JPS61109778A - 被覆用材料及び該被覆用材料に含有される - Google Patents
被覆用材料及び該被覆用材料に含有されるInfo
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- JPS61109778A JPS61109778A JP60246089A JP24608985A JPS61109778A JP S61109778 A JPS61109778 A JP S61109778A JP 60246089 A JP60246089 A JP 60246089A JP 24608985 A JP24608985 A JP 24608985A JP S61109778 A JPS61109778 A JP S61109778A
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- C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
- C08K5/34—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring
- C08K5/3467—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring having more than two nitrogen atoms in the ring
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- C08K5/3475—Five-membered rings condensed with carbocyclic rings
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D249/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having three nitrogen atoms as the only ring hetero atoms
- C07D249/16—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having three nitrogen atoms as the only ring hetero atoms condensed with carbocyclic rings or ring systems
- C07D249/18—Benzotriazoles
- C07D249/20—Benzotriazoles with aryl radicals directly attached in position 2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/0008—Organic ingredients according to more than one of the "one dot" groups of C08K5/01 - C08K5/59
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-
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、クリブト光安定剤を含有する被覆用材料に関
するものである。
するものである。
上記の如き化合物は、短波光の作用によシ活性化されて
、光化学的に光安定剤に転化する。
、光化学的に光安定剤に転化する。
それに関する化合物はブロックトヒドロキシル基を有す
る２−（２−ヒト四キシフェニル）−ベンゾトリアゾー
ルの特定の誘導体である。
る２−（２−ヒト四キシフェニル）−ベンゾトリアゾー
ルの特定の誘導体である。
（従来の技術）
オルソンとシエレーテル（（１０ｓｏｎ ａｎｄ Ｓｅ
ｈｒｏｅ−ｔａｒ ； Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｏ１．５ｃｉ
ｅｎｃｅ ２２（１９７８） 、 ２ ｊ ６５−７２
）Ｉｃ！、！７％ ２−（２−ヒドロキシフェニル）−
ベンゾトリアゾールの７エノール性水酸基を例えば加水
分解、光分解または加熱によって引き続き除去できる化
学的保護基でブロックすることがすでに提案されている
。これらのブロックトベンゾトリアゾール誘導体は、３
３Ｇなｈし４００ ｎｍの範囲の紫外線を吸収しないの
で、その結果として紫外線（ＵＶ）−硬化性組成物の光
重合を妨げない。しかし、それらの変化したＵＶ−吸収
レベル（それらの吸収の最大は約２９０ないし５１０ｎ
ｍである＠）のために、それらは光安定剤として適当で
なく、従って光重合の後、公知の光安定剤である。遊離
のＯＨ基を有するベンゾトリアゾールに転化しなければ
ならない。前記の著者は、シリル化によ）、カルバモイ
ル化により、そして、後の著作（Ｊ、Ａｐｐｌ。
ｈｒｏｅ−ｔａｒ ； Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｏ１．５ｃｉ
ｅｎｃｅ ２２（１９７８） 、 ２ ｊ ６５−７２
）Ｉｃ！、！７％ ２−（２−ヒドロキシフェニル）−
ベンゾトリアゾールの７エノール性水酸基を例えば加水
分解、光分解または加熱によって引き続き除去できる化
学的保護基でブロックすることがすでに提案されている
。これらのブロックトベンゾトリアゾール誘導体は、３
３Ｇなｈし４００ ｎｍの範囲の紫外線を吸収しないの
で、その結果として紫外線（ＵＶ）−硬化性組成物の光
重合を妨げない。しかし、それらの変化したＵＶ−吸収
レベル（それらの吸収の最大は約２９０ないし５１０ｎ
ｍである＠）のために、それらは光安定剤として適当で
なく、従って光重合の後、公知の光安定剤である。遊離
のＯＨ基を有するベンゾトリアゾールに転化しなければ
ならない。前記の著者は、シリル化によ）、カルバモイ
ル化により、そして、後の著作（Ｊ、Ａｐｐｌ。
Ｐｏ１．５ｅｉｓｎｃｅ ２８ （１９８！Ｓ） 、
１１５９−６５）においてはエーテル化、エステル化及
びスルホニル化によシＯＨ基をブロックする可能性につ
いて研究し友。これに関連して種々の問題例えば不十分
な開裂または副生成物の形成に由来する変色が生じてい
る。０−スルホニル化及び光化学的開裂は最も優れた方
法であるように記載されている。この開裂の場合には、
本質的にオル）−スルホニルフェノールに対して光化学
的フリース転位を発生する。これは、全ての試験された
化合物がオルト−位において未置換であるから可能であ
る（ＯＨｆｔＫ関して）。
１１５９−６５）においてはエーテル化、エステル化及
びスルホニル化によシＯＨ基をブロックする可能性につ
いて研究し友。これに関連して種々の問題例えば不十分
な開裂または副生成物の形成に由来する変色が生じてい
る。０−スルホニル化及び光化学的開裂は最も優れた方
法であるように記載されている。この開裂の場合には、
本質的にオル）−スルホニルフェノールに対して光化学
的フリース転位を発生する。これは、全ての試験された
化合物がオルト−位において未置換であるから可能であ
る（ＯＨｆｔＫ関して）。
（問題点を解決するだめの手段）
本発明者等は、ＯＨ基に関してバラ−位及びオルト−位
の双方が置換されている２−（２−ヒドロキシフェニル
）−ベンゾトリアゾールを使用し％ＯＨ基をブロックす
ることＫよシ、同様に２？Ｇ−３１０ｎｍで吸収最大を
有するが、バラ−位及びオルト−位に置換基があるＫも
かかわらず、遊離のＯＨ基を有する化合物に光化学的に
再変換できるクリプト光安定剤が得られることを見い出
した。それらは、未置換のオルト−位を有する化合物の
レベルよシも高い暗所における安定性レベルを有する。
の双方が置換されている２−（２−ヒドロキシフェニル
）−ベンゾトリアゾールを使用し％ＯＨ基をブロックす
ることＫよシ、同様に２？Ｇ−３１０ｎｍで吸収最大を
有するが、バラ−位及びオルト−位に置換基があるＫも
かかわらず、遊離のＯＨ基を有する化合物に光化学的に
再変換できるクリプト光安定剤が得られることを見い出
した。それらは、未置換のオルト−位を有する化合物の
レベルよシも高い暗所における安定性レベルを有する。
この因子は、ラッカーがしばしば長期間貯蔵されるから
、市販する場合には重要である。
、市販する場合には重要である。
遊離のＯＨ基を有する公知のベンゾトリアゾール光安定
剤と比較して、被覆用材料が塗布前または塗布中に金属
と接触するとき、これらのクリプト光安定剤は有利であ
る。全ての２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾト
リアゾールは、しばしば有色である金属イオンと錯体を
形成し、（例えばＣｕ、ＮｉまたはＣｏの場合）そして
それらは被覆用材料の変色を引き起こす。
剤と比較して、被覆用材料が塗布前または塗布中に金属
と接触するとき、これらのクリプト光安定剤は有利であ
る。全ての２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾト
リアゾールは、しばしば有色である金属イオンと錯体を
形成し、（例えばＣｕ、ＮｉまたはＣｏの場合）そして
それらは被覆用材料の変色を引き起こす。
クリプト光安定剤のための別の意義深い適用分野は、硬
化触媒（ドライヤー）として有機金属化合物を含有する
酸化乾燥被覆用材料を包含している。遊離の２−（２−
ヒドロキシフェニル）−ベンゾトリアゾールの存在中で
、これらの金属化合物はベンゾトリアゾールに配位結合
し、そして硬化触媒としてはもはや有効でなくなる。
化触媒（ドライヤー）として有機金属化合物を含有する
酸化乾燥被覆用材料を包含している。遊離の２−（２−
ヒドロキシフェニル）−ベンゾトリアゾールの存在中で
、これらの金属化合物はベンゾトリアゾールに配位結合
し、そして硬化触媒としてはもはや有効でなくなる。
したがって、本発明は、クリプト光安定゛剤として、次
式Ｉまたは■： （上記各式中、 Ｘは１′ｔたは２を表わし。
式Ｉまたは■： （上記各式中、 Ｘは１′ｔたは２を表わし。
Ｒ１は、Ｘが１であるとき及び式■においては、式ニー
Ｃｏ−Ｒ’で表わされるアシル基、式ニー５（ｈ−Ｒ＠
テ表すされるスルホニル基、式ニーＰ （０）ｒ（Ｒ１
４）（Ｒ”）で表わされるホスホリル基を表わし、Ｘが
２のときは一〇〇−または式ニー ｃｏ −ｃｏ−若し
くは−Ｃｏ−Ｒ’−Ｃｏ−で表わされるジアシル基を表
わし、 Ｒ２は炭素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原子
数５ないし１２のシクロアルキル基、フェニル基、炭素
原子数７ないし９のフェニルアルキル基、炭素原子数５
ないし５のアルケニル基またはノーロゲン原子を表わし
、 Ｒ２は、式ｌにおいては、炭素原子数１ないし１２のア
ルキル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基
、フェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキ
ル基、ハロゲン原子または式： −（ＣＬ）ｎ−ＣＯＯ
Ｒ’若しくは−（ＣＨＪｎ−Ｃｏ−ＮＣＲ”ＸＲ”）
で表わされる基を表わし、そして、式■においては、
次式ニ ー ＣＣＬ）Ｈ−Ｃ０−０−（ＣＨＪｑ−０−ＣＯ−Ｃ
Ｃ＆）ｎ −−−（ＣＨＪＨ−Ｃｏ −０−（ＣＨ鵞Ｃ
ＨｓＯ）ｐ −Ｃｏ −（Ｃ）ｈ）。−１−（Ｃ）ｈ）
ｎ−ＣＯ−ＮＨ−Ｒ”−ＮＨ−ＣＯ−（ＣＨｓ）、−ま
たはＣＨｚ−ＣＨ−ＣＨｘ−０−ＣＯ−（ＣＨｓ）Ｈ−
−ａｌｌ で表わされる二価基を表わし、 Ｒ４は水素原子、Ｉ・ロゲン原子、炭素原子数１ないし
８のアルキル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアル
キル基、炭素原子数１ないし８のアルコキシ基ｔｉは炭
素原子数２ないし８のアルコキシカルボニル基を表わし
、 Ｒｓは炭素原子数１ないし１８のアルキル基、炭素原子
数２ないし１８のアルケニル基、−ＣＨ５−ＣＯ−ＣＨ
ｓ 、 ７ ｓ ニル基、炭素原子数１ないし１２のア
ルキル基、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基若しく
はベンゾイル基によって置換されたフェニル基を表わす
か、あるいは炭素原子数７ないし１２のアルアルキル基
または炭素原子数１ないし１２のアルコキシ基を表わし
、 Ｒ６は炭素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原子
数６ないし１０のアリール基または炭素原子数７ないし
１８のアルキルアリール基を表わし。
Ｃｏ−Ｒ’で表わされるアシル基、式ニー５（ｈ−Ｒ＠
テ表すされるスルホニル基、式ニーＰ （０）ｒ（Ｒ１
４）（Ｒ”）で表わされるホスホリル基を表わし、Ｘが
２のときは一〇〇−または式ニー ｃｏ −ｃｏ−若し
くは−Ｃｏ−Ｒ’−Ｃｏ−で表わされるジアシル基を表
わし、 Ｒ２は炭素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原子
数５ないし１２のシクロアルキル基、フェニル基、炭素
原子数７ないし９のフェニルアルキル基、炭素原子数５
ないし５のアルケニル基またはノーロゲン原子を表わし
、 Ｒ２は、式ｌにおいては、炭素原子数１ないし１２のア
ルキル基、炭素原子数５ないし１２のシクロアルキル基
、フェニル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキ
ル基、ハロゲン原子または式： −（ＣＬ）ｎ−ＣＯＯ
Ｒ’若しくは−（ＣＨＪｎ−Ｃｏ−ＮＣＲ”ＸＲ”）
で表わされる基を表わし、そして、式■においては、
次式ニ ー ＣＣＬ）Ｈ−Ｃ０−０−（ＣＨＪｑ−０−ＣＯ−Ｃ
Ｃ＆）ｎ −−−（ＣＨＪＨ−Ｃｏ −０−（ＣＨ鵞Ｃ
ＨｓＯ）ｐ −Ｃｏ −（Ｃ）ｈ）。−１−（Ｃ）ｈ）
ｎ−ＣＯ−ＮＨ−Ｒ”−ＮＨ−ＣＯ−（ＣＨｓ）、−ま
たはＣＨｚ−ＣＨ−ＣＨｘ−０−ＣＯ−（ＣＨｓ）Ｈ−
−ａｌｌ で表わされる二価基を表わし、 Ｒ４は水素原子、Ｉ・ロゲン原子、炭素原子数１ないし
８のアルキル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアル
キル基、炭素原子数１ないし８のアルコキシ基ｔｉは炭
素原子数２ないし８のアルコキシカルボニル基を表わし
、 Ｒｓは炭素原子数１ないし１８のアルキル基、炭素原子
数２ないし１８のアルケニル基、−ＣＨ５−ＣＯ−ＣＨ
ｓ 、 ７ ｓ ニル基、炭素原子数１ないし１２のア
ルキル基、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基若しく
はベンゾイル基によって置換されたフェニル基を表わす
か、あるいは炭素原子数７ないし１２のアルアルキル基
または炭素原子数１ないし１２のアルコキシ基を表わし
、 Ｒ６は炭素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原子
数６ないし１０のアリール基または炭素原子数７ないし
１８のアルキルアリール基を表わし。
Ｒ７は炭素原子数１ないし１０のアルキレン基またはフ
ェニレシ基を表わし、 Ｒ１は水素原子、炭素原子数１ないし１２のアルキル基
または式： −（ＣＨｓＣ＆０）ｐ−Ｒｘで表わされる
基を表わし、 ＲＩＯ及びＲ１１は互１／％に独立してそれぞれ水素原
子、ＯまたはＮによって中断されることができる炭素原
子数１ないし１２のアルキル基、炭素原子数５ないし１
２のシクロアルキル基、炭素原子数７女いし９のフェニ
ルアルキル基、炭素原子数３ないし５のアルケニル基、
フェニル基、または２．２．６．６−テトラメチル−４
−ピペリジニル基を表わすか、あるいは１１０及びＲ１
が一緒になって炭素原子数４ないし６のフルキレン基、
炭素原子数４ないし６のオキナアルキレン基または炭素
■子数４ないし６のアザアルキレン基を表わし、 Ｒ１は１個ないし３個の酸素原子によって中断されるこ
とができる炭素原子数１ないし１２のアルキレフ基を表
わし、 Ｒ１３は炭素原子数１ないし１２のアルキル基または炭
素原子数６ないし１０のアリール基を表わし、 １１４及びＲ１１は互いに独立してそれぞれ炭素原子数
１ないし１２のアルコキシ基、フェノキシ基、炭素原子
数１ないし１２のアルキル基、シクロヘキシル基、ベン
ジル基、フェニル基またはトリル基を表わし、 ” ｎは１または２を表わし、 ｐは１ないし１０の数であ）、 ｑは２ないし１２の数でアシ、そして ヒはａｔたは１を表わす。）で表わされる化合物を含有
する被覆用材料に関する。
ェニレシ基を表わし、 Ｒ１は水素原子、炭素原子数１ないし１２のアルキル基
または式： −（ＣＨｓＣ＆０）ｐ−Ｒｘで表わされる
基を表わし、 ＲＩＯ及びＲ１１は互１／％に独立してそれぞれ水素原
子、ＯまたはＮによって中断されることができる炭素原
子数１ないし１２のアルキル基、炭素原子数５ないし１
２のシクロアルキル基、炭素原子数７女いし９のフェニ
ルアルキル基、炭素原子数３ないし５のアルケニル基、
フェニル基、または２．２．６．６−テトラメチル−４
−ピペリジニル基を表わすか、あるいは１１０及びＲ１
が一緒になって炭素原子数４ないし６のフルキレン基、
炭素原子数４ないし６のオキナアルキレン基または炭素
■子数４ないし６のアザアルキレン基を表わし、 Ｒ１は１個ないし３個の酸素原子によって中断されるこ
とができる炭素原子数１ないし１２のアルキレフ基を表
わし、 Ｒ１３は炭素原子数１ないし１２のアルキル基または炭
素原子数６ないし１０のアリール基を表わし、 １１４及びＲ１１は互いに独立してそれぞれ炭素原子数
１ないし１２のアルコキシ基、フェノキシ基、炭素原子
数１ないし１２のアルキル基、シクロヘキシル基、ベン
ジル基、フェニル基またはトリル基を表わし、 ” ｎは１または２を表わし、 ｐは１ないし１０の数であ）、 ｑは２ないし１２の数でアシ、そして ヒはａｔたは１を表わす。）で表わされる化合物を含有
する被覆用材料に関する。
Ｒ１は一価のアシル基としては例えば次のものを表わす
ニ アセチル、プロピニル、ブチリル、バレリアニル、カプ
ロニル（ｎ−ヘキサノニル）、２−エチルヘキサノニル
、カプリロイル（ｎ−オクタノイル）、カブリオニル（
ｎ−デカノイル）、ラウロイル（ｎ−ドデカノイル）、
パルミチル（ｎ−ヘキサデカノイル）％ステアロイル（
ｎ−オクタデカノイル）、アクリロイル、メタクリロイ
ル、クロトニル、オレイル、リルイル、ベンゾイル、３
−メチルベンゾイル、４−第三−ブチルベンゾイル、４
−へキシルベンゾイル、４−ドデシルベンゾイル、３−
若しくは４蓋メトキシ−またはエトキシベンゾイル、４
−ベンゾイルベンゾイル、フェニルアセチル、フェニル
グロピオエル、ナフチルアセチル、メトキシカルボニル
、エトキシカルボニル、ブトキシカルボニル、オクチル
オキシカルボニルまたはドデシルオキシカルボニル基。
ニ アセチル、プロピニル、ブチリル、バレリアニル、カプ
ロニル（ｎ−ヘキサノニル）、２−エチルヘキサノニル
、カプリロイル（ｎ−オクタノイル）、カブリオニル（
ｎ−デカノイル）、ラウロイル（ｎ−ドデカノイル）、
パルミチル（ｎ−ヘキサデカノイル）％ステアロイル（
ｎ−オクタデカノイル）、アクリロイル、メタクリロイ
ル、クロトニル、オレイル、リルイル、ベンゾイル、３
−メチルベンゾイル、４−第三−ブチルベンゾイル、４
−へキシルベンゾイル、４−ドデシルベンゾイル、３−
若しくは４蓋メトキシ−またはエトキシベンゾイル、４
−ベンゾイルベンゾイル、フェニルアセチル、フェニル
グロピオエル、ナフチルアセチル、メトキシカルボニル
、エトキシカルボニル、ブトキシカルボニル、オクチル
オキシカルボニルまたはドデシルオキシカルボニル基。
スルホニル基トシてのＲ１の例は、ｆＣとえばメチル−
１第三−プチル−、オクチル−、ドデシル−、フェニル
、トＩＪ ルー 、ｔフチルー、４−ノニルフェニル−
１４−）”７’シルフェニル−またはメシチレンスルホ
ニル基である。
１第三−プチル−、オクチル−、ドデシル−、フェニル
、トＩＪ ルー 、ｔフチルー、４−ノニルフェニル−
１４−）”７’シルフェニル−またはメシチレンスルホ
ニル基である。
ジアシル基としての８１は例えばオキサリル、スクシニ
ル、グルタロイル、アジポイル、２，２゜４−トリメチ
ルアジポイル、セバコイル（オクタメチレンジカルボニ
ル）、デカメチレンジカルボニル、テレフタロイルまた
はインフタロイル基である。アぶキル基としてのＲ２、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ９、Ｒ１（： Ｈｌｌ、Ｒ”７ ｎ”、
Ｒ１５Ｉｄ、、与、ｔラレタ炭ｉ原子数の範囲回内で
、例えばメチル、エチル、プロピル、イノプロピル、ｎ
−ブチル、イソブチル、第ニーブチル、第三−ブチル、
ペンチル、５キシル、ヘプチル、オクチル、デシルまた
はドデシル基であることができる。
ル、グルタロイル、アジポイル、２，２゜４−トリメチ
ルアジポイル、セバコイル（オクタメチレンジカルボニ
ル）、デカメチレンジカルボニル、テレフタロイルまた
はインフタロイル基である。アぶキル基としてのＲ２、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ９、Ｒ１（： Ｈｌｌ、Ｒ”７ ｎ”、
Ｒ１５Ｉｄ、、与、ｔラレタ炭ｉ原子数の範囲回内で
、例えばメチル、エチル、プロピル、イノプロピル、ｎ
−ブチル、イソブチル、第ニーブチル、第三−ブチル、
ペンチル、５キシル、ヘプチル、オクチル、デシルまた
はドデシル基であることができる。
Ｒ２及びＲ３は好ましくは枝分だ鎖のアルキル基である
。
。
０またはＮＫよって中断されたアルキル基としてのＲ１
０及びＲ”は、例えば２−ブトキシエチル、３−メトキ
シプロビル、５−エトキシプロピル、３−イソプロポキ
シプロビル、３−エチルアミノグロビルま友は３−エチ
ルアミノプロピル基であることができる。
０及びＲ”は、例えば２−ブトキシエチル、３−メトキ
シプロビル、５−エトキシプロピル、３−イソプロポキ
シプロビル、３−エチルアミノグロビルま友は３−エチ
ルアミノプロピル基であることができる。
アルケニル基としてのＲ”％ Ｒ”及びＨｌｌは、例え
ばアリル、メタリルまたは２−ブテニル基であることが
できる。
ばアリル、メタリルまたは２−ブテニル基であることが
できる。
アルコキシ基としての１１４及びＲ”は１例えばメトキ
シ、エトキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、ヘキシルオ
キシ、オクチルオキシ、デシルオキシまたはドデシルオ
キシ基であることができる。
シ、エトキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、ヘキシルオ
キシ、オクチルオキシ、デシルオキシまたはドデシルオ
キシ基であることができる。
ハロゲン原子としてのＲ２及びＲ３は、例えばフッ素原
子、塩素原子または臭素原子であることができる。
子、塩素原子または臭素原子であることができる。
シ／ａアルキル基としてのＲ”％ Ｒ３％ Ｒ１０及ヒ
Ｒ”ハ、例Ｌハシクロペンチル、シクロヘキシル、メチ
ルシクロヘキシル、シクロオクチルま九はシクロドデシ
ル基であることができる。
Ｒ”ハ、例Ｌハシクロペンチル、シクロヘキシル、メチ
ルシクロヘキシル、シクロオクチルま九はシクロドデシ
ル基であることができる。
フェニルアルキル基としてのＲ”、Ｒ”、Ｒ”及びＲ”
ハ１例、ｔ Ｈヘンシル、α−メチルベンジル、α−
ジメチルベンジルまたハ２− ：ｙ ｚニルエチル基で
あることができる。フェニルアルキル基としてのＲ２及
びＲ３は好ましくはα−ジメチルベンジル基である。
ハ１例、ｔ Ｈヘンシル、α−メチルベンジル、α−
ジメチルベンジルまたハ２− ：ｙ ｚニルエチル基で
あることができる。フェニルアルキル基としてのＲ２及
びＲ３は好ましくはα−ジメチルベンジル基である。
アルコキシまたはアルコキシカルボニル基トしてのＲ４
は、例えばメトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ブト
キシ、ヘキシルオキシ、オクチルオキシ、メトキシカル
ボニル、エトキシカルボニル、ブトキシカルボニルま九
はペンチルオキシカルボニル基であることができる。炭
素原子数１ないし４のアルコキシ基またはアルコキシカ
ルボニル基が好ましい。
は、例えばメトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ブト
キシ、ヘキシルオキシ、オクチルオキシ、メトキシカル
ボニル、エトキシカルボニル、ブトキシカルボニルま九
はペンチルオキシカルボニル基であることができる。炭
素原子数１ないし４のアルコキシ基またはアルコキシカ
ルボニル基が好ましい。
アルキレン基としてのＲ７は、例えばメチレン、１．２
−エチレン、トリー、テトラ、ベンター１、ヘキサ、オ
クタまたはデカメチレンであることができる。
−エチレン、トリー、テトラ、ベンター１、ヘキサ、オ
クタまたはデカメチレンであることができる。
Ｒ１６及びＲ１１が一緒になってアルキレン基、オキサ
−ま九はアザアルキレン基であるとき、それらが結合し
ているＮ原子と一緒になって複素環、例えばピロリジン
、ピペリジン、モルホリン、ピペラジンまたはへキサメ
チレン環を形成する。
−ま九はアザアルキレン基であるとき、それらが結合し
ているＮ原子と一緒になって複素環、例えばピロリジン
、ピペリジン、モルホリン、ピペラジンまたはへキサメ
チレン環を形成する。
Ｒ１３は、例えば１．２−エチレン、トリー、テトラ、
ベンター、ヘキサ−、オクタ−１またはドデカメチレン
、２，４．４−トリメチルへキサメチレン、３−オキサ
ヘプタメチレンまたは３゜６−シオキナデカメチレン基
ゐらることができる。
ベンター、ヘキサ−、オクタ−１またはドデカメチレン
、２，４．４−トリメチルへキサメチレン、３−オキサ
ヘプタメチレンまたは３゜６−シオキナデカメチレン基
ゐらることができる。
式■で表わされる好ましい化合物は、前記式Ｉにおいて
、Ｘが１を表わし、 Ｒ１が式： −Ｃｏ−Ｒ’、 −８ｏ−Ｒ’ または−
Ｐ （０）−（Ｒｘ４）（Ｒ町で表わされる基を表わし
Ｂ２が炭素原子数１ないし１２のアルキル基、シクロ
ヘキシル基または炭素原子数７ないし９のフェニルアル
キル基を表わし ＢＢが炭素原子数゛１ないし１２のア
ルキル基、シクロヘキシル基、炭素原子数７ないし９の
フェニルアルキル基ま九は基ニー ＣＬＣＬＣＯＯＲ’
を表わし、８４が水素原子、メチル基または塩素原子を
表わし、Ｒｓが炭素原子数１ないし１２のアルキル基、
炭素原子数２ないし４のアルケニル基、フェニル基、ベ
ンジル基またはナフチルメチル基金表わし、Ｒｓがメチ
ル基、フェニル基または炭素原子数７ないし１８のフル
キル７エエル基を表わしＩ Ｒ’が炭素原子数１ないし
１２のアルキル基を表わし、そして、Ｒ１４及びＲｕが
互いに独立してそれぞれ炭素原子数１ないし４のアルコ
キシ基、メチル基またはフェニル基を表わす化合物であ
る。この化合物において、好ましくは １１は基−Ｃｏ
−Ｒ’または−Ｓ Ｏｘ −Ｒ’を表わし、Ｒ２は炭素
原子数１ないし８のアルキル基またはα−ジメチルベン
ジル基を表わし Ｈａは炭素原子数１ないし８のアルキ
ル基、α−ジメチルベンジル基ま九は基−ＣＨｚＣＨｓ
ＣＯＯＲ’を表わし、そしてＲ４は水素原子または塩素
原子を表わす。
、Ｘが１を表わし、 Ｒ１が式： −Ｃｏ−Ｒ’、 −８ｏ−Ｒ’ または−
Ｐ （０）−（Ｒｘ４）（Ｒ町で表わされる基を表わし
Ｂ２が炭素原子数１ないし１２のアルキル基、シクロ
ヘキシル基または炭素原子数７ないし９のフェニルアル
キル基を表わし ＢＢが炭素原子数゛１ないし１２のア
ルキル基、シクロヘキシル基、炭素原子数７ないし９の
フェニルアルキル基ま九は基ニー ＣＬＣＬＣＯＯＲ’
を表わし、８４が水素原子、メチル基または塩素原子を
表わし、Ｒｓが炭素原子数１ないし１２のアルキル基、
炭素原子数２ないし４のアルケニル基、フェニル基、ベ
ンジル基またはナフチルメチル基金表わし、Ｒｓがメチ
ル基、フェニル基または炭素原子数７ないし１８のフル
キル７エエル基を表わしＩ Ｒ’が炭素原子数１ないし
１２のアルキル基を表わし、そして、Ｒ１４及びＲｕが
互いに独立してそれぞれ炭素原子数１ないし４のアルコ
キシ基、メチル基またはフェニル基を表わす化合物であ
る。この化合物において、好ましくは １１は基−Ｃｏ
−Ｒ’または−Ｓ Ｏｘ −Ｒ’を表わし、Ｒ２は炭素
原子数１ないし８のアルキル基またはα−ジメチルベン
ジル基を表わし Ｈａは炭素原子数１ないし８のアルキ
ル基、α−ジメチルベンジル基ま九は基−ＣＨｚＣＨｓ
ＣＯＯＲ’を表わし、そしてＲ４は水素原子または塩素
原子を表わす。
式１で表わされるＩＦＰＫ好ましい化合物は、前記式１
において、Ｘが１を表わし Ｒ１が基ニー Ｃｏ −Ｒ
’または一８Ｏ鵞−Ｒｓを表わし、Ｒ１が炭素原子数１
ないし８のアルキル基★たはα−ジメチルベンジル基金
表わし％ Ｒ”が炭素原子数１ないし８のアルキル基：
α−ジメチルベンジル基または−Ｃ＆Ｃ迅Ｃ０ＯＲ’を
表わし、Ｒ４が水素原子または塩素原子を表わし Ｈｍ
が炭素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原子数２
ないし４のアルケニル基、フェニル基、ベンジル基また
はす７チルメチル基を表わし Ｒ６がメチル基、フェニ
ル基または炭素原子数７ないし１Ｂのアルキルフェニル
基を表わし、そして、Ｈｓが炭素原子数１ないし１２の
アルキル基を表わす化合物である。
において、Ｘが１を表わし Ｒ１が基ニー Ｃｏ −Ｒ
’または一８Ｏ鵞−Ｒｓを表わし、Ｒ１が炭素原子数１
ないし８のアルキル基★たはα−ジメチルベンジル基金
表わし％ Ｒ”が炭素原子数１ないし８のアルキル基：
α−ジメチルベンジル基または−Ｃ＆Ｃ迅Ｃ０ＯＲ’を
表わし、Ｒ４が水素原子または塩素原子を表わし Ｈｍ
が炭素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原子数２
ないし４のアルケニル基、フェニル基、ベンジル基また
はす７チルメチル基を表わし Ｒ６がメチル基、フェニ
ル基または炭素原子数７ないし１Ｂのアルキルフェニル
基を表わし、そして、Ｈｓが炭素原子数１ないし１２の
アルキル基を表わす化合物である。
前記式■において、Ｘが２を表わし、Ｒ１が基ニーＣｏ
−Ｒ’−Ｃｏ−を表わし、Ｖが炭素原子数１−ないし８
のアルキル基またはα−ジメチルベンジル基を表わし、
Ｒ３が炭素原子数１ないし８のアルキル基、α−ジメチ
ルベンジル基または基ニーＣ迅Ｃ迅Ｃ０ＯＲ’を表わし
１４が水素原子または塩素原子を表わし Ｒ？が炭素
原子数２ないし８のアルキレン基を表わし、そして、Ｒ
９が炭素原子数１ないし１２のアルキル基を表わす化合
物も好ましい。
−Ｒ’−Ｃｏ−を表わし、Ｖが炭素原子数１−ないし８
のアルキル基またはα−ジメチルベンジル基を表わし、
Ｒ３が炭素原子数１ないし８のアルキル基、α−ジメチ
ルベンジル基または基ニーＣ迅Ｃ迅Ｃ０ＯＲ’を表わし
１４が水素原子または塩素原子を表わし Ｒ？が炭素
原子数２ないし８のアルキレン基を表わし、そして、Ｒ
９が炭素原子数１ないし１２のアルキル基を表わす化合
物も好ましい。
更に好ましい化合物社、前記式ＩＮにおいて、Ｒ’ ２
＞Ｅ 式： −Ｃｏ−Ｒ’ １ ＊ ａ −８（ｈ−Ｒ
’ テｏｂ サｔＬル基を表わし％Ｒ８が炭素原子数１
ないし８のアルキル基ま九はα−ジメチルベンジル基を
表わし、Ｒ３が式： −ＣＬＣＬＣＯＯ−（ＣＨｚ）ｑ
−ＯＣＯＣＨｚＣＨｚ−または−Ｃ迅ＣＨ冨ＣＯＮ’Ｈ
−Ｒ”−ＮＨＣＯＣＨｚＣＨ＊−で表わされる基を表わ
し、Ｒ４が水素原子または塩素原子を表わし、 Ｒ５が
炭素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原子数２な
いし４のアルケニル基、フェニル基、ヘンシル基または
ナフチルメチル基を表わし、Ｒ６がメチル基、フェニル
基または炭素原子数７ないし１８のフルキルフェニル基
を表わし、Ｒ１が炭素原子数２ないし８のアルキレジ基
を表わし、そして、ｑ、が２ないし８の数を表わす化合
物である。
＞Ｅ 式： −Ｃｏ−Ｒ’ １ ＊ ａ −８（ｈ−Ｒ
’ テｏｂ サｔＬル基を表わし％Ｒ８が炭素原子数１
ないし８のアルキル基ま九はα−ジメチルベンジル基を
表わし、Ｒ３が式： −ＣＬＣＬＣＯＯ−（ＣＨｚ）ｑ
−ＯＣＯＣＨｚＣＨｚ−または−Ｃ迅ＣＨ冨ＣＯＮ’Ｈ
−Ｒ”−ＮＨＣＯＣＨｚＣＨ＊−で表わされる基を表わ
し、Ｒ４が水素原子または塩素原子を表わし、 Ｒ５が
炭素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原子数２な
いし４のアルケニル基、フェニル基、ヘンシル基または
ナフチルメチル基を表わし、Ｒ６がメチル基、フェニル
基または炭素原子数７ないし１８のフルキルフェニル基
を表わし、Ｒ１が炭素原子数２ないし８のアルキレジ基
を表わし、そして、ｑ、が２ないし８の数を表わす化合
物である。
これらの化合物のある種のものは公知であり。
またある種のものは新規化合物であイ。それらは本質的
にはフェノール性ＯＨ基のアシル化という慣用方法によ
り水酸基をエステル化することによって、例えばカルボ
ン酸無水物、カルボン酸塩化物、スルホン駿塩化物また
はりはロホスフェートと反応させることによって、対応
するとド霞キシル化合物（Ｒ”ミＨ）から製造すること
ができる。これらの例は、後記製造例に挙げる。出発物
質として使用するヒドロキシル化合物は、一部は市販さ
れており、他のものは２−（２−ヒドロキシフェニル）
−ペンゾトリアゾ−ルの製造のために一般に知られてい
る方法によシ製造することができる。
にはフェノール性ＯＨ基のアシル化という慣用方法によ
り水酸基をエステル化することによって、例えばカルボ
ン酸無水物、カルボン酸塩化物、スルホン駿塩化物また
はりはロホスフェートと反応させることによって、対応
するとド霞キシル化合物（Ｒ”ミＨ）から製造すること
ができる。これらの例は、後記製造例に挙げる。出発物
質として使用するヒドロキシル化合物は、一部は市販さ
れており、他のものは２−（２−ヒドロキシフェニル）
−ペンゾトリアゾ−ルの製造のために一般に知られてい
る方法によシ製造することができる。
新規化合物は１例えば式ＩにおいてＲ３が基−（Ｃ＆）
、 −Ｃ０ＯＲ’または−（Ｃ＆）ｎ−Ｃ０Ｎ（Ｒ”Ｘ
Ｒ”）を表わす化合物、及び、式■において、Ｒ３が−
（ＣＥｔ）ｎ −Ｃｏ −０−（ＣＨｓ）ｑ −０−Ｃ
Ｏ−（Ｃ迅）Ｈ−−−（ＣＨｓ）ｎ−ＣＯ−０−（Ｃ＆
ＣＨｓＯ）ｐ−ＣＯ−（ＣＨｔ）Ｈ−。
、 −Ｃ０ＯＲ’または−（Ｃ＆）ｎ−Ｃ０Ｎ（Ｒ”Ｘ
Ｒ”）を表わす化合物、及び、式■において、Ｒ３が−
（ＣＥｔ）ｎ −Ｃｏ −０−（ＣＨｓ）ｑ −０−Ｃ
Ｏ−（Ｃ迅）Ｈ−−−（ＣＨｓ）ｎ−ＣＯ−０−（Ｃ＆
ＣＨｓＯ）ｐ−ＣＯ−（ＣＨｔ）Ｈ−。
−（Ｃ１（雪）ｎ −ＣＯ−ＮＨ−Ｒ” −ＮＨ−Ｃｏ
−（Ｃ＆）１−またはで表わされる二価基を表わす化
合物である。
−（Ｃ＆）１−またはで表わされる二価基を表わす化
合物である。
式Ｉで表わされる個々の化合物の例は、次のものである
： ２−（２−アセトキク−３−メチル−５−ｇ三−フチル
ーフェニル）−ベンゾトリアゾール、２− （２−７−
ｋ）＄シー ｓ、５−−／ （ｇ＝−ブチル）−フェニ
ルツーベンゾトリアゾール、２−（２−プロピオニルオ
キシ−３−イソプロピに−５−ＩＫＥ−”！チルーフェ
ニル）−ペンツトリアゾール、２−（２−ブチロイルオ
キシ−３−第２−ブチル−５−第三−ブチル−フェニル
）−ベンゾトリアゾール、２−（２−ヘキサノイルオキ
シ−３，５−ジ（第三−ペンチル）−フェニル〕−ヘン
ソトリアゾール、５−クロロ−２−オクタノエルオキシ
−３，５−ジ（第三−ブチル）−フェニルツーベンゾト
リアゾール、５−メチル−２−（２−ベンゾイルオキシ
−３゜５−ジメチル−フェニル）−ヘン１ ） 、ＩＪ
アソール、５−メトキシ−２−（２−（４−クロロベン
ゾイルオキシ）−３，５−ジ（第三−ブチル）−７エニ
ル〕−ベンゾトリアゾール、２−（２−ｐ−）ルエンス
ルホエルオキシー５．５−ジ（第三−ブチル）−フェニ
ルツーベンゾトリアゾール、２−（２−ドデシルスルホ
ニルオキシ−５，５−ジ（１，１−ジメチルベンジル）
−７エ二ル〕−ベン／）１７ア：／−ル、２− （２−
（、ｐ−ドデシルベンゼンスルホニルオキシ）−３−第
二一プチル−５−第二一ブチルフェニル〕−ベンゾトリ
アゾール、ジー〔２−（ベンゾトリアゾール−２−イル
）−４，６−ジ（第三−ブチル）−７エ二ル〕−アジベ
ー）、−／−（２−＜ｓ−ｐロロペンゾトリアゾール−
２−イル）−４−メチル−６−第Ｅ−ブチルフェニル〕
−イソ７タレート、β−（３−（ぺｌシトリアゾール−
２−イに、） −４−アセトキシ−５−第三−ブチル−
フェニルツープロピオン酸メチルエステル、（Ｓ−（ベ
ンゾトリアゾール−２−イル）−４−ｐ−）ルエンスル
ホニルオキシー５−第三一プチルフェニル〕−酢酸ブチ
ルエステル、及びβ−〔３−（ベンゾトリアゾール−２
−イル）−４−ベンゾイルオキシ−５−シクロヘキクル
フェニル〕−プ四ピオン酸−２−ブトキシエチルエステ
ル。
： ２−（２−アセトキク−３−メチル−５−ｇ三−フチル
ーフェニル）−ベンゾトリアゾール、２− （２−７−
ｋ）＄シー ｓ、５−−／ （ｇ＝−ブチル）−フェニ
ルツーベンゾトリアゾール、２−（２−プロピオニルオ
キシ−３−イソプロピに−５−ＩＫＥ−”！チルーフェ
ニル）−ペンツトリアゾール、２−（２−ブチロイルオ
キシ−３−第２−ブチル−５−第三−ブチル−フェニル
）−ベンゾトリアゾール、２−（２−ヘキサノイルオキ
シ−３，５−ジ（第三−ペンチル）−フェニル〕−ヘン
ソトリアゾール、５−クロロ−２−オクタノエルオキシ
−３，５−ジ（第三−ブチル）−フェニルツーベンゾト
リアゾール、５−メチル−２−（２−ベンゾイルオキシ
−３゜５−ジメチル−フェニル）−ヘン１ ） 、ＩＪ
アソール、５−メトキシ−２−（２−（４−クロロベン
ゾイルオキシ）−３，５−ジ（第三−ブチル）−７エニ
ル〕−ベンゾトリアゾール、２−（２−ｐ−）ルエンス
ルホエルオキシー５．５−ジ（第三−ブチル）−フェニ
ルツーベンゾトリアゾール、２−（２−ドデシルスルホ
ニルオキシ−５，５−ジ（１，１−ジメチルベンジル）
−７エ二ル〕−ベン／）１７ア：／−ル、２− （２−
（、ｐ−ドデシルベンゼンスルホニルオキシ）−３−第
二一プチル−５−第二一ブチルフェニル〕−ベンゾトリ
アゾール、ジー〔２−（ベンゾトリアゾール−２−イル
）−４，６−ジ（第三−ブチル）−７エ二ル〕−アジベ
ー）、−／−（２−＜ｓ−ｐロロペンゾトリアゾール−
２−イル）−４−メチル−６−第Ｅ−ブチルフェニル〕
−イソ７タレート、β−（３−（ぺｌシトリアゾール−
２−イに、） −４−アセトキシ−５−第三−ブチル−
フェニルツープロピオン酸メチルエステル、（Ｓ−（ベ
ンゾトリアゾール−２−イル）−４−ｐ−）ルエンスル
ホニルオキシー５−第三一プチルフェニル〕−酢酸ブチ
ルエステル、及びβ−〔３−（ベンゾトリアゾール−２
−イル）−４−ベンゾイルオキシ−５−シクロヘキクル
フェニル〕−プ四ピオン酸−２−ブトキシエチルエステ
ル。
式■で表わされる個々の化合物の何社、次のものである
ニジエチレングリコールのジー（３−ベンゾトリアゾー
ル−２−イル）−４−アセトキシ−５−第三−ブチル−
フェニル−酢酸エステル、ブタンジオール−１，４のジ
ー〔β−（３−ベンゾトリアゾール−２−イル）−４−
ｐ−トルエンスルホニルオキシ−５−第二一プチル−フ
ェニル）−プロピオン酸エステル〕、及びＮ、Ｎ−へキ
サメチレン−ビス〔β−（３−（ベンゾトリアゾール−
２−イル）−４−ブチロイルオキシ−５−メチル−フェ
ニル）−プロピオン酸アミド、〕。
ニジエチレングリコールのジー（３−ベンゾトリアゾー
ル−２−イル）−４−アセトキシ−５−第三−ブチル−
フェニル−酢酸エステル、ブタンジオール−１，４のジ
ー〔β−（３−ベンゾトリアゾール−２−イル）−４−
ｐ−トルエンスルホニルオキシ−５−第二一プチル−フ
ェニル）−プロピオン酸エステル〕、及びＮ、Ｎ−へキ
サメチレン−ビス〔β−（３−（ベンゾトリアゾール−
２−イル）−４−ブチロイルオキシ−５−メチル−フェ
ニル）−プロピオン酸アミド、〕。
以下の実施例で、上記の如き化合物の製造例管更に詳し
く説明する。
く説明する。
無水酢酸１００−を５−クロロ−２−（２−ヒドロキシ
−３，５−ジ（第三−ブチル）−７エ二ル〕−ベンゾト
リアゾール１モルｔｌＯ，ｔ、その混合物を還流する（
１４０℃）。ジメチルアミノピリジン（Ｌ６Ｊｌを添加
した後、その混合物を更に７時間還流する。その試料は
薄層クロマトグラフィーにおいてもはや出発物質が存在
していないことを示す、過剰の無水酢酸を減圧下に蒸留
して除き、そしてその茶色の残留物をメチシンクロライ
ド中に溶解する。その溶液を５チのＮａ＊ＣＯｓ溶液及
び水で洗い、次ＫＮａ言ＳＯ４で乾燥し、そして蒸発に
よシ濃縮する。結晶質の残留物をメタノールから再結晶
して、１３２ないし１３４℃で溶融する白色結晶の形態
で５−クロロ−２−〔２−アセトキシ−３，５−ジ（第
三−ブチル（−フェニルツーペンツトリアソールを得る
。（化合物ム１）。
−３，５−ジ（第三−ブチル）−７エ二ル〕−ベンゾト
リアゾール１モルｔｌＯ，ｔ、その混合物を還流する（
１４０℃）。ジメチルアミノピリジン（Ｌ６Ｊｌを添加
した後、その混合物を更に７時間還流する。その試料は
薄層クロマトグラフィーにおいてもはや出発物質が存在
していないことを示す、過剰の無水酢酸を減圧下に蒸留
して除き、そしてその茶色の残留物をメチシンクロライ
ド中に溶解する。その溶液を５チのＮａ＊ＣＯｓ溶液及
び水で洗い、次ＫＮａ言ＳＯ４で乾燥し、そして蒸発に
よシ濃縮する。結晶質の残留物をメタノールから再結晶
して、１３２ないし１３４℃で溶融する白色結晶の形態
で５−クロロ−２−〔２−アセトキシ−３，５−ジ（第
三−ブチル（−フェニルツーペンツトリアソールを得る
。（化合物ム１）。
一般式：
で表わされる下記の７セトキシ化合物は、類似の方法に
よシ得られる。
よシ得られる。
実施例Ｂ−）シル化
２−（２−ヒドロキシ−５−＠ニーブチルー５−第三一
プチル−フェニル）−ベンシトＩＪ ７ゾ一ルα１モル
をトルエン２００ ｄＶｃ溶屏ｆる。
プチル−フェニル）−ベンシトＩＪ ７ゾ一ルα１モル
をトルエン２００ ｄＶｃ溶屏ｆる。
次に攪拌しながら、Ｎａ０Ｈ２ＯＮを水２（１０に溶解
した溶液及び硫酸水素テトラブチルアンモニウム（相関
移動触媒として）１（１０モルを加えるがその間に有機
層がどぎつい黄色がかった橙’色Ｋ 着色する。次に％
ｐ−）ルエンスルホニルクロライド１１１モルをトルエ
ン５０−に溶解した溶液を室温でゆつくシと少しづつ加
える。
した溶液及び硫酸水素テトラブチルアンモニウム（相関
移動触媒として）１（１０モルを加えるがその間に有機
層がどぎつい黄色がかった橙’色Ｋ 着色する。次に％
ｐ−）ルエンスルホニルクロライド１１１モルをトルエ
ン５０−に溶解した溶液を室温でゆつくシと少しづつ加
える。
その発熱反応は氷−水で冷却することによシ補なう。続
いて、その混合物を室温で５時間攪拌すると、その間に
トルエン溶液の色はしだいに消える。試料は薄層クロマ
トグラフィーにおいて、もはや出発物質が存在しないこ
とを示す。
いて、その混合物を室温で５時間攪拌すると、その間に
トルエン溶液の色はしだいに消える。試料は薄層クロマ
トグラフィーにおいて、もはや出発物質が存在しないこ
とを示す。
その反応混合物を氷−水１ノに注ぎ、その有機層を分離
し、各ｈｓＱＱｔｄの水で２回流ｂ１そしてＮａ＊ＳＯ
ａで乾燥する。その溶液を減圧下に濃縮し、そして残留
物をエタノールから結晶化すると、１５９ないし１４１
℃で溶融する白色結晶ｏ形態ｆ２− （２−）ルエンス
ルホニルオキシー３−第二一プチル−５−＠三−プチル
ーフェニル）−ベンゾトリアゾールが得られる（化合物
滅１１）。
し、各ｈｓＱＱｔｄの水で２回流ｂ１そしてＮａ＊ＳＯ
ａで乾燥する。その溶液を減圧下に濃縮し、そして残留
物をエタノールから結晶化すると、１５９ないし１４１
℃で溶融する白色結晶ｏ形態ｆ２− （２−）ルエンス
ルホニルオキシー３−第二一プチル−５−＠三−プチル
ーフェニル）−ベンゾトリアゾールが得られる（化合物
滅１１）。
一般式：
で表わされる下記のスルホネートは、類似の方法によシ
得られる。
得られる。
下記式で表わされるビス−トシレートは、類似の方法で
製造される： （化合物Ａ２４）融点：２１５ないし２１７℃。
製造される： （化合物Ａ２４）融点：２１５ないし２１７℃。
トリエチルアミン（Ｌ１２モルを、２−（２−ヒドロキ
シ−３，５−ジ（第三−ブチル）−７エニル〕−ペンツ
トリアゾール１０８モルをメチレンクロライド１５０ｄ
に溶解した溶液に加える。この溶液に、１０ないし１５
℃で攪拌しながら、２−ナフチルアセチルクロライド（
１０８モルをメチレンクロライド５（１０Ｒ１に溶解し
た溶液をゆっくシと少しづつ加える。次に温度を２０な
いし２５℃に上昇させ、そしてその混合物を６時間この
温度で攪拌する。沈殿したトリエチルアンモニウムクロ
ライドを戸別し、そしてそのＦ液を水で洗い、Ｎａ１８
０４で乾燥し、そして蒸発により濃縮する。その結晶性
で赤色を帯びた残留物をヘキサンから再結晶して、１５
０ないし１５１℃で溶融する白色結晶の形態である２−
（２−（１−ナフチルアセトキシ）−３゜ｓ−シＣＩＫ
三−プチル）−フェニルツーベンゾトリアゾールが得ら
れる（化合物Ａ２５）。
シ−３，５−ジ（第三−ブチル）−７エニル〕−ペンツ
トリアゾール１０８モルをメチレンクロライド１５０ｄ
に溶解した溶液に加える。この溶液に、１０ないし１５
℃で攪拌しながら、２−ナフチルアセチルクロライド（
１０８モルをメチレンクロライド５（１０Ｒ１に溶解し
た溶液をゆっくシと少しづつ加える。次に温度を２０な
いし２５℃に上昇させ、そしてその混合物を６時間この
温度で攪拌する。沈殿したトリエチルアンモニウムクロ
ライドを戸別し、そしてそのＦ液を水で洗い、Ｎａ１８
０４で乾燥し、そして蒸発により濃縮する。その結晶性
で赤色を帯びた残留物をヘキサンから再結晶して、１５
０ないし１５１℃で溶融する白色結晶の形態である２−
（２−（１−ナフチルアセトキシ）−３゜ｓ−シＣＩＫ
三−プチル）−フェニルツーベンゾトリアゾールが得ら
れる（化合物Ａ２５）。
一般式：
で表わされる下記の７エノールエステルは、類似の方法
で得られる。
で得られる。
ステル化
２−〔２−ヒドロキシ−３，５−ジ（第三−ブチル）−
フェニルツーベンゾトリアゾール０．１モルをトルエン
１５０ないし２００ｄに溶解する。この溶液に、水２Ｑ
ｔｔ４に溶解しｑｌＮａＯＨ２０Ｆ（５０Ｓ ＮａＯＨ
ｇ液）及び硫酸水素テトラブチルアンモニウム（ｐ’ｒ
ｃ）α（１０モルを加える、すぐに橙色に着色した乳濁
液を形成し、そしてこれｆ：４０Ｃに加熱する。この温
度でトルエン約５Ｏｘｌ中にクロロギ酸ブチルエステル
０．１１モルを溶解した溶液をゆっくり少しづつ加える
。その反応は発熱的に進行し、セして４５ないし５０℃
から氷−水で冷却する。少量づつの添加が終了したとき
、その反応溶液は、明るい黄色になる。
フェニルツーベンゾトリアゾール０．１モルをトルエン
１５０ないし２００ｄに溶解する。この溶液に、水２Ｑ
ｔｔ４に溶解しｑｌＮａＯＨ２０Ｆ（５０Ｓ ＮａＯＨ
ｇ液）及び硫酸水素テトラブチルアンモニウム（ｐ’ｒ
ｃ）α（１０モルを加える、すぐに橙色に着色した乳濁
液を形成し、そしてこれｆ：４０Ｃに加熱する。この温
度でトルエン約５Ｏｘｌ中にクロロギ酸ブチルエステル
０．１１モルを溶解した溶液をゆっくり少しづつ加える
。その反応は発熱的に進行し、セして４５ないし５０℃
から氷−水で冷却する。少量づつの添加が終了したとき
、その反応溶液は、明るい黄色になる。
攪拌を更に２時間つづけると、その後もはや出発物質は
薄層クロマトグラフィーにおいては確認できない。その
反応溶液を室温まで冷却し、そして約２００ｄの水を加
える。次に、その有機層を分離し、そして各々１００ｄ
の水で２回洗う。
薄層クロマトグラフィーにおいては確認できない。その
反応溶液を室温まで冷却し、そして約２００ｄの水を加
える。次に、その有機層を分離し、そして各々１００ｄ
の水で２回洗う。
そのトルエン溶液を硫酸ナトリクムモ乾燥し、その後ロ
ータリーエバポレータで濃縮する。その明るい黄色の残
留物をエタノールから再結晶すると、１１６ないし１１
８℃で溶融する白色結晶の形態で２−（２−（ブトキシ
−カルボニルオキシ）−３，５−ジ（第ミーブチル）−
フェニルツーベンゾトリアゾール（化合物／１６５９）
が得られる。
ータリーエバポレータで濃縮する。その明るい黄色の残
留物をエタノールから再結晶すると、１１６ないし１１
８℃で溶融する白色結晶の形態で２−（２−（ブトキシ
−カルボニルオキシ）−３，５−ジ（第ミーブチル）−
フェニルツーベンゾトリアゾール（化合物／１６５９）
が得られる。
酸塩化物を変えることＫより、下記のフェノール性エス
テルが類似の方法で得られる：本発明の被覆用材料は着
色されるか、未着色であることができる。それらは主成
分として最初は可溶性樹脂で、塗布後年溶性の状態に転
化する結合剤を含有する。硬化は加熱によるか、あるい
は化学反応により行なうことができる。
テルが類似の方法で得られる：本発明の被覆用材料は着
色されるか、未着色であることができる。それらは主成
分として最初は可溶性樹脂で、塗布後年溶性の状態に転
化する結合剤を含有する。硬化は加熱によるか、あるい
は化学反応により行なうことができる。
そのような結合剤の例は、たとえばアルキル樹脂、アク
リル樹脂、エポキシド樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、
ポリウレタン、ポリエステルまたはフェノール性樹脂及
びこれらの相互の混合物である。
リル樹脂、エポキシド樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、
ポリウレタン、ポリエステルまたはフェノール性樹脂及
びこれらの相互の混合物である。
被覆用材料は通常溶液として塗布する。少量の溶媒を使
用する（ハイソリッド）あるいは溶媒を使用しない（反
応性希釈剤を添加する）被覆用材料が、近年、塗装の実
祿においてますます重要になっている。全ての場合にお
いて、光安定剤の添加は意義深い。これに関する例は、
たとえば多層被覆のための表面ラッカーであり、七のラ
ッカーは光による損傷から着色された低層を保護しよう
とするものである。このタイプの表面被覆は特に車両の
製造において使用される。別の例は、家具またはプラス
チックフィルム若しくはシートのための（ＪＶ保藤ラッ
カーである。本発明は塗布の除銅とあるいは銅合金と接
触するようになる被覆用材料に関して殊に重要である。
用する（ハイソリッド）あるいは溶媒を使用しない（反
応性希釈剤を添加する）被覆用材料が、近年、塗装の実
祿においてますます重要になっている。全ての場合にお
いて、光安定剤の添加は意義深い。これに関する例は、
たとえば多層被覆のための表面ラッカーであり、七のラ
ッカーは光による損傷から着色された低層を保護しよう
とするものである。このタイプの表面被覆は特に車両の
製造において使用される。別の例は、家具またはプラス
チックフィルム若しくはシートのための（ＪＶ保藤ラッ
カーである。本発明は塗布の除銅とあるいは銅合金と接
触するようになる被覆用材料に関して殊に重要である。
塗布の目的により、被覆用材料が顔料及び溶媒のほかに
、別の添加剤例えば流動調節剤、チキントロープ剤、湿
潤剤、金属不活性化剤または酸化防止剤を含有すること
ができる。それらは、また本発明のクリプト光安定剤に
加えて、立体障害アミン類からの別の光安定剤を含有す
ることもでき、これは、これらの光安定剤が同様に３３
０ないし４００℃ｍの範囲のＵＶｔ−吸収しないからで
ある。
、別の添加剤例えば流動調節剤、チキントロープ剤、湿
潤剤、金属不活性化剤または酸化防止剤を含有すること
ができる。それらは、また本発明のクリプト光安定剤に
加えて、立体障害アミン類からの別の光安定剤を含有す
ることもでき、これは、これらの光安定剤が同様に３３
０ないし４００℃ｍの範囲のＵＶｔ−吸収しないからで
ある。
本発明の被覆用材料は、いかなる所望の基材例えば金属
、ガラス、セラミック、木材、紙またはプラスチックの
表面にも塗布することができる。七の塗布は被覆用材料
のための慣用方法により、例えばはけ塗り、浸漬または
噴霧により、あるいは静電加工により行なわれる。光安
定剤の活性化の程度は、短波光が塗料に作用する程度に
よって決定される。したがって、照射が低い水準ではゆ
っくりした活性化を生じ、これに対して強烈な照射は急
速な活性化を生ずる。
、ガラス、セラミック、木材、紙またはプラスチックの
表面にも塗布することができる。七の塗布は被覆用材料
のための慣用方法により、例えばはけ塗り、浸漬または
噴霧により、あるいは静電加工により行なわれる。光安
定剤の活性化の程度は、短波光が塗料に作用する程度に
よって決定される。したがって、照射が低い水準ではゆ
っくりした活性化を生じ、これに対して強烈な照射は急
速な活性化を生ずる。
その光安定剤はまた塗布前の塗料をＵＶ光にさらすこと
Ｋよって人為的に活性化することもできる。こｎは塗料
の硬化前または後に行なうことができる。硬化を行なう
方法は、使用する結合剤の性質によ０％例えば加熱また
は酸化硬化によるだろう。
Ｋよって人為的に活性化することもできる。こｎは塗料
の硬化前または後に行なうことができる。硬化を行なう
方法は、使用する結合剤の性質によ０％例えば加熱また
は酸化硬化によるだろう。
以下の実施例で、クリプト光安定剤の本発明による適用
を詳しく説明する。特に記載しなければ、記号チは重量
％を示す。
を詳しく説明する。特に記載しなければ、記号チは重量
％を示す。
実施例１：２層のメタリック効果のラッカーの安定化
厚さα５１１＋１１のアルミニウムシートラ、ポリエス
テル／セルロースアセトブチレート／メラミン樹脂に基
づくアルミニウムで着色された基材ラッカーで被覆する
。次に、その湿った基材ラッカーに下記の組成を有する
透明なラッカーを噴霧する： とアクリル（ＶｉａｃｒｙＪ■）ＶＣ５７５５層５部〔
アクリル樹脂、ピアツバ（Ｖｉａｎｏｖａ）、ビエンナ
（Ｖｉｅｎｎａ））マプレナール（Ｍａｐｒｅｎａｌ■
）ＭＰ５９０ ２７．５部〔メラミン樹脂、
ヘキストアクチェンゲゼルシャ７ ト（Ｈ’ｏｃｈｓｔ
ＡＧ）、フランクフルト〕 キシレン中にシリコーン油を入れた１％溶液
１．０部ツルペッツ（Ｓｏｌｖｅｓｓｏ■）１５０
４０部（芳香族溶媒の混合物） キシレン ５４部、及びエチルグ
リフールアセテ−） ４
．０ 部。
テル／セルロースアセトブチレート／メラミン樹脂に基
づくアルミニウムで着色された基材ラッカーで被覆する
。次に、その湿った基材ラッカーに下記の組成を有する
透明なラッカーを噴霧する： とアクリル（ＶｉａｃｒｙＪ■）ＶＣ５７５５層５部〔
アクリル樹脂、ピアツバ（Ｖｉａｎｏｖａ）、ビエンナ
（Ｖｉｅｎｎａ））マプレナール（Ｍａｐｒｅｎａｌ■
）ＭＰ５９０ ２７．５部〔メラミン樹脂、
ヘキストアクチェンゲゼルシャ７ ト（Ｈ’ｏｃｈｓｔ
ＡＧ）、フランクフルト〕 キシレン中にシリコーン油を入れた１％溶液
１．０部ツルペッツ（Ｓｏｌｖｅｓｓｏ■）１５０
４０部（芳香族溶媒の混合物） キシレン ５４部、及びエチルグ
リフールアセテ−） ４
．０ 部。
更に、表１に挙げたクリプト光安定剤α９部（結合剤に
対して２％に相当する。）を加える。
対して２％に相当する。）を加える。
この透明なラッカーの粘度は、２１秒／ＤＩＮカクプ４
に調整する。それを乾燥層厚４０μｍに塗布し、そして
１３０℃で５０分間焼付ける。
に調整する。それを乾燥層厚４０μｍに塗布し、そして
１３０℃で５０分間焼付ける。
その試験片を、一方の場合にはＱＵＶラピッドウエザロ
メーター（Ｑ−パネル社製）にて風化させ、そして他方
の場合にはキセノテスト（Ｘｅｎｏｔｅｓｔ■）１２ｏ
ｏ〔ヘラエラ、＜ （Ｈｅｒａｅｕｓ）社製〕にて５２
００時間まで風化させる。各々の場合にオイテ８００時
間後、ＤＩＮ６７５３０にＪニル２０’の光沢度ｔｌ−
測定し、そして試験片の表面は立木顕微鏡によりクラッ
クの発生を検査する。比較の基礎として、ａ）安定化し
ていない試験片、及びｂ）次式： で表わされるブロック化されていないＵｖ吸収剤を使用
する（比較例Ａ）。
メーター（Ｑ−パネル社製）にて風化させ、そして他方
の場合にはキセノテスト（Ｘｅｎｏｔｅｓｔ■）１２ｏ
ｏ〔ヘラエラ、＜ （Ｈｅｒａｅｕｓ）社製〕にて５２
００時間まで風化させる。各々の場合にオイテ８００時
間後、ＤＩＮ６７５３０にＪニル２０’の光沢度ｔｌ−
測定し、そして試験片の表面は立木顕微鏡によりクラッ
クの発生を検査する。比較の基礎として、ａ）安定化し
ていない試験片、及びｂ）次式： で表わされるブロック化されていないＵｖ吸収剤を使用
する（比較例Ａ）。
結果を表１及び２に要約する。
上記表から明らかなように、クリプト光安定剤の保護作
用はブロックしていない光安定剤のものとほぼ等しい。
用はブロックしていない光安定剤のものとほぼ等しい。
実施例２：銅と接触した結果としての変色実施例１にお
いて記載した透明なラッカーを、塗布前に鋼板と４８時
間接触する。次に、ポリエステル樹脂に基づ（Ｔｉ０ｚ
で着色された白色のラッカーで下塗されたシートに、４
０μｍの層厚にて塗布する。続いて、その試験片を３０
分間１５０℃で焼付ける。
いて記載した透明なラッカーを、塗布前に鋼板と４８時
間接触する。次に、ポリエステル樹脂に基づ（Ｔｉ０ｚ
で着色された白色のラッカーで下塗されたシートに、４
０μｍの層厚にて塗布する。続いて、その試験片を３０
分間１５０℃で焼付ける。
その試験片の変色は、一方の場合には、黄色インデック
ス（Ｙｌ）に従って、他方の場合には、ＤＩＮ６１７４
（ΔＥとして）に従って測定する。
ス（Ｙｌ）に従って、他方の場合には、ＤＩＮ６１７４
（ΔＥとして）に従って測定する。
比較例として市販のＬＩＶ吸収剤２−〔２−ヒトａキシ
−３，５−ジー（１，１−ジメチルベンジル）−フェニ
ル〕−ベンゾトリアゾール（＝比較例Ｂ）を使用する。
−３，５−ジー（１，１−ジメチルベンジル）−フェニ
ル〕−ベンゾトリアゾール（＝比較例Ｂ）を使用する。
結果ｔ−表３に要約する。
表３
表から明らかなように、遊離のヒドロキシフ工二ルペン
ゾトリアゾールは、黄変を引き起こすが、こ几に対して
クリプト光安定剤は黄変を引き起こさない。
ゾトリアゾールは、黄変を引き起こすが、こ几に対して
クリプト光安定剤は黄変を引き起こさない。
ベンゾトリアゾール誘導体のメタノール溶液５ Ｘ １
０−’モル／１ｅ１４日間暗所に貯蔵する。
０−’モル／１ｅ１４日間暗所に貯蔵する。
その溶液のＵｖスペクトルを貯蔵前及び後に測定する。
化合物Ｎｏｓ、 ２．５．６．７．８．１１．１２゜１
３．１４，１５，１７及び１８の溶液は、スペクトルの
変化を示さなかった。
３．１４，１５，１７及び１８の溶液は、スペクトルの
変化を示さなかった。
ブロックされたＯＨ基ついてのオルト−位において未置
換である同様のブロックトベンゾトリアゾール誘導体は
、貯蔵後スペクトルの変化を示す。これは暗所における
貯蔵中に、部分的に非ブロック化が発生することを示し
ている。
換である同様のブロックトベンゾトリアゾール誘導体は
、貯蔵後スペクトルの変化を示す。これは暗所における
貯蔵中に、部分的に非ブロック化が発生することを示し
ている。
実施例４ニアクリル樹脂に基づく２成分の焼付ラッカー
は、下記成分から調製される：画分Ａ： アミン官能アクリル樹脂 ７ＬＢ？
〔セタルックｘ（Ｓｅｔａｌｕ＄））８３−０３ＢＸ５
５゜シンテーゼ（Ｓｙｎｔｈｅｓｅ）社製、ネーデルラ
ンド〕シリコーン油に基づく流動調節剤
α９ｆ〔バイシロン油（Ｂａｙｓｉｌｏｎ■ｏｉｌ）
、バイエルアクチェンゲゼルシャフト社製〕、及び キシレン ９．Ｏｆ計８Ｌ７
ｆ 画分Ｂ： エポキシ官能アクリル樹脂１７． ｓ ｙ〔セタルック
ｘ（Ｓｅｔａｌｕｘ■）８５−０４ ５５ ７０゜シン
テーゼ（Ｓｙｎｔｈｅｓｅ）社製ネーブルランド〕。
は、下記成分から調製される：画分Ａ： アミン官能アクリル樹脂 ７ＬＢ？
〔セタルックｘ（Ｓｅｔａｌｕ＄））８３−０３ＢＸ５
５゜シンテーゼ（Ｓｙｎｔｈｅｓｅ）社製、ネーデルラ
ンド〕シリコーン油に基づく流動調節剤
α９ｆ〔バイシロン油（Ｂａｙｓｉｌｏｎ■ｏｉｌ）
、バイエルアクチェンゲゼルシャフト社製〕、及び キシレン ９．Ｏｆ計８Ｌ７
ｆ 画分Ｂ： エポキシ官能アクリル樹脂１７． ｓ ｙ〔セタルック
ｘ（Ｓｅｔａｌｕｘ■）８５−０４ ５５ ７０゜シン
テーゼ（Ｓｙｎｔｈｅｓｅ）社製ネーブルランド〕。
画分Ａ及びＢｉ−緒にし、そしてキシレン中に表４に挙
げた光安定剤を入れた溶液を加える。
げた光安定剤を入れた溶液を加える。
このラッカー’ｒ、 ＊ ポリエステル／セルロースア
セトブチレート／メラミン樹脂に基づく銀−メタリック
焼付ラッカで下塗した金属シートに噴霧する。室温で１
時間空気にさらした後、試験片を５０分間１３５℃で焼
付ける。表面ラッカーの層厚は約４０μｍである。
セトブチレート／メラミン樹脂に基づく銀−メタリック
焼付ラッカで下塗した金属シートに噴霧する。室温で１
時間空気にさらした後、試験片を５０分間１３５℃で焼
付ける。表面ラッカーの層厚は約４０μｍである。
焼付けの際に発生した変色を色相差異ΔＥとしてＤｉＮ
６１７４により測定する。
６１７４により測定する。
各々の場合について、遊離のヒドロキシベンゾトリアゾ
ールとそのＯ−アシル化化合物とを比較する。
ールとそのＯ−アシル化化合物とを比較する。
表４
２チの化合物Ａ６８１・０
２チの化合物ｉ（、６［１７
２チの比較例Ｃ４，４
比較例Ｂ＝、２−［２−ヒドロキシ−３，５−ジ（１，
１−ジメチルベンジル）−フェニルツーベンゾトリアゾ
ール 比較例ｃ＝ｚ −（２−ヒドロキシ−３，５−ジＣＵ三
−ベンチル）−フェニルクーベンツトリアゾール。
１−ジメチルベンジル）−フェニルツーベンゾトリアゾ
ール 比較例ｃ＝ｚ −（２−ヒドロキシ−３，５−ジＣＵ三
−ベンチル）−フェニルクーベンツトリアゾール。
実施例１において記載した透明なラッカーを、白色に下
塗された金属板に厚さ４０μｍの乾燥フィルムとして塗
布する。その試験片を１３０℃にて５０分間焼付けて、
次にフロリダ装置中で３チ月間風化させる＝ＤＩＮ６１
７４による白色度の程度を、風化の前及び後に測定し、
その結果から各々の場合について色相差異ΔＥｉ測定す
る。
塗された金属板に厚さ４０μｍの乾燥フィルムとして塗
布する。その試験片を１３０℃にて５０分間焼付けて、
次にフロリダ装置中で３チ月間風化させる＝ＤＩＮ６１
７４による白色度の程度を、風化の前及び後に測定し、
その結果から各々の場合について色相差異ΔＥｉ測定す
る。
結果ｔ−表５に要約する。
表５
光安定剤 ΔＥ
な し 五２２％の化合
物／１６６１・０ ２ｅｓの化合物４１３ （１部２％＋７）化合
４Ｍｉ ２０ ［１６２チの化合物／１６４６
１・０２チの化合物／１６６２ １．２
きる触媒との併用 酸硬化性アクリル樹脂／メラミン樹脂の透明なラッカー
を、次のものから製造するニアクリロイド（Ａｃｒｙｌ
ｏｉｄ■）ＡＴ４１０ ５７．３部〔アクリル
樹脂、ローム アンド ）１ス コーポレーション（）
Ｌｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｃｏｒｐ、 ）米国；固
体含量７５チ〕、 シメル（Ｃｙｍｅｌ■）３（１０ １１１
ＬＯ部〔メラミン樹脂、アメリカンサイアナミド（Ａｍ
ｅｒ。
物／１６６１・０ ２ｅｓの化合物４１３ （１部２％＋７）化合
４Ｍｉ ２０ ［１６２チの化合物／１６４６
１・０２チの化合物／１６６２ １．２
きる触媒との併用 酸硬化性アクリル樹脂／メラミン樹脂の透明なラッカー
を、次のものから製造するニアクリロイド（Ａｃｒｙｌ
ｏｉｄ■）ＡＴ４１０ ５７．３部〔アクリル
樹脂、ローム アンド ）１ス コーポレーション（）
Ｌｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｃｏｒｐ、 ）米国；固
体含量７５チ〕、 シメル（Ｃｙｍｅｌ■）３（１０ １１１
ＬＯ部〔メラミン樹脂、アメリカンサイアナミド（Ａｍ
ｅｒ。
Ｃｙａｎａｍｉｄ））、
ブチルアセテート １１０部セルロース
アセトブチレートＣＡ３５５１ １．８部
〔イーストマンケミカル社（Ｅａｓｔｍａｎ Ｃｈｅｍ
、Ｃｏｒｐ、））、流動調節剤
２．６部〔モダ７０−（Ｍｏｄａｆｌｏｗ■）、モン
サント社（Ｍｏｎｓａｎｔ。
アセトブチレートＣＡ３５５１ １．８部
〔イーストマンケミカル社（Ｅａｓｔｍａｎ Ｃｈｅｍ
、Ｃｏｒｐ、））、流動調節剤
２．６部〔モダ７０−（Ｍｏｄａｆｌｏｗ■）、モン
サント社（Ｍｏｎｓａｎｔ。
Ｃｏｒｐ、）） 及び
、ブタノール １１５部〇ラッカ
ーの固体含量は６５チである。そのラッカーをガラス板
上に厚さ４０μｍの乾燥フィルムとしてナイフ塗布する
。その試験片を１６０ＷのＵｖ−ランプで１０秒間照射
し、次に１２０℃にて３０分間焼付ける。Ｕｖ光で活性
化できる硬化触媒として、ベンゾイン−ｐ−）ルエンス
ルホネート１チを使用すると、Ｕｖ光に暴露したと！ｐ
−）ルエンスルホン酸が分裂する。このタイプのブロッ
クト酸触媒は、暗所において硬化しないという利点を有
する。Ｕｖ−吸収剤の光安定剤の存在下においては、ラ
ッカーの硬化が不完全であるという不都合を有する。し
かし、光安定剤として本発明の０−アシル化ベンゾトリ
アゾールを使用すると、硬化触媒の活性化は、下記表６
に示すように妨げらｎない。ラッカーの硬化はこれらの
試験においてＬ）ＩＮ５３１５７による振子硬度（Ｐｅ
ｎｄｕｌｕｍ ｈａｒｄｎｅｓｓ）の測定によて評価す
る。続いて、その試験片をキセノンウエザロメーター中
で風化し、そして光沢残留パーセントを測定する。
、ブタノール １１５部〇ラッカ
ーの固体含量は６５チである。そのラッカーをガラス板
上に厚さ４０μｍの乾燥フィルムとしてナイフ塗布する
。その試験片を１６０ＷのＵｖ−ランプで１０秒間照射
し、次に１２０℃にて３０分間焼付ける。Ｕｖ光で活性
化できる硬化触媒として、ベンゾイン−ｐ−）ルエンス
ルホネート１チを使用すると、Ｕｖ光に暴露したと！ｐ
−）ルエンスルホン酸が分裂する。このタイプのブロッ
クト酸触媒は、暗所において硬化しないという利点を有
する。Ｕｖ−吸収剤の光安定剤の存在下においては、ラ
ッカーの硬化が不完全であるという不都合を有する。し
かし、光安定剤として本発明の０−アシル化ベンゾトリ
アゾールを使用すると、硬化触媒の活性化は、下記表６
に示すように妨げらｎない。ラッカーの硬化はこれらの
試験においてＬ）ＩＮ５３１５７による振子硬度（Ｐｅ
ｎｄｕｌｕｍ ｈａｒｄｎｅｓｓ）の測定によて評価す
る。続いて、その試験片をキセノンウエザロメーター中
で風化し、そして光沢残留パーセントを測定する。
表６
（転）比較例Ｃ＝２−［２−ヒドロキシ−３，５−シー
第三−ペンチル−フェニルクーベンゾトリアゾール〔チ
ヌビン（Ｔｉｎｕｖｊｎ■）３２１３）経ン ）１ＡＬ
ｓ＝、８−７セチルー３−ドデシル−７、７，９，９−
テトラメチル−１，５，８−）リアザースピロ（４，５
）：ｒカンジオン−２゜４〔チｘ ヒｙ （Ｔｊｎｕｖ
ｉｎ”） ４４０ ）上記の記載から明らかなように、
遊離のベンシトＩＪアゾール（比較例Ｃ）は光から良好
に保護するが、ラッカーの硬化を著しく減する。これに
対して、本発明の光安定剤においては、光からの良好な
保護及び満足な硬化の双方が得られる。光からの保護の
水準は立体障害アミンタイプの光安定剤（ＨＡＬＳ）の
添加によって増加することができる。
第三−ペンチル−フェニルクーベンゾトリアゾール〔チ
ヌビン（Ｔｉｎｕｖｊｎ■）３２１３）経ン ）１ＡＬ
ｓ＝、８−７セチルー３−ドデシル−７、７，９，９−
テトラメチル−１，５，８−）リアザースピロ（４，５
）：ｒカンジオン−２゜４〔チｘ ヒｙ （Ｔｊｎｕｖ
ｉｎ”） ４４０ ）上記の記載から明らかなように、
遊離のベンシトＩＪアゾール（比較例Ｃ）は光から良好
に保護するが、ラッカーの硬化を著しく減する。これに
対して、本発明の光安定剤においては、光からの良好な
保護及び満足な硬化の双方が得られる。光からの保護の
水準は立体障害アミンタイプの光安定剤（ＨＡＬＳ）の
添加によって増加することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）次式 I またはII：▲数式、化学式、表等があり
ます▼ I ▲数式、化学式、表等があります▼II （上記各式中、 Ｘは１または２を表わし、 Ｒ＿１は、Ｘが１であるとき及び式IIにおいては、式：
−ＣＯ−Ｒ＾５で表わされるアシル基、式：−ＳＯ＿２
−Ｒ＾６で表わされるスルホニル基、式：−Ｐ（Ｏ）ｒ
（Ｒ＾１＾４）（Ｒ＾１＾５）で表わされるホスホリル
基を表わし、Ｘが２のときは−ＣＯ−または式：−ＣＯ
−ＣＯ−若しくは−ＣＯ−Ｒ＾７−ＣＯ−で表わされる
ジアシン基を表わし、 Ｒ＾２は炭素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原
子数５ないし１２のシクロアルキル基、フェニル基、炭
素原子数７ないし９のフェニルアルキル基、炭素原子数
３ないし５のアルケニル基またはハロゲン原子を表わし
、 Ｒ＾３は、式 I においては、炭素原子数１ないし１２
のアルキル基、炭素原子数５ないし １２のシクロアルキル基、フェニル基、炭素原子数７な
いし９のフェニルアルキル基、ハロゲン原子または式：
−（ＣＨ＿２）ｎ−ＣＯＯＲ＾９若しくは−（ＣＨ＿２
）ｎ−ＣＯ−Ｎ（Ｒ＾１＾０）（Ｒ＾１＾１）で表わさ
れる基を表わし、そして、式IIにおいては、次式：−（
ＣＨ＿２）ｎ−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ＿２）ｑ−Ｏ−ＣＯ−
（ＣＨ＿２）ｎ−、−（ＣＨ＿２）ｎ−ＣＯ−Ｏ−（Ｃ
Ｈ＿２ＣＨ＿２Ｏ）ｐ−ＣＯ−（ＣＨ＿２）ｎ−、−（
ＣＨ＿２）ｎ−ＣＯ−ＮＨ−Ｒ＾１＾２−ＮＨ−ＣＯ−
（ＣＨ＿２）ｎ−または▲数式、化学式、表等がありま
す▼、で表わされる 二価基を表わし、 Ｒ＾４は水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１ないし
８のアルキル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアル
キル基、炭素原子数１ないし８のアルコキシ基または炭
素原子数２ないし８のアルコキシカルボニル基を表わし
、Ｒ＾５は炭素原子数１ないし１８のアルキル基、炭素
原子数２ないし１８のアルケニル基、 −ＣＨ＿２−ＣＯ−ＣＨ＿３、フェニル基、炭素原子数
１ないし１２のアルキル基、炭素原子数１ないし４のア
ルコキシ基若しくはベンゾイル基によって置換されたフ
ェニル基を表わすか、あるいは炭素原子数７ないし１２
のアリールアルキル基または炭素原子数１ないし１２の
アルコキシ基を表わし、 Ｒ＾６は炭素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原
子数６ないし１０のアリール基または炭素原子数７ない
し１８のアルキルアリール基を表わし、 Ｒ＾７は炭素原子数、ないし１０のアルキレン基または
フェニレン基を表わし、 Ｒ＾９は水素原子、炭素原子数１ないし１２のアルキル
基または式：−（ＣＨ＿２ＣＨ＿２Ｏ）ｐ−Ｒ＾１で表
わされる基を表わし、 Ｒ＾１＾０及びＲ＾１＾１は互いに独立してそれぞれ水
素原子、ＯまたはＮによって中断されることができる炭
素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原子数５ない
し１２のシクロアルキル基、炭素原子数７ないし９のフ
ェニルアルキル基、炭素原子数３ないし５のアルケニル
基、フェニル基、または２，２，６，６−テトラメチル
−４−ピペリジニル基を表わすか、あるいはＲ＾１＾０
及びＲ＾１＾１が一緒になって炭素原子数４ないし６の
アルキレン基、炭素原子数４ないし６のオキサアルキレ
ン基または炭素原子数４ないし６のアザアルキレン基を
表わし、 Ｒ＾１＾２は１個ないし３個の酸素原子によって中断さ
れることができる炭素原子数１ないし １２のアルキレン基を表わし、 Ｒ＾１＾３は炭素原子数１ないし１２のアルキル基また
は炭素原子数６ないし１０のアリール基を表わし、 Ｒ＾１＾４及びＲ＾１＾５は互いに独立してそれぞれ炭
素原子数１ないし１２のアルコキシ基、フェノキシ基、
炭素原子数１ないし１２のアルキル基、シクロヘキシル
基、ベンジル基、フェニル基またはトリル基を表わし、 ｎは１または２を表わし、 ｐは１ないし１０の数であり、 ｑは２ないし１２の数であり、そして ｒは０または１を表わす。）で表わされる 化合物を、クリプト光安定剤として含有する被覆用材料
。 （２）前記式 I において、 Ｘが１を表わし、 Ｒ＾１が式：−ＣＯ−Ｒ＾５、−ＳＯ−Ｒ＾６または−
Ｐ（Ｏ）（Ｒ＾１＾４）（Ｒ＾１＾５）で表わされる基
を表わし、Ｒ＾２が炭素原子数１ないし１２のアルキル
基、シクロヘキシル基または炭素原子数７ないし９のフ
ェニルアルキル基を表わし、 Ｒ＾３が炭素原子数１ないし１２のアルキル基、シクロ
ヘキシル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル
基または基：−ＣＨ＿２ＣＨ＿２ＣＯＯＲ＾９を表わし
、 Ｒ＾４が水素原子、メチル基または塩素原子を表わし、 Ｒ＾５が炭素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原
子数２ないし４のアルケニル基、フェニル基、ベンジル
基またはナフチルメチル基を表わし、 Ｒ＾６がメチル基、フェニル基または炭素原子数７ない
し１８のアルキルフェニル基を表わし、 Ｒ＾９が炭素原子数、ないし１２のアルキル基を表わし
、そして、 Ｒ＾１＾４及びＲ＾１＾５が互いに独立してそれぞれ炭
素原子数１ないし４のアルコキシ基、メチル基またはフ
ェニル基を表わす化合物を含有する特許請求の範囲第１
項記載の被覆用材料。 （３）前記式 I において、 Ｒ＾１が式：−ＣＯ−Ｒ＾５または−ＳＯ＿２Ｒ＾６で
表わされる基を表わし、そして、 Ｒ＾５及びＲ＾６が特許請求の範囲第２項記載の意味を
有する特許請求の範囲第２項記載の被覆用材料。 （４）前記式 I において、 Ｒ＾２が炭素原子数１ないし８のアルキル基またはα−
ジメチルベンジル基を表わし、 Ｒ＾３が炭素原子数１ないし８のアルキル基、α−ジメ
チルベンジル基または基：−ＣＨ＿２ＣＨ＿２ＣＯＯＲ
＾９を表わし、 Ｒ＾４が水素原子または塩素原子を表わし、そして、 Ｒ＾１及びＲ＾９が特許請求の範囲第３項記載の意味を
有する特許請求の範囲第３項記載の被覆用材料。 （６）前記式 I において、 Ｘが１を表わし、 Ｒ＾１が基：−ＣＯ−Ｒ＾５または−ＳＯ＿２Ｒ＾６を
表わし、Ｒ＾２が炭素原子数１ないし８のアルキル基ま
たはα−ジメチルベンジル基を表わし、 Ｒ＾３が炭素原子数１ないし８のアルキル基、α−ジメ
メルベンジル基または−ＣＨ＿２ＣＨ＿２ＣＯＯＲ＾９
を表わし、 Ｒ＾４が水素原子または塩素原子を表わし、Ｒ＾５が炭
素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原子数２ない
し４のアルケニル基、フェニル基、ベンジル基またはナ
フチルメチル基を表わし、 Ｒ＾６がメチル基、フェニル基または炭素原子数７ない
し１８のアルキルフェニル基を表わし、そして、 Ｒ＾９が炭素原子数１ないし１２のアルキル基を表わす
化合物を含有する特許請求の範囲第１項記載の被覆用材
料。 （６）前記式 I において、 Ｘが２を表わし、 Ｒ＾１が基：−ＣＯ−Ｒ＾７−ＣＯ−を表わし、Ｒ＾２
が炭素原子数１ないし８のアルキル基またはα−ジメチ
ルベンジル基を表わし、 Ｒ＾３が炭素原子数１ないし８のアルキル基、α−ジメ
チルベンジル基または基：−ＣＨ＿２ＣＨ＿２ＣＯＯＲ
＾９を表わし、 Ｒ＾４が水素原子または塩素原子を表わし、Ｒ＾７が炭
素原子数２ないし８のアルキレン基を表わし、そして、 Ｒ＾９が炭素原子数１ないし１２のアルキル基を表わす
化合物を含有する特許請求の範囲第１項記載の被覆用材
料。 （７）前記式IIにおいて、 Ｒ＾１が式：−ＣＯ−Ｒ＾５または−ＳＯ＿２Ｒ＾６で
表わされる基を表わし、 Ｒ＾２が炭素原子数１ないし８のアルキル基またはα−
ジメチルベンジル基を表わし、 Ｒ＾３が式：−ＣＨ＿２ＣＨ＿２ＣＯＯ−（ＣＨ＿２）
ｑ−ＯＣＯＣＣＨ＿２ＣＨ＿２−または−ＣＨ＿２ＣＨ
＿２ＣＯＮＨ−Ｒ＾１＾２−ＮＨＣＯＣＨ＿２ＣＨ＿２
で表わされる基を表わし、 Ｒ＾４が水素原子または塩素原子を表わし、Ｒ＾５が炭
素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原子数２ない
し４のアルケニル基、フェニル基、ベンジル基またはナ
フチルメチル基を表わし、 Ｒ＾６がメチル基、フェニル基または炭素原子数７ない
し１８のアルキルフェニル基を表わし、 Ｒ＾１＾２が炭素原子数２ないし８のアルキレン基を表
わし、そして、 ｑが２ないし８の数を表わす化合物を含有 する特許請求の範囲第１項記載の被覆用材料。 （８）アルキド樹脂、アクリル樹脂、エポキシド樹脂、
メラミン樹脂、尿素樹脂、ポリウレタン、ポリエステル
及びフェノール樹脂及びこれら相互の混合物からなる群
から選択される結合剤を含有する特許請求の範囲第１項
記載の被覆用材料。 （９）結合剤として酸化乾燥樹脂または樹脂混合物を、
そして硬化触媒として有機金属化合物を含有する特許請
求の範囲第１項記載の被覆用材料。 （１０）塗布中に、銅または銅合金と接触させる特許請
求の範囲第１項記載の被覆用材料。 （１１）次式 I またはII：▲数式、化学式、表等があ
ります▼ I ▲数式、化学式、表等があります▼II（上
記各式中、 Ｘは１または２を表わし、 Ｒ＾１は、Ｘが１であるとき及び式IIにおいては、式：
−ＣＯ−Ｒ＾５で表わされるアシル基、式：−ＳＯ＿２
Ｒ＾６で表わされるスルホニル基、式：−Ｐ（Ｏ）ｒ（
Ｒ＾１＾４）（Ｒ＾１＾５）で表わされるホスホリル基
を表わし、Ｘが２のときは−ＣＯ−または式：−ＣＯ−
ＣＯ−若しくは−ＣＯ−Ｒ＾７−ＣＯ−で表わされるジ
アシル基を表わし、 Ｒ＾２は炭素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原
子数５ないし１２のシクロアルキル基、フェニル基炭素
原子数７ないし９のフェニルアルキル基、炭素原子数３
ないし５のアルケニル基またはハロゲン原子を表わし、 Ｒ＾３は、式 I においては、式：−（ＣＨ＿２）ｎ−
ＣＯＯＲ＾９または−（ＣＨ＿２）ｎ−ＣＯ−Ｎ（Ｒ＾
１＾０）（Ｒ＾１＾１）で表わされる基を表わし、そし
て、式IIにおいては、次式：−（ＣＨ＿２）ｎ−ＣＯ−
Ｏ−（ＣＨ＿２）ｑ−Ｏ−ＣＯ−（ＣＨ＿２）ｎ−、−
（ＣＨ＿２）ｎ−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ＿２ＣＨ＿２Ｏ）ｐ
−ＣＯ−（ＣＨ＿２）ｎ−、−（ＣＨ＿２）ｎ−ＣＯ−
ＮＨ−Ｒ＾１＾２−ＮＨ−ＣＯ−（ＣＨ＿２）ｎ−また
は▲数式、化学式、表等があります▼、 で表わされる二価基を表わし、 Ｒ＾４は水素原子、ハロゲン原子、炭素原子１ないし８
のアルキル基、炭素原子数７ないし９のフェニルアルキ
ル基、炭素原子数１ないし８のアルコキシ基または炭素
原子数２ないし８のアルコキシカルボニル基を表わし、 Ｒ＾５は炭素原子数１ないし１８のアルキル基、炭素原
子数２ないし１８のアルケニル基、 −ＣＨ＿２−ＣＯ−ＣＨ＿３、フェニル基、炭素原子数
１ないし１２のアルキル基、炭素原子数、ないし４のア
ルコキシ基若しくはベンゾイル基によって置換されたフ
ェニル基を表わすか、あるいは炭素原子数７ないし１２
のアルキル基または炭素原子数１ないし１２のアルコキ
シ基を表わし、 Ｒ＾６は炭素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原
子数６ないし１０のアリール基または炭素原子数７ない
し１８のアルキルアリール基を表わし、 Ｒ＾７は炭素原子数１ないし１０のアルキレン基または
フェニレン基を表わし、 Ｒ＾９は水素原子、炭素原子数１ないし１２のアルキル
基または式：−（ＣＨ＿２ＣＨ＿２Ｏ）ｐ−Ｒ＾１で表
わされる基を表わし、 Ｒ＾１＾０及びＲ＾１＾１は互いに独立してそれぞれ水
素原子、ＯまたはＮによって中断されることができる炭
素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原子数５ない
し１２のシクロアルキル基、炭素原子数７ないし９のフ
ェニルアルキル基、炭素原子数５ないし５のアルケニル
基、フェニル基、または２，２，６，６−テトラメチル
−４−ピペリジニル基を表わすか、あるいはＲ＾１＾０
及びＲ＾１＾１が一緒になって炭素原子数４ないし６の
アルキレン基、炭素原子数４ないし６のオキサアルキレ
ン基または炭素原子数４ないし６のアザアルキレン基を
表わし、 Ｒ＾１＾２は１個ないし３個の酸素原子によって中断さ
れることができる炭素原子数１ないし １２のアルキレン基を表わし、 Ｒ＾１＾３は炭素原子数１ないし１２のアルキル基また
は炭素原子数６ないし１０のアリール基を表わし、 Ｒ＾１＾４及びＲ＾１＾５は互いに独立してそれぞれ炭
素原子数、ないし１２のアルコキシ基、フェノキシ基、
炭素原子数１ないし１２のアルキル基、シクロヘキシル
基、ベンジル基、フェニル基またはトリル基を表わし、 ｎは１または２を表わし、 ｐは１ないし１０の数であり、 ｑは２ないし１２の数であり、そして ｒは０または１を表わす。）で表わされる 化合物。 （１２）前記式 I において、 Ｘが１または２を表わし、 Ｒ＾１は、Ｘが１のとき、式：−ＣＯ−Ｒ＾５または−
ＳＯ−Ｒ＾６で表わされる基を表わし、Ｘが２のとき、
基−ＣＯ−Ｒ＾７−ＣＯ−を表わし、Ｒ＾２が炭素原子
数１ないし１２のアルキル基、シクロヘキシル基または
炭素原子数７ないし９のフェニルアルキル基を表わし、 Ｒ＾３が基：−ＣＨ＿２ＣＨ＿２ＣＯＯＲ＾９を表わし
、Ｒ＾４が水素原子、メチル基または塩素原子を表わし
、 Ｒ＾５が炭素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原
子数２ないし４のアルケニル基、フェニル基、ベンジル
基またはナフチルメチル基を表わし、 Ｒ＾６がメチル基、フェニル基または炭素原子数７ない
し１５のアルキルフェニル基を表わし、 Ｒ＾７が炭素原子数２ないし８のアルキレン基を表わし
、そして、 Ｒ＾９が炭素原子数１ないし１２のアルキル基を表わす
特許請求の範囲第１１項記載の化合物。 （１３）前記式 I において、 Ｘが１を表わし、 Ｒ＾１が基：−ＣＯ−Ｒ＾５または−ＳＯ＿２Ｒ＾６を
表わし、Ｒ＾２が炭素原子数１ないし８のアルキル基ま
たはα−ジメチルベンジル基を表わし、 Ｒ＾４が水素原子または塩素原子を表わし、そして、 Ｒ＾３、Ｒ＾５及びＲ＾６が特許請求の範囲第１２項記
載の意味を有する特許請求の範囲第１２項記載の化合物
。 （１４）前記式IIにおいて、 Ｘが２を表わし、 Ｒ＾１が基：−ＣＯ−Ｒ＾５または−ＳＯ＿２Ｒ＾６を
表わし、Ｒ＾２が炭素原子数１ないし８のアルキル基ま
たはα−ジメチルベンジル基を表わし、 Ｒ＾３が式：−ＣＨ＿２ＣＨ＿２ＣＯＯ−（ＣＨ＿２）
ｑ−ＯＣＯＣＨ＿２ＣＨ＿２−または−ＣＨ＿２ＣＨ＿
２ＣＯＮＨ−Ｒ＾１＾２−ＮＨＣＯＣＨ＿２ＣＨ＿２−
で表わされる基を表わし、 Ｒ＾４が水素原子または塩素原子を表わし、Ｒ＾５が炭
素原子数１ないし１２のアルキル基、炭素原子数２ない
し４のアルケニル基、フェニル基、ベンジル基またはナ
フチルメチル基を表わし、 Ｒ＾６がメチル基、フェニル基または炭素原子数７ない
し１８のアルキルフェニル基を表わし、 Ｒ＾１＾２が炭素原子数２ないし８のアルキル基を表わ
し、そして、 ｑが２ないし８の数を表わす特許請求の範 囲第１１項記載の化合物。
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