JPS58139452A - 電子回路装置 - Google Patents
電子回路装置Info
- Publication number
- JPS58139452A JPS58139452A JP2147182A JP2147182A JPS58139452A JP S58139452 A JPS58139452 A JP S58139452A JP 2147182 A JP2147182 A JP 2147182A JP 2147182 A JP2147182 A JP 2147182A JP S58139452 A JPS58139452 A JP S58139452A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electronic circuit
- molding
- circuit device
- resin
- molded
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
- H05K5/06—Hermetically-sealed casings
- H05K5/065—Hermetically-sealed casings sealed by encapsulation, e.g. waterproof resin forming an integral casing, injection moulding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は電子回路部品を低圧成形可能なポリフェニレ
ンサルファイドを用いて射出成形により、体にＩｌｌモ
ールドした電子回路装置に関するものである。
ンサルファイドを用いて射出成形により、体にＩｌｌモ
ールドした電子回路装置に関するものである。
最近用いられている電子回路装置には耐環境性および信
頼性の向上を計るため、電子部品を基板Ｅに実装した後
、４１脂モールドにより一体成形した電子回路装置が要
求されている。
頼性の向上を計るため、電子部品を基板Ｅに実装した後
、４１脂モールドにより一体成形した電子回路装置が要
求されている。
ところで、樹脂モールドする際に使用される樹脂として
は、一般的には熱可塑性樹脂を用いる場合と、熱硬化性
樹脂を用いる場合とが考えられる。
は、一般的には熱可塑性樹脂を用いる場合と、熱硬化性
樹脂を用いる場合とが考えられる。
しかし、前者にあっては高温（温度約３３０℃）、＾圧
（圧力高６００〜８００に＋ＩＩ／Ｃ〜下に成形するも
のであるため、その成形作業に際して、回路素子を破壊
する慣れがあるため、用台では使用されていないのが実
情である。
（圧力高６００〜８００に＋ＩＩ／Ｃ〜下に成形するも
のであるため、その成形作業に際して、回路素子を破壊
する慣れがあるため、用台では使用されていないのが実
情である。
そこで、一般的には後者の素材を用い、通常トランスフ
ァ成形により成形するのが通常であるが、これにあって
は低温（Ｉｉ度約１７０℃）、低圧（圧力高３０〜５０
に！１／ｃｍ２）下により成形できるため、電子回路素
子を破壊しないというメリットがあるものの、化学反応
で硬化せしめるものであるため、成形時間がかかり（通
常１つの成形に３〜４分を要する）大働生産には不向き
である等の問題点があった。
ァ成形により成形するのが通常であるが、これにあって
は低温（Ｉｉ度約１７０℃）、低圧（圧力高３０〜５０
に！１／ｃｍ２）下により成形できるため、電子回路素
子を破壊しないというメリットがあるものの、化学反応
で硬化せしめるものであるため、成形時間がかかり（通
常１つの成形に３〜４分を要する）大働生産には不向き
である等の問題点があった。
この発明はこのような問題点に鑑みなされたもので、電
子回路部品を低圧成形可能なポリフェニレンサルファイ
ドを用いて射出成形により一体に樹脂モールドし、これ
により前記のごとき間１１ｆｌを筒中に解決することを
目的と１６ものである。
子回路部品を低圧成形可能なポリフェニレンサルファイ
ドを用いて射出成形により一体に樹脂モールドし、これ
により前記のごとき間１１ｆｌを筒中に解決することを
目的と１６ものである。
以下本発明の実施例を図面に基づき詳細に説明する。
まず、本発明はその使用される樹脂素材に特徴を有する
ものであるが、使用される素材としては最近開発された
熱可塑性樹脂に属するポリフェニレンサルファイド（以
下ＰＰＳと占う）を用いる。
ものであるが、使用される素材としては最近開発された
熱可塑性樹脂に属するポリフェニレンサルファイド（以
下ＰＰＳと占う）を用いる。
この樹脂は温痩約２８０℃、圧力５０Ｋｇ／Ｃ−２の下
において成形可能である点に特徴を有するものであり、
このＰＰＳは現在米国フィリップスベト０−リアム社よ
り「ライドン」４′ｃる商標で顎造販売されている。
において成形可能である点に特徴を有するものであり、
このＰＰＳは現在米国フィリップスベト０−リアム社よ
り「ライドン」４′ｃる商標で顎造販売されている。
次にイの成形手段について説明する。上型１゜下型２に
より形成されるキャビティ内に電子回路部品３をインサ
ートする。この電子回路部品３は例えばノボラック型エ
ポキシを用いた耐熱性基板３ａにＩＣ１抵抗等の電子回
路部品３ｂが実装されており、これの端子部品３Ｃをパ
ーティング面に係１する。なお使用される基板の共晶半
田は融点が低いため、半田部に予めアクリル、エポキシ
等の光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂によりコーティン
グして保護しておくか、あるいはアンチモン等の入って
いる２４０℃以トの＾温半ｔ（１０を用いて実装してお
くのが望ましい。
より形成されるキャビティ内に電子回路部品３をインサ
ートする。この電子回路部品３は例えばノボラック型エ
ポキシを用いた耐熱性基板３ａにＩＣ１抵抗等の電子回
路部品３ｂが実装されており、これの端子部品３Ｃをパ
ーティング面に係１する。なお使用される基板の共晶半
田は融点が低いため、半田部に予めアクリル、エポキシ
等の光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂によりコーティン
グして保護しておくか、あるいはアンチモン等の入って
いる２４０℃以トの＾温半ｔ（１０を用いて実装してお
くのが望ましい。
−Ｆ記のごとき手段により型内にインサートされた電子
回路部品３には上記のＰＰＳを用いて射出圧力（キャビ
ティ内圧）５０〜５００ＫＧｌ／Ｃ■２、金型ｆｆ！［
７０℃〜１５０℃、シリンダ温度２７０℃〜３３０℃の
条件下でランナ４を通じて射出成形を行なう。
回路部品３には上記のＰＰＳを用いて射出圧力（キャビ
ティ内圧）５０〜５００ＫＧｌ／Ｃ■２、金型ｆｆ！［
７０℃〜１５０℃、シリンダ温度２７０℃〜３３０℃の
条件下でランナ４を通じて射出成形を行なう。
本実施例では
射出圧力１００〜２００Ｋｇｚ’ｃｓＬ金型温（支）１
３０℃ シリンダ瀉１！３１０℃ の条件下で半導体素子（チップ部品）、抵抗、Ａ２電解
コンデンサ等を実装している電子回路部品を樹脂モール
ドした。
３０℃ シリンダ瀉１！３１０℃ の条件下で半導体素子（チップ部品）、抵抗、Ａ２電解
コンデンサ等を実装している電子回路部品を樹脂モール
ドした。
その結采、４４ｘ２７ｘ１５’の厚肉成形にも拘わらず
、同等電気、機械特性共に問題なく優れた電子回路装置
Ｓが得られた。
、同等電気、機械特性共に問題なく優れた電子回路装置
Ｓが得られた。
また、成形に要する時間もインサート時間も含め注入３
ＳＥＣ，硬化８ＳＥＣでワンショット〈１個取りの場合
）の時間は約３０秒というハイサイクルで成形できた。
ＳＥＣ，硬化８ＳＥＣでワンショット〈１個取りの場合
）の時間は約３０秒というハイサイクルで成形できた。
なお、前記実施例においては回路基板３ａにノボラック
型エポキシ基板を用いたが、これに代えてセラミック基
板、ホー［ト１板等を用いても同様の効果が得られるの
はいうまでもなく。また電子回路部品のみを樹脂モール
ドすることも容易である。
型エポキシ基板を用いたが、これに代えてセラミック基
板、ホー［ト１板等を用いても同様の効果が得られるの
はいうまでもなく。また電子回路部品のみを樹脂モール
ドすることも容易である。
以、トのように、この発明に係る電子回路装置は低圧成
形が可能なボリフエニレンサルフフイドを用いて射出成
形により電子回路部品を樹脂モールドしたものであるか
ら、従来の熱硬化性樹脂を用いてトランスファ成形によ
り轡たものに比して、これの成形時間は大幅に短縮され
、極めて量産性に富むのでこの種電子回路装置をローコ
ストに提供できる。
形が可能なボリフエニレンサルフフイドを用いて射出成
形により電子回路部品を樹脂モールドしたものであるか
ら、従来の熱硬化性樹脂を用いてトランスファ成形によ
り轡たものに比して、これの成形時間は大幅に短縮され
、極めて量産性に富むのでこの種電子回路装置をローコ
ストに提供できる。
また、ランナー内の成形品も再溶解せしめて再利用でき
るので一層ローコストに提供でき、更に、熱硬化性樹脂
は金型内で流動性が増すため、金型内の微細な空間に侵
入しパリなどが発生するが、本発明においては熱可塑性
樹脂に属Ｊるポリフェニレンサルファイドを用いるもの
であるため、パリ等が発生することなく、後処理が簡単
である等の効果も有するものである。
るので一層ローコストに提供でき、更に、熱硬化性樹脂
は金型内で流動性が増すため、金型内の微細な空間に侵
入しパリなどが発生するが、本発明においては熱可塑性
樹脂に属Ｊるポリフェニレンサルファイドを用いるもの
であるため、パリ等が発生することなく、後処理が簡単
である等の効果も有するものである。
第１図は本発明に係る電子回路装置の成形時の状態を示
す断面図、第２図は本発明に係る電子回路装置の成形品
例を示す斜視図である。 １・・・・・・下型 ２・・・・・・−１１型 ３・・・・・・電子回路部品 特許出願人 立石電機株式会社
す断面図、第２図は本発明に係る電子回路装置の成形品
例を示す斜視図である。 １・・・・・・下型 ２・・・・・・−１１型 ３・・・・・・電子回路部品 特許出願人 立石電機株式会社
Claims (1)
- （１〉電子回路部品を低圧成形可能なポリフェニレンサ
ルファイドにより射出成形により一体に樹脂モールドし
たことを特徴とＪる電子回路＠置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2147182A JPS58139452A (ja) | 1982-02-13 | 1982-02-13 | 電子回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2147182A JPS58139452A (ja) | 1982-02-13 | 1982-02-13 | 電子回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58139452A true JPS58139452A (ja) | 1983-08-18 |
Family
ID=12055885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2147182A Pending JPS58139452A (ja) | 1982-02-13 | 1982-02-13 | 電子回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58139452A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02153712A (ja) * | 1988-12-06 | 1990-06-13 | Polyplastics Co | プレモールドパッケージ |
| JP4927725B2 (ja) * | 2004-06-23 | 2012-05-09 | デュボアス・リミテッド | 飲料容器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52149348A (en) * | 1976-06-08 | 1977-12-12 | Asahi Glass Co Ltd | Method of sealing electronic parts |
-
1982
- 1982-02-13 JP JP2147182A patent/JPS58139452A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52149348A (en) * | 1976-06-08 | 1977-12-12 | Asahi Glass Co Ltd | Method of sealing electronic parts |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02153712A (ja) * | 1988-12-06 | 1990-06-13 | Polyplastics Co | プレモールドパッケージ |
| JPH0722943B2 (ja) * | 1988-12-06 | 1995-03-15 | ポリプラスチックス株式会社 | プレモールドパッケージ |
| JP4927725B2 (ja) * | 2004-06-23 | 2012-05-09 | デュボアス・リミテッド | 飲料容器 |
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