JPS61103400A - 超音波検出センサ - Google Patents
超音波検出センサInfo
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- JPS61103400A JPS61103400A JP60237157A JP23715785A JPS61103400A JP S61103400 A JPS61103400 A JP S61103400A JP 60237157 A JP60237157 A JP 60237157A JP 23715785 A JP23715785 A JP 23715785A JP S61103400 A JPS61103400 A JP S61103400A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、バッキングとして作用する板の上に取付けら
れている少なくとも1つの超音波変換器と、変換器を超
音波送信器或は超音波受信器として作動させるための電
子回路とを備え、液体中での検出に使用することのでき
る超音波検出センサに関する。
れている少なくとも1つの超音波変換器と、変換器を超
音波送信器或は超音波受信器として作動させるための電
子回路とを備え、液体中での検出に使用することのでき
る超音波検出センサに関する。
超音波により物体の間に存在する距離を検出することは
公知である。その際、通常、1つの超音波変換器が一方
の物体に取付けられており、またそれから距離をおいて
向き合っている他方の物体で反射されて受信された超音
波が評価される。送信変換器および受信変換器が互いに
分離してそれぞれ互いに向き合っている物体に取付けら
れていi)1 てもよいが、この場合に
は2つの分離した変換器を必要とする。一方または双方
の物体はたとえば液体表面のような超音波を反射する境
界面であってもよい。これは超音波による液体レベル検
出に利用される。その際、液体表面において液体内へも
しくは液体外へ反射された超音波が評価される。
公知である。その際、通常、1つの超音波変換器が一方
の物体に取付けられており、またそれから距離をおいて
向き合っている他方の物体で反射されて受信された超音
波が評価される。送信変換器および受信変換器が互いに
分離してそれぞれ互いに向き合っている物体に取付けら
れていi)1 てもよいが、この場合に
は2つの分離した変換器を必要とする。一方または双方
の物体はたとえば液体表面のような超音波を反射する境
界面であってもよい。これは超音波による液体レベル検
出に利用される。その際、液体表面において液体内へも
しくは液体外へ反射された超音波が評価される。
たとえばタンクレベル測定装置、特に自動車の燃料タン
ク用のレベル測定装置は公知である。このような装置に
は、たとえば燃料タンクの底に取付けられた超音波変換
器が用いられ、それから出射された超音波がタンク内の
燃料の表面で反射され、受信変換器(これは送信変換器
でもあってよい)に到達する。このような測定装置にお
ける評価の仕方も公知である。
ク用のレベル測定装置は公知である。このような装置に
は、たとえば燃料タンクの底に取付けられた超音波変換
器が用いられ、それから出射された超音波がタンク内の
燃料の表面で反射され、受信変換器(これは送信変換器
でもあってよい)に到達する。このような測定装置にお
ける評価の仕方も公知である。
たとえば自動本川のように大量な用途では、高性能であ
ると共に簡単かつ特に堅牢な構造を有ししかも廉価な変
換器を利用する必要がある。
ると共に簡単かつ特に堅牢な構造を有ししかも廉価な変
換器を利用する必要がある。
本発明の目的は、このような変換器を提供することであ
る。
1〔問題点を解決するための手段〕 この目的は、本発明によれば、特許請求の範囲第1項に
記載されている超音波センサにより達成される0本発明
の好ましい実施態様は特許請求の範囲第2項ないし第1
4項に示されている。
る。
1〔問題点を解決するための手段〕 この目的は、本発明によれば、特許請求の範囲第1項に
記載されている超音波センサにより達成される0本発明
の好ましい実施態様は特許請求の範囲第2項ないし第1
4項に示されている。
本発明によれば、合成樹脂材料により簡単な仕方で音響
インピーダンス整合を達成することによって、良好な音
響インピーダンス整合が可能な超音波変換器が得られる
。さらに、本発明によれば、集積製造法を可能にするだ
けでなく使用者における装置の組込みの費用をも節減し
得るコンパクトな構造を有する超音波変換器が得られる
。本発明では、硬い音響質量を“バッキングとして形成
する基板材料が用いられている0本来の超音波変換器は
圧電セラミックスから成る1つの層とその前側および後
側に被着された合成樹脂層とから成っている。この複合
変換器は1つの四分の一波長変換器(λ/4または(2
n+1) ・λ/4変換器)を形成する。この複合変
換器(以下単に変換器と呼ぶ)は一方の面で基板に取付
けられる。変換器の他方の面は、超音波伝搬媒体、特に
液体に境を接する超音波出射面である0本発明では、で
きるかぎり広範囲な音響インピーダンス整合が達成され
る。変換器における音響速度と密度との積の平均値が基
板材料の相応の積値と隣接液体の相応の積値との間の値
となるようにできるかぎり努力される。圧電セラミック
ス箔と合成樹脂または圧電ポリマー箔とから成る積層構
造により、変換器に対してこのような平均値が得られる
。
インピーダンス整合を達成することによって、良好な音
響インピーダンス整合が可能な超音波変換器が得られる
。さらに、本発明によれば、集積製造法を可能にするだ
けでなく使用者における装置の組込みの費用をも節減し
得るコンパクトな構造を有する超音波変換器が得られる
。本発明では、硬い音響質量を“バッキングとして形成
する基板材料が用いられている0本来の超音波変換器は
圧電セラミックスから成る1つの層とその前側および後
側に被着された合成樹脂層とから成っている。この複合
変換器は1つの四分の一波長変換器(λ/4または(2
n+1) ・λ/4変換器)を形成する。この複合変
換器(以下単に変換器と呼ぶ)は一方の面で基板に取付
けられる。変換器の他方の面は、超音波伝搬媒体、特に
液体に境を接する超音波出射面である0本発明では、で
きるかぎり広範囲な音響インピーダンス整合が達成され
る。変換器における音響速度と密度との積の平均値が基
板材料の相応の積値と隣接液体の相応の積値との間の値
となるようにできるかぎり努力される。圧電セラミック
ス箔と合成樹脂または圧電ポリマー箔とから成る積層構
造により、変換器に対してこのような平均値が得られる
。
上記のような基板の上に個々の超音波変換器が被着され
ていてよい、一方は送信変換器として、また地方は受信
変換器として使用される2つの変換器が被着されていて
よい、しかし、本発明は、機能的に分離されて1つの同
じ基板の上に被着されている複数個の変換器から成り、
それぞれ公知のパターンに従って送信変換器アレーとし
て励振される超音波アレー装置をも含んでいる。
ていてよい、一方は送信変換器として、また地方は受信
変換器として使用される2つの変換器が被着されていて
よい、しかし、本発明は、機能的に分離されて1つの同
じ基板の上に被着されている複数個の変換器から成り、
それぞれ公知のパターンに従って送信変換器アレーとし
て励振される超音波アレー装置をも含んでいる。
本発明では、包持的な措置として、基板の上に電子的評
価回路も配置されている。このような場合には、この装
置は供給電圧の供給端子だけでなく、直接に最終的指示
計(計器盤内のタンクレベル針)に導かれ得る信号出力
端子をも有する必要がある。基板上の電気的接続は好ま
しくは導電帯として構成されている。振動する変換器に
おける電極への短い接続が線により行われていることは
好ましい。好ましい基板材料は、厚膜回路で使用される
ような材料である。
価回路も配置されている。このような場合には、この装
置は供給電圧の供給端子だけでなく、直接に最終的指示
計(計器盤内のタンクレベル針)に導かれ得る信号出力
端子をも有する必要がある。基板上の電気的接続は好ま
しくは導電帯として構成されている。振動する変換器に
おける電極への短い接続が線により行われていることは
好ましい。好ましい基板材料は、厚膜回路で使用される
ような材料である。
電子回路としては例えばドイツ連邦共和国特許出願公開
第3003317号明細書に示されるような回路を用い
ることができる。
第3003317号明細書に示されるような回路を用い
ることができる。
以下、図面に示されている実施例により本発明を一層詳
細に説明する。
細に説明する。
第1図中で参照符号1を付されているのは変換器装置で
ある。たとえば焼結された酸化アルミニウムまたはセラ
ミックスから成る基板2の上にた4・))
とえば4つの超音波変換器3.3.1.3.2.3.
3が好ましくは直列に配置されている。個々−の変換器
3または変換器3ないし3.3を有するアレー装置の(
同相励振の際の)主出射方向は矢印4で示されている。
ある。たとえば焼結された酸化アルミニウムまたはセラ
ミックスから成る基板2の上にた4・))
とえば4つの超音波変換器3.3.1.3.2.3.
3が好ましくは直列に配置されている。個々−の変換器
3または変換器3ないし3.3を有するアレー装置の(
同相励振の際の)主出射方向は矢印4で示されている。
参照符号5を付されているのは、基板の上に配置されて
いる電子回路であり、これは導電帯5as厚膜構成要素
5bおよび場合によってはハイブリッド技術で追加的に
被着された構成要素5Cである。端子6.6aには供給
電圧Uが与えられる。
いる電子回路であり、これは導電帯5as厚膜構成要素
5bおよび場合によってはハイブリッド技術で追加的に
被着された構成要素5Cである。端子6.6aには供給
電圧Uが与えられる。
端子7は1極または2極の信号出力端である。電子回路
5は特に、変換器の送信励振も、変換器から取出された
受信信号の評価も行い得るように構成されている。
5は特に、変換器の送信励振も、変換器から取出された
受信信号の評価も行い得るように構成されている。
破線8はたとえばタンクレベルセンサとして使用すべき
超音波距離センサの第1図中で左側の境界を示している
。破線8により境されて第1図中の右側の部分は(送信
変換器としてまた受信変換器として使用すべき)一方の
超音波変換器3および電子回路5から成っている。この
超音波変換器3および電子回路5はハイブリッド構成と
して共通の基板2の上に位置している。参照符号9.1
0を付されているのは変換器3と電子回路5との間の接
続導線である。
超音波距離センサの第1図中で左側の境界を示している
。破線8により境されて第1図中の右側の部分は(送信
変換器としてまた受信変換器として使用すべき)一方の
超音波変換器3および電子回路5から成っている。この
超音波変換器3および電子回路5はハイブリッド構成と
して共通の基板2の上に位置している。参照符号9.1
0を付されているのは変換器3と電子回路5との間の接
続導線である。
変換器3.3.1・・・は基板2の一方の側の表面に、
また電子回路5は同一および(または)他方の側の表面
に配置されている。
また電子回路5は同一および(または)他方の側の表面
に配置されている。
第2図には、本発明で使用される変換器3の層構造が拡
大図で示されている。変換器3は圧電セラミックス基3
3とそれに隣接する箔31および32から成っており、
箔31および32は特に(炭素−および(または)ケイ
素−)ポリマー合成樹脂であってよい2よりも小さい密
度を有する材料から成っている0合成樹脂としてはたと
えばポリマーエチレン、エポキシド、PVDFなどが通
している。合成樹脂がセラミックスを側面でも包んでい
る(第3図、第6図、第7図)ことは好ましい。
大図で示されている。変換器3は圧電セラミックス基3
3とそれに隣接する箔31および32から成っており、
箔31および32は特に(炭素−および(または)ケイ
素−)ポリマー合成樹脂であってよい2よりも小さい密
度を有する材料から成っている0合成樹脂としてはたと
えばポリマーエチレン、エポキシド、PVDFなどが通
している。合成樹脂がセラミックスを側面でも包んでい
る(第3図、第6図、第7図)ことは好ましい。
表面上にセラミックス基33はそれ自体は公知の電極被
覆層35.36を有する。箔33から電気的に絶縁して
導き出されている変換器3の第1および第2のリード線
はそれぞれ参照符号37.38を付されている。これら
のリード線37および38は導体片9および10と、従
ってまた電子回路5と接続されている。
覆層35.36を有する。箔33から電気的に絶縁して
導き出されている変換器3の第1および第2のリード線
はそれぞれ参照符号37.38を付されている。これら
のリード線37および38は導体片9および10と、従
ってまた電子回路5と接続されている。
基板2は、変換器3.3.1・・・が設けられている個
所で電気的遮蔽および接着性改善の目的でたとえば焼付
けまたはスパッタリングにより金属から成る導電性の層
を被覆されていてよい。
所で電気的遮蔽および接着性改善の目的でたとえば焼付
けまたはスパッタリングにより金属から成る導電性の層
を被覆されていてよい。
第3図には、第1図中で破線8から右側の部分に相当す
るが、全面に保護外被41を有する1つのセンサ40の
側断面図が示されている。保護外被はたとえばワニス浸
せきまたは粉末浸せきにより被覆されている0図示され
ているように、変換器3の超音波を出射する表面は被覆
されていない。
るが、全面に保護外被41を有する1つのセンサ40の
側断面図が示されている。保護外被はたとえばワニス浸
せきまたは粉末浸せきにより被覆されている0図示され
ているように、変換器3の超音波を出射する表面は被覆
されていない。
変換器3のこの表面は箔320合成樹脂から成っている
。リード線6.6aおよび7は保護外被41を通して導
き出されている。第3図中の他の構成要素は同一の参照
符号を付されている第1図および第2図中の構成要素と
同一である。
。リード線6.6aおよび7は保護外被41を通して導
き出されている。第3図中の他の構成要素は同一の参照
符号を付されている第1図および第2図中の構成要素と
同一である。
第3図による装置は多面に使用可能であり、たとえば液
体を入れた容器のなかに浸せきして使用され得る。液体
は腐食性の液体であってもよいし、溶剤特性を有する液
体であってもよい。なぜならば、保護外被としてそのつ
ど適当な材料を公知の仕方で使用し得るからである。
体を入れた容器のなかに浸せきして使用され得る。液体
は腐食性の液体であってもよいし、溶剤特性を有する液
体であってもよい。なぜならば、保護外被としてそのつ
ど適当な材料を公知の仕方で使用し得るからである。
第4図には、本発明による装置に対する1つの変換器ア
レーの実施例の一部が断面図で示されている。この断面
図は、変換器アレー3.3.1.3゜2・・・が位置し
ている基板2の部分を示している。
レーの実施例の一部が断面図で示されている。この断面
図は、変換器アレー3.3.1.3゜2・・・が位置し
ている基板2の部分を示している。
参照符号31および32を付されているのは、たとえば
帯状の圧電セラミックス箔42を図示されているように
包む合成樹脂箔である。ここで変換器3.3.1.3.
2・・・は全変換器アレー300の集積された構成部分
である。参照符号35を付されているのは、変換器3、
変換器3.1、変換器3.21・)1.
などのそれぞれ1つの電極被覆層である。向かい合う
電極被覆層136は、変換器3.3. l、3.2・・
・を互いに1極で接続している通しの帯状の被覆層であ
ってよい。リード線37を介しての相応の励振により個
々の変換器3.3.1.3.2・・・がアレーの所与の
作動の仕方に相応して、たとえば同相または異なる位相
で超音波振動で励振され得る。
帯状の圧電セラミックス箔42を図示されているように
包む合成樹脂箔である。ここで変換器3.3.1.3.
2・・・は全変換器アレー300の集積された構成部分
である。参照符号35を付されているのは、変換器3、
変換器3.1、変換器3.21・)1.
などのそれぞれ1つの電極被覆層である。向かい合う
電極被覆層136は、変換器3.3. l、3.2・・
・を互いに1極で接続している通しの帯状の被覆層であ
ってよい。リード線37を介しての相応の励振により個
々の変換器3.3.1.3.2・・・がアレーの所与の
作動の仕方に相応して、たとえば同相または異なる位相
で超音波振動で励振され得る。
第5図には第4図の線v−■に沿って切断した面、すな
わち圧電セラミックス帯42の下面の高さの面が平面図
で示されている。圧電セラ(−7クス帯42への切込み
51により個々の変換器3.3.1.3.2・・・がそ
れらの超音波振動子としての機能に関して互いに減結合
されている。
わち圧電セラミックス帯42の下面の高さの面が平面図
で示されている。圧電セラ(−7クス帯42への切込み
51により個々の変換器3.3.1.3.2・・・がそ
れらの超音波振動子としての機能に関して互いに減結合
されている。
第6図には、1つの変換器3の圧電セラミックス箔33
の電極被覆層35および36の接続形成の実施例が示さ
れている。参照符号2を付されているのは、同じく基板
の相応の部分である。参照符号33を付されているのは
、電極被覆層35および36を有する圧電セラミックス
箔である。リード線37および38は、変換器3または
その合 1成樹脂箔31および32の側
面の金属化層137および138に導かれている細い線
である。参照符号9および10を付されているのは、同
じく変換器3の接続用として基板2の上に被着されてい
る導電帯である。参照符号109および110を付され
ているのは、それぞれ導電帯9と金属化層137との間
および導電帯10と金属化Fii138との間のはんだ
付けである。このようなはんだ付けは厚膜回路から、ま
たこのような金属化層は合成樹脂コンデンサから公知で
ある。
の電極被覆層35および36の接続形成の実施例が示さ
れている。参照符号2を付されているのは、同じく基板
の相応の部分である。参照符号33を付されているのは
、電極被覆層35および36を有する圧電セラミックス
箔である。リード線37および38は、変換器3または
その合 1成樹脂箔31および32の側
面の金属化層137および138に導かれている細い線
である。参照符号9および10を付されているのは、同
じく変換器3の接続用として基板2の上に被着されてい
る導電帯である。参照符号109および110を付され
ているのは、それぞれ導電帯9と金属化層137との間
および導電帯10と金属化Fii138との間のはんだ
付けである。このようなはんだ付けは厚膜回路から、ま
たこのような金属化層は合成樹脂コンデンサから公知で
ある。
第7図には、本発明で使用される多層構造の変換器10
3の実施例が断面図で示されている0図示されている実
施例は重ねられた圧電セラミックス箔33.33aおよ
び33bを有する。参照符号31および32を付されて
いるのは、同じく円外側合成樹脂箔である。圧電セラミ
ックス箔を互いに隔てる別の合成樹脂箔が参照符号31
aおよび31bを付して示されている。第7図には、第
2図に相応して設けられている圧電セラミックス箔の電
極液rjLNおよびそれらのリード線は図示されていな
い。第7図による多層構造の変換器の作動の仕方は第2
図による変換器のそれと原理的に同一である。たとえば
第4図および第5図に相当する1つのアレーが第7図に
よる多層構造の変換器として構成されていてもよい。
3の実施例が断面図で示されている0図示されている実
施例は重ねられた圧電セラミックス箔33.33aおよ
び33bを有する。参照符号31および32を付されて
いるのは、同じく円外側合成樹脂箔である。圧電セラミ
ックス箔を互いに隔てる別の合成樹脂箔が参照符号31
aおよび31bを付して示されている。第7図には、第
2図に相応して設けられている圧電セラミックス箔の電
極液rjLNおよびそれらのリード線は図示されていな
い。第7図による多層構造の変換器の作動の仕方は第2
図による変換器のそれと原理的に同一である。たとえば
第4図および第5図に相当する1つのアレーが第7図に
よる多層構造の変換器として構成されていてもよい。
圧電セラミックス箔33.33aおよび33bの厚みと
しては約0.5fiよりも小さい寸法が選定される0合
成樹脂箔の厚みは、使用されているセラミックス箔より
もそれぞれ10倍まで厚い同一オーダーの値の範囲内に
ある。
しては約0.5fiよりも小さい寸法が選定される0合
成樹脂箔の厚みは、使用されているセラミックス箔より
もそれぞれ10倍まで厚い同一オーダーの値の範囲内に
ある。
第8図には、タンク410内の液体レベルのセンサとし
ての本発明によるセンサの応用例が示されている。液体
表面420から反射されてセンサ40により再び受信さ
れる超音波の伝搬時間が液体レベルの尺度として用いら
れる。
ての本発明によるセンサの応用例が示されている。液体
表面420から反射されてセンサ40により再び受信さ
れる超音波の伝搬時間が液体レベルの尺度として用いら
れる。
第1図は変換器装置の斜視図、第2図は本発明で使用さ
れる変換器の層構造の拡大斜視図、第3図はセンサの側
断面図、第4図は変換器アレーの部分の側断面図、第5
図は第4図の線V−Vに沿って切断した平面図、第6図
は接続形成の実施例を示す断面図、第7図は変換器の多
層構造を示す断面図、第8図はタンク内の液体レベルセ
ンサとしての応用例を示す図である。 2・・・基板、3.3.1〜3.3・・・超音波変換器
、5.5a〜5c・・・厚膜電子回路、6.6a、7・
・・端子、31.31a、3 l b、 32・・・合
成樹脂箔、33.33a、33b、42・・・圧電セラ
ミックス、41・・・保護外被、103・・・超音波変
換器、109.110・・・はんだ、133・・・圧電
セラミックス箔、137.138・・・接続部。 IG 3 IG 4 IG 5
れる変換器の層構造の拡大斜視図、第3図はセンサの側
断面図、第4図は変換器アレーの部分の側断面図、第5
図は第4図の線V−Vに沿って切断した平面図、第6図
は接続形成の実施例を示す断面図、第7図は変換器の多
層構造を示す断面図、第8図はタンク内の液体レベルセ
ンサとしての応用例を示す図である。 2・・・基板、3.3.1〜3.3・・・超音波変換器
、5.5a〜5c・・・厚膜電子回路、6.6a、7・
・・端子、31.31a、3 l b、 32・・・合
成樹脂箔、33.33a、33b、42・・・圧電セラ
ミックス、41・・・保護外被、103・・・超音波変
換器、109.110・・・はんだ、133・・・圧電
セラミックス箔、137.138・・・接続部。 IG 3 IG 4 IG 5
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)バッキングとして作用する板の上に取付けられてい
る少なくとも1つの超音波変換器と、変換器を超音波送
信器および(または)超音波受信器として作動させるた
めの電子回路とを有する超音波検出センサにおいて、 板が厚膜回路用として使用すべき基板(2)であり、 基板(2)の上に電子回路が端子(6、6a、7)を有
する厚膜回路(5、5a、5b、5c)として構成され
ており、 超音波変換器(3、3.1、3.2・・・)が、圧電セ
ラミックスから成る少なくとも1つの箔(33、33a
、33b、42)と約2よりも小さい密度を有する合成
樹脂材料から成る少なくとも2つの箔(31、32、3
1a、31b)とから成る積層構造を有し、これらの合
成樹脂箔およびセラミックス箔が交互に積み重なってお
り、またこの箔パケットが外側にそれぞれ1つの合成樹
脂箔(31および32)を有し、変換器(3、3.1、
3.2・・・)の出射または受信面が一方の外側合成樹
脂箔(32)に属し、またこの変換器が他方の外側合成
樹脂箔(31)により基板(2)の上に取付けられてお
り、 この変換器に対してあてはまる変換器(3、3.1、3
.2・・・)の材料における音速−密度積の平均値が基
板(2)の材料における相応の積の値よりも小さく選定
されている ことを特徴とする超音波検出センサ。 2)少なくとも1つの超音波変換器(3、・・・)の積
層構造により、この変換器に対してあてはまる変換器(
3、・・・)の材料における音速−密度積の値が、一方
では基板材料に対して他方では超音波出射(4)が行わ
れる媒体に対してあてはまる相応の積の平均値に少なく
とも近似的に等しく選定されていることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載のセンサ。 3)少なくとも1つの超音波変換器(3、・・・)およ
び電子回路(5)が基板(2)の1つの同じ表面側の上
に被着されていることを特徴とする特許請求の範囲第1
項または第2項記載のセンサ。 4)少なくとも1つの超音波変換器(3、・・・)が基
板(2)の一方の表面側の上に、また電子回路(5)の
少くとも一部分が基板(2)の他方の表面側の上に被着
されていることを特徴とする特許請求の範囲第1項また
は第2項記載のセンサ。 5)電子回路がすべての送信および受信回路(5)を含
んでいることを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし
第4項のいずれか1項に記載のセンサ。 6)複数個の超音波変換器(3、3.1、3.2・・・
)が変換器アレーとして基板(2)の上に構成されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第5項
のいずれか1項に記載のセンサ。 7)少なくとも1つの超音波変換器(103)が合成樹
脂箔(31、31a、31b、32)を介して積み重ね
られた複数個の圧電セラミックス箔(33、33a、3
3b)を有する変換器であり、圧電セラミックス箔およ
び合成樹脂箔がそれぞれ外側に合成樹脂箔(31、32
)を有する1つの箔パックを形成していることを特徴と
する特許請求の範囲第1項ないし第6項のいずれか1項
に記載のセンサ。 8)合成樹脂箔(31、31a、31b、32)が圧電
セラミックス箔(33、33a、33b)の外縁を越え
て延びていることを特徴とする特許請求の範囲第1項な
いし第7項のいずれか1項に記載のセンサ。 9)基板(2)の上に位置する電子回路(5)、少なく
とも1つの超音波変換器(3、・・・)および基板(2
)が1つの保護外被(41)により包まれており、当該
変換器のそれぞれ外側の合成樹脂箔(32)の基板(2
)と反対側の表面は、超音波の送出および受信を妨げな
いように、保護外被により包まれておらず、また供給電
圧の供給および信号出力のための端子(6、6a、7)
が保護外被(41)を通して外に導き出されていること
を特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第8項のいず
れか1項に記載のセンサ。 10)圧電セラミックス箔(33、33a、33b)の
接続形成がそれぞれ隣接する合成樹脂箔(31、32、
31a、31b)の金属化により行われていることを特
徴とする特許請求の範囲第1項ないし第9項のいずれか
1項に記載のセンサ。 11)接続用の層(137、138)が変換器の側面に
設けられており、これらの層(137、138)が基板
表面上に設けられている導電帯(9、10)と厚膜回路
技術によりはんだ付け(109、110)されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第10項の
いずれか1項に記載のセンサ。 12)1つのアレーに対して少なくとも1つの圧電セラ
ミックス箔が少なくとも多数の変換器(3、・・・)に
対して一体であり、また当該の圧電セラミックス箔(1
33)の変換器に割り当てられる個々の部分の間に音響
的減結合のための切り込み(51)が設けられているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第11項の
いずれか1項に記載のセンサ。 13)箔(31、32、31a、31b)の合成樹脂材
料が主として炭化水素および(または)ケイ化水素から
成るポリマーの形式の材料であることを特徴とする特許
請求の範囲第1項ないし第12項のいずれか1項に記載
のセンサ。 14)液体中での超音波送出に用いられることを特徴と
することを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第1
3項のいずれか1項に記載のセンサ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3439168.1 | 1984-10-25 | ||
DE3439168 | 1984-10-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61103400A true JPS61103400A (ja) | 1986-05-21 |
JPH0511713B2 JPH0511713B2 (ja) | 1993-02-16 |
Family
ID=6248780
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60237157A Granted JPS61103400A (ja) | 1984-10-25 | 1985-10-23 | 超音波検出センサ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4656384A (ja) |
EP (1) | EP0182140B1 (ja) |
JP (1) | JPS61103400A (ja) |
DE (1) | DE3570325D1 (ja) |
Cited By (1)
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- 1985-10-23 EP EP85113466A patent/EP0182140B1/de not_active Expired
- 1985-10-23 DE DE8585113466T patent/DE3570325D1/de not_active Expired
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020137966A1 (ja) * | 2018-12-26 | 2020-07-02 | 京セラ株式会社 | 超音波デバイス |
JPWO2020137966A1 (ja) * | 2018-12-26 | 2021-11-11 | 京セラ株式会社 | 超音波デバイス |
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Publication number | Publication date |
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EP0182140A1 (de) | 1986-05-28 |
DE3570325D1 (en) | 1989-06-22 |
US4656384A (en) | 1987-04-07 |
EP0182140B1 (de) | 1989-05-17 |
JPH0511713B2 (ja) | 1993-02-16 |
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