することにより、複数板の試料１０をのせ
た公転板３４全体に外部電源３１より電圧印加を行なっ
ても、特定の試料が特定のプラズマ内にある場合のみ電
圧印加したのと同じ効果が本実施例でも得られる。

第５図に示されたと同じ効果が本実施例でも得られる。

このためには、メインコントローラ３３で回転機構３６
を制御して、公転板３４の回転速度を周期的に制御すれ
ばよい。その他、実施例１〜３で示した他の付加的機構
は本実施例にももちろん適用可能である。

第１２図はプラズマデポジション装置に本発明を適用し
た例を示している。プラズマ発生手段としては有磁場マ
イクロ波放電を用いている。−例として、ＳｉＦ、とＮ
２　ガスによって窒化シリコン膜を形成する例を示しで
ある。構造としては第７図に示されたものとほぼ同じで
あるが、ＳＦ、。

がＳｉＦ、にかわっていること、真空室６にＳ　ｉ　Ｆ
４　とＮ２　の混合ガスが導入されていること、および
全体をメインコントローラ３３で制御していることが異
なっているつＳ　ｉ　Ｆ４　とＮ２　のガス分圧は様々
な値が選べるが、たとえば、ＳｉＦ。

は４　Ｘ　１０−４Ｔｏｒｒ、　Ｎｘは８　Ｘ　１０−
’Ｔｏｒｒ　（真空室６，６′とも同じ）に選ブことか
できる。

本実施例を用いることによって、Ｆ元素の混入の少ない
５ｉ−Ｎ膜を形成できる。その理由を以下に説明する。

以下の説明では、τ１の期間試料１０は（Ｓ　ｉ　Ｆ４
＋Ｎ２）放電中（真空室６内）に、τ２の期間はＮ、放
電中（真空室６′内）にあるものとする。

τ、の期間では、（Ｓ　ｉＦ４　十Ｎｘ　）放電によっ
て試料表面に５ｉ−Ｎ膜が形成されるが、この時に膜内
にＦ元素が混入する。次に、試料が真空室６′内に搬送
されＮ２プラズマが照射されると。

Ｎ、放電によって形成されるＮラジカルが５ｉ−Ｎ膜表
面に入射して ２　（Ｓｉ−Ｆ）　＋　２　Ｎ→２　（！９ｉ　−Ｎ　
）　＋　Ｆ２↑　　　（６）の反応が起こる。この反応
によって、Ｆ元素は膜中より遊離蒸発する。これをくり
返すことによってＦ元素混入の少ない５ｉ−Ｎ膜を形成
できる。

実験によれば、τ２の期間（試料がＮ２放電中１　　　
　　　にある期間）４中にＦ元素を十分に除去するため
には、τ□の期間中に形成される膜厚が１０ｎｍ以下で
ある必要があった。ずなわち、τｚ　＝　Ｏｓｅｃとし
て連続に膜形成した時の成膜速度をＤ（ｎｍ／ｍ１ｎ）
とすると、τ□は τ１＜　（１０／Ｄ）Ｎ６０　　　　　　（７）である
必要がある。通常、Ｄ＝＝　１００ｎｍ／ｍｉｎである
から ｔ、＜　６ｓｅｃ　　　　　　　　　　　（８）が必要
である。本実施例と同様の方法は、ＲＦ放電を用いた、
あるいは、ＲＦ放電と有磁場マイクロ波放電を用いたプ
ラズマデポジション装置にも適用可能である。また、ガ
ス種をかえれば５ｉ−Ｎ嘆息外のプラズマデポジション
装置にも適用可能である。

以上、いくつかの実施例を用いて本発明を説明したが、
これら実施例の複合例も本発明に含まれることはもちろ
んである。

〔発明の効果〕

本発明によって、被表面処理試料に対する放電ガス種、
組成、濃度を処理途中で変化させれば、７よ□。□、□
ヵ４ｏエイ８．う工、ヵ、１・ｌき、特定の処理特性を
一定期間強調することが可能となる。この結果、従来装
置では不可能であつた表面処理特性を実現することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、有磁場マイクロ波プラズマエツチング装置を
示す図である。第２図は平行平板型ＲＦプラズマエツチ
ング装置、第３図は垂直エツチングと非垂直エツチング
の模式図である。第４図は本発明の一実施例を示す図で
ある。第５図は試料に対するプラズマの時系列変化を示
す図である。 第６図はエツチングの進行説明図である。第７図は本発
明の一実施例を示す図である。第８図は試料に対するプ
ラズマと印加高周波電圧振幅の時系列変化を示す図であ
る。第９図は試料冷却機構を示す図である。第１０図な
いし第１２図は本発明の一実施例を示す図である。 １・・・マグネトロン、２，２′・・・マグネトロン電
源、３．３′・・・導波管、４．４’・・・放電管、５
，５′・・ソレノイドコイル、６，６′・・・真空室、
７．７’　。 ７″、　７”’・・・パイプ、８．８’　、８″′・・
・流量調節用ソークバルブ、９．９ａ、９ｂ、９ｃ・・
・表面処理用ガス、１０・・・試料、１１．１１’・・
・試料台。 １２・・・永久磁石、１３・・・上部電極、１４・・・
下部電極、１５・・・高周波電源、１６・・・コンデン
サ、１７・・・絶縁物、１８・・・コントローラ、１９
．１９’　。 １９′・・・移動機構、２０．２０’・・・ゲートバル
ブ、２１・・・中間室、２４・・・被エツチング材料、
２５・・・マスク、２６・・・アンダーカット、３０．
３０’　。 ３０“　３０１１／・・・移動機構、３１・・・外部電
源、３２・・・ゲートバルブ、３３・・・メインコント
ローラ、第１図 第　２　図 ′ｆ３３　図 嘉　４　図 舅　５　図 茅乙　図 葛　７　図 作　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　２ｂ■８図 菖　９（２１ ９久 篤／θ図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、真空容器と前記真空容器の排気手段と、前記真空容
   器内へのガス導入手段と、ガスを前記真空容器内で放電
   させる手段と、表面処理を受ける物質を前記真空容器に
   保持する手段とから成る表面処理装置において、前記真
   空容器内にガスの種類、組成、濃度のうち少なくとも１
   つ以上が異なる複数のプラズマを発生させ、表面処理を
   受ける物質を、表面処理期間の途中においてプラズマ間
   を移動させることを特徴とする表面処理装置。 ２、上記移動が、少なくとも１つ以上の空間的に同一位
   置にある同一プラズマの照射を複数回受けるような移動
   であることを特徴とする特許請求範囲第１項記載の表面
   処理装置。 ３、表面処理を受ける物質の上記異なるプラズマ間の移
   動が周期的であることを特徴とする特許請求範囲第１項
   記載の表面処理装置。 ４、表面処理を受ける物質に外部より電圧印加可能なこ
   とを特徴とする特許請求範囲第１項ないし第３項のいず
   れかに記載の表面処理装置。 ５、上記電圧印加が上記表面処理を受ける物質の移動と
   一定の時間的関係を持つことを特徴とする特許請求範囲
   第４項記載の表面処理装置。