JPH06114846A - 電子部品封止体製造用型枠、およびそれを用いた電子部品封止体の製造方法 - Google Patents

電子部品封止体製造用型枠、およびそれを用いた電子部品封止体の製造方法

Info

Publication number
JPH06114846A
JPH06114846A JP4285103A JP28510392A JPH06114846A JP H06114846 A JPH06114846 A JP H06114846A JP 4285103 A JP4285103 A JP 4285103A JP 28510392 A JP28510392 A JP 28510392A JP H06114846 A JPH06114846 A JP H06114846A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mold
electronic part
electronic component
sealing material
sealing element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP4285103A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3627222B2 (ja
Inventor
Yuuji Koushima
裕二 甲嶋
Teiji Obara
禎二 小原
Yoshio Natsuume
伊男 夏梅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zeon Corp
Original Assignee
Nippon Zeon Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Zeon Co Ltd filed Critical Nippon Zeon Co Ltd
Priority to JP28510392A priority Critical patent/JP3627222B2/ja
Publication of JPH06114846A publication Critical patent/JPH06114846A/ja
Priority to US08/916,781 priority patent/US5885505A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3627222B2 publication Critical patent/JP3627222B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565Moulds
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/38Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
    • B29C33/40Plastics, e.g. foam or rubber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/02Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for manufacturing resistors with envelope or housing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G13/00Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00
    • H01G13/003Apparatus or processes for encapsulating capacitors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を封止材と
して発光ダイオード、ダイオード、トランジスタ、LS
I素子、IC素子、CCD素子などの集積回路などのエ
レクトロニクス素子や、コンデンサー、抵抗体、コイ
ル、マイクロスイッチ、ディップスイッチなどを封止し
た電子部品封止体の製造において、繰り返し使用しても
変形しにくい型枠を得る。 【構成】 熱可塑性ノルボルネン樹脂を成形して電子部
品封止体製造用型枠1として用いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品封止体製造用
型枠、およびそれを用いた電子部品封止体の製造方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】エレクトロニクス素子やマイクロスイッ
チなどの電子部品は、金属やセラミクス、またはそれら
の組合せであり、空気酸化や水分による変質により機能
を害されることがある。そのため、通常、エポキシ樹脂
などの封止材により、空気や水分などを遮断した封止体
の形態で使用される。
【0003】この電子部品封止体は、一般に、電子部品
を型枠中に型枠の表面に接触しないように配置し、型枠
内に封止材を注入し、硬化させることにより製造され
る。
【0004】電子部品封止体には種々の形状があるた
め、金属製の型枠を使用するとコスト高となる。そこ
で、一般に、樹脂型、主としてポリメチルペンテンやポ
リフェニルサルファイト製のものが用いられている。し
かし、ポリメチルペンテンは結晶性の樹脂であるため、
この樹脂で製造された型枠は、エポキシ系樹脂を高温で
硬化させる際に熱による残留応力緩和による変形しやす
いという問題があり、成形精度の優れた電子部品封止体
を製造することは困難であり、また、型枠自体も、30
回程度の封止によって寿命とされていた。また、ポリフ
ェニルサルファイトは、脆いため、樹脂のみでは使用が
困難であり、ガラス繊維、ガラスビーズ、シリカ等の充
填材を添加し補強して用いているが、充填材を添加する
と、型枠の表面が平滑でなくなり、製造した電子部品封
止体の表面も平滑でなくなるという問題があった。ま
た、ポリメチルペンテン製型枠に比較すると耐久性に優
れているが、それでも、型枠は100回程度の封止によ
って寿命とされていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、透明
で、長期の使用が可能な電子部品封止体製造用型枠の開
発を目指して鋭意努力の結果、熱可塑性飽和ノルボルネ
ン系樹脂を用いて電子部品封止体製造用型枠を作製する
ことにより、上記目的を達成できることを見いだし、本
発明を完成するに到った。
【0006】
【課題を解決するための手段】かくして、本発明によれ
ば、熱可塑性ノルボルネン樹脂よりなる電子部品封止体
製造用型枠、およびこの型枠に電子部品を配置し、該型
枠に熱硬化性封止材を注入し、硬化させることを特徴と
する電子部品封止体の製造方法が提供される。
【0007】(熱可塑性ノルボルネン系樹脂)本発明で
用いる熱可塑性飽和ノルボルネン系樹脂は、特開平3−
14882号や特開平3−122137号、特開平4−
63807号などで公知の樹脂であり、具体的には、ノ
ルボルネン系単量体の開環重合体、その水素添加物、ノ
ルボルネン系単量体の付加型重合体、ノルボルネン系単
量体とオレフィンの付加型重合体などが挙げられる。
【0008】ノルボルネン系単量体も、上記公報や特開
平2−227424号、特開平2−276842号など
で公知の単量体であって、例えば、ノルボルネン、その
アルキル、アルキリデン、芳香族置換誘導体およびこれ
ら置換または非置換のオレフィンのハロゲン、水酸基、
エステル基、アルコキシ基、シアノ基、アミド基、イミ
ド基、シリル基等の極性基置換体、例えば、2−ノルボ
ルネン、5−メチル−2−ノルボルネン、5,5−ジメ
チル−2−ノルボルネン、5−エチル−2−ノルボルネ
ン、5−ブチル−2−ノルボルネン、5−エチリデン−
2−ノルボルネン、5−メトキシカルボニル−2−ノル
ボルネン、5−シアノ−2−ノルボルネン、5−メチル
−5−メトキシカルボニル−2−ノルボルネン、5−フ
ェニル−2−ノルボルネン、5−フェニル−5−メチル
−2−ノルボルネン、5−ヘキシル−2−ノルボルネ
ン、5−オクチル−2−ノルボルネン、5−オクタデシ
ル2−ノルボルネン等; ノルボルネンに一つ以上のシ
クロペンタジエンが付加した単量体、その上記と同様の
誘導体や置換体、例えば、1,4:5,8−ジメタノ−
1,2,3,4,4a,5,8,8a−2,3−シクロ
ペンタジエノナフタレン、6−メチル−1,4:5,8
−ジメタノ−1,4,4a,5,6,7,8,8a−オ
クタヒドロナフタレン、1,4:5,10:6,9−ト
リメタノ−1,2,3,4,4a,5,5a,6,9,
9a,10,10a−ドデカヒドロ−2,3−シクロペ
ンタジエノアントラセン等; シクロペンタジエンの多
量体である多環構造の単量体、その上記と同様の誘導体
や置換体、例えば、ジシクロペンタジエン、2,3−ジ
ヒドロジシクロペンタジエン等; シクロペンタジエン
とテトラヒドロインデン等との付加物、その上記と同様
の誘導体や置換体、例えば、1,4−メタノ−1,4,
4a,4b,5,8,8a,9a−オクタヒドロフルオ
レン、5,8−メタノ−1,2,3,4,4a,5,
8,8a−オクタヒドロ−2,3−シクロペンタジエノ
ナフタレン等; 等が挙げられる。
【0009】なお、本発明においてはノルボルネン系単
量体を重合させる場合には、本発明の効果を実質的に妨
げない範囲において共重合可能な他のシクロオレフィン
類等を併用して、共重合体とすることができる。開環重
合の場合の共重合可能なシクロオレフィンの具体例とし
ては、例えば、シクロペンテン、シクロオクテン、5,
6−ジヒドロジシクロペンタジエンなどのごとき反応性
の二重結合を1個以上有する化合物が例示される。
【0010】ノルボルネン系単量体の重合は公知の方法
でよく、また、必要に応じて、公知の方法で、水素添加
することにより、熱可塑性ノルボルネン系水素添加樹脂
として用いてもよい。
【0011】また、本発明で用いる熱可塑性ノルボルネ
ン系樹脂はTgが好ましくは100℃以上、より好まし
くは120℃以上、特に好ましくは130℃以上のもの
である。数平均分子量は、トルエン溶媒によるGPC
(ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィ)法で測
定したポリスチレン換算値で、10,000〜200,
000、好ましくは20,000〜100,000、よ
り好ましくは25,000〜50,000である。数平
均分子量が小さすぎると機械的強度が劣り、大きすぎる
と成形性が悪くなる。
【0012】なお、熱可塑性ノルボルネン系樹脂を水素
添加する場合、水素添加率は耐熱劣化性、耐光劣化性な
どの観点から、90%以上、好ましくは95%以上、よ
り好ましくは、99%以上とする。
【0013】また、熱可塑性ノルボルネン系樹脂には、
必要に応じて、本発明の目的に応じた範囲で、老化防止
剤、耐光安定剤、紫外線吸収剤、可撓性付与剤、可塑
剤、粘着付与剤、着色剤、滑剤や、ガラスファイバー、
ガラスビーズ、カーボンブラック、ホワイトカーボン、
炭酸カルシウム、タルク、クレーなどの無機充填剤、そ
の他の添加物を添加してもよい。
【0014】(成形方法)本発明の電子部品封止体製造
用の型枠は熱可塑性ノルボルネン系樹脂を成形して作製
する。成形方法は、特に限定されず、一般には、射出成
形によって製造される。射出成形する際の成形条件も特
に限定されず、熱可塑性ノルボルネン系樹脂の一般的な
成形方法でよい。
【0015】(電子部品封止体製造用型枠)本発明の電
子部品封止体製造用の型枠は、電子部品封止体の封止部
分の成形に用いられる型枠であり、通常、一つの型枠
で、複数の封止ができるように、封止材を注入する部分
が複数設けられている。
【0016】型枠の形状は特に限定されない。図1に、
型枠の一例を示す。この型枠1は封止材注入部2が五つ
一列に並んだ型枠を示すが、列は複数でもよく、一列当
りの封止材注入部の数も限定されない。封止材注入部が
列を成していなくてもよい。
【0017】封止体の封止部分の形状、大きさは、電子
部品およびそれと組み合わされた金属フレームが封止で
きるように、形状、大きさに基づいて決定され、さらに
それに基づいて、封止材注入部の形状、大きさに合わせ
て決められる。型枠1においては、直方体となっている
が、電子部品を封止できる形状、大きさである限り、形
状、大きさは特に限定されない。
【0018】なお、封止材の硬化反応時にボイドなどが
発生した封止体を封止終了前に取り除いて、工程を効率
化するなどのために、型枠は透明性を有していることが
好ましい。型枠内の反応の状態を確かめられる程度の透
明性を有するために、光線透過率を好ましくは40%以
上、より好ましくは60%以上、特に好ましくは80%
以上にする。
【0019】型枠の封止材注入部を溝や細い穴でつない
で、1つの封止材注入部に注入すれば、他の封止材注入
部にも封止材がゆきわたるようにしてもよいが、電子部
品封止体の成形精度が求められる場合、硬化後に、溝や
穴によって生じる突出部分を除く工程が必要となるの
で、そのような溝や穴を設けないことが好ましい。その
場合、それぞれの封止材注入部に独立に封止材を注入し
なければならない。
【0020】(電子部品)本発明で用いる電子部品とし
ては、発光ダイオード、ダイオード、トランジスタ、L
SI素子、IC素子、CCD素子などの集積回路などの
エレクトロニクス素子や、コンデンサー、抵抗体、コイ
ル、マイクロスイッチ、ディップスイッチなどが挙げら
れる。
【0021】(リードフレーム)これらの電子部品の多
く、特にエレクトロニクス素子は、金属性のリードフレ
ームに固定して用いられる。このような電子部品には、
リードフレームを通じて、電流が流れたり、電圧がかか
る。
【0022】リードフレームの大きさ、形状は、固定す
る電子部品の大きさ、形状、機能、使用目的などによっ
て決められる。また、固定する方法は電子部品を変質さ
せず、リードフレームと電子部品を絶縁しない方法であ
れば、特に限定されない。例えば、エポキシ銀ペースト
等のダイボンディングペーストで接着固定すればよい。
【0023】図2に発光ダイオード用のリードフレーム
10の一例を示す。この金属フレームは5個の発光ダイ
オードが固定できるようになっていて、封止された後、
切断して5個の封止発光ダイオードを得るようになって
いる。
【0024】リードフレーム10の発光ダイオード固定
部11に発光ダイオードを固定し、発光ダイオードとリ
ードフレームの金線固定部12を金線でワイヤボンディ
ングして接続する。
【0025】(封止材)本発明に用いる封止材は、本発
明の型枠が使用できる限りにおいて、特に限定されな
い。例えば、フェノール系熱硬化性封止材、キシレン系
熱硬化性封止材、ジアリルフタレート系熱硬化性封止
材、不飽和ポリエステル系熱硬化性封止材、エポキシ系
熱硬化性封止材、アクリル系熱硬化性封止材、フラン系
熱硬化性封止材、アニリン系熱硬化性封止材、ポリウレ
タン系熱硬化性封止材、ポリブタジエン系熱硬化性封止
材、メラミンフェノール系熱硬化性封止材、シリコン系
熱硬化性封止材などが挙げられる。電気特性、機械強
度、耐熱性、成形工程での流れ性、電気部品の封止性の
観点から、エポキシ系熱硬化性封止材が好ましい。
【0026】本発明に用いるエポキシ系熱硬化性組成物
は、特開昭61−188411号などで公知のものであ
って、基本的には、熱硬化性エポキシ化合物、硬化剤か
らなり、必要に応じて、または目的に応じて硬化促進
剤、充填剤、難燃剤、難燃助剤、着色剤、表面カップリ
ング剤などを添加したものである。
【0027】熱硬化性エポキシ化合物は、特に限定され
ず、公知のエポキシ化合物を用いればよい。硬化剤は、
フェノール系などの公知のエポキシ樹脂用硬化剤の他
に、イソシアネート類、その2量体、3量体、マレイミ
ド類、マレイミド類とポリアミンの付加物なども用いる
ことができる。硬化促進剤も公知のものでよく、例えば
フェノール系の硬化剤を用いる場合は、含窒素ヘテロ環
化合物を用いればよい。また、充填剤も特に限定されな
いが、炭酸カルシウム、シリカ、ケイ酸ジルコニウム、
ケイ酸カルシウム、タルク、クレー、マイカ、ガラスフ
ァイバー、ガラスビーズなどの無機充填剤を用いること
が好ましい。
【0028】(封止)枠型の封止材注入部の内部空間
に、電子部品が内壁に接触しないように配置し、封止材
を注入し、硬化させて封止する。
【0029】電子部品を封止材注入部の内部空間に配置
する方法は特に限定されない。型枠1を用いて、リード
フレーム10に発光ダイオードを固定して封止する場
合、例えば、図3に示す治具20を用いて、図4のよう
に型枠1、リードフレーム10を封止材注入部の内部空
間に配置すればよい。
【0030】治具20の基盤21の中央に凹部22があ
り、型枠1を凹部22に挿入することにより、図4のよ
うに固定できる。リードフレーム20の穴13を治具2
0の凸部23に通すことにより、リードフレーム20に
固定された電子部品を型枠1の封止材注入部の空間に、
内壁に接触しないように配置できる。
【0031】封止材を型枠に注入する方法は特に限定さ
れない。また、型枠に注入する封止材の量も、電子部品
が封止できる限り、特に限定されない。使用する封止材
の量の削減、硬化時間の短縮、回路基板上などで電子部
品の高密度化のなどの観点からは封止できる限りにおい
て、封止材の層を薄くすることが好ましい。しかし、封
止する目的である空気や水分などを遮断を完全にするた
めには、封止材の層を厚くすることが好ましい。
【0032】予め、離型剤を型枠の封止材注入部の内壁
に塗布しておいたり、封止材に離型剤を配合しておいて
もよいが、一般に、熱可塑性飽和ノルボルネン系樹脂は
封止材、特に熱硬化性樹脂とは接着しにくいので、容易
に離型できる。離型剤塗布の作業量削減、封止体体への
不純物取り込み防止などの観点からは、離型剤を用いな
いことが好ましい。
【0033】硬化後、一般には離型後、リードフレーム
の連結部16の下で切断して、封止体を切り放す。
【0034】(電子部品封止体)本発明によって得られ
る電子部品封止体とは、電子部品を封止材によって封止
したものであり、電子部品の形状、大きさなどに応じ
て、封止部分の形状が決定する。通常、一端が電子部品
と連結しており、他端が封止部分の外部に出ているリー
ド線により、電子部品に電流が流せるようになってい
る。それ以外は絶縁されている。
【0035】この電子部品封止体は、電子部品が封止さ
れているため、電子部品が空気中の酸素や、水分などと
接触することがない。
【0036】
【実施例】以下に実施例、比較例をあげて、本発明をさ
らに具体的に説明する。
【0037】実施例1 熱可塑性飽和ノルボルネン系樹脂(日本ゼオン株式会社
製、ZEONEX 280、Tg140℃、数平均分子
量約28,000)を90℃で3時間予備乾燥させたも
のを、射出成形機(上型固定、下型可動型、立型射出成
形機さV−30/30型、株式会社山城精機製作所製)
を用いて、シリンダー温度300℃、金型温度100
℃、射出圧力500kgf/cm2の射出条件で射出成
形して、図1に示す電子部品封止体製造用型枠を成形し
た。
【0038】なお、図1の型枠1は幅8.0mm、長さ
41.6mm、高さ20.0mm、封止材注入部2は、
幅4.00mm、長さ5.92mm、深さ10.0m
m、封止材注入部同士、または型枠外との隔壁3の厚さ
は2.0mmである。
【0039】実施例2 実施例1で得た電子部品封止体製造用型枠に、金属リー
ドフレーム(株式会社エノモト製のEME2003−2
を発光ダイオード5個分に切断したもので、図2に示す
形状である)、半導体PN接合子、金線で構成された発
光ダイオードチップ(定格電流20mA)が5つ連続し
たものを作製した。
【0040】なお、図2のリードフレーム20の固定用
連結部14は幅3.11mm、固定用の穴13は直径
1.58mmの円形で、中心間で7.62mm毎に設け
られている。また、穴13の各中心から、左右に1.2
7mmの位置を中心として、0.5mmの太さのリード
線15が垂直に下方に伸びている。リード線15は固定
用連結部14から21.53mmの間隔をあけて、幅
1.26mmの連結部16によって連結されている。リ
ード線は連結部16よりさらに下方に伸びており、連結
部16から先端の発光ダイオード固定部11までは1
0.17mm、同じく先端の金線固定部12までは1
0.32mmである。発光ダイオード固定部11は、直
径0.13mmの円板が水平に取り付けられている。こ
の円板部分を除くとリードフレームはの厚さは0.5m
mである。
【0041】この発光ダイオードチップを固定したリー
ドフレーム20を、図3に示す固定治具20に図4に示
すように固定し、水平に保持した。
【0042】図3に示す固定治具20の基盤21は幅1
6.1mm、長さ61.9mm、高さ10.0mmであ
り、その中央に幅6.1mm、長さ41.9mm、深さ
8.0mmの凹部22が設けられている。基盤21に
は、凹部22の左右に円柱24が垂直に立っており、2
本の円柱24の間には、帯状固定具25が固定されてい
る。帯状固定具25には、凸部23がリードフレーム2
0の5つの穴13に合致するように設けられている。図
4に示すように、凹部22に型枠1を固定し、さらに、
凸部23に図2に示すリードフレームの穴13を通し
て、リードフレームを固定すると、発光ダイオードの中
心が、封止材注入部2の中心に位置するようになってい
る。
【0043】ビスフェノールA型エポキシ系組成物(油
化シェルエポキシ社製、EP−826)100重量部に
4−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸90重量部、2−
エチル−4−メチルイミダゾール1重量部を添加した封
止材を封止材注入部2の縁まで注入して、20時間、1
10℃に保って硬化させ、連続しているリードフレーム
20を連結部16のすぐ下で切断することにより、1つ
の型枠から5個の封止発光ダイオードを得た。
【0044】この型枠を用いて、上記のように封止発光
ダイオードを繰り返し得て、中央の封止材注入部2から
得られた封止発光ダイオードの中央部の幅を測定したと
ころ、1回目、30回目、50回目、100回目、15
0回目で、それぞれ、3.96mm、3.98mm、
4.01mm、4.04mm、4.06mmであった。
【0045】比較例1 熱可塑性ノルボルネン系樹脂に代えてポリメチルペンテ
ン(TPX MX004、三井石油化学株式会社製)を
用い、射出条件をシリンダー温度300℃、金型温度8
0℃、射出圧力250kgf/cm2の射出条件で図1
で示す電子部品封止体製造用型枠を成形した。
【0046】この型枠を用いて実施例2と同様に封止発
光ダイオードを繰り返して得た。中央の熱硬化性組成物
注入部から得られた封止発光ダイオードの中央部の幅を
測したところ、1回目、30回目、50回目、100回
目で、それぞれ、3.95mm、4.12mm、4.2
9mm、4.45mmであった。
【0047】比較例2 熱可塑性ノルボルネン系樹脂に代えてポリフェニレンス
ルファイド(フォートロン 1140A1、ポリプラス
チック株式会社製)を用い、予備乾燥条件を140℃、
3時間、射出条件をシリンダー温度310℃、金型温度
150℃、射出圧力500kgf/cm2の射出条件で
図1で示す電子部品封止体製造用型枠を成形した。
【0048】この型枠を用いて実施例2と同様に電子部
品封止体を繰り返して得た。中央の熱硬化性組成物注入
部から得られた封止発光ダイオードの中央部の幅を測定
したところ、1回目、30回目、50回目、100回
目、150回目で、それぞれ、3.95mm、4.06
mm、4.11mm、4.25mm、4.39mmであ
った。
【0049】
【発明の効果】本発明の電子部品封止体製造用型枠は、
熱硬化性封止材の硬化の際に変形しにくく、従来の型枠
に比較して多くの回数の製造に用いることができる。
【0050】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電子部品封止体製造用型枠の形状の1
例を示す斜視図である。
【図2】本発明で用いるリードフレームの形状の1例を
示す正面図である。
【図3】本発明で用いる治具の形状の1例を示す斜視図
である。
【図4】本発明における治具の使用方法の1例を示す斜
視図である。
【符号の説明】
1 電子部品封止体製造用型枠 2 封止材注入部 3 隔壁 10 リードフレーム 11 発光ダイオード固定部 12 金線固定部 13 固定用穴 14 固定用連結部 15 リード線 16 連結部 20 治具 21 基盤 22 凹部 23 凸部 24 円柱 25 帯状固定具
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01G 13/00 321 U 9174−5E H01L 21/56 E 8617−4M // B29L 31:34 4F

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 熱可塑性ノルボルネン樹脂よりなる電子
    部品封止体製造用型枠。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の型枠に電子部品を配置
    し、該型枠に熱硬化性封止材を注入し、硬化させること
    を特徴とする電子部品封止体の製造方法。
  3. 【請求項3】 熱硬化性封止材がエポキシ系熱硬化性組
    成物であることを特徴とする電子部品封止体の製造方
    法。
JP28510392A 1992-09-30 1992-09-30 電子部品封止体製造用型枠、およびそれを用いた電子部品封止体の製造方法 Expired - Fee Related JP3627222B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28510392A JP3627222B2 (ja) 1992-09-30 1992-09-30 電子部品封止体製造用型枠、およびそれを用いた電子部品封止体の製造方法
US08/916,781 US5885505A (en) 1992-09-30 1997-08-25 Method for producing electronic part sealed body

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28510392A JP3627222B2 (ja) 1992-09-30 1992-09-30 電子部品封止体製造用型枠、およびそれを用いた電子部品封止体の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06114846A true JPH06114846A (ja) 1994-04-26
JP3627222B2 JP3627222B2 (ja) 2005-03-09

Family

ID=17687167

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28510392A Expired - Fee Related JP3627222B2 (ja) 1992-09-30 1992-09-30 電子部品封止体製造用型枠、およびそれを用いた電子部品封止体の製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5885505A (ja)
JP (1) JP3627222B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006013774A1 (ja) 2004-08-03 2006-02-09 Mitsui Chemicals, Inc. ポリ4-メチル-1-ペンテン樹脂組成物、フィルムおよび電子部品封止体製造用型枠
JP2011066024A (ja) * 2009-09-15 2011-03-31 Panasonic Corp 樹脂モールド型コンデンサの製造方法
CN109504328A (zh) * 2018-11-28 2019-03-22 深圳市明粤科技有限公司 Micro LED显示屏封装材料

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0658819B1 (en) * 1993-11-30 2010-06-23 Canon Kabushiki Kaisha Toner and developer for developing electrostatic image, process for production thereof and image forming method
JP3564994B2 (ja) * 1997-08-25 2004-09-15 株式会社村田製作所 電子部品およびその製造方法
US6903171B2 (en) 1998-10-05 2005-06-07 Promerus, Llc Polymerized cycloolefins using transition metal catalyst and end products thereof
US7695166B2 (en) * 2001-11-23 2010-04-13 Derose Anthony Shaped LED light bulb
US20050188569A1 (en) * 2001-11-23 2005-09-01 Derose Anthony Display signs and ornaments for holiday seasons
US20080084009A1 (en) * 2005-05-02 2008-04-10 Derose Anthony Method of Making Shaped LED Light Bulb
JP6231935B2 (ja) * 2014-04-22 2017-11-15 ニチコン株式会社 樹脂モールド型コンデンサおよびその製造方法、成型用型枠

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4055613A (en) * 1974-10-23 1977-10-25 Akrosil Corporation Production of three-dimensional designs
US4189517A (en) * 1978-11-08 1980-02-19 The General Tire & Rubber Company Low-shrink in-mold coating
JPS609107B2 (ja) * 1980-12-26 1985-03-07 株式会社日立製作所 電極の製作方法
US4635356A (en) * 1984-12-28 1987-01-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing a circuit module
JPH0788015B2 (ja) * 1985-07-29 1995-09-27 株式会社ブリヂストン ゴム製品の成型加硫方法
US4843036A (en) * 1987-06-29 1989-06-27 Eastman Kodak Company Method for encapsulating electronic devices
US4954308A (en) * 1988-03-04 1990-09-04 Citizen Watch Co., Ltd. Resin encapsulating method
JP2977274B2 (ja) * 1989-12-26 1999-11-15 日本ゼオン株式会社 成形用材料および成形品
JP3143676B2 (ja) * 1991-06-17 2001-03-07 ジェイエスアール株式会社 封止剤
US5409996A (en) * 1993-02-23 1995-04-25 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Thermoplastic resin composition

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006013774A1 (ja) 2004-08-03 2006-02-09 Mitsui Chemicals, Inc. ポリ4-メチル-1-ペンテン樹脂組成物、フィルムおよび電子部品封止体製造用型枠
JP2011066024A (ja) * 2009-09-15 2011-03-31 Panasonic Corp 樹脂モールド型コンデンサの製造方法
CN109504328A (zh) * 2018-11-28 2019-03-22 深圳市明粤科技有限公司 Micro LED显示屏封装材料

Also Published As

Publication number Publication date
JP3627222B2 (ja) 2005-03-09
US5885505A (en) 1999-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9287187B2 (en) Power semiconductor module
JPH06114846A (ja) 電子部品封止体製造用型枠、およびそれを用いた電子部品封止体の製造方法
US9443779B2 (en) Semiconductor device
KR930017156A (ko) 집적회로구조용 다중레이어 리드프레임 어셈블리를 제조하는 공정 및 그러한 공정에 의해 형성된 다중레이어 집적회로 다이 팩키지
KR950010035A (ko) 반도체 패키지 및 그 제조 방법
JPH10242333A (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
CN104241256B (zh) 电子组件模块和制造该电子组件模块的方法
JP2008270469A (ja) パワーモジュール及びその製造方法
KR100585014B1 (ko) 일체형 열전달 슬러그가 형성된 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
JP2004235261A (ja) 光学系装置及びその製造方法
JP2939404B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
CN1324699C (zh) 功率半导体模块
CN113675149B (zh) 一种具有应力释放结构的引线框架及封装料片
JP3481326B2 (ja) 半導体圧力センサー及びその製造方法
JP3498695B2 (ja) 半導体圧力センサー
JPH04329680A (ja) 発光装置
JPH0691694A (ja) 成形品とその製造方法
JP2784126B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージの製造方法
JP3397212B2 (ja) エレクトロニクス素子封止体
JPH0649182A (ja) エレクトロニクス素子封止体およびその製造方法
KR101364020B1 (ko) 반도체 패키지 및 그 제조 방법
JPH1168254A (ja) 光モジュール及び光モジュールの製造方法
JPH08505266A (ja) 配置可能接着剤によりシールされた電子パッケージ
JP3435042B2 (ja) 固体撮像装置
KR101216932B1 (ko) 램프형 발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20040831

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20041115

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20041128

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071217

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081217

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081217

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091217

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091217

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101217

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111217

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees