JPS61101999A - 静電気吸収器 - Google Patents
静電気吸収器Info
- Publication number
- JPS61101999A JPS61101999A JP22343284A JP22343284A JPS61101999A JP S61101999 A JPS61101999 A JP S61101999A JP 22343284 A JP22343284 A JP 22343284A JP 22343284 A JP22343284 A JP 22343284A JP S61101999 A JPS61101999 A JP S61101999A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- varistor
- static electricity
- signal line
- wire
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Elimination Of Static Electricity (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はＩＣ（集積回路）を始めとする半導体素子を静
電気放電から保獲するだめの静電気吸収器に関するもの
である。
電気放電から保獲するだめの静電気吸収器に関するもの
である。
従来の技術
近年、電子機器の多機能化に伴ない、家電機器。
情報通信機器、産業機器分野などにおいて電子化が推進
されつつある。この電子化に用いられるＩＣ，Ｉ、ＳＩ
（大規模集積回路）などは優れた機能をもつ反面、静電
気などの異常高電圧に対してきわめて敏感であり、その
ため電子機器の誤動作を招いたり、または破壊に至る場
合も少なくない。
されつつある。この電子化に用いられるＩＣ，Ｉ、ＳＩ
（大規模集積回路）などは優れた機能をもつ反面、静電
気などの異常高電圧に対してきわめて敏感であり、その
ため電子機器の誤動作を招いたり、または破壊に至る場
合も少なくない。
一方、電卓やＩＣカードなどに用いられる半導体素子の
ように人体などからの静電気放電を回避できない場合も
多くあり、その静電気対策はきわめて重要である。
ように人体などからの静電気放電を回避できない場合も
多くあり、その静電気対策はきわめて重要である。
従来、この種の静電気吸収器は第５図ａ、ｂに示すよう
な構成であった。第５図において、１は通常チップ状を
したＸＣであり、ここでは静電気の被保護素子に当たる
。２はアルミナまたは樹脂などからなる基板で、各種の
機能部品は全てこの基板２上に設けられる。３および４
は上記基板２の表面にプリント配線により形成された信
号線路で、それぞれその一端は上記工Ｃ１に接続され、
また他端は信号の入出力端子（図示せず）に接続されて
いる。また、上記信号線路３，４の一方はアース側で、
ここでは信号線路４をアース側としている。６は酸化亜
鉛またはチタン酸ストロンチウムなどを主原料とするセ
ラミックからなるチップ状のバリスタで、このバリスタ
６の表裏には対向する電極６．７が形成されている。こ
こで、電極６．了はバリスタ５の電気的接続を容易にす
るため、一部がバリスタ５の側面を介してそれぞれ反対
面へも伸びている。８および９はバリスタ５を信号線路
３，４間に接続するだめのボンディングワイヤで、直径
２ｏ〜３０μｍの金線などが用いらｎる。このボンディ
ングワイヤ８．９によってバリスタ５は信号線路３．４
にそれぞれ結線され、バリスタ５は信号線路３．４間に
接続されたことになる。１０はバリスタ６を基板２の表
面に固定するだめの接着剤である。
な構成であった。第５図において、１は通常チップ状を
したＸＣであり、ここでは静電気の被保護素子に当たる
。２はアルミナまたは樹脂などからなる基板で、各種の
機能部品は全てこの基板２上に設けられる。３および４
は上記基板２の表面にプリント配線により形成された信
号線路で、それぞれその一端は上記工Ｃ１に接続され、
また他端は信号の入出力端子（図示せず）に接続されて
いる。また、上記信号線路３，４の一方はアース側で、
ここでは信号線路４をアース側としている。６は酸化亜
鉛またはチタン酸ストロンチウムなどを主原料とするセ
ラミックからなるチップ状のバリスタで、このバリスタ
６の表裏には対向する電極６．７が形成されている。こ
こで、電極６．了はバリスタ５の電気的接続を容易にす
るため、一部がバリスタ５の側面を介してそれぞれ反対
面へも伸びている。８および９はバリスタ５を信号線路
３，４間に接続するだめのボンディングワイヤで、直径
２ｏ〜３０μｍの金線などが用いらｎる。このボンディ
ングワイヤ８．９によってバリスタ５は信号線路３．４
にそれぞれ結線され、バリスタ５は信号線路３．４間に
接続されたことになる。１０はバリスタ６を基板２の表
面に固定するだめの接着剤である。
以上のように構成された従来の静電気吸収器について、
以下その動作を説明する。
以下その動作を説明する。
まず、人体などに蓄積された静電気はそのほとんどの場
合、手の指先を通して工Ｃ１の入出力端子などへ放電す
る。そのため、入出力端子から侵入した静電気の異常高
電圧は信号線路３，４間に現われ、バリスタ６がない場
合にはその高電圧がそのま−ｊＩｃ１に印加され、−瞬
にしてＩＣ１は破壊されることになる。しかし、第６図
に示すようにバリスタ６が信号線路３，４間に接続され
ていることによって、静電気はバリスタ６により吸収さ
れ、工Ｃ１は保護されることとなる。
合、手の指先を通して工Ｃ１の入出力端子などへ放電す
る。そのため、入出力端子から侵入した静電気の異常高
電圧は信号線路３，４間に現われ、バリスタ６がない場
合にはその高電圧がそのま−ｊＩｃ１に印加され、−瞬
にしてＩＣ１は破壊されることになる。しかし、第６図
に示すようにバリスタ６が信号線路３，４間に接続され
ていることによって、静電気はバリスタ６により吸収さ
れ、工Ｃ１は保護されることとなる。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、このような従来の構成では十分にバリス
タ６の特性が発揮できず、ＩＣ１が保護できないという
問題点があった。すなわち、ボンディングワイヤ８．９
はきわめて短かい長さではあるが、僅かなインダクタン
スを有しているため、高周波成分を有した静電気に対し
て大きな電圧降下がボンディングワイヤ８，９に生じる
。このため、工Ｃ１に印加される電圧はバリスタ５の制
限電圧に加えてこの電圧降下分が印加され、実際に工Ｃ
１に印加される電圧はバリスタ６の制限電圧の数倍にな
ることもある。
タ６の特性が発揮できず、ＩＣ１が保護できないという
問題点があった。すなわち、ボンディングワイヤ８．９
はきわめて短かい長さではあるが、僅かなインダクタン
スを有しているため、高周波成分を有した静電気に対し
て大きな電圧降下がボンディングワイヤ８，９に生じる
。このため、工Ｃ１に印加される電圧はバリスタ５の制
限電圧に加えてこの電圧降下分が印加され、実際に工Ｃ
１に印加される電圧はバリスタ６の制限電圧の数倍にな
ることもある。
本発明はこのような問題点を解決しようとする
１もので、半導体素子に印加される電圧がバリスタ
の制限電圧のみになる静電気吸収器を提供することを目
的としている。
１もので、半導体素子に印加される電圧がバリスタ
の制限電圧のみになる静電気吸収器を提供することを目
的としている。
問題点を解決するだめの手段
本発明は上記問題点を解決するだめ、半導体素子に結線
される信号線路がプリント配線によって形成すれ、上記
プリント配線による信号線路間に接続される表裏に対向
する電極を有したノ（リスクの少なくとも片面の電極が
上記信号線路の電路を形成するようにしたものである。
される信号線路がプリント配線によって形成すれ、上記
プリント配線による信号線路間に接続される表裏に対向
する電極を有したノ（リスクの少なくとも片面の電極が
上記信号線路の電路を形成するようにしたものである。
作用
本発明は上記した構成により、信号入出力端子側からみ
たバリスタの制限電圧は、従来と同様にバリスタの制限
電圧にインダクタンス成分による電圧降下分が加わった
ものとなるが、半導体素子側からみればバリスタの制限
電圧のみとなり、保護特性の優れた静電気吸収器が得ら
れることになる。
たバリスタの制限電圧は、従来と同様にバリスタの制限
電圧にインダクタンス成分による電圧降下分が加わった
ものとなるが、半導体素子側からみればバリスタの制限
電圧のみとなり、保護特性の優れた静電気吸収器が得ら
れることになる。
実施例
第１図は本発明の静電気吸収器の一実施例を示し、同図
（２Ｌ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のイー口線
の断面図である。第１図において、１１は通常チップ状
をしたＩＣなどの半導体素子であり、ここでは静電気の
被保護素子に当たる。１２は基板、１３および１４は信
号線路で、これらはそれぞれ従来の基板２、信号線路３
．４と対応するものである。ここで、上記信号線路１３
は途中で切断されており、また信号線路１４の一部を突
出させてバリスタ１５の裏面に至る端子部１４＆をプリ
ント配線手法にて構成しており、これらが従来と異なる
点である。また、上記バリスタ１６は従来と同様に酸化
亜鉛などを主原料とするセラミックからなるチップ状の
もので、その表裏面には対向して電極１６．１７が設け
られている。１８および１９は信号線路１３の切断され
た両端からそれぞれボンディングによってバリスタ１６
の表面の電極１６に電気的接続を形成しているワイヤ）
２０はバリスタ１５の裏面の電極１７と上記端子部１４
ａとを接続している半日または導電性接着剤である。
（２Ｌ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のイー口線
の断面図である。第１図において、１１は通常チップ状
をしたＩＣなどの半導体素子であり、ここでは静電気の
被保護素子に当たる。１２は基板、１３および１４は信
号線路で、これらはそれぞれ従来の基板２、信号線路３
．４と対応するものである。ここで、上記信号線路１３
は途中で切断されており、また信号線路１４の一部を突
出させてバリスタ１５の裏面に至る端子部１４＆をプリ
ント配線手法にて構成しており、これらが従来と異なる
点である。また、上記バリスタ１６は従来と同様に酸化
亜鉛などを主原料とするセラミックからなるチップ状の
もので、その表裏面には対向して電極１６．１７が設け
られている。１８および１９は信号線路１３の切断され
た両端からそれぞれボンディングによってバリスタ１６
の表面の電極１６に電気的接続を形成しているワイヤ）
２０はバリスタ１５の裏面の電極１７と上記端子部１４
ａとを接続している半日または導電性接着剤である。
次に、以上のように構成された静電気吸収器の動作を説
明する。今、信号線路１３．１４間に静電気が侵入した
場合、ワイヤ１８−電極１６−ノＺラスタ１６−電極１
７−半日または接着剤２〇一端子部１４ａのルートにて
静電気電流が流れる。
明する。今、信号線路１３．１４間に静電気が侵入した
場合、ワイヤ１８−電極１６−ノＺラスタ１６−電極１
７−半日または接着剤２〇一端子部１４ａのルートにて
静電気電流が流れる。
この時、ワイヤ１８には従来例と同様にインダクタンス
による電圧降下が生じる。しかしながら、半導体素子１
１に印加される電圧はワイヤ１９を通じてバリスタ１６
の電極１６表面の電圧のみであり、ワイヤ１８における
電圧降下分は全く印加されない。また、信号の入出力に
対しては、信号線路１３を一部切断しているが、電極１
６の一部、すなわち電極１６上のワイヤ１８．１９のボ
ンディング間が信号線路の電路となっているために何ら
問題はない。
による電圧降下が生じる。しかしながら、半導体素子１
１に印加される電圧はワイヤ１９を通じてバリスタ１６
の電極１６表面の電圧のみであり、ワイヤ１８における
電圧降下分は全く印加されない。また、信号の入出力に
対しては、信号線路１３を一部切断しているが、電極１
６の一部、すなわち電極１６上のワイヤ１８．１９のボ
ンディング間が信号線路の電路となっているために何ら
問題はない。
次に、本発明の第２の実施例について第２図（ａ）。
（′ｂ）と共に説明する。上記第１の実施例との違いは
、端子部１４ａを設けることなく、バリスタ１５を信号
線路１４上に接続した点である。２１は信号線路１４の
その切断部である。このように構成された静電気吸収器
の作用は第１図と同様であるが、第１図の端子部１４′
ａにおける電圧降下分をも低減できる効果を有するもの
である。
、端子部１４ａを設けることなく、バリスタ１５を信号
線路１４上に接続した点である。２１は信号線路１４の
その切断部である。このように構成された静電気吸収器
の作用は第１図と同様であるが、第１図の端子部１４′
ａにおける電圧降下分をも低減できる効果を有するもの
である。
次いで、本発明の第３の実施例について第３図ｅ） 、
（１））と共に説明する。上記第２図の第２の実施例
との違いは、信号線路１４を信号線路１３と同様にバリ
スタ１５の接続点で切断し、バリスタ１５０両電極１６
．１７を共に信号線路の電路とした点である。このよう
に構成された静電気吸収器の作用は第２図と同様である
が、上記端子部１４ａにおける電圧降下分の低減がさら
に良好となる効果を有するものである。
（１））と共に説明する。上記第２図の第２の実施例
との違いは、信号線路１４を信号線路１３と同様にバリ
スタ１５の接続点で切断し、バリスタ１５０両電極１６
．１７を共に信号線路の電路とした点である。このよう
に構成された静電気吸収器の作用は第２図と同様である
が、上記端子部１４ａにおける電圧降下分の低減がさら
に良好となる効果を有するものである。
さらに、本発明の第４の実施例について第４図と共に説
明する。この第４の実施例におけるバリスタ２２は第５
図に示した従来例と同様な構造を有し、また信号線路１
３．１４は第３図の実施例と同様に共にバリスタ２２の
接続点で切断されたものである。第４図の２３はバリス
タ２２の表面側の電極で信号線路１３の切断部間にブリ
ッジ状に、また２４は裏面側の電極で信号線路１４の切
断部間に同様にブリッジ状にそれぞれ半日または導電性
接着剤にて接続されている。２６および２６はそれぞれ
の接続部である。この第４の実施例では第３図と同様、
バリスタ２２の表裏面の電極２３．２４が信号線路１３
．１４の電路となり。
明する。この第４の実施例におけるバリスタ２２は第５
図に示した従来例と同様な構造を有し、また信号線路１
３．１４は第３図の実施例と同様に共にバリスタ２２の
接続点で切断されたものである。第４図の２３はバリス
タ２２の表面側の電極で信号線路１３の切断部間にブリ
ッジ状に、また２４は裏面側の電極で信号線路１４の切
断部間に同様にブリッジ状にそれぞれ半日または導電性
接着剤にて接続されている。２６および２６はそれぞれ
の接続部である。この第４の実施例では第３図と同様、
バリスタ２２の表裏面の電極２３．２４が信号線路１３
．１４の電路となり。
同様な効果を発揮するものである。
発明の効果
以上のように本発明によれば、表裏に対向する電極を有
したバリスタの少なくとも一方の電極が信号線路の電路
を形成することによって、静電気吸収時の半導体素子に
印加される電圧が接続線のインダクタンスに影響されず
バリスタの制限電圧のみとなり、優れた静電気抑制効果
が得られることとなる。
したバリスタの少なくとも一方の電極が信号線路の電路
を形成することによって、静電気吸収時の半導体素子に
印加される電圧が接続線のインダクタンスに影響されず
バリスタの制限電圧のみとなり、優れた静電気抑制効果
が得られることとなる。
第１図（ａ）は本発明における静電気吸収器の一実施例
を示す平面図、同図（ｂ）は同図（２Ｌ）のイー口線の
断面図、第２図（ａ）〜第４図（ａ）はそれぞれ本発明
の第２〜第４の実施例を示す平面図、第２図（′ｂ）〜
第４図（ｂ）はそれぞれ第２図（ａ）〜第４図（ａ）の
ハーニ線。 ホーへ線、トーチ線の断面図、第５図（？Ｌ）は従来例
の静電気吸収器を示す平面図、同図（ｂ）は同図（２Ｌ
）−のリーヌ線の断面図である。 １１・・・・・・半導体素子、１３．１４・・・・・・
信号線路、１６ 、２２・・・・・・バリスタ、１６，
１了、２３゜２４・・・・・・電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名（ａ
−） 第１図 （ｂ） 第２図 （０−）
（ｂ）第３図 （α） ｊｂノ 第４図 （０−） （ｂ） 第５図 （Ｉ：Ｌ） （ｂ） 手続補正書（方式） ％式％ １事件の表示 昭和５９年特許願第２２３４３２号 ２発明の名称 静電気吸収器 ３補正をする者 事件との関係 特 許 出 願 人
住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地名 称
（５８２）松下電器産業株式会比代表者
山 下 俊 彦４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 ６補正命令の日付 昭和６ｏ年２月２６日 ７、補正の内容 明細書９ペ一ジ１３行目〜２ｏ行目の「第１図〜である
。」を次の通り補正いたします。 「第１図（ａ）は本発明における静電気吸収器の一実施
例を示す平面図、同図山）は同図（ａ）のイ、−ロ線の
断面図、第２図（ａ）、第３図（ａ）、第４図（ａ）は
それぞれ本発明の第２〜第４の実施例を示す平面図、第
２図中）、第３図（ｂ）、第４図中）はそれぞれ第２図
（ａ）。 第３図（ａ）、第４図（ａ）のハーニ線、ホーへ線、ト
ーチ線の断面図、第５図（ａ）は従来例の静電気吸収器
を示す平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のリーヌ線の断
面図である。」
を示す平面図、同図（ｂ）は同図（２Ｌ）のイー口線の
断面図、第２図（ａ）〜第４図（ａ）はそれぞれ本発明
の第２〜第４の実施例を示す平面図、第２図（′ｂ）〜
第４図（ｂ）はそれぞれ第２図（ａ）〜第４図（ａ）の
ハーニ線。 ホーへ線、トーチ線の断面図、第５図（？Ｌ）は従来例
の静電気吸収器を示す平面図、同図（ｂ）は同図（２Ｌ
）−のリーヌ線の断面図である。 １１・・・・・・半導体素子、１３．１４・・・・・・
信号線路、１６ 、２２・・・・・・バリスタ、１６，
１了、２３゜２４・・・・・・電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名（ａ
−） 第１図 （ｂ） 第２図 （０−）
（ｂ）第３図 （α） ｊｂノ 第４図 （０−） （ｂ） 第５図 （Ｉ：Ｌ） （ｂ） 手続補正書（方式） ％式％ １事件の表示 昭和５９年特許願第２２３４３２号 ２発明の名称 静電気吸収器 ３補正をする者 事件との関係 特 許 出 願 人
住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地名 称
（５８２）松下電器産業株式会比代表者
山 下 俊 彦４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 ６補正命令の日付 昭和６ｏ年２月２６日 ７、補正の内容 明細書９ペ一ジ１３行目〜２ｏ行目の「第１図〜である
。」を次の通り補正いたします。 「第１図（ａ）は本発明における静電気吸収器の一実施
例を示す平面図、同図山）は同図（ａ）のイ、−ロ線の
断面図、第２図（ａ）、第３図（ａ）、第４図（ａ）は
それぞれ本発明の第２〜第４の実施例を示す平面図、第
２図中）、第３図（ｂ）、第４図中）はそれぞれ第２図
（ａ）。 第３図（ａ）、第４図（ａ）のハーニ線、ホーへ線、ト
ーチ線の断面図、第５図（ａ）は従来例の静電気吸収器
を示す平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のリーヌ線の断
面図である。」
Claims (1)
- 半導体素子に結線される信号線路がプリント配線によっ
て形成され、上記プリント配線による信号線路間に接続
される表裏に対向する電極を有したバリスタの少なくと
も片面の電極が上記信号線路の電路を形成するようにし
たことを特徴とする静電気吸収器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22343284A JPS61101999A (ja) | 1984-10-23 | 1984-10-23 | 静電気吸収器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22343284A JPS61101999A (ja) | 1984-10-23 | 1984-10-23 | 静電気吸収器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61101999A true JPS61101999A (ja) | 1986-05-20 |
| JPH0531280B2 JPH0531280B2 (ja) | 1993-05-12 |
Family
ID=16798049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22343284A Granted JPS61101999A (ja) | 1984-10-23 | 1984-10-23 | 静電気吸収器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61101999A (ja) |
-
1984
- 1984-10-23 JP JP22343284A patent/JPS61101999A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0531280B2 (ja) | 1993-05-12 |
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