JPS61113242A - 電子部品の封止方法 - Google Patents

電子部品の封止方法

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Publication number
JPS61113242A
JPS61113242A JP23642384A JP23642384A JPS61113242A JP S61113242 A JPS61113242 A JP S61113242A JP 23642384 A JP23642384 A JP 23642384A JP 23642384 A JP23642384 A JP 23642384A JP S61113242 A JPS61113242 A JP S61113242A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
molding
sealed part
sealed
coupling agent
sealing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP23642384A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Shimanuki
嶋貫 誠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP23642384A priority Critical patent/JPS61113242A/ja
Publication of JPS61113242A publication Critical patent/JPS61113242A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は電子部品の対土方法に関する。
[従来の技術1 1C、トフンジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサー
、コイルおよびコネクターなどの種々の電子部品は、各
端子間の電気的絶縁、機械的強庫の保持、湿度や浮遊不
純物などの外部環境からの内部保護がその性能維持のた
め必要不可欠である。
そのため基板上に取りつけられた電子部品を合成樹脂を
用いて91!j封するいわゆる封止が一般に行なわれて
いる。
その対土方法としては、熱硬化性樹脂を封止材料とする
方法と、熱可塑性樹脂な封止材料とする方法とがあり、
熱硬化性樹脂としてはエポキシ樹脂が、熱可塑性樹脂と
してはポリ7エ二レンサルフアイドボリマーが二故に用
いられる。
また封止手段には、生産性や寸法安定性などの点からト
ランス77−成形または射出成形によるモールド法が採
用される。
[発明が解決しようとする問題点1 従米の訂正方法において、エポキシ樹脂を用いたばあい
は、機械的強度が強い、気密性にすぐれるなどの長所が
あるが、その反面成形時間が長くかかる(1〜5分)、
熱によって金型内で樹脂が低粘度化するのでパリの発生
が多く成形後のパリ取り作業が困難となる、成形品とし
ては不用なランナなどが再生不可能なため材料コストが
高くなるなどの欠点がある。
一方、ポリフェニレンサルファイドポリマーを用いる封
止方法では、耐熱性がすぐれている、パリの発生が少な
い、成形時間が短い、ランナなどの一部が再生可能など
の長所がある反面、熱可塑性樹脂の本質として熱架11
に応がないため被封止物との接着力が弱く、気密性が充
分えちれないという欠点がある。
以上のように従来はいずれの方法によっても一長一短で
あり、全ての要求条件を満足する封止方法はいまだに知
られていない。
そこで本発明は、エポキシ樹脂を用いた封止方法のもつ
長所とポリフェニレンサル7アイドボリマーを眉いた封
止方法のもつ長所とを併せ有し、いかなる欠点も有しな
い終わめですぐれた封止方法を提供することを目的とす
る。
[問題点を解決するための手段] 本発明の電子部品の封止方法は、基板上に電子部品を取
りつけてなる被封止物にシラン系のカップリング剤を塗
布し、ついで封止材料としてポリフェニレンサルファイ
ドポリマ−(以下、ppsという)を用い、トランスフ
ァー成形または射出成形によるモールド法によって電子
部品を封止するようにしている。
[実施例1 本発明の封止方法を施すにあたっては、まず金属製フレ
ームなどの基板上にグイボンドやワイヤボンドなどの方
法でICやトランジスタその他の電子部品を取りつけて
おく。
そのようにして被封止物をえると、その被封止物の外表
面にシラン系のカップリング剤を塗布する。
カップリング剤の塗布方法としては、スプレー塗布など
を泪いることができるが、前記カップリング剤を溶剤で
希釈し、その溶液中に浸漬し、さらに乾燥により溶剤を
蒸発させるのがもっとも簡便であるため好ましい、この
ようにして被封止物に形成される塗膜は単分子層以上あ
ればよい。
以上のようにして被封止物にシラン系のカップリング剤
が塗布されると、つぎにその被封止物をPPSで密封す
る。それにはトランス77成形または射出成形による公
知のモールド法が採用される。
すなわちトランス77成形によるばあいも射出成形によ
るばあいも、封止材料としてのPPSを金型の上に設け
られた可塑化室に入れ、軟化温度まで加熱しで可塑化し
、これを前記被封止物が挿入されている金型の中に圧入
して硬化させ、密封成形を行なう。
なお前述の如くカップリング剤の塗布を浸漬法を用いた
ばあいは、被封止物の全表面に前記カップリング剤が塗
布されているので、後工程でのはんだ付けをやりやす(
するため、封止部分以外の塗膜を除去する必要がある。
その除去作業は、前記封止作業の後でショツトブラスト
法や液体ホーニング法、ブラッシング法などの方法で行
なうとよい。
[発明の効果] 本発明方法によって被封止物に形成されたシラン系のカ
ップリング剤層は、それ自体が気密性にすぐれており、
またPPSの成形層を強く結合するので、それによって
封止された電子部品は充分に気密性が保たれ、強い接着
力かえられる。
しかも封止材料にはPPSが用いられているので、PP
Sを用いた封止方法の利点である成形時間が短くてすむ
(通常20〜40秒)、パリの発生が少なく封止後の仕
上げ作業が楽になる、ランナの一部の再利用が可能であ
るなどの点をそのまま活かすことができる。
そのため本発明の封止方法によると、性能的に充分満足
しうる電子部品の封止が低コストでうろことができるの
である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)電子部品を合成樹脂で封止する方法であって、基
    板上に電子部品を取りつけてなる被封止物にシラン系の
    カップリング剤を塗布し、ついで封止材料としてポリフ
    ェニレンサルファイドポリマーを用い、トランスファー
    成形または射出成形によるモールド法によって電子部品
    を封止するようにしたことを特徴とする電子部品の封止
    方法。
JP23642384A 1984-11-07 1984-11-07 電子部品の封止方法 Pending JPS61113242A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23642384A JPS61113242A (ja) 1984-11-07 1984-11-07 電子部品の封止方法

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JP23642384A JPS61113242A (ja) 1984-11-07 1984-11-07 電子部品の封止方法

Publications (1)

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JPS61113242A true JPS61113242A (ja) 1986-05-31

Family

ID=17000533

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23642384A Pending JPS61113242A (ja) 1984-11-07 1984-11-07 電子部品の封止方法

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JP (1) JPS61113242A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH028077U (ja) * 1988-06-24 1990-01-18
JPH06179552A (ja) * 1992-12-11 1994-06-28 Nagai Tekko Kk 巻取り紙ロールのテールシール方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH028077U (ja) * 1988-06-24 1990-01-18
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