JP3530580B2 - 超音波探触子の製造方法 - Google Patents

超音波探触子の製造方法

Info

Publication number
JP3530580B2
JP3530580B2 JP12688594A JP12688594A JP3530580B2 JP 3530580 B2 JP3530580 B2 JP 3530580B2 JP 12688594 A JP12688594 A JP 12688594A JP 12688594 A JP12688594 A JP 12688594A JP 3530580 B2 JP3530580 B2 JP 3530580B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
piezoelectric element
laminate
ultrasonic probe
ultrasonic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP12688594A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH07312799A (ja
Inventor
勝裕 若林
之彦 沢田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Olympus Corp filed Critical Olympus Corp
Priority to JP12688594A priority Critical patent/JP3530580B2/ja
Publication of JPH07312799A publication Critical patent/JPH07312799A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3530580B2 publication Critical patent/JP3530580B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
  • Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
  • Endoscopes (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は、医療用超音波内視鏡な
どに用いられる超音波探触子に係わり、より詳しくは超
音波探触子の圧電素子の製造方法に関する。 【0002】 【従来の技術】近年、超音波探触子は非破壊検査装置や
医療用の超音波診断装置として急速な需要の伸びをみせ
ている。超音波内視鏡の探触子は、超音波トランスデュ
ーサから高周波の音響振動(超音波)を生体中に放射
し、反射して戻ってきた超音波を超音波トランスデュー
サで受信し、僅かな界面特性の違いによって異なる情報
を処理することで、生体内部の断面像を得ている。 【0003】超音波トランスデューサの振動子は、大別
すると圧電素子、音響整合層、および背面負荷材から構
成されている。前記超音波トランスデューサは、上記圧
電素子表面に形成された電極に高周波の電圧パルスを印
加し、圧電素子を共振させて急速に変形を起こし、超音
波パルスを発生させるものである。 【0004】しかるに、例えば血管用超音波探触子のよ
うに、高周波化、小型化が必要なものでは、圧電素子の
形状は小さくなり、厚さも非常に薄いものとなる。それ
故結線方法いわゆる電極の取り方が非常に困難になって
きた。 【0005】圧電素子の表面電極は、一般的に銀ペース
トを焼付けて作製するが、高周波化、高精度化が要求さ
れ、金、銀、ニッケルなどの金属や、その合金の蒸着、
スパッタリングにより、電極を形成することが多い。超
音波探触子用の圧電素子の電極には、耐水性、耐薬性樹
脂への密着性などが必要であるため、厚さが厚くでき、
音響的にも影響を与えず、なおかつ圧電特性も低下させ
ないという電極構造が求められているが、残念ながら見
つかっていない。 【0006】従来、電極を厚くした超音波探触子の例と
して、特開平3−173547号公報所載の技術が開示
されている。 【0007】この技術を図22〜図23によって説明す
る。図23に示す筒状の非導通性ケース101と、この
非導通性ケース101の一方の端部に嵌め込み固定した
セラミック板102と、非導通性ケース101内の該ケ
ースの開口端部側へセラミック板102に密接させて充
填した導通性のバッキング材103と、非導通性ケース
101及びセラミック板102に亘る外面に形成した薄
膜状電極104とにより超音波振動子100の構造を得
ている。そして、セラミック板102に電圧を印加して
分極させて圧電効果を持たせた。さらに必要に応じて音
響整合層105を薄膜状電極104上に設けた。 【0008】また、この超音波振動子を駆動するため、
非導通性ケース101の外面に形成した薄膜状電極10
4からリード線106を延出し、また導通性のバッキン
グ材103からリード線107を延出した。 【0009】このように、筒状の非導通性ケース101
により筐体構造を得て、セラミック板102の一方の平
面に導通性のバッキング材103を充填し、且つその他
方の平面に薄膜状電極104を形成しているから、導通
性のバッキング材103を正電極とし、薄膜状電極10
4を負電極とした超音波振動子を得ている。 【0010】一方、側面電極に重ね塗りして補強する従
来例として、特開平5−13542号公報所載の技術が
開示されている。 【0011】この技術を図24によって説明する。超音
波振動子201には、電圧を印加するための二つの銀電
極201a,201bが固着されている。また、これら
の電極は、超音波振動子の一方の面でFPC202a,
202bに、それぞれ、はんだ207a,207bで接
続され、外部に引出される。このため、FPC側の電極
201aはそのままFPC202aに接続されるが、他
の電極201bは超音波振動子の脇を通って、反対側に
折り返されてFPC202bと接続される。従って、電
極の厚さが薄くなる折り返しのコーナ部205a,20
5bを含む範囲に銀電極201cを重ね塗りし補強をし
ている。また、反対側のコーナ部では、FPCとの接続
面積を増加させる目的で、銀電極201aを超音波振動
子の側面まで固着し、さらに、反対側の補強された電極
201c部との高さのバランスを保つために、同様の補
強201dを施している。この後、超音波振動子の微細
な切断加工を行いアレイ状にする。 【0012】このように、電極の折り返しコーナ部の銀
電極を重ね塗りしたことにより、超音波振動子への銀電
極の密着度が強くなり、折り返しコーナ部が剥離や断線
することなくアレイ状の探触子を製造できる。 【0013】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来技術にはそれぞれ次のような課題がある。前述のよう
に、特開平3−173547号公報(従来技術1)に示
された超音波探触子は導電性のバッキング材103がセ
ラミック板102の片側の電極を兼ねている構成であ
る。一般に、超音波内視鏡等では、超音波を効率よく放
射するため、その超音波探触子は媒体中に浸漬した状態
で使用する。この媒体は時間とともに、樹脂を膨潤させ
る性質がある。それ故、従来技術1の超音波探触子を媒
体中に浸漬して使用した場合は、電極を兼ねたバッキン
グ材103の樹脂中にフィラーとして混入してある導電
性物質どうしの接触を断つこととなる。そのため、初期
には抵抗値が上がることに起因する感度の低下が起こ
り、最後には導通が取れずに画像がでなくなるという問
題点がある。 【0014】また、超音波振動子100は非導通性ケー
ス101が筒状をなし、筒の中に他の部材を積層するた
め、1個づつ製造せざるをえない。そのため生産性が悪
く、製造コストが高くなるという問題点がある。 【0015】つぎに、特開平5−13542号公報(従
来技術2)に示された超音波探触子は、銀電極201
a,201bを超音波振動子201の側面に延長して側
面電極を形成している。こうした構成のため、側面電極
周辺部では、分極軸の方向が90度回転した横方向(長
手方向)に近づき、不要なモードの振動が起こりやすく
なる。そして、実際に超音波を送受するのに有効な対向
する位置に、正負の電極がある部分の割合が減少する。
小型化が要求され、圧電素子の体積自体が規制されてい
る血管用超音波探触子などでは、実際に駆動する部分の
減少は大きく感度に影響し、画像精度の劣化につなが
る。また、高周波化とともに、圧電素子の厚さは薄くな
り、側面部に電極を形成すること自体が非常に困難にな
っている。従来技術2の超音波探触子には、以上のよう
な問題点がある。 【0016】本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなさ
れたもので、圧電素子を含む積層体を形成し、裁断し
て、多数の小型トランスデューサユニットを同時に製造
することにより、量産効果を高め、製造コストの安価な
超音波探触子の製造方法を提供することである。 【0017】 【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、予め厚み方向に分極され主平面の表裏に表面電極を
有する圧電素子と、少なくとも1つの音響整合層もしく
は音響レンズと、背面負荷材と、絶縁性基板とを重合し
て積層体を形成し、積層体の側面を裁断した後、前記積
層体の表面電極の側面に切込みを入れて電極を露出さ
せ、該電極の露出部より電気的導通手段を付設すること
を特徴とする。 【0018】 【作用】本発明の請求項1に係る発明の作用は、音響整
合層、圧電素子、および背面負荷材を積層後に、裁断す
るので量産が容易であるとともに、裁断後、電極の露出
部に切込みを入れるため、圧電素子が割れにくく歩留り
が良い。 【0019】 【実施例1】図1〜図6は第1実施例を示し、図1はト
ランスデューサユニットの斜視図、図2は積層体の斜視
図、図3〜図5は積層体の製造工程を示す正面断面図、
図6は超音波探触子の正面断面図である。 【0020】まず、本実施例の要部たるトランスデュー
サユニット20の構成について、説明する。図1におい
て、3は圧電素子を示し、板状の圧電セラミックス1の
主平面の表裏に、表面電極たるGND電極4とプラス電
極5を付設して形成されている。圧電素子6のGND電
極4の側には、音響整合層6が重合され、プラス電極5
の側には導電性の材料からなる背面負荷材7および非導
電性のアルミナ基板10が重合されて、積層体が形成さ
れている。この積層体には、音響整合層6の表面以外の
面は、絶縁層8により被覆されている。さらに、圧電素
子3の表面電極たるGND電極4とプラス電極5の部分
には、絶縁層8を切除して表面電極が露出するように、
鋭角の切込み2がそれぞれ設けられている。また、積層
体の絶縁層8の上には、切込み2の表面電極の露出部と
導通するように、GND導電薄膜21とプラス導電薄膜
22が付設されている。 【0021】トランスデューサユニット20は、後に図
6を用いて製造方法の中で詳述するように、超音波探触
子17のハウジング14に固着され、同軸ケーブル27
と電気的に導通されている。 【0022】つぎに、超音波探触子17の製造方法のう
ち、図2を用いてまず圧電素子3から説明する。厚さ
0.11mmで共振周波数20MHzのチタン酸鉛(P
T)系(自発分極が消失する温度は320℃程度)の材
料からなる長方形の圧電セラミックス1をラップ仕上げ
により作製する。つぎに圧電セラミックス1の主平面の
表裏に銀ペーストをスクリーン印刷により塗布し、乾燥
後、焼付けをする。これにより表面電極が形成された圧
電セラミックス1を80℃のシリコンオイルのなかで分
極し、GND電極4とプラス電極5とを形成し圧電素子
3ができる。 【0023】この圧電素子3のGND電極4上に約35
μmのエポキシ樹脂性の音響整合層6を付設する。さら
に、プラス電極5上には、平均粒径10μmと50μm
のタングステンフィラー入りのエポキシ樹脂からなる厚
さ300μmの背面負荷材7を接着により重合し、さら
にその上に500μmのアルミナ基板10を接着して積
層体31を形成する。 【0024】ついで、図2に示す切断位置19の位置
で、精密裁断機を用いて幅L=0.66mmに裁断し、
図3に示す積層体31Aとする。この積層体31のアル
ミナ基板10の片側の角を研磨して、面取り10Aを設
ける。そして、音響整合層6の表面には、ポリイミド製
テープでマスキングした後、パリレンにて絶縁コーティ
ングし、音響整合層6の表面以外の部分に絶縁層8を形
成し、図4に示す積層体31Bとする。 【0025】つぎに、積層体31Bの圧電素子3のGN
D電極4とプラス電極5の裁断面に、図5に示すような
鋭角の切込み2を入れる。この切込み2は、先端を尖ら
せた形状(鋭角)のブレードを用いて、精密裁断機によ
り加工する。その後、洗浄を行い、音響整合層6の表面
とアルミナ基板10の一部に、ポリイミド製テープをマ
スキングテープ26として貼付する。こうして得た図5
に示す積層体31Cに、GND導電薄膜21およびプラ
ス導電薄膜22として、クロムを約10nm、さらにその
上に、銀を約1μm、真空蒸着法により全体に形成す
る。なお、真空蒸着は積層体31Cの温度が130℃を
越えないように調整して行う。蒸着により、GND導電
薄膜21およびプラス導電薄膜22を形成した積層体か
ら、マスキングテープ26を剥がし、再び精密裁断機を
用いて、図1に示す裁断位置19の位置で、幅W=0.
61mmに裁断してトランスデューサユニット20とな
る。 【0026】つぎに、図6を用いて、トランスデューサ
ユニット20を超音波探触子17に実装する段階につい
て説明する。厚さ0.1mmの金属板の先端を約45度
に曲げてミラー16を付設したハウジング14に、同軸
ケーブル27の周線12を、半田18により半田付けす
る。また、ハウジング14と、トランスデューサユニッ
ト20のGND導電薄膜21のアルミナ基板10の部分
とを低融点の半田18にて結線し、固着する。なお、ハ
ウジング14は耐蝕性のあるステンレス鋼に、半田付け
する部分のみ、無電解ニッケルメッキを施している。 【0027】ついで、アルミナ基板10部分のプラス導
電薄膜22(面取り側)と同軸ケーブル27の芯線11
とを、低融点の半田18にて結線する。つぎに、フレキ
シブルシャフト13に同軸ケーブル27を通し、図示し
ないパルスレーザにてフレキシブルシャフト13と、ト
ランスデューサユニット20を固着したハウジング14
とを溶接する。そして、補強と絶縁のために、音響放射
面たる音響整合層6の表面以外のトランスデューサユニ
ット20部分を覆うように、エポキシ樹脂23にて封止
を行う。最後に、ポリエチレン製のシース25と呼ぶチ
ューブにハウジング14を、超音波媒体28とともに差
込んで、図6に示すシース直径φ1.5mmのミラータ
イプの超音波探触子17が完成する。 【0028】ここで、上述した超音波探触子17の作用
について説明する。超音波探触子17は、送信時には、
図示しないパルサーより電圧パルスを出力し、その電圧
パルスが、プラス側は同軸ケーブル27の芯線11から
プラス導電薄膜22を介して、圧電素子3のプラス電極
5に伝わり、GND側は周線12からハウジング14お
よびGND導電薄膜21を介して圧電素子3のGND電
極4に伝わる。電圧パルスを受けた圧電素子3は変形し
て超音波を発信し、音響整合層6を介して、金属板を曲
げて作製したミラー16の方向に放射する。 【0029】放射された超音波は、シース25内の音響
媒体に伝搬してミラー16に当たり、90度曲がってシ
ース25を透過して被観測物へ放射される。被観測物に
当たり反射した超音波(エコー波)は再びシース25を
透過し、ミラー16に反射してトランスデューサユニッ
ト20に戻る。このエコー波がトランスデューサユニッ
ト20の圧電素子3に当たった際、機械的な圧力を受け
た圧電素子は電圧を発生し、この電圧をGND電極4,
プラス電極5からGND導電薄膜21,プラス導電薄膜
22、同軸ケーブル27を経て、図示しない観測装置に
伝わり、画像処理された画像が観測される。 【0030】つぎに、圧電素子3の表面電極部を露出す
るように入れた切込み2の作用を説明する。鋭角の切込
み2は、電極の厚み方向に対して所定の角度をなしてい
るので、後に蒸着される導電薄膜と導通される露出した
幅は電極の厚さより広く形成される。従って表面電極と
導電薄膜との接続部の抵抗が小さくなり、高い電圧パル
スにも耐えることとなる。 【0031】本実施例の効果について記述する。まず従
来技術2の側面電極付き超音波振動子201を実装した
超音波探触子では、前述のように側面電極の影響で分極
軸が傾く部分があって、有効な対向する位置に正負の電
極のある部分の割合が減少している。これに比べると、
本実施例の圧電素子3では分極後に積層体の側面に導電
薄膜が形成されるので、分極軸への影響はなく、GND
電極4とプラス電極5の対向する面積全面にわたり分極
軸は厚み方向に揃ったままでいる。従って、同レベルの
感度を得るには小さな形状でよく、製品の小型化に対す
る要求に応ずることができる。 【0032】また、上述のように、表面電極と導電薄膜
は積層体の切込み2の部分で抵抗が小さく結線されてい
るので、接続の信頼性が向上する。さらに、圧電素子3
に音響整合層6を積層後に裁断するため、所望な厚みで
均一の厚みの、圧電素子3と同面積の音響整合層が得ら
れる。それゆえ、高い感度が得られるとともに、超音波
ビームの歪みのない超音波探触子が作製できる。また、
同軸ケーブル27との結線は、トランスデューサユニッ
ト20の後部で半田付けにより行うため、圧電素子3の
割合が大きくとれ、感度向上の要因となるとともに、導
電性樹脂を使用しないため、寿命が長く、信頼性の高い
超音波探触子17が得られる。 【0033】更に、従来技術1では、円板状セラミック
スを用いて1個づつ製造しているが、本実施例の製造方
法によれば、多数個分の積層体を形成し、裁断により小
型化するので、1mm以下のトランスデューサユニット
20を容易に、数十〜数百個のものでも製造することが
できる。それゆえ、量産効果により、非常に安価な超音
波探触子が得られる。また圧電素子3の表面電極への切
込み2は、音響整合層6、背面負荷材7を積層後に入れ
るので、この手順により、重合する接着剤などの表面電
極へのはみ出しを問題視せずともよい。 【0034】本実施例の変形例について記述する。本実
施例では、音響整合層6は一層のものを用いたが、複数
層でもよい。また、超音波の収束機能を有する凹型もし
くは凸型の音響レンズを設け、ミラー部から観測部位ま
での距離に焦点を合わせると、方位分解能が高まり画像
精度が上昇する。 【0035】さらに、本実施例では、圧電素子3のGN
D電極4,プラス電極5として、銀の焼付け電極を用い
たが、金、銅、ニッケルおよびこれらを含む合金など、
導電性のあるものならばよい。また、GND導電薄膜2
1,プラス導電薄膜22には、クロムと下地銀を真空蒸
着法により形成したが、導電性のある他の材料に替える
ことができ、密着力の点では、白金、銀、タングステ
ン、銅、アルミニュームおよびこれらを含む合金がよ
い。形成方法は、樹脂の劣化する温度以下で成膜可能な
ものならばよく、具体的にはイオンプレーティング法、
スパッタリング法またはメッキ法などがある。 【0036】また、本実施例では背面負荷材7の後方に
アルミナ基板10を積層した構成とし、半田付けの際に
熱による樹脂部分の劣化をなくすようにしているが、基
板材料としては、アルミナ以外に熱に強く、導電薄膜の
付きやすいものならよく、例えば、マシナブルセラミッ
クスなどでも同様な効果が得られる。 【0037】 【実施例2】図7〜図12は第2実施例を示し、図7は
トランスデューサユニットの正面図、図8は圧電素子の
斜視図、図9は積層体の正面図、図10は積層体の一製
造工程を示す正面図、図11はトランスデューサユニッ
トの変形例を示す正面図、図12は積層体の変形例を示
す正面図である。 【0038】本実施例の基本的な構成は、前記第1実施
例と同様であり、同一の構成には同一符号を付すととも
に、相違点についてのみ説明する。 【0039】まず、本実施例のトランスデューサユニッ
ト20Aの構成について説明する。図7において、3A
は圧電素子を示し、板状の圧電セラミックス1の主平面
の表裏に、GND電極4Aとプラス電極5Aとが付設さ
れているが、電極は互いに点対称の位置にて、所定の幅
で帯状に形成されている。音響整合層6Aと背面負荷材
30は、電極が欠けた部分で、直接圧電セラミックス1
と接している。また、背面負荷材30は絶縁性材料から
なり、絶縁層はなく、GND導電薄膜21とプラス導電
薄膜22とは、直接積層体の上に形成されている。その
他の構成は、第1実施例と同じである。 【0040】つぎに、トランスデューサユニット20A
の製造方法について説明する。図8に示すように、圧電
素子3Aの表面電極は、圧電セラミックス1の主平面の
表裏でずれた位置に帯状に形成する。圧電セラミックス
1は、厚さ0.11mmで共振周波数20MHzのジルコ
ン酸チタン鉛(PZT)系(自発分極が消失する温度は
270℃程度)を用い、電極幅は1.4mm、電極間は
0.1mm、表裏の電極は半分のピッチでずれている。
電極形成後、分極を行い、マイナス側をGND電極4
A、プラス側をプラス電極5Aとするのは前記第1実施
例と同じである。 【0041】ついで、図9に示すように、前記第1実施
例と同様な方法で、音響整合層6A、圧電素子3A、絶
縁性材料からなる背面負荷材30、およびアルミナ基板
10の積層体32を形成する。なお、背面負荷材30の
材料は、エポキシ樹脂にホウ化タングステン粉をフィラ
ーとして混入したものを使用する。それから、積層体3
2は、厚さ0.05mmのブレードにて精密裁断機を用
いて、裁断位置19で幅L=0.7mmに裁断する。 【0042】裁断された積層体32Aは、図10に示す
ように、裁断面の表面電極が露出している部分に鋭角の
ブレードにて、切込み2を入れる。つぎに、図10の波
形で示す範囲に水溶性樹脂29を塗布し、120℃以下
の温度で、スパッタリングによりクロムを下地としたチ
タン製の導電薄膜を形成し、GND電極4A側をGND
導電薄膜21、プラス電極5A側をプラス導電薄膜22
(面取り側)とする。そして、水溶性樹脂29を十分な
水洗により洗浄し、前記第1実施例と同様、幅方向に
0.7mmに裁断し、図7に示すトランスデューサユニ
ット20Aを得る。 【0043】このトランスデューサユニット20Aを前
記第1実施例と同様に、ハウジング14に固着し、同軸
ケーブル27と結線するとともに、フレキシブルシャフ
ト13と結合し、エポキシ樹脂23にて封止し、超音波
探触子17Aが完成する。 【0044】本実施例の作用は基本的に前記第1実施例
と同一なので、特有なもののみ説明する。本実施例特有
の作用は、背面負荷材に絶縁性材料を用い、表面電極は
互いに一方の裁断面のみに露出するように構成したの
で、第1実施例の絶縁層8に該当するものが不要となる
ことである。 【0045】本実施例の効果も基本的に前記第1実施例
と同一なので、特有なもののみ説明する。本実施例特有
の効果は、上述のように、絶縁層が不要な構成なので、
製造工程が簡略になり、製造コストが低くなることであ
る。 【0046】本実施例の変形例のトランスデューサユニ
ット20Bについて説明する。図11に示すように、絶
縁性の背面負荷材30に替えて、導電性の背面負荷材7
Aと絶縁性の背面負荷材30Aとからなる複合背面負荷
材を用いる。導電性の背面負荷材7Aは、減衰率の高い
タングステン、磁力を有するバリウムフェライトもしく
はサマリウムコバルトなどを軟質のエポキシ樹脂に混入
し、磁気ダンパーとしたもので、プラス電極5のほぼ全
面に接するように配置する。また絶縁性の背面負荷材3
0Aは圧電素子3Aの圧電セラミックス1に直接接する
ように配置する。また、鋭角の切込み2に替えて、先端
が円弧状の切込み2Aを設けている。 【0047】このトランスデューサユニット20Bの製
造方法は、図12に示すように、積層体32Bを形成し
て行い、第2実施例と同様に後工程を進行する。積層体
32Aは、導電性の背面負荷材7Aと、絶縁性の背面負
荷材30Aとを、圧電素子の表面電極の位置に合わせ
て、交互に配置する。裁断は、一方が圧電素子3Aの表
面電極を避ける位置で行い、幅Lは表面電極のピッチの
1/2に相当する。また、アルミナ基板10のプラス導
電薄膜22の側の角はR面取り9Aが施されている。 【0048】この変形例では、背面負荷材に導電性のも
のを一部に用いるため、減衰効率が高く、短パルスにな
るので、画像精度のよい超音波探触子を得ることができ
る。また、表面電極への切込み2Aは、ブレード先端断
面を円弧状のものにすることで、表面積が増加し、断線
がなく、結線の信頼性を向上させることができる。 【0049】 【実施例3】図13〜図21は第3実施例を示し、図1
3はトランスデューサユニットの斜視図、図14〜図1
8は積層体の製造工程を示す正面図、図19は同軸ケー
ブルを結合したトランスデューサユニットの正面図、図
20は超音波探触子の正面断面図、図21は超音波探触
子の正面図である。 【0050】本実施例の基本的な構成は、前記第1実施
例および第2実施例と同様であり、同一の構成には同一
符号を付すとともに、相違点についてのみ説明する。 【0051】まず、本実施例のトランスデューサユニッ
ト20Cの構成について説明する。図13において、3
Bは圧電素子を示し、板状の圧電セラミックス1の主平
面の表裏に、GND電極4とプラス電極5Aとが付設さ
れているが、プラス電極5Aのみ、所定の幅で帯状に形
成され、GND電極4は圧電セラミックス1の表面全体
に形成されている。背面負荷材30Bは、電極が欠けた
部分で、直接圧電セラミックス1と接している。また、
背面負荷材30Bは絶縁性材料からなり、圧電セラミッ
クス1と反対側の面の中央に、両面に銅箔を擁したガラ
エポ基板24を装着している。さらに、鋭角の切込み2
は、GND電極4の側面にのみに設けられて、GND導
電薄膜21と接続しており、プラス電極5の側面側は、
裁断面をそのまま使用して、プラス導電薄膜22と接続
している。さらに、両導電薄膜21,22は、ガラエポ
基板24の両面に擁された銅箔と接続するように、積層
体の側面に付設されている。 【0052】つぎに、本実施例のトランスデューサユニ
ット20Cの製造方法について説明する。まず、図14
に示すように、圧電素子3Bは圧電セラミックス1の一
方の主平面は全面に、他方の主平面は複数の帯状に表面
電極を形成する。方法はそれぞれ、第1、第2実施例と
同じである。分極は全面電極側がGND電極4、帯状電
極側がプラス電極5Aとなるように行う。また、背面負
荷材30Bは、ジルコニア粉をフィラーとした耐熱性の
高いエポキシ樹脂で、厚さ0.7mmに成形する。つぎ
に、音響整合層6、圧電素子3B、背面負荷材30Bを
接着により重合し、積層体33を得る。 【0053】ついで、図15に示すように、この積層体
33の裁断予定位置19の中央に、幅0.24mm、深
さ0.4mmの溝34を精密裁断機により形成する。そ
して、図15に示す裁断位置19にて裁断し、図16に
示す幅0.62mmの積層体33Aを得る。ついで、G
ND電極4の部分に鋭角の切込み2を入れ、背面負荷材
30Bの角にR面取り9Aを施し、図17に示す積層体
33Bを得る。つぎに、溝34に、両面に銅箔を擁した
厚さ0.2mm、幅0.8mmに裁断したガラエポ基板
24を差込み、エポキシ樹脂23にて固着する。 【0054】つぎに、音響整合層6の表面と、切込み2
を入れていないGND電極4の側面部と、ガラエポ基板
24の先端部とを水溶性樹脂29にてマスキングし、図
18に示す積層体33Cを得る。そして、スパッタリン
グにより、クロムを下地にして、銀のGND導電薄膜2
1,プラス導電薄膜22を形成する。それから、水溶性
樹脂29を除去し、図13にしめす裁断位置19にて裁
断し、幅0.7mmのトランスデューサユニット20C
ができあがる。 【0055】このトランスデューサユニット20Cのガ
ラエポ基板24の銅箔のうち、GND導電薄膜21側に
は周線12を、プラス導電薄膜22側には芯線11を半
田18により半田付けし、同軸ケーブル27と結線した
ものが図19に示すものである。 【0056】このトランスデューサユニット20Cを図
20〜図21に示すパイプを加工したハウジング15A
にエポキシ樹脂23を介して装着し、超音波探触子17
Bを完成した。なお、ハウジング15Aはフレキシブル
シャフト13とレーザ溶接により連結され、先端には金
属鏡のミラー16Aを埋設している。超音波を反射させ
て、放射する側面には、窓35が穿設されている。 【0057】本実施例の超音波探触子17Bの作用につ
いて説明する。同軸ケーブル27から伝わる電圧パルス
はガラエポ基板24を通し、GND導電薄膜21,プラ
ス導電薄膜22を経て、圧電素子3BのGND電極4,
プラス電極5へ伝わり、圧電素子3Bに電圧が印加さ
れ、超音波を発生する。放射された超音波は、ハウジン
グ15Aの中を反射しながら伝わり、ミラー16Aに反
射し、垂直に方向を変えて出射される。被検体に当たっ
てはねかえってきたエコー波は、再びミラー16Aで反
射し、トランスデューサユニット20Cに圧力を加え、
圧電素子3Bにおいて機械的振動が電圧に変換され、画
像処理装置により画像化される。 【0058】本実施例の効果は、基本的な点は前記第1
実施例と同一である。しかし、本実施例の特徴はトラン
スデューサユニット20Cの構成にあるが、前記第1お
よび第2実施例のアルミナ基板10に替えて、ガラエポ
基板24を採用した点にある。前記2つの実施例では、
GND電極4,4Aはハウジング16を介して同軸ケー
ブル27の周線12と接続しなければならず、設計上の
自由度が制限される。しかし本実施例では、ガラエポ基
板24の両面の銅箔を選んで、同軸ケーブルと接続すれ
ばよいので、設計上の多様な要求に応ずることができ
る。また、ガラエポ基板24は、背面負荷材30Bより
突出しているので、半田付けが容易となり、結線の信頼
性が向上する。 【0059】また、本実施例では、ハウジング15にパ
イプ状のものを使用するため、伝達ロスが少なく、感度
のよいミラータイプの超音波探触子17Bを得ることが
できる。 【0060】 【発明の効果】本発明によれば、圧電素子を含む積層体
を形成し、裁断して多数の小型トランスデューサユニッ
トを同時に製造することにより、量産効果を高め、製造
コストの安価な超音波探触子の製造方法を提供できる。
又、表面電極部へ切込みを入れて、露出する電極の幅を
広くするので、抵抗が小さくなり高い電圧パルスに耐え
ることができる。
【図面の簡単な説明】 【図1】実施例1のトランスデューサユニットを示す斜
視図である。 【図2】実施例1の積層体を示す斜視図である。 【図3】実施例1の積層体の製造工程を示す正面断面図
である。 【図4】実施例1の積層体の製造工程を示す正面断面図
である。 【図5】実施例1の積層体の製造工程を示す正面断面図
である。 【図6】実施例1のトランスデューサユニットを示す斜
視図である 【図7】実施例2のトランスデューサユニットを示す正
面図である 【図8】実施例2の圧電素子を示す斜視図である。 【図9】実施例2の積層体を示す正面図である。 【図10】実施例2の積層体の一製造工程を示す正面図
である。 【図11】実施例2のトランスデューサユニットの変形
例を示す正面図である。 【図12】実施例2の積層体の変形例を示す正面図であ
る。 【図13】実施例3のトランスデューサユニットを示す
斜視図である 【図14】実施例3の積層体の製造工程を示す正面図で
ある。 【図15】実施例3の積層体の製造工程を示す正面図で
ある。 【図16】実施例3の積層体の製造工程を示す正面図で
ある。 【図17】実施例3の積層体の製造工程を示す正面図で
ある。 【図18】実施例3の積層体の製造工程を示す正面図で
ある。 【図19】実施例3のトランスデューサユニットを示す
正面図である。 【図20】実施例3の超音波探触子の正面断面図であ
る。 【図21】実施例3の超音波探触子の正面図である。 【図22】従来技術1の超音波探触子を示す正面断面図
である。 【図23】従来技術1の超音波探触子を示す斜視図であ
る。 【図24】従来技術2の超音波探触子を示す正面断面図
である。 【符号の説明】 1 圧電セラミックス 2 切込み 3 圧電素子 4 GND電極 5 プラス電極 6 音響整合層 7 背面負荷材(導電性) 8 絶縁層 9 面取り 10 アルミナ基板 11 芯線 12 周線 13 フレキシブルシャフト 14 ハウジング(板状) 15 ハウジング(パイプ) 16 ミラー 17 超音波探触子 18 半田 19 裁断位置 20 トランスデューサユニット 21 GND導電薄膜 22 プラス導電薄膜 23 エポキシ樹脂 24 ガラエポ基板 25 シース 26 マスキングテープ 27 同軸ケーブル 28 超音波媒体 29 水溶性樹脂 30 背面負荷材(絶縁性) 31 積層体 32 積層体 33 積層体 34 溝 35 窓
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H04R 17/00 330 A61B 1/00 300 A61B 8/00 G01N 29/24 H01L 41/09

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 予め厚み方向に分極され主平面の表裏に
    表面電極を有する圧電素子と、少なくとも1つの音響整
    合層もしくは音響レンズと、背面負荷材と、絶縁性基板
    とを重合して積層体を形成し、積層体の側面を裁断した
    後、前記積層体の表面電極の側面に切込みを入れて電極
    を露出させ、該電極の露出部より電気的導通手段を付設
    することを特徴とする超音波探触子の製造方法。
JP12688594A 1994-05-17 1994-05-17 超音波探触子の製造方法 Expired - Fee Related JP3530580B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12688594A JP3530580B2 (ja) 1994-05-17 1994-05-17 超音波探触子の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12688594A JP3530580B2 (ja) 1994-05-17 1994-05-17 超音波探触子の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07312799A JPH07312799A (ja) 1995-11-28
JP3530580B2 true JP3530580B2 (ja) 2004-05-24

Family

ID=14946263

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12688594A Expired - Fee Related JP3530580B2 (ja) 1994-05-17 1994-05-17 超音波探触子の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3530580B2 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4553216B2 (ja) * 1999-05-18 2010-09-29 セイコーインスツル株式会社 圧電トランスデューサ、圧電トランスデューサの製造方法、及び圧電トランスデューサを用いた脈波検出装置
US8197413B2 (en) * 2008-06-06 2012-06-12 Boston Scientific Scimed, Inc. Transducers, devices and systems containing the transducers, and methods of manufacture
CN102265333B (zh) * 2008-12-23 2014-06-18 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有乱真声学模式抑制的集成电路及其制造方法
EP3089479B1 (en) * 2014-01-29 2019-03-13 Sogang University Research Foundation Intravascular ultrasonic transducer structure
CN106805994B (zh) * 2015-11-27 2020-02-18 中科绿谷(深圳)医疗科技有限公司 超声探头及其制备方法
GB2568273B (en) 2017-11-10 2020-04-01 Guided Ultrasonics Ltd Ultrasonic transducer
WO2019138639A1 (ja) * 2018-01-09 2019-07-18 オリンパス株式会社 積層レンズアレイ、内視鏡

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07312799A (ja) 1995-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1429870B1 (en) Frequency and amplitude apodization of transducers
US5792058A (en) Broadband phased array transducer with wide bandwidth, high sensitivity and reduced cross-talk and method for manufacture thereof
US6936008B2 (en) Ultrasound system with cableless coupling assembly
US6640634B2 (en) Ultrasonic probe, method of manufacturing the same and ultrasonic diagnosis apparatus
US4385255A (en) Linear array ultrasonic transducer
KR100299277B1 (ko) 초음파변환기어레이및그제조방법
EP0663244A2 (en) Two-dimensional acoustic array and method for the manufacture thereof
JP4323487B2 (ja) 超音波振動子及びその製造方法
US20080238259A1 (en) Ultrasonic probe and production method thereof
US20130085396A1 (en) Ultrasonic probe and ultrasonic display device
JP4933392B2 (ja) 超音波探触子及びその製造方法
CN110191765B (zh) 超声换能器
JP3530580B2 (ja) 超音波探触子の製造方法
JP5408145B2 (ja) 超音波探触子、および超音波診断装置
JP3459846B2 (ja) 超音波探触子
JPH07136164A (ja) 超音波探触子
JP3313171B2 (ja) 超音波探触子とその製造方法
JPH07194517A (ja) 超音波探触子
JP2011077572A (ja) 超音波トランスデューサ及びその製造方法、並びに超音波プローブ
JP3302124B2 (ja) 超音波探触子およびその製造方法
JPH0746694A (ja) 超音波トランスデューサ
CN111558514B (zh) 一种超声换能器
JPH07265308A (ja) 超音波探触子
JP3556637B2 (ja) 圧電振動子の製造工程及び圧電振動子
JPH0870497A (ja) 超音波トランスデューサおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20030729

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20031225

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20040130

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040224

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040301

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090305

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090305

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100305

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110305

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees