JPS61100951A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS61100951A
JPS61100951A JP22172084A JP22172084A JPS61100951A JP S61100951 A JPS61100951 A JP S61100951A JP 22172084 A JP22172084 A JP 22172084A JP 22172084 A JP22172084 A JP 22172084A JP S61100951 A JPS61100951 A JP S61100951A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
wiring layer
metallic wiring
pad
polysilicon
Prior art date
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Pending
Application number
JP22172084A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasaburo Inagaki
稲垣 弥三郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関する。
〔従来の技術および発明が解決しようとする問題点〕
微細加工技術の進歩に従い、集積回路はチップ上に種々
の機能を持った回路が集積されるようになシ、回路規模
が大きくなってきている。そのためオンチップされた回
路が設計値どおシの特性を示しているかどうかは、集積
回路の入・出力信号からだけでは判断できず、個々の回
路の特性を調べるため、それらの回路の入・出力信号波
形を探針でモニターする手法がとられている。
ところが金属配線層の幅、ピッチが小さい場合、金属配
線ラインに探針を立てるのは困難アあシ、従来は第2図
(a)、 (b)K示すような金属配線層3の方形パタ
ンをブロービング・パッドとして金属配線ラインに作シ
つけていた。
従来のブロービング・パッドは第2図(b)に示すよう
に、金属配線層3の表面が平らであるため、探針が滑っ
て針がはずれるという欠点があった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は、基板上に形成した絶縁層の上に
、金属配線ラインに接続した金属配線層を形成してプロ
ービングパッドとした半導体装置において、前記金属配
線層と基板との間にポリシリコン層または不純物拡散層
を設けて前記金属配線層の表面に段差を設けたことを特
徴とするものである。
〔実施例〕
本発明の一実施例を第1図(a)、 (b)に示す。第
1図はブロービング・パッドの下に1大のあいたポリシ
リコン層4を配置した場合の例である。第1図(b)に
示すようにポリシリコーン4の穴の周囲に金属配線層3
の段差ができている。そのため、ポリシリコンの穴の部
分に探針を立てるとこの段差の部分に針がひっかかり、
滑って針がはずれることはない。
本発明の他の実施例を第3図(a)、 (b)に示す。
第3図はブロービング・パッドの下にポリシリコン層4
を配置し、ポリシリコン層4と金属配線層3とをコンタ
クトでつないだ場合の例であシ、コンタクトの周囲に金
属配線層の段差ができ、第1図の例と同様の効果が得ら
れる。
本発明のさらに他の実施例を第4図(a)、 (b)に
示す。第4図はプロービングパッドの下に不純物拡散層
5を配置し、不純物拡散層5と金属配線層3とをコンタ
クトでつないだ場合の例であり、不純物拡散層5の周囲
およびコンタクトの周囲に金属配線層の段差ができ、第
1図、第3図の例と同様の効果が得られる。
〔発明の効果〕
以上説明したようK、本発明によれば、探針を安定して
ブロービング・パッドに立てることができるという利点
がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)、 (b)は本発明の一実施例を示す平面
図。 B−B’断面図、第2図(a)、 (b)は従来例を示
す平面図、 A−A’断面図、第3図(a)、 (b)
は本発明の他の実施例を示す平面図、c−c’断面図、
第4図(a)、 (b)は本発明のさらに他の実施例を
示す平面図、D−D’断面図である。 1・・・・・・基板、2・・・・・・絶縁層、3・・・
・・・金属配線層、4・・・・・・ポリシリコン層、5
・・・・・・不純物拡散層。 $3 図(b)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  基板上に形成した絶縁層の上に、金属配線ラインに接
    続した金属配線層を形成してプロービングパッドとした
    半導体装置において、前記金属配線層と基板との間にポ
    リシリコン層または不純物拡散層を設けて前記金属配線
    層の表面に段差を設けたことを特徴とする半導体装置。
JP22172084A 1984-10-22 1984-10-22 半導体装置 Pending JPS61100951A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63198346A (ja) * 1987-02-13 1988-08-17 Matsushita Electronics Corp 半導体集積回路装置の検査方法
KR100439835B1 (ko) * 1997-07-14 2004-09-18 삼성전자주식회사 멀티-플로빙용 패드 및 그 제조방법
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JP2008205293A (ja) * 2007-02-21 2008-09-04 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法

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