JPS6372122A - プラズマエツチング方法及び装置 - Google Patents
プラズマエツチング方法及び装置Info
- Publication number
- JPS6372122A JPS6372122A JP21578586A JP21578586A JPS6372122A JP S6372122 A JPS6372122 A JP S6372122A JP 21578586 A JP21578586 A JP 21578586A JP 21578586 A JP21578586 A JP 21578586A JP S6372122 A JPS6372122 A JP S6372122A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- etching
- plasma
- processing chamber
- deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 31
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000006698 induction Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 53
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- AVVWPBAENSWJCB-DHVFOXMCSA-N L-altrofuranose Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H]1OC(O)[C@H](O)[C@H]1O AVVWPBAENSWJCB-DHVFOXMCSA-N 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プラズマエツチング方法及び装置に係り、特
に半導体デバイスの高集積化に対応するのに好適なプラ
ズマエツチング方法及び装置に関するものである。
に半導体デバイスの高集積化に対応するのに好適なプラ
ズマエツチング方法及び装置に関するものである。
半導体デバイスの製造工程で、マスクパターン通りに所
望の材料を加工することは、現在、ガスプラズマを用い
たいわゆるプラズマエッチングによって行われている。
望の材料を加工することは、現在、ガスプラズマを用い
たいわゆるプラズマエッチングによって行われている。
しかしながら、半導体デバイスの高集積化が進むにつれ
微細加工性などエツチングに要求される性能が厳しくな
り、その対応策の一つとして、例えば、特開昭６０−５
０９２３号公報に記載のような、エツチング性ガスとデ
ポジション性ガスとを処理室内に交互に導入してプラズ
マ化し、エツチングとデボジン言ンを繰り返すことによ
って微細なパターンの加工を行う技術が提案されている
。
微細加工性などエツチングに要求される性能が厳しくな
り、その対応策の一つとして、例えば、特開昭６０−５
０９２３号公報に記載のような、エツチング性ガスとデ
ポジション性ガスとを処理室内に交互に導入してプラズ
マ化し、エツチングとデボジン言ンを繰り返すことによ
って微細なパターンの加工を行う技術が提案されている
。
上記従来技術は、エツチング性ガスとテ゛ポジシ冒ン性
ガスとを処理室内に交互に導入するようになっているた
め、処理室内でのガス切換えに時間を要する。したがっ
て、エツチングとテ゛ポジシ。
ガスとを処理室内に交互に導入するようになっているた
め、処理室内でのガス切換えに時間を要する。したがっ
て、エツチングとテ゛ポジシ。
ンを繰り返し試料に施こす、いわゆるガスチョッピング
でのスループブトが低下するといった問題がある。
でのスループブトが低下するといった問題がある。
本発明の目的は、ガスチョッピングでのスループブトを
向上できるプラズマエツチング方法及び装置を提供する
ことにある。
向上できるプラズマエツチング方法及び装置を提供する
ことにある。
本発明は、プラズマエツチング方法を、同一処理室内で
別個の部分にエツチング性ガスとテ゛ポジション性ガス
とをそれぞれ導入する工程と、前記エツチング性ガス０
びに前を己テ゛ポジション性ガスをそれぞれプラズマ化
する工程と、該エツチング性ガスプラズマとデポジショ
ン性ガスプラズマとで試料を交互に処理する工程とを有
する方法とし、プラズマエツチング装置を、減圧排気さ
れる処理室と、該処理室内にエツチング性ガスを導入す
る処理ガス導入手段と、前記処理室内の前記エツチング
性ガスが導入される部分とは別個の部分にデポジション
性ガスを導入する他の処理ガス導入手段と、前記処理案
内に導入された前記エッチング性ガス並びに前記デポジ
ション性ガスをそれぞれプラズマ化する放電手段と、前
記処理室内で前記エツチング性ガスプラズマと前記デポ
ジション性ガスプラズマとに試料を交互移動させる移動
手段とを具備したものとすることにより、達成される。
別個の部分にエツチング性ガスとテ゛ポジション性ガス
とをそれぞれ導入する工程と、前記エツチング性ガス０
びに前を己テ゛ポジション性ガスをそれぞれプラズマ化
する工程と、該エツチング性ガスプラズマとデポジショ
ン性ガスプラズマとで試料を交互に処理する工程とを有
する方法とし、プラズマエツチング装置を、減圧排気さ
れる処理室と、該処理室内にエツチング性ガスを導入す
る処理ガス導入手段と、前記処理室内の前記エツチング
性ガスが導入される部分とは別個の部分にデポジション
性ガスを導入する他の処理ガス導入手段と、前記処理案
内に導入された前記エッチング性ガス並びに前記デポジ
ション性ガスをそれぞれプラズマ化する放電手段と、前
記処理室内で前記エツチング性ガスプラズマと前記デポ
ジション性ガスプラズマとに試料を交互移動させる移動
手段とを具備したものとすることにより、達成される。
処理ガス導入手段によりエツチング性ガスが処理室内に
導入され、他の処理ガス導入手段によりテ′ポジション
性ガスが処理室内の別個の部分に導入される。これら処
理室内に導入されたガスは、放電手段での放電によりそ
れぞれプラズマ化さｎる。一方、試料は、移動手段によ
りエツチング性ガスプラズマとデポジション性ガスプラ
ズマとに交互移動させられ、これらのガスプラズマで交
互に処理される。
導入され、他の処理ガス導入手段によりテ′ポジション
性ガスが処理室内の別個の部分に導入される。これら処
理室内に導入されたガスは、放電手段での放電によりそ
れぞれプラズマ化さｎる。一方、試料は、移動手段によ
りエツチング性ガスプラズマとデポジション性ガスプラ
ズマとに交互移動させられ、これらのガスプラズマで交
互に処理される。
したがって、この場合は、処理室内でのガス切換えが不
要となり、ガスチョッピングを連続して実施できる。
要となり、ガスチョッピングを連続して実施できる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。第１
図は平行平板型反応性イオンエツチング装置に本発明を
実施した例である。
図は平行平板型反応性イオンエツチング装置に本発明を
実施した例である。
第１図で、処理室ｌの中に平行に胃かれた上部電極２と
下部電極３があり、下部電極３の上には試料であるウェ
ーハ７が載置されていて高周波型ａ６により高周波が印
加される。また上部電極２はアースされている。なお、
処理室１内は、排気手段（図示省略）により所定圧力に
減圧排気される。
下部電極３があり、下部電極３の上には試料であるウェ
ーハ７が載置されていて高周波型ａ６により高周波が印
加される。また上部電極２はアースされている。なお、
処理室１内は、排気手段（図示省略）により所定圧力に
減圧排気される。
この場合、処理室１へのガスの導入を第１図に示すよう
に別々の導入口Ｉ、３１から行い、上部電極２を昇降駆
動する駆動装置４と下部電極３を昇降駆動する駆動装置
５とにより上部電極２と下部電極３とを周期的に昇降動
させ、ウェーハ７をガスＡがリッチな領域とガスＢがリ
ッチな領域とに周期的に交互移動させる。ここでガスＡ
としてエツチング性ガスを、またガスＢとしてデポジシ
ョン性ガスを使用すると、ウェー／１７がガスＢのリッ
チな領域にある時はエツチングが進行せず逆にウェーハ
７上にデポジションが生じる。次にウェーハ７がガスＡ
がリッチな領域にある時はエツチングが進行するが、ウ
ェーハ７に入射するイオンはウェーハ７上に発生してい
る自己バ春アスによ°ハ９″ｌ“−パ″゛′″１゛′″
Ａｌｔｆ！ｉａ６・２１０′去は平端部でより連々進行
する。二の効果により被エツチング膜が横方向にエツチ
ングされることなく異方性のエツチングが可能となる。
に別々の導入口Ｉ、３１から行い、上部電極２を昇降駆
動する駆動装置４と下部電極３を昇降駆動する駆動装置
５とにより上部電極２と下部電極３とを周期的に昇降動
させ、ウェーハ７をガスＡがリッチな領域とガスＢがリ
ッチな領域とに周期的に交互移動させる。ここでガスＡ
としてエツチング性ガスを、またガスＢとしてデポジシ
ョン性ガスを使用すると、ウェー／１７がガスＢのリッ
チな領域にある時はエツチングが進行せず逆にウェーハ
７上にデポジションが生じる。次にウェーハ７がガスＡ
がリッチな領域にある時はエツチングが進行するが、ウ
ェーハ７に入射するイオンはウェーハ７上に発生してい
る自己バ春アスによ°ハ９″ｌ“−パ″゛′″１゛′″
Ａｌｔｆ！ｉａ６・２１０′去は平端部でより連々進行
する。二の効果により被エツチング膜が横方向にエツチ
ングされることなく異方性のエツチングが可能となる。
これらの動作を被エツチング膜がエツチングされるまで
繰り返すことによりマスク通りのエツチングを行うこと
ができる。
繰り返すことによりマスク通りのエツチングを行うこと
ができる。
本実施例では、処理室内でのガス切換えを不要にてきガ
スチョッピングを連続して実施できるので、ガスチョッ
ピングでのスループットを向上させることができる。
スチョッピングを連続して実施できるので、ガスチョッ
ピングでのスループットを向上させることができる。
第２図、第３図は、有磁場マイクロ波エツチング装置に
本発明を実施した例を示している。有磁場マイクロ波エ
ツチング装置は、容器８と放電管９で構成された処理室
１′にガスを導入し、このガスをマグネトロン１１から
５１Ｌ振されたマイクロ波な導波管１０によって処理室
に導き、二のマイクロ波と電磁コイル１４による磁場の
相乗作用によりプラズマ化し、処理室ＩＩ内に置かれた
電８ｉ１２上のウェーハ１５をエツチングするものであ
る。なお、この場合、ウェーハδに入射するイオンの二
手ルギーを電極１２に高周波電源１３によって印加され
る高周波によって制御している。第２図、第３図に示し
た例では放電管９を隔４ａ２０で縦方向に複数室に分割
し、ガス人とガスＢを別々に導入し、且つ電極１２を回
転することによってウェーハ１５がガスＡがリッチな領
域とガスＢがリッチな領域を周期的に移動するようにな
っている。
本発明を実施した例を示している。有磁場マイクロ波エ
ツチング装置は、容器８と放電管９で構成された処理室
１′にガスを導入し、このガスをマグネトロン１１から
５１Ｌ振されたマイクロ波な導波管１０によって処理室
に導き、二のマイクロ波と電磁コイル１４による磁場の
相乗作用によりプラズマ化し、処理室ＩＩ内に置かれた
電８ｉ１２上のウェーハ１５をエツチングするものであ
る。なお、この場合、ウェーハδに入射するイオンの二
手ルギーを電極１２に高周波電源１３によって印加され
る高周波によって制御している。第２図、第３図に示し
た例では放電管９を隔４ａ２０で縦方向に複数室に分割
し、ガス人とガスＢを別々に導入し、且つ電極１２を回
転することによってウェーハ１５がガスＡがリッチな領
域とガスＢがリッチな領域を周期的に移動するようにな
っている。
この場合も、上記一実施例で得られた効果と同様の効果
を得ることカメできる。
を得ることカメできる。
本発明によれば、処理室内でのガス切換えが不要である
ので、ガスチヲッピングでのスループットを向上できる
という効果がある。
ので、ガスチヲッピングでのスループットを向上できる
という効果がある。
第１図は本発明の一実施例の平行平板型反応性イオンエ
ツチング装置の構成図、第２図は本発明の他の実施例の
有磁場マイクロ波エツチング装置の構成図、第３図は第
２図で用いた放電管の立体図である。 １．１′・・・・・・処理室、２・・・・・・上部＠極
、３・・・・・・下部ｉｉｔ！ｆ！、４，５・・・・・
・駆動装置、６・・・・・・高周波電源、７．１５・・
・・・・ウェーハ、８・・・・・・容器、９・・・・・
・放電管、１０・・・・・・導波管、１１・・・・・・
マグネトロン、１２・・・・・・電磁１１図 ９２図 ７１３図
ツチング装置の構成図、第２図は本発明の他の実施例の
有磁場マイクロ波エツチング装置の構成図、第３図は第
２図で用いた放電管の立体図である。 １．１′・・・・・・処理室、２・・・・・・上部＠極
、３・・・・・・下部ｉｉｔ！ｆ！、４，５・・・・・
・駆動装置、６・・・・・・高周波電源、７．１５・・
・・・・ウェーハ、８・・・・・・容器、９・・・・・
・放電管、１０・・・・・・導波管、１１・・・・・・
マグネトロン、１２・・・・・・電磁１１図 ９２図 ７１３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、同一処理室内で別個の部分にエッチング性ガスとデ
ポジション性ガスとをそれぞれ導入する工程と、前記エ
ッチング性ガス並びに前記デポジション性ガスをそれぞ
れプラズマ化する工程と、該エッチング性ガスプラズマ
とデポジション性ガスプラズマとで試料を交互に処理す
る工程とを有することを特徴とするプラズマエッチング
方法。 ２、減圧排気される処理室と、該処理室内にエッチング
性ガスを導入する処理ガス導入手段と、前記処理室内の
前記エッチング性ガスが導入される部分とは別個の部分
にデポジション性ガスを導入する他の処理ガス導入手段
と、前記処理室内の導入された前記エッチング性ガス並
びに前記デポジション性ガスをそれぞれプラズマ化する
放電手段と、前記処理室内で前記エッチング性ガスプラ
ズマと前記デポジション性ガスプラズマとに試料を交互
移動させる移動手段とを具備したことを特徴とするプラ
ズマエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21578586A JPS6372122A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | プラズマエツチング方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21578586A JPS6372122A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | プラズマエツチング方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6372122A true JPS6372122A (ja) | 1988-04-01 |
| JPH0458175B2 JPH0458175B2 (ja) | 1992-09-16 |
Family
ID=16678189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21578586A Granted JPS6372122A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | プラズマエツチング方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6372122A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6414796B1 (en) | 1998-06-03 | 2002-07-02 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Head-up display device and laminated glass for head-up display device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6053013A (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-26 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPS61113778A (ja) * | 1984-11-07 | 1986-05-31 | Hitachi Ltd | 表面処理装置 |
-
1986
- 1986-09-16 JP JP21578586A patent/JPS6372122A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6053013A (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-26 | Hitachi Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPS61113778A (ja) * | 1984-11-07 | 1986-05-31 | Hitachi Ltd | 表面処理装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6414796B1 (en) | 1998-06-03 | 2002-07-02 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Head-up display device and laminated glass for head-up display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0458175B2 (ja) | 1992-09-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8337713B2 (en) | Methods for RF pulsing of a narrow gap capacitively coupled reactor | |
| JPS6372122A (ja) | プラズマエツチング方法及び装置 | |
| JPS61187336A (ja) | プラズマエッチング装置とエッチング方法 | |
| US5424905A (en) | Plasma generating method and apparatus | |
| JPS59225525A (ja) | 反応性イオンビ−ムエツチング装置 | |
| JPH02312231A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPS62200730A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH01293521A (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
| JPS6015931A (ja) | 反応性イオンエツチング方法 | |
| JPS59151428A (ja) | 反応性イオンビ−ムエツチング装置 | |
| JPH03145125A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JPH0724761B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3834806B2 (ja) | プラズマ発生装置 | |
| JPS62286227A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPH0361387A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPH01107538A (ja) | マイクロ波プラズマ処理方法及び装置 | |
| JPH0637052A (ja) | 半導体加工装置 | |
| JPS57170536A (en) | Dry etching method | |
| JPS6126223A (ja) | エツチング方法および装置 | |
| JPH02170530A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH02139924A (ja) | プラズマ反応装置 | |
| JPS63104333A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JPS61222132A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0344923A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH02156634A (ja) | プラズマ洗浄方法 |