JPS61104611A - ３−５化合物単結晶薄膜をそなえたＳｉ基板およびその製造方法 - Google Patents
３−５化合物単結晶薄膜をそなえたＳｉ基板およびその製造方法Info
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- JPS61104611A JPS61104611A JP22511884A JP22511884A JPS61104611A JP S61104611 A JPS61104611 A JP S61104611A JP 22511884 A JP22511884 A JP 22511884A JP 22511884 A JP22511884 A JP 22511884A JP S61104611 A JPS61104611 A JP S61104611A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、■−■化合物単結晶薄膜をそなえた８１基板
およびその製造方法に関するものである。
およびその製造方法に関するものである。
（従来例の構成とその問題点）
単結晶Ｇｅ 、 Ｓｉの上に、それぞれ単結晶ＧａＡｓ
、ＧａＰをエピタキシャル成長させる試みは、それらの
２４一 つの材料の格子不整合が、それぞれ、０．１％、０．３
７％と小さく、Ｇ ａ Ａ ｓ ＋ Ｇ ａ Ｐのバン
ドギャップが、それぞれＧｅ、Ｓｊより大きいため、そ
れらをエミッタとするペテロバイポーラＩ・ランジスタ
として有望であることの他に、形成されるＧａＡｓ、Ｇ
ａＰを用いる多くの産業上の有用な用途があることから
、古くから数多くなされてきた。しかし、この系では■
−■化合物同士のエピタキシーと違って、格子整合だけ
では解決できない難しい問題があり、反位相構造、双晶
、転位などの欠陥が極めて多く生じ、結晶成長はうまく
いかなかった。近年、その原因がかなり明らかになって
きた。まず、１９７８年に、極性のＧａＰ、ＧａＡｓな
どのＩＩＩ−ｖ化合物をＳｉ 、 Ｇｅのような非極性
のダイヤモンド構造をもつ材料の上にエピタキシャル成
長させる場合には、結晶方位によって界面にチャージが
生じ（たとえば［ｔｏｏ〕、 ｍｌ、］）、このチャー
ジは、バンド構造や結晶成長に十分な影響を与えるだけ
大きいこと、そして（１１０）ではこのチャージが生じ
ないため、デバイスや結晶成長に適することが指摘され
た。ＩＪ、Ａ、ｔ（ａｒｒｊｓｏｎ ｅｔａｌ、Ｐｈｙ
ｓ、Ｒｅｖ、８１８，４４０２（１９７８））。
、ＧａＰをエピタキシャル成長させる試みは、それらの
２４一 つの材料の格子不整合が、それぞれ、０．１％、０．３
７％と小さく、Ｇ ａ Ａ ｓ ＋ Ｇ ａ Ｐのバン
ドギャップが、それぞれＧｅ、Ｓｊより大きいため、そ
れらをエミッタとするペテロバイポーラＩ・ランジスタ
として有望であることの他に、形成されるＧａＡｓ、Ｇ
ａＰを用いる多くの産業上の有用な用途があることから
、古くから数多くなされてきた。しかし、この系では■
−■化合物同士のエピタキシーと違って、格子整合だけ
では解決できない難しい問題があり、反位相構造、双晶
、転位などの欠陥が極めて多く生じ、結晶成長はうまく
いかなかった。近年、その原因がかなり明らかになって
きた。まず、１９７８年に、極性のＧａＰ、ＧａＡｓな
どのＩＩＩ−ｖ化合物をＳｉ 、 Ｇｅのような非極性
のダイヤモンド構造をもつ材料の上にエピタキシャル成
長させる場合には、結晶方位によって界面にチャージが
生じ（たとえば［ｔｏｏ〕、 ｍｌ、］）、このチャー
ジは、バンド構造や結晶成長に十分な影響を与えるだけ
大きいこと、そして（１１０）ではこのチャージが生じ
ないため、デバイスや結晶成長に適することが指摘され
た。ＩＪ、Ａ、ｔ（ａｒｒｊｓｏｎ ｅｔａｌ、Ｐｈｙ
ｓ、Ｒｅｖ、８１８，４４０２（１９７８））。
ついで、１９８２年に、それらのエピタキシーにおいて
は、界面チャージが生じないことだけでなく、■−■化
合物の■族および■広原子が下地のダイヤモンド構造か
らなる結晶のサイ１−のどこに結合するかということ（
サイト・アロケーション）が重要となり、■族とＶ広原
子のサイト・アロケージ ゛ヨンが確定されるこ
とが、深刻な問題となっている反位相構造の発生を避け
るために極めて重要となることが指摘された。そして、
界面チャージが生じないことと、サイト・アロケーショ
ンが確定されることの２つの条件が満足される結晶面と
しで、Ｓｉ 、 Ｇｅなどのダイヤモンド構造をとる結
晶の結合サイトを構成する４個の結合手の１個が基板に
平行に存在しく第１図の符号１）かつ、それらのサイト
が基板から上方に向いた１個の結合手にのるサイト（第
１図の符号２）と、基板から上方に向いた２本の結合手
にのるサイト（第１図の符号３）の２種類のサイトから
なる結晶面が有望であり、その最も簡単な結晶面が第１
図に示す（２１１）＝６＝ 結晶面であることが指摘された［Ｓ、Ｗｒｊ４ｈｔ ｅ
ｔ、ａ］ 、Ｊ。
は、界面チャージが生じないことだけでなく、■−■化
合物の■族および■広原子が下地のダイヤモンド構造か
らなる結晶のサイ１−のどこに結合するかということ（
サイト・アロケーション）が重要となり、■族とＶ広原
子のサイト・アロケージ ゛ヨンが確定されるこ
とが、深刻な問題となっている反位相構造の発生を避け
るために極めて重要となることが指摘された。そして、
界面チャージが生じないことと、サイト・アロケーショ
ンが確定されることの２つの条件が満足される結晶面と
しで、Ｓｉ 、 Ｇｅなどのダイヤモンド構造をとる結
晶の結合サイトを構成する４個の結合手の１個が基板に
平行に存在しく第１図の符号１）かつ、それらのサイト
が基板から上方に向いた１個の結合手にのるサイト（第
１図の符号２）と、基板から上方に向いた２本の結合手
にのるサイト（第１図の符号３）の２種類のサイトから
なる結晶面が有望であり、その最も簡単な結晶面が第１
図に示す（２１１）＝６＝ 結晶面であることが指摘された［Ｓ、Ｗｒｊ４ｈｔ ｅ
ｔ、ａ］ 、Ｊ。
Ｖａｃ、Ｓｃｊ、Ｔｅｃｈｎｏｌ、、２１，５３４（１
９８２））。
９８２））。
第１図はＳｊ、、Ｇｅあるいはそれぞれの固溶体などの
ダイヤモンド構ｊ告を（１１０）方向から見た図である
。」はＳｉの結合サイトを構成する４個の結合手の中で
基板に平行となっている結合手、２は基板の下方から−
に方に向かう２木の結合手にのるＳｉ結合サイト、３は
基板の下方から上方に向かう２本の結合手にのるＳｊ結
合サすトを示す。
ダイヤモンド構ｊ告を（１１０）方向から見た図である
。」はＳｉの結合サイトを構成する４個の結合手の中で
基板に平行となっている結合手、２は基板の下方から−
に方に向かう２木の結合手にのるＳｉ結合サイト、３は
基板の下方から上方に向かう２本の結合手にのるＳｊ結
合サすトを示す。
この結晶面では、２種類の質的に異なるサイ１〜からな
るため、■族と■族原子が選択的にそれぞれのサイトに
結合することが期待されるわけである。そして、実際に
、Ｓｉ（２１１）基板を用いて、分子線エピタキシー法
によりＧａＰのエピタキシャル成長を行ない、提唱した
理論が正しいことが実証された。これににって、はじめ
て、Ｓｉ基板」−に、反位相構造のない、鏡面をもつＧ
ａＰの単結晶薄膜層が形成された。このペテロ構造を用
いてβ＝９の過去最高のβ値をもつヘテロバイポーラ１
〜ランジスタが作られたが、この特性は、Ｉ−ランジス
タとしてはまだ十分なものではなかった。これは反位相
構造以外の結晶欠陥がまだ多く含まれていることしこよ
る。事実、表面には、内部欠陥の存在を示す多くの平行
に走った線状の微細構造が存在していた。しかし、この
方式により、界面チャージをなくすること、および最も
深刻な問題であった反位相構造の発生をなくすることの
２つの基本的な、重要な課題が解決されているので、反
位相構造以外の、おもに格子不整合によって生じる結晶
欠陥を除去することができれば、高品質のＧａＰ単結晶
薄膜をそなえたＳｉ基板の作製が期待できるわけである
。Ｇｅの上にＧａＡｓを形成する場合には、格子不整合
はＳｉとＧａＰの場合よりもはるかに小さいので。
るため、■族と■族原子が選択的にそれぞれのサイトに
結合することが期待されるわけである。そして、実際に
、Ｓｉ（２１１）基板を用いて、分子線エピタキシー法
によりＧａＰのエピタキシャル成長を行ない、提唱した
理論が正しいことが実証された。これににって、はじめ
て、Ｓｉ基板」−に、反位相構造のない、鏡面をもつＧ
ａＰの単結晶薄膜層が形成された。このペテロ構造を用
いてβ＝９の過去最高のβ値をもつヘテロバイポーラ１
〜ランジスタが作られたが、この特性は、Ｉ−ランジス
タとしてはまだ十分なものではなかった。これは反位相
構造以外の結晶欠陥がまだ多く含まれていることしこよ
る。事実、表面には、内部欠陥の存在を示す多くの平行
に走った線状の微細構造が存在していた。しかし、この
方式により、界面チャージをなくすること、および最も
深刻な問題であった反位相構造の発生をなくすることの
２つの基本的な、重要な課題が解決されているので、反
位相構造以外の、おもに格子不整合によって生じる結晶
欠陥を除去することができれば、高品質のＧａＰ単結晶
薄膜をそなえたＳｉ基板の作製が期待できるわけである
。Ｇｅの上にＧａＡｓを形成する場合には、格子不整合
はＳｉとＧａＰの場合よりもはるかに小さいので。
」二連の結晶方位をもつ基板を用いてＳｊ、−１＝への
ＧａＰの形成を行なう場合よりも良い結晶成長が期待で
きるわけであるが、Ｇａの単結晶基板は表面の清浄化が
難しいことが大きな問題点であった。
ＧａＰの形成を行なう場合よりも良い結晶成長が期待で
きるわけであるが、Ｇａの単結晶基板は表面の清浄化が
難しいことが大きな問題点であった。
この場合、界面チャージ、サイト・アロケーション、お
よび格子整合の課題が解決されても、表面の清浄化が難
しいために各種の欠陥が発生する。
よび格子整合の課題が解決されても、表面の清浄化が難
しいために各種の欠陥が発生する。
一般によく用いられる（１００）、（１１１，）や（１
１０）などのＳｊ、Ｇｅなどのダイヤモン１く構造を有
する材料の基板では、つぎのような問題点がある。（１
００）および（１１，１，）基板の場合には、その上に
■−■化合物を形成すると界面にチャージが生じること
の他に、・表面が同一種のサイ１−からなるため、■族
、Ｖ族原子のサイ１〜・アロケーションが確定されない
ので結晶成長が難かしい。これらの結晶面でサイト・ア
ロケーションの問題を解決する方法がみつかり、良い結
晶成長が行なわれれば、形成された■−■化合物を用い
るデバイスへの適用は可能となるが、下地の非極性の材
料との界面にチャージが生じるため、この界面を用いる
デバイスには適しているとはいえない。（１１０）基板
の場合には、界面チャージは生じないが、■族、■族原
子のサイト・アロケーションが確定されないので、欠陥
の少ない単結晶膜の結晶成長が難かしい。（１１０）基
板において、サイト・アロケーションを解決するなんら
かの方法が見つかれば、界面チャージが生じないことか
ら、■−ｖ化合物材料とダイヤモンド構造をもつ材料と
のへテロ構造を用いるデバイスや形成されたｍ−ｖ化合
物材料を基板として用いるデバイスなどの種々の応用が
ある。これらの結晶面を用いて、ある程度の品質のＧａ
Ａｓが形成されたという報告もあるが、上述のように原
理的に結晶成長が難しいことから十分なものではない。
１０）などのＳｊ、Ｇｅなどのダイヤモン１く構造を有
する材料の基板では、つぎのような問題点がある。（１
００）および（１１，１，）基板の場合には、その上に
■−■化合物を形成すると界面にチャージが生じること
の他に、・表面が同一種のサイ１−からなるため、■族
、Ｖ族原子のサイ１〜・アロケーションが確定されない
ので結晶成長が難かしい。これらの結晶面でサイト・ア
ロケーションの問題を解決する方法がみつかり、良い結
晶成長が行なわれれば、形成された■−■化合物を用い
るデバイスへの適用は可能となるが、下地の非極性の材
料との界面にチャージが生じるため、この界面を用いる
デバイスには適しているとはいえない。（１１０）基板
の場合には、界面チャージは生じないが、■族、■族原
子のサイト・アロケーションが確定されないので、欠陥
の少ない単結晶膜の結晶成長が難かしい。（１１０）基
板において、サイト・アロケーションを解決するなんら
かの方法が見つかれば、界面チャージが生じないことか
ら、■−ｖ化合物材料とダイヤモンド構造をもつ材料と
のへテロ構造を用いるデバイスや形成されたｍ−ｖ化合
物材料を基板として用いるデバイスなどの種々の応用が
ある。これらの結晶面を用いて、ある程度の品質のＧａ
Ａｓが形成されたという報告もあるが、上述のように原
理的に結晶成長が難しいことから十分なものではない。
また、ＧａＡｓ単結晶基板は高温であることから、安価
なＳｊ単結晶基板の」二にＧａＡｓをエピタキシャル成
長しようという試みもなされてきたが、この場合には、
界面チャージ、サイト・アロケーションの問題に加えて
、ＧａＡｓとＳｊの４．１％の大きな格子不整合の問題
が加わるので成長は一層難かしかった。
なＳｊ単結晶基板の」二にＧａＡｓをエピタキシャル成
長しようという試みもなされてきたが、この場合には、
界面チャージ、サイト・アロケーションの問題に加えて
、ＧａＡｓとＳｊの４．１％の大きな格子不整合の問題
が加わるので成長は一層難かしかった。
（発明の目的）
本発明の目的は、単結晶Ｓｉ基板上へのＧａＡｓおよび
ＧａＡｓと格子整合する■−■化合物単結晶薄膜を形成
することである。形成される■−■化合物と下地のダイ
ヤモンド構造材料との界面チャージとサイト・アロケー
ションの問題を解決するとともに、ＧａＡｓとＳｉとの
間にある４、１％の大きな格子不整合を解決し、かつＧ
ｅ基板を用いなくてよいことか＝１０− ら、大きな課題であったＧｅ基板の表面の清浄化の問題
点を解決することにより、ＧａＡｓおよびＧａＡｓと格
子整合するｍ−ｖ化合物単結晶薄膜の形成を可能にし、
たとえばＧａＡｓとＧｅのへテロ構造を用いたデバイス
、ＧａＡｓを基板として用いるデバイス、さらに、それ
らのデバイスとＳｉデバイスとを一体化したデバイスな
どに適用可能な、ｍ−ｖ化合物単結晶薄膜をそなえたＳ
ｉ基板および、その製造方法を提供することである。
ＧａＡｓと格子整合する■−■化合物単結晶薄膜を形成
することである。形成される■−■化合物と下地のダイ
ヤモンド構造材料との界面チャージとサイト・アロケー
ションの問題を解決するとともに、ＧａＡｓとＳｉとの
間にある４、１％の大きな格子不整合を解決し、かつＧ
ｅ基板を用いなくてよいことか＝１０− ら、大きな課題であったＧｅ基板の表面の清浄化の問題
点を解決することにより、ＧａＡｓおよびＧａＡｓと格
子整合するｍ−ｖ化合物単結晶薄膜の形成を可能にし、
たとえばＧａＡｓとＧｅのへテロ構造を用いたデバイス
、ＧａＡｓを基板として用いるデバイス、さらに、それ
らのデバイスとＳｉデバイスとを一体化したデバイスな
どに適用可能な、ｍ−ｖ化合物単結晶薄膜をそなえたＳ
ｉ基板および、その製造方法を提供することである。
（発明の構成）
本発明のｒｒｒ−ｖ化合物単結晶薄膜をそなえたＳｉ基
板およびその製造方法は、Ｓｊの結合サイトを構成する
４個の結合手の１個が基板に平行に存在した結晶方位を
有する単結晶Ｓｉ基板上に、Ｇｅ、Ｓｉを含めて、Ｇｅ
−５ｊ系の２つの組成の固溶体の単結晶薄膜からなる超
格子構造薄膜層の多層構造を、超格子構造を構成する２
つの固溶体の格子定数の平均値が、上側に位置する超格
子構造を構成する２つの固溶体の小さい方の格子定数に
近くなるようにし、かつ、」二部方面に段階的に大きく
なり最上層でＧｅに十分に格子整合するようにし、かつ
、前記超格子構造を構成する２つの固溶体の格子不整合
が上方向に段階的に小さくなるように、形成し、その上
にＧｅまたはＧｅと格子整合するＧｅ−Ｓｉ系固溶体の
単結晶薄膜を形成し、その上に格子整合するｍ−ｖ化合
物の単結晶薄膜層を形成した構造を有するものであり、
またその製造方法を提供するものである。
板およびその製造方法は、Ｓｊの結合サイトを構成する
４個の結合手の１個が基板に平行に存在した結晶方位を
有する単結晶Ｓｉ基板上に、Ｇｅ、Ｓｉを含めて、Ｇｅ
−５ｊ系の２つの組成の固溶体の単結晶薄膜からなる超
格子構造薄膜層の多層構造を、超格子構造を構成する２
つの固溶体の格子定数の平均値が、上側に位置する超格
子構造を構成する２つの固溶体の小さい方の格子定数に
近くなるようにし、かつ、」二部方面に段階的に大きく
なり最上層でＧｅに十分に格子整合するようにし、かつ
、前記超格子構造を構成する２つの固溶体の格子不整合
が上方向に段階的に小さくなるように、形成し、その上
にＧｅまたはＧｅと格子整合するＧｅ−Ｓｉ系固溶体の
単結晶薄膜を形成し、その上に格子整合するｍ−ｖ化合
物の単結晶薄膜層を形成した構造を有するものであり、
またその製造方法を提供するものである。
また、Ｓｉ（２１１）基板を用いたもの、あるいはｍ−
■化合物としてＧａＡｓを用いたもの、または同じくｍ
−ｖ化合物としてＡｌＡｓ−ＧａＡｓ系固溶体を用いた
ものである。
■化合物としてＧａＡｓを用いたもの、または同じくｍ
−ｖ化合物としてＡｌＡｓ−ＧａＡｓ系固溶体を用いた
ものである。
（実施例の説明）
本発明の実施例を第２図ないし第８図に基づいて説明す
る。
る。
第２図は、ＧｅＸＳｉ１−Ｘ固溶体の組成と格子定数の
関係および実施例１ないし３に用いる超格子構造薄膜層
の構成成分の組成と格子定数との関係を示す。横軸はＸ
、縦軸は格子定数を示す。１ないし７は基板側からこの
順序に形成する格子構造薄膜１１一 層を構成する２つの固溶体の組成と格子不整合を示す。
関係および実施例１ないし３に用いる超格子構造薄膜層
の構成成分の組成と格子定数との関係を示す。横軸はＸ
、縦軸は格子定数を示す。１ないし７は基板側からこの
順序に形成する格子構造薄膜１１一 層を構成する２つの固溶体の組成と格子不整合を示す。
第３図ないし第５図は本発明によって形成される材料の
断面の概念図である。同図において、１は基板、２はＳ
ｊバッファ層、３はＧｅｏ、５Ｓｌｎ 、；の単結晶Ａ
Ｖ膜層、４はＳｊの単結晶薄膜層、符号５，６゜７、８
．９．１０，１．］は第２図の符号１，２，３゜４、．
５，６．７にそれぞれ対応する超格子構造薄膜層を示す
。１２はＧｅの単結晶薄膜層、１３はＧａＡｓの単結晶
薄膜層、１４はＡρ。、３Ｇａ、、７Ａｓの単結晶薄膜
層であり、１５はＧｅ、 、！ｌ！１３１１１０．２の
単結晶薄膜層を示す。
断面の概念図である。同図において、１は基板、２はＳ
ｊバッファ層、３はＧｅｏ、５Ｓｌｎ 、；の単結晶Ａ
Ｖ膜層、４はＳｊの単結晶薄膜層、符号５，６゜７、８
．９．１０，１．］は第２図の符号１，２，３゜４、．
５，６．７にそれぞれ対応する超格子構造薄膜層を示す
。１２はＧｅの単結晶薄膜層、１３はＧａＡｓの単結晶
薄膜層、１４はＡρ。、３Ｇａ、、７Ａｓの単結晶薄膜
層であり、１５はＧｅ、 、！ｌ！１３１１１０．２の
単結晶薄膜層を示す。
第６図はＧｅＸ５ｊ１−Ｘ固溶体の組成と格子定数の関
係および実施例４，５に用いた超格子構造薄膜層の構成
成分の組成と格子定数との関係を示す。横軸はＸ、縦軸
は格子定数を示す。１ないし６は基板からこの順序に形
成する超格子構造薄膜層を構成する２つの固溶体の組成
と格子不整合を示す。
係および実施例４，５に用いた超格子構造薄膜層の構成
成分の組成と格子定数との関係を示す。横軸はＸ、縦軸
は格子定数を示す。１ないし６は基板からこの順序に形
成する超格子構造薄膜層を構成する２つの固溶体の組成
と格子不整合を示す。
第７図、第８図において１ないし４は第３図、第４図、
第５図と同じものを示し、符号５，６，７゜８．９．１
０は第６図の符号１，２，３，４，５゜＝１２− ６にそれぞれ対応する超格子構造薄膜層を示す。
第５図と同じものを示し、符号５，６，７゜８．９．１
０は第６図の符号１，２，３，４，５゜＝１２− ６にそれぞれ対応する超格子構造薄膜層を示す。
１１はＧｅの単結晶薄膜層であり、１２はＧａＡｓの単
結晶薄膜層、１３はＡｇｏ、３Ｇａｏ、７ＡＳの単結晶
薄膜層を示す。
結晶薄膜層、１３はＡｇｏ、３Ｇａｏ、７ＡＳの単結晶
薄膜層を示す。
実施例１
一般のＳｉデバイスの作製に用いられるのと同様の鏡面
仕上げを行なったＳｉ（２１１）基板（第３図の符号１
）の表面の清浄化を、まずつぎのようなウェットプロセ
スで行なう。基板をトリクロールエチレン、アセトンと
純水とを用いて脱脂洗浄したのち、約１５０℃に加熱し
たＨ２０□／１１□５ｏ４（１／４）液に浸し表面の汚
れを取り除く。つづいて純水で十分に洗浄したのち、Ｈ
Ｆ／Ｈ２Ｏ（１／１０）液に浸して表面の酸化膜を除去
する。このあと、大気にさらさない状態で純水を用いて
十分に洗浄し、加熱したＮＨ４ＯＨ／１１□０□／Ｈ２
０（１／１／１０）液に浸し表面に極めてうすいシリコ
ンの酸化膜を形成して清浄化した表面を保護する。この
基板を分子線エピタキシー装置に充填し、８００℃に加
熱する。これにより表面に形成された酸化シリコン膜が
完全に除かれ、Ｓｉ基板の表面の清浄化が行なわれる。
仕上げを行なったＳｉ（２１１）基板（第３図の符号１
）の表面の清浄化を、まずつぎのようなウェットプロセ
スで行なう。基板をトリクロールエチレン、アセトンと
純水とを用いて脱脂洗浄したのち、約１５０℃に加熱し
たＨ２０□／１１□５ｏ４（１／４）液に浸し表面の汚
れを取り除く。つづいて純水で十分に洗浄したのち、Ｈ
Ｆ／Ｈ２Ｏ（１／１０）液に浸して表面の酸化膜を除去
する。このあと、大気にさらさない状態で純水を用いて
十分に洗浄し、加熱したＮＨ４ＯＨ／１１□０□／Ｈ２
０（１／１／１０）液に浸し表面に極めてうすいシリコ
ンの酸化膜を形成して清浄化した表面を保護する。この
基板を分子線エピタキシー装置に充填し、８００℃に加
熱する。これにより表面に形成された酸化シリコン膜が
完全に除かれ、Ｓｉ基板の表面の清浄化が行なわれる。
つぎにこの基板（第３図の符号］）の上に電子ビーム法
により作製したＳ」分子ビームを用いてＳｊのバッファ
層（第３図の符号２）をエピタキシャル形成し、その上
にＳｉ分子ビームと抵抗加熱により作製したＧｅ分子ビ
ームを用いて、第２図の符号］、に対応する格子定数ａ
＝５．５４５人のＧｅｏ、５Ｓｊ、ｎ 、ｓ組成の固溶
体の約５０人の膜厚の単結晶薄膜（第３図の符号３）と
約５０人の膜厚のＳｊの単結晶薄膜（第３図の符号４）
の繰り返し多層構造すなわち超格子構造の薄膜層（第３
図の符号５）をエピタキシャル形成する。この超格子構
造を構成する２つの成分の格子不整合は２．１％である
。つぎにその」二に第２図の符号２に対応する２つの組
成の固溶体の超格子構造の薄膜層（第３図の符号６）を
エピタキシャル形成する。
により作製したＳ」分子ビームを用いてＳｊのバッファ
層（第３図の符号２）をエピタキシャル形成し、その上
にＳｉ分子ビームと抵抗加熱により作製したＧｅ分子ビ
ームを用いて、第２図の符号］、に対応する格子定数ａ
＝５．５４５人のＧｅｏ、５Ｓｊ、ｎ 、ｓ組成の固溶
体の約５０人の膜厚の単結晶薄膜（第３図の符号３）と
約５０人の膜厚のＳｊの単結晶薄膜（第３図の符号４）
の繰り返し多層構造すなわち超格子構造の薄膜層（第３
図の符号５）をエピタキシャル形成する。この超格子構
造を構成する２つの成分の格子不整合は２．１％である
。つぎにその」二に第２図の符号２に対応する２つの組
成の固溶体の超格子構造の薄膜層（第３図の符号６）を
エピタキシャル形成する。
この場合、２つの成分間の格子不整合は約１．７％であ
り、格子定数の小さい方の値は、下側の超格子構造を構
成する２つの成分の格子定数の平均値に等しくなるよう
にとっである。このようにして、第２図の符号１，２，
３，４，５，６．７に対応する超格子構造薄膜の多層構
造（第３図の符号５゜６、７．８．９．１０，１．１）
をエピタキシャル形成する。この場合、おのおの超格子
構造を形成する２つの成分の格子不整合は、第２図に示
すように、上の層はど小さくなっており、それらの２つ
の成分の格子定数の平均値は、つぎにくる超格子構造を
構成する２つの成分の小さい方の格子定数にほぼ等しく
なり、かつ」二部に位置するほど大きくなっている。こ
の超格子構造薄膜層の上に、Ｇｅの単結晶薄膜層（第３
図の符号１２）をエピタキシャル形成し、その」二にＧ
ａＡｓの単結晶薄膜層（第３図の符号１３）をＧａとＡ
ｓの分子ビームを用いてエピタキシャル形成する。これ
により、鏡面を示し、欠陥の少ないＧａＡｓ単結晶薄膜
が形成される。
り、格子定数の小さい方の値は、下側の超格子構造を構
成する２つの成分の格子定数の平均値に等しくなるよう
にとっである。このようにして、第２図の符号１，２，
３，４，５，６．７に対応する超格子構造薄膜の多層構
造（第３図の符号５゜６、７．８．９．１０，１．１）
をエピタキシャル形成する。この場合、おのおの超格子
構造を形成する２つの成分の格子不整合は、第２図に示
すように、上の層はど小さくなっており、それらの２つ
の成分の格子定数の平均値は、つぎにくる超格子構造を
構成する２つの成分の小さい方の格子定数にほぼ等しく
なり、かつ」二部に位置するほど大きくなっている。こ
の超格子構造薄膜層の上に、Ｇｅの単結晶薄膜層（第３
図の符号１２）をエピタキシャル形成し、その」二にＧ
ａＡｓの単結晶薄膜層（第３図の符号１３）をＧａとＡ
ｓの分子ビームを用いてエピタキシャル形成する。これ
により、鏡面を示し、欠陥の少ないＧａＡｓ単結晶薄膜
が形成される。
実施例２
実施例１において、Ｇｅの単結晶簿膜層（第３図の符号
１２）の」二に、Ａ（Ｉｏ、３Ｇａ、 、７Ａｓ組成の
単結晶簿膜（第４図の符号１４）をＡＩ、ＧａとＡｓの
分子ビームを用いて、エピタキシャル形成し、その」二
にＧａＡｓの単結晶薄膜（第４図の符号１３）をエピタ
キシャル形 。
１２）の」二に、Ａ（Ｉｏ、３Ｇａ、 、７Ａｓ組成の
単結晶簿膜（第４図の符号１４）をＡＩ、ＧａとＡｓの
分子ビームを用いて、エピタキシャル形成し、その」二
にＧａＡｓの単結晶薄膜（第４図の符号１３）をエピタ
キシャル形 。
成する。これにより同様に、鏡面を示し、欠陥の少ない
ＧａＡｓ単結晶薄膜が形成される。
ＧａＡｓ単結晶薄膜が形成される。
実施例３
実施例１において、超格子構造薄膜層の最上層（第３図
、第５図の符号１１）を形成したのち、Ｇｅｏ、、９Ｓ
ｉ、 、。２組成の固溶体の単結晶薄膜層（第５図の符
号１５）をエピタキシャル形成する。この固溶体の格子
定数はａ ＝５．６５８人でＧａＡｓのそれに完全に一
致する。この層の」二に、ＧａＡｓの単結晶薄膜層（第
５図の符号１３）をエピタキシャル形成する。
、第５図の符号１１）を形成したのち、Ｇｅｏ、、９Ｓ
ｉ、 、。２組成の固溶体の単結晶薄膜層（第５図の符
号１５）をエピタキシャル形成する。この固溶体の格子
定数はａ ＝５．６５８人でＧａＡｓのそれに完全に一
致する。この層の」二に、ＧａＡｓの単結晶薄膜層（第
５図の符号１３）をエピタキシャル形成する。
これにより、鏡面を示し、欠陥の少ないＧａＡｓの単結
晶薄膜が形成される。
晶薄膜が形成される。
実施例４
実施例１と同じように、Ｓｉ（２１］）基板（第７図の
符号１）の表面の清浄化を行なったのち、Ｓｊのバッフ
ァ層（第７図の符号２）をエピタキシャル形成する。そ
の上に、実施例１と同様にＳｉとＧｅ、、、、Ｓ−１，
０，！；固溶体からなる超格子構造薄膜層（第７図の符
号５）をエピタキシャル形成する。その」二に、第６図
の符号２，３，４．．５．６に対応する組成を有する２
つの組成の固溶体の単結晶薄膜からなる超格子構造薄膜
層をこの順序に、第７図の符号６．７，８，９，１．０
のようにエピタキシャル形成する。この場合、１つの超
格子構造を構成する２つの固溶体の格子定数の平均値が
、そのつぎに位置する超格子構造薄膜層を構成する２つ
の固溶体の小さい方の格子定数に約０．２″１の格子整
合をするようにし、かつ上部に位置するほど大きくなり
、最上層ではＧｅに十分に格子整合するようになってい
る。この上に、Ｇｅの単結晶薄膜層（第７図の符号１１
）をエピタキシャル形成し、さらにＧａＡｓの単結晶薄
膜層（第７図の符号１２）をエピタキシャル形成する。
符号１）の表面の清浄化を行なったのち、Ｓｊのバッフ
ァ層（第７図の符号２）をエピタキシャル形成する。そ
の上に、実施例１と同様にＳｉとＧｅ、、、、Ｓ−１，
０，！；固溶体からなる超格子構造薄膜層（第７図の符
号５）をエピタキシャル形成する。その」二に、第６図
の符号２，３，４．．５．６に対応する組成を有する２
つの組成の固溶体の単結晶薄膜からなる超格子構造薄膜
層をこの順序に、第７図の符号６．７，８，９，１．０
のようにエピタキシャル形成する。この場合、１つの超
格子構造を構成する２つの固溶体の格子定数の平均値が
、そのつぎに位置する超格子構造薄膜層を構成する２つ
の固溶体の小さい方の格子定数に約０．２″１の格子整
合をするようにし、かつ上部に位置するほど大きくなり
、最上層ではＧｅに十分に格子整合するようになってい
る。この上に、Ｇｅの単結晶薄膜層（第７図の符号１１
）をエピタキシャル形成し、さらにＧａＡｓの単結晶薄
膜層（第７図の符号１２）をエピタキシャル形成する。
これにより、鏡面を示し、欠陥の少ないＧａＡｓの単結
晶薄膜が形成される。
晶薄膜が形成される。
実施例５
実施例４において、Ｇｅの単結晶薄膜層（第７図の符号
１１）の上に、Ａρ。、３Ｇａ０．７ＡＳ組成の単結晶
薄膜（第８図の符号１３）をＡρ、Ｇａ、Ａｓの分子ビ
ームを用いて、エピタキシャル形成し、その」−にＧａ
Ａｓの単結晶薄膜（第８図の符号１２）をエピタキシャ
ル形成する。これにより、鏡面をもち、欠陥の少ない＝
１８− ＧａＡｓの単結晶薄膜が形成される。
１１）の上に、Ａρ。、３Ｇａ０．７ＡＳ組成の単結晶
薄膜（第８図の符号１３）をＡρ、Ｇａ、Ａｓの分子ビ
ームを用いて、エピタキシャル形成し、その」−にＧａ
Ａｓの単結晶薄膜（第８図の符号１２）をエピタキシャ
ル形成する。これにより、鏡面をもち、欠陥の少ない＝
１８− ＧａＡｓの単結晶薄膜が形成される。
これらの実施例に用いているＳｊ （２］１）基板は、
第１図の符号１に示すように結合手の１個が基板に平行
に存在していることから、その」−に他のダイヤモンド
構造の単結晶簿膜層を形成し、その」−にＧａＡｓを形
成しても界面にチャージが生じないこと、および原子が
結合するサイトが、基板から上方にのびた１個の結合手
にのるサイ１〜（第１図の符号２）と基板から−１一方
にのびた２個の結合手にのるサイ１−（第１回の符号３
）の質的に異なる２種類のサイ１〜からなることから、
その」二にのる■族と■族原子のサイ１〜・アロケーシ
ョンが確定されるという特徴を有するので、本発明の目
的にかなう基板である。しかし、これらの目的をみたす
基板は、これ以外にも種々あり、第１図の状態から（Ｉ
ＴＴ）軸のまわりに回転して作製した、（２１１）方向
が基板に対して傾斜した結晶方位をもつ、た □と
えば（５４］）、 （４３］）、 （３２］、）などの
基板を用いることができることは、原理からみて明らか
である。
第１図の符号１に示すように結合手の１個が基板に平行
に存在していることから、その」−に他のダイヤモンド
構造の単結晶簿膜層を形成し、その」−にＧａＡｓを形
成しても界面にチャージが生じないこと、および原子が
結合するサイトが、基板から上方にのびた１個の結合手
にのるサイ１〜（第１図の符号２）と基板から−１一方
にのびた２個の結合手にのるサイ１−（第１回の符号３
）の質的に異なる２種類のサイ１〜からなることから、
その」二にのる■族と■族原子のサイ１〜・アロケーシ
ョンが確定されるという特徴を有するので、本発明の目
的にかなう基板である。しかし、これらの目的をみたす
基板は、これ以外にも種々あり、第１図の状態から（Ｉ
ＴＴ）軸のまわりに回転して作製した、（２１１）方向
が基板に対して傾斜した結晶方位をもつ、た □と
えば（５４］）、 （４３］）、 （３２］、）などの
基板を用いることができることは、原理からみて明らか
である。
実施例］ないし３、および実施例４と５に示すように、
超格子構造の多層構造の形成において、１つの超格子構
造を形成する２つの固溶体（Ｓｊ−、Ｇｅを含む）の格
子定数の平均値はそれに隣接する超格子構造を構成する
２つの成分の一つの格子定数に近くなるようにしている
。これらの差は小さいほうがよいが、実施例４と５に示
すように、エピタキシャル成長において一般に要請され
る約０．２％以内の格子不整合なら特に問題はない。
超格子構造の多層構造の形成において、１つの超格子構
造を形成する２つの固溶体（Ｓｊ−、Ｇｅを含む）の格
子定数の平均値はそれに隣接する超格子構造を構成する
２つの成分の一つの格子定数に近くなるようにしている
。これらの差は小さいほうがよいが、実施例４と５に示
すように、エピタキシャル成長において一般に要請され
る約０．２％以内の格子不整合なら特に問題はない。
実施例において、超格子構造薄膜層の多層構造の」二に
Ｇｅ、またはそれと格子整合するＧｅ−５ｊ系固溶体の
単結晶薄膜層を形成しているが、これはこの」二に形成
する■−■化合物との格子整合をよくするとともに、Ｇ
ａＡｓ／Ｇｅ、ＧａＡｓ／Ｇｅ−５ｊ固溶体のへテロ構
造を用いるデバイスへの適用をはかるためにもうける。
Ｇｅ、またはそれと格子整合するＧｅ−５ｊ系固溶体の
単結晶薄膜層を形成しているが、これはこの」二に形成
する■−■化合物との格子整合をよくするとともに、Ｇ
ａＡｓ／Ｇｅ、ＧａＡｓ／Ｇｅ−５ｊ固溶体のへテロ構
造を用いるデバイスへの適用をはかるためにもうける。
ただし、形成されるｍ−ｖ化合物単結晶薄膜の利用だけ
を考える場合には、それらの層の形成を省いても良く、
それでもかなりの効果がある。
を考える場合には、それらの層の形成を省いても良く、
それでもかなりの効果がある。
実施例において、■−■化合物としてＧａＡｓ 、およ
びＡＱｏ、３Ｇａｏ、７Ａｓだけを用いているが、これ
以外でＧａＡｓと格子整合する■−■化合物、たとえば
Ａｉ！ｘＧａ、−ＸＡｓ、 ＩｎＸＧａ、−ＸＰ、Ｉｎ
ｘＡρｙ Ｇ ａ １．− ｘ −ｙ Ｐｒなども用い
ることができる。
びＡＱｏ、３Ｇａｏ、７Ａｓだけを用いているが、これ
以外でＧａＡｓと格子整合する■−■化合物、たとえば
Ａｉ！ｘＧａ、−ＸＡｓ、 ＩｎＸＧａ、−ＸＰ、Ｉｎ
ｘＡρｙ Ｇ ａ １．− ｘ −ｙ Ｐｒなども用い
ることができる。
実施例においては、Ｓｉ基板の上にＳｊのバッファ層を
形成しているが、これは基板表面の影響をできるだけ避
けるためにもうけたものであり、必ずしも必要でなく、
本発明必須の条件ではない。
形成しているが、これは基板表面の影響をできるだけ避
けるためにもうけたものであり、必ずしも必要でなく、
本発明必須の条件ではない。
なお、実施例においては、エピタキシャル方として分子
線エピタキシー法を用いているが、これ以外の方法、た
とえばＭＯＣＶＤなどの方法も用いることができる。
線エピタキシー法を用いているが、これ以外の方法、た
とえばＭＯＣＶＤなどの方法も用いることができる。
（発明の効果）
本発明によれば、界面チャージが生じないようにするこ
と、サイト・アロケーションの確定により反位相構造が
生じないようにすること、Ｇｅ基板を用いずにＳｉ基板
を用いて、その上にＧａの薄膜層を形成することにより
、Ｇｅ基板の清浄化が難しいことが原因となって、その
上に形成するエピタキシ一層および界面に生じていた欠
陥を除去すること、そしてその際、ＳｊとＧｅとの間に
ある４、２％の格千年整合をＳｉとＧｅの固溶体の超格
子構造薄膜層の多層構造を８１層とＧｅ層との間に導入
することで解決すること、などの課題解決により、つぎ
のような効果がある。
と、サイト・アロケーションの確定により反位相構造が
生じないようにすること、Ｇｅ基板を用いずにＳｉ基板
を用いて、その上にＧａの薄膜層を形成することにより
、Ｇｅ基板の清浄化が難しいことが原因となって、その
上に形成するエピタキシ一層および界面に生じていた欠
陥を除去すること、そしてその際、ＳｊとＧｅとの間に
ある４、２％の格千年整合をＳｉとＧｅの固溶体の超格
子構造薄膜層の多層構造を８１層とＧｅ層との間に導入
することで解決すること、などの課題解決により、つぎ
のような効果がある。
（１）界面チャージと欠陥の少ないｒＧａＡｓあるいは
それと格子整合する■−ｖ化合物／Ｇｅ Ｊの単結晶へ
テロ構造が形成できることにより、このヘテロ構造を用
いてヘテロバイポーラトランジスタなどのデバイス作製
が可能となる。
それと格子整合する■−ｖ化合物／Ｇｅ Ｊの単結晶へ
テロ構造が形成できることにより、このヘテロ構造を用
いてヘテロバイポーラトランジスタなどのデバイス作製
が可能となる。
（２） Ｓｉの上に高品質のＧａＡｓあるいはこれと
格子整合する■−■化合物を用いたデバイスを安価に作
製できる。
格子整合する■−■化合物を用いたデバイスを安価に作
製できる。
（３） さらに、Ｓｉ基板を用いていることの効果と
して、上記のデバイスとＳｉデバイスとを一体化したユ
ニークなデバイスが作製できる。
して、上記のデバイスとＳｉデバイスとを一体化したユ
ニークなデバイスが作製できる。
第１図はＳｊ、Ｇｅなどの固溶体のダイヤモンド構造図
、第２図はＧｅＸＳｉ□−８固溶体の組成と格子定数の
関係図、第３図、第４図、第５図、第７図、第８図は本
発明によって形成される材料の断面の概念図、第６図は
ＧｅＸ５ｊ、−ｘ固溶体の組成と格子定数の関係および
実施例４，５に用いた超格子構造薄膜層の構成成分の組
成と格子定数との関係図である。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第２図 第３図 第４図
、第２図はＧｅＸＳｉ□−８固溶体の組成と格子定数の
関係図、第３図、第４図、第５図、第７図、第８図は本
発明によって形成される材料の断面の概念図、第６図は
ＧｅＸ５ｊ、−ｘ固溶体の組成と格子定数の関係および
実施例４，５に用いた超格子構造薄膜層の構成成分の組
成と格子定数との関係図である。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第２図 第３図 第４図
Claims (12)
- （１）Ｓｉの結合サイトを構成する４個の結合手の１個
が基板に平行に存在した結晶方位を有する単結晶Ｓｉ基
板の上に、Ｇｅ、Ｓｉを含めて、Ｇｅ−Ｓｉ系の２つの
組成の固溶体の単結晶薄膜からなる超格子構造薄膜層の
多層構造を、超格子構造を構成する２つの固溶体の格子
定数の平均値が、上側に位置する超格子構造を構成する
２つの固溶体の小さい方の格子定数に近くなるようにし
、かつ上部方向に段階的に大きくなり最上層でＧｅに十
分に格子整合するようにし、かつ、前記超格子構造を構
成する２つの固溶体の格子不整合が上方向に段階的に小
さくなるように形成し、その上にＧｅまたはＧｅと格子
整合するＧｅ−Ｓｉ系固溶体の単結晶薄膜を形成し、該
単結晶薄膜上に格子整合するIII−Ｖ化合物の単結晶薄
膜層を形成した構造を有することを特徴とするIII−Ｖ
化合物単結晶薄膜をそなえたＳｉ基板。 - （２）Ｓｉ（２１１）基板を用いることを特徴とする特
許請求の範囲第（１）項記載のIII−Ｖ化合物単結晶薄
膜をそなえたＳｉ基板。 - （３）III−Ｖ化合物としてＧｅＡｓを用いることを特
徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のIII−Ｖ化合
物単結晶薄膜をそなえたＳｉ基板。 - （４）Ｓｉ（２１１）基板を用いることを特徴とする特
許請求の範囲第（３）項記載のIII−Ｖ化合物単結晶薄
膜をそなえたＳｉ基板。 - （５）III−Ｖ化合物として、ＡｌＡｓ−ＧａＡｓ系固
溶体の単結晶薄膜およびその上に形成したＧｅＡｓ単結
晶薄膜を用いることを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項記載のIII−Ｖ化合物単結晶薄膜をそなえたＳｉ基
板。 - （６）Ｓｉ（２１１）基板を用いることを特徴とする特
許請求の範囲第（５）項記載のIII−Ｖ化合物単結晶薄
膜をそなえたＳｉ基板。 - （７）Ｓｉの結合サイトを構成する４個の結合手の１個
が基板に平行に存在した結晶方位を有する単結晶Ｓｉ基
板の上に、Ｇｅ、Ｓｉを含めて、Ｇｅ−Ｓｉ系の２つの
組成の固溶体の単結晶薄膜からなる超格子構造薄膜層の
多層構造を、超格子構造を構成する２つの固溶体の格子
定数の平均値が、上側に位置する超格子構造を構成する
２つの固溶体の小さい方の格子定数に近くなるようにし
、かつ上部方向に段階的に大きくなる最上層でＧｅに十
分に格子整合するようにし、かつ前記超格子構造を構成
する２つの固溶体の格子不整合が上方向に段階的に小さ
くなるようにエピタキシャル形成し、その上にＧｅまた
はＧｅと格子整合するＧｅ−Ｓｉ系固溶体の単結晶薄膜
をエピタキシャル形成し、その上に格子整合するIII−
Ｖ化合物単結晶薄膜をエピタキシャル形成することを特
徴とする、III−Ｖ化合物単結晶薄膜をそなえたＳｉ基
板の製造方法。 - （８）Ｓｉ（２１１）基板を用いることを特徴とする特
許請求の範囲第（７）項記載のIII−Ｖ化合物単結晶薄
膜をそなえたＳｉ基板の製造方法。 - （９）III−Ｖ化合物としてＧａＡｓを用いることを特
徴とする特許請求の範囲第（７）項記載のIII−Ｖ化合
物単結晶薄膜をそなえたＳｉ基板の製造方法。 - （１０）Ｓｉ（２１１）基板を用いることを特徴とする
特許請求の範囲第（９）項記載のIII−Ｖ化合物単結晶
薄膜をそなえたＳｉ基板の製造方法。 - （１１）III−Ｖ化合物として、ＡｌＡｓ−ＧａＡｓ系
固溶体の単結晶薄膜およびその上に形成したＧａＡｓ単
結晶薄膜を用いることを特徴とする特許請求の範囲第（
７）項記載のIII−Ｖ化合物単結晶薄膜をそなえたＳｉ
基板の製造方法。 - （１２）Ｓｉ（２１１）基板を用いることを特徴とする
特許請求の範囲第（１１）項記載のIII−Ｖ化合物単結
晶薄膜をそなえたＳｉ基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22511884A JPS61104611A (ja) | 1984-10-27 | 1984-10-27 | ３−５化合物単結晶薄膜をそなえたＳｉ基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22511884A JPS61104611A (ja) | 1984-10-27 | 1984-10-27 | ３−５化合物単結晶薄膜をそなえたＳｉ基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61104611A true JPS61104611A (ja) | 1986-05-22 |
Family
ID=16824246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22511884A Pending JPS61104611A (ja) | 1984-10-27 | 1984-10-27 | ３−５化合物単結晶薄膜をそなえたＳｉ基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61104611A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62115819A (ja) * | 1985-11-15 | 1987-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPH01184815A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-24 | Fujitsu Ltd | 半導体ウエハ及びその製造方法 |
| JPH01281719A (ja) * | 1988-05-07 | 1989-11-13 | Mitsubishi Electric Corp | 転位低減層 |
| JPH05129201A (ja) * | 1991-05-31 | 1993-05-25 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 多層材料及びその製造方法 |
| JP2001111039A (ja) * | 1994-07-25 | 2001-04-20 | Hitachi Ltd | 格子不整合系積層結晶構造およびそれを用いた半導体装置 |
| JP2019009248A (ja) * | 2017-06-23 | 2019-01-17 | 日本電信電話株式会社 | 半導体積層構造 |
-
1984
- 1984-10-27 JP JP22511884A patent/JPS61104611A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62115819A (ja) * | 1985-11-15 | 1987-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
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| JP2001111039A (ja) * | 1994-07-25 | 2001-04-20 | Hitachi Ltd | 格子不整合系積層結晶構造およびそれを用いた半導体装置 |
| JP2019009248A (ja) * | 2017-06-23 | 2019-01-17 | 日本電信電話株式会社 | 半導体積層構造 |
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