JPS6098620A - 金属硅化物を製造する方法およびシリコン基板に接点領域を形成する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明【Ｊ金属耐化物Ｃ１′［られ１．：領域を含ん（
゛いる半導（Ａ装買の！′Ａ）責に関りるしの（・ある
。

ＩＩＬ化物の１つの用途はシリＩＩン３％　Ｕｉへの低
抵抗金属接点におｔＪるしのＣある。それらの金属接点
は、適当な金属をＪ：Ｌ　ｌ）ｉの接＋：、Ｉ領域にイ
・］盾し、それから、その金属とシリコン球根の境界面
に金属の（１↑化物を形成さＵるＪ、うに、そのイ・］
着された金属にイオンを照０４　ｉすることにＪ：り形
成Ｃきる。

不５ｐｉ、　Ｉｃ’；ことに、イＡン照射を用いるその
方法は注入された基板の結晶構造にかなりの損傷を与え
、その結果とし−でイれの電気的性質に有害な影響を及
ばり。従来、半々体技術にＪ３いては、処理された基板
を、結晶’ｔＭ造が少なくどし残っている１ヒ）傷にＪ
、る影響をＨＴ容できる範囲まで自身で復旧りるのに１
−分な）晶１σ、１５　Ｊ：び１１）間で加熱りること
により修復される４゜ そのにう４Ｔ焼き４Ｃましはつ■バー全体を炉の中（約
３０分間加熱づることにより行なわれる。しかし、ブー
タンまたはタンタルのような反応１（１の金属がシリコ
ン基板に金属接点また【３Ｌ硅化物１ａ点を形成りるた
めに用いられる場合に（ま、加熱リイクルの初めの部分
に６３いＣ大きな酸化が起る可能性がある。史に、使用
する温度と時間は、ｉＭる領域Ｍ　ａ３イ（Ｉｎ　’Ｅ
、　ＩＬ　ｉｌｉ　過程と固体反応過程が他の領域にＪ
ハ」るよりも迅速に起き、そのために金属硅化物がＪ１
均一に成長りるというにうなしの（゛ある。

イのｌＪめに、処１ｊｊ時間または処］！１１湿度が過
度で４ｒりれば硅化物が（３Ｌとｌυどまた（ま全く形
成されないような高抵抗の場所が存イＦＬｌ！７るから
、横り向刈法が非富に小さい装’？４構造、１〔とえば
（ノブミク［１ンの相互接続線においｃ問題をひき）で
りことがｃ＋ｙ）る。

硅化物の別の用途は相Ｌｉ接続物７′１としくのらのＣ
ある。［相互接続１という川１ｉｉｉ　Ｇま半導体回路
の１つの素子を別の崖導体素子へ電気的に結合りること
を意味づるたＶ）に用いられる。そのような相互接続は
ポリシリコンの（Ｊ着と、そのポリシリ−Ｉンの１−ツ
ヂングとにより一般的に行ｌｄ−ねれる。１１′導体の
分野においＣは、現在はポリシリ−；ンの代りにポリシ
リコンの」−に硅化物を被覆しｌこしの（この組合わけ
は「ボリリイド（ｐｏｌｙｃｉｄｅ）と呼ばれる」）、
またＬＪ金属相ｎ接続で・ある第２のレベルが用いられ
（いる。ボリリイドの抵抗率が高温度にドープ゛されｌ
ζポリシリニニシン１１又抗＞ｔ’　Ｊ、リイ１（いか
ら、ポリリイド相ｑ接続は有用ぐある３、抵抗率が低い
と回路の動作速度が高り４ｊる。相！シ１８続線の抵抗
率が高りざると動ｆ四＊段が低重りる。

スタヂックメモリにｉｌｊいて（、シ、硅化物を選ＩＪ
Ｉ！的に形成できる、いいかえると相１７接続線の部分
には硅化物を形成できるが、他の部分にはｌｊｌ化物を
形成しないことがて・きればどくに右利（゛ある。たど
えば、ｌＩＬ化物のない相ｎ接続線部分はスタヂツクメ
［りにおいて【３１高い抵抗１１ηの抵抗として使用Ｃ
きる。

したがつＣ１本発明の［１的は半導体Ｎ路にＪりいｉｃ
　ｌｊｌ化物を製造するｌ〔めの改良した方法を１９る
ことである。

本発明の別の目的は、半導体回路においで接点ま７ｊは
相Ｕ接続線とし−Ｃ使用りるｌこめの（１１化物を作る
方法を得ること（゛ある。

本発明の更に別の［１的（、シ、゛ヒ導惇回路中に（１
４化物を選択的に設りる方法を得ることである。

本発明のある面によれば、甲結晶シソーＩンＪ、た【ま
多１．′３品シリニ１ン製のＦ側の表面１−の耐化物を
形成リベき領域に耐火性金属を付着りる上程と、耐化物
を形成リベき領域に電ｒビームを照射でする一１稈どを
Ｉ（ｆｉえる金属ｌｉ４化物を製造りる方法が１１１ら
れる。先行技１（、ｊどは異なり、本発明におい゛（は
ゝｒ力体中に１１１化物を牛づ゛るために電ｒビーｌ＼
アニールが用いられる。先ｔＪ技術１３ＬイＡンビーｌ
＼ミ１シングを用いていた。イのイＡンビー１＼ミニ１
シングが１１能りる理由は、イオンがターグツ１〜中の
原ｒを追い出りのに十分なＴ１吊を有し、イの原子を追
い出づことにＪ：す、結合リベき物７１を混合・」る１
、シかし、電子のＴ１吊はイオンの負帛Ｊ、りかなり小
さいから、電子ビームノールール【、１、硅化物を形成
りる目的のためにはイＡンビーｌオミー１シングど比較
しく満足できないことが予測される。電子の質量が小さ
いということは、この目的のためには電ｒビームアニー
ルがあＪｏり良く（幾能しないことをｈ１唆りるものＣ
ある。しかし、硅化物を形成りるＩ、二めに電子ビーム
７７二−ルが良く機能りることが発兇されている。

ビー１１照則に際しＣは、：ｉ　０　ｋ　ｃ　ｙ程度の
ｌ＊Ｉ　Ｉネルギ電子がクーグツＩ・に４」ら込まれ、
クーグツ１〜の１皇子をイオン化１することに、Ｊ、リ
ヒーｌ＼【ま−ｒンルギを失なう。このイオン化にＪ、
つ（ノＡノンにＪ、る熱が光住りる、シリＩ］ンの熱時
定数は、数秒の加熱１１ｆｆ間に比べ（極め０．０いｌ
こめ、電１′じ−１゜照！ｌＪ４による加熱はどちら側
から（ｊなって６同様の動床が冑られる。ポリシリコン
上の反則金底層が然けられると、２つの要素が硅化物を
形成りるように反応覆る。この反応は発熱反応であり、
金属とポリシリコンの間の簿い酸化物層の破壊を助長覆
る。、急速なアニールはシリ−１ン中での不純物拡散を
これ以上進めないためにＶＩＳＩ構造に適している。こ
れはμｍｒＬ以下の大ささのＭ　ＯＳ　Ｆ　Ｅ　Ｉ−の
ゲートの長さを決定するのに際し、特に重曹とる【る。

Ｍ　ＯＳ　Ｆ　Ｅ　Ｔの場合、シリ：１ンウエハの裏側
に電子を照射りることによる電子ビーム処理の間、ゲー
ト酸化物におＧ−Ｊる逆効果を防ぐことができる。従っ
（、電子ビームへ構造を直接露出さＵることを防ぐこと
ができる。

本発明の史に別の面においては、Ｊｊ（扱の前記領域に
電子ビームを照ＱＪりる前に、基板中への耐火ｖ１金属
の拡散をイオンビームにＪ、り強めるＪ：うに、前記ｆ
ｆｌ域にイオンビームを照射することを本発明の方法は
含むことができる。

多結晶シリコンをイ」老Ｊる前に基板の表面に酸化シリ
：１ンな被覆さＵたり、被覆さｔ！ないことができ、そ
の後で金属層をイ」：４りる。。

耐火性金属層は都合の良い任意の方法にｊ、リ付盾でき
る。その方法は半導体の分野にＪ３いく周知のしのであ
る。それらの方法の例としくは、電子ビームにより金属
層を熱りる電ｒビーｌｘ　ｆ’Ｊ石、イオンスパッタリ
ング、無線周波プラズマ、化学蒸着などがある。

好適な耐火性金属はブタンとタンタルｅある。

この用途のためには耐火性金属どし−（とえられるコバ
ルトも使用でさ、かつ■ｓリブデンとタングステンム使
用できる。

金属硅化物境界層を形成するＪ、うに耐火性金属と基板
の相互混合を熱拡散また４、１　ｂ’ｉ用により強めら
れた拡散東独で（ｊなわμることがでさるが、Ｊ、１板
の表面に酸化物層が（ｊ在りるど、満足（゛さる金属硅
化物層形成のために必要どされる稈１哀の相！１拡散が
その酸化物層のために妨げられることがある。また、金
属硅化物層中に酸化物が存在りるど、受り容れることが
Ｃきないほど高いシー１＝　ｌ＋（抗１１ｆ１が生ずる
ことがある。本発明の電子ビーム処ｍ！は基（ｋの一部
分の温石を、存在しくいることがある酸化物層を破壊し
、かつ基板中への金属のＩｌ７を敗を容易にする温度ま
ぐ迅速に土性させることにより、電子照射を受けｌζ領
域に金属硅化物を容易に形成でさるＪ：うにし、かつ酸
化物による汚染がはどＩｖどないようにりるものである
。電子ビーム照射【よ、ビーム泣面、照射時開、照６４
１ネルギを適当に制す１１シて局部的な加熱処理料ｒｊ
ｌ＋を行なうようにジーる。

硅化ＱＩＪＬ；Ｌ高度の横方向−課外を４−ｉ　シ’Ｌ
いることがラザノＡ−ド後方散乱分光分析ににり見出さ
れ゛（いる。また、作用が迅速で、向きを定めることが
容易な°電子ビームにより、形を定められた接点または
その他の（１１１造部を形成できる。しかも、基板の他
の部分へ金属＆１化物が移動りることがはとんど’ｊい
。

以下、Ｔ導体表面１．への低抵抗ＩＭｉ　（ｉｌ化物を
９するための電子ビームアニールのいくつかの例につい
て説明りる。

ポリシリ−１ンウ■バーが厚さ１０００人のブタン層を
被覆された領域をイラしζいた。ぞのブタン層は真空ス
パッタリングにＪ：リイｊるされたしのＣ゛ある。ウェ
ハーのブタンにより被覆された領域に電子ビームを１０
秒間照射した。この電子ヒーム照Ｑ＝１により８５０℃
の湿度に達し、この期間中−ｆの温度を＃！ｆ　４Ｎ　
シた１゜ ラザフＡ−ド後方散乱技術を用いてぞの（にぐｆｉなわ
れ１．：１ｌｌＩｌ定によれば、はとんどのブタンがブ
タンの硅化物に変えられたことが判明しくいる。電気的
測定にＪ：れば、処理された領域のシーＩ−１１ｔ　Ｉ
Ａ鉤が１．２７Ｊ−ム／　ｉｔ　Ｚｊ形であることが判
明しＣいる。

例　■ 例Ｊに使用したつｌバーに類似りる第２のつ「バーに電
子ビーｌ＼を間ｔ；　１１．’ｉｉｔどりＩｌ、’、＜
　０４　ｕ　／、：　、、／こｌごし温石は９５０　′
Ｃ′ｃあっＩこ。

その後に行４１つＩこ測定にｊ、す、ブクンｌｌ’ｌ−
化物が良好に形成されたことが判明しくいる。シー１〜
１１（積値は１．１１Ｊ−ム／　１１１ｊ形ぐあった。

」−叫 ボリシリ＝ＪンウＩバーに、たどえば例■、■のにうに
しＵｌｏｏｏへの厚さのタンタル層をイ」着した。ぞの
タンタル層を付着された領域に電子ビームを１０秒間照
射しＩこ。温度【より　５０　’Ｃに達し、ぞの時間中
その温度を相持した。

これにより、シー１−抵抗１直が２．２６Ａ−ム／正方
形の優れた硅化物が得られた。

例　ＩＶ 〃さが１０００人の−１バルト層を被覆したつＪバーに
電子ビームを１０秒間照ＱＪ　シて、８５０℃に加熱し
た。

ぞのつ」バーを測定した結果、シート抵抗値が１．３’
ｌ′Ａ−ム／正方形の優れた硅化物が形成されたことが
判明し／：　＋＋ 例　Ｖ 例Ｉｔにおい（用いＩこのに類似する第２のウェ′バー
に電子ビームを１０秒秒間用して、９５０℃まで加熱し
た。これにより、シート抵抗値が１．３８Ａ−ム／　ｉ
、［’　ｌＪ形の優れｌこ（、Ｉ化物が形成され　Ｉこ
　。

例　ｖｌ ポリシリコンのつ■バー表面に１９さがａ３　Ｊ、’　
（２５への酸化シリコン層を形成してから、厚さが約１
０００へのチタン層を真空中（・イ・Ｉ　’ｆ：ｊ　Ｌ
　１．：、での後で、ウコハーの選択した部分に電ｒビ
ー１１を１０秒間照射しＣ８５０℃まで・加熱した。

その後で行なった測定により、電子ビーｌ＼を照射され
ｌこ領域に４３いてはシリ−コン酸化物膜が破壊され、
シート抵抗値が０．９６．ｄ−ム／　ｉＥ方形Ｃあつ（
、酸化物をはとｌυど含ま４Ｔいチタン？ｉ＋化物が完
全かつ一様に形成されたことが判明した＋１　；した、
電子ビームを魚身・１されなかった領域にａ３い【はチ
タンの硅化物が形成されていないことム判明した。この
ことは、８５０　”（Ｃという温度でもブタンとシリコ
ンの間の相ｑ拡散を１１止りるのに厚さが１５への酸化
シリコンで１＝分であることを承りｂのである。

したがって、電子ビームを照！Ｊ４りることにＪ、す、
シリコン基板へ電気接点を作るため、または相ｎ接続と
し−Ｃ用いるために十分に低いシー１−抵抗値を右りる
金属硅化物の良好な局限された領域をシリコン基板上に
形成できる。

相互接続を形成するためにこの技術を用いるため、基板
の上にポリシリコン層をイ」着しく希望によ・）−では
、基板の表面に簿い酸化物層を先に形成してｈｌ　ｌら
）、そのポリシリコン層の士に耐火性金属の層を（１着
Ｃきる。耐火性金属としてはたとえ【、［クンタル、チ
タン、］バルトを使用て・さる。耐火性金属層のｊ９さ
は約１０００７１ングストｔ、ｉ　−ｌ＞である。

次に、耐火ｔ１１金属をポリシリコンに混合さｌて、ポ
リシリコン層の表面に金属硅化物を形成さけるために、
耐火１Ｑ金属の層の全面に電子ビームを照射づる。口の
方法にａ３いては、金属６Ｊ化物の形成にポリシリ−１
ンがいくらか使用されているから、ポリシリコン）、ｉ
ｌ　ｔ、を博くなる。

次に、相ｑ接続線どなる領域を覆うためにフＡトレジメ
１〜マスクのにうなマスクを形成りる。マスクされてい
るダ１域を除き、硅化物とポリシリ」ンを■ツヂングづ
るためにプラズマ−１ツブング宿の標準的な■ツブーン
グが用いられる。−ぞの■ツブングにより、フＡ１〜レ
ジストにより覆われている相ｎ接続線を残り。このよう
にしく、電゛ｒビーｌ＼を照射された領域が金属硅化物
ｌｉ′Ｉ′ｉＣ被覆されたポリシリコン層ぐ相！７．　
Ｉｆ　Ｆ’を線が形成される。

電子ビームはたとえば電界または磁界にＪ、り容易に制
御でき、ポリシリコンへの電子ビームの照射を選択的に
（ｊなうことができる。したがっ（、照射される領域と
照射されない領域が（ｒ在づる。。

したがって、本発明の７ｊ法に従つＵ　ｆ＋られＣいる
相互接続線【。１、電ｒを照（ト）された領域と、電ｒ
を照射されない領域を右りることがでさる。照ｑ・１さ
れＩこ領域においＣは、ポリシリコン１ンの表面にｆ−
１着された層は金属６１化物Ｃある。照射されない領域
において【、１、表面層はｔ１１火１り金属の：ｔ　；
Ｉ：　ｔ’ある。

得られた相Ｔｉ接続線が、照射され４ｃい領域において
覧よポリシリコンのみＣ構成され、照０・１されＩこ領
域にＪ５いては金ＦＡ組化物を被覆されＩＪポリシリ」
ン−ぐ（１１１成されるＪ：うに、その耐火性金属（，
１況式コーッヂング技術を用い（Ｊ−ツチングできる。

別の技術は、相！：ｔ　１′ｆＣ続線を形成りる１）ｑ
に、反応し４ｒかった金属を除去するために電１″１１
　Ｑ、ｌの後Ｃ中間生成物を湿式エツチングづるこｒあ
る。

ポリシリ−Ｉンの表面に耐火性金属をイ入］着づるため
の装置はこの分野で一般的に知られでいる。本発明に使
用づるために適当な電Ｔビーム７二−ルを行なう装置は
英国ケンブリッジのリンアック（Ｌｉｎｔｅｃｈ　）で
製造されたしのである。照射に適当な電子ビーｌ＼は３
０　ｋ　ｅ　ＶのビーｌＸ＜あり、基板表面」−をＸ−
Ｙ方向に走査される。このようにしｌ’　ｉｉｊ根表面
表面２秒間で８　：）０　’Ｃにまで熱Ｕられ、ぞのま
。１．１０秒間維持され／、：　後、ビーム照ｑ・１を
やめる。基板はその後放Ｑ・１にＪ、り室温まＣ冷７Ｊ
Ｉされる。

出４〜）人代理人　猪　股　消

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　単結晶シリコンまたは多結晶シリコン製の下側の
   表面上の硅化物を形成づべき領域に耐火性金属を１１着
   りる■程と、 硅化物を形成寸べき領域に電ｒビームを照ＣＦＪＩる１
   稈と、 を備えることを特徴とりる金属硅化物を製造りる方法。 ２、特許請求の範囲の第１項に記載の方υ、であって、 基４Ｎ　ｌにポリシリ−Ｔ、１２層を１１着し、そのポ
   リシリコン層の上に耐火金属層を１１着する［程と、前
   記層の領域に電子ビームを照射して、それらの照訃１さ
   れた部分に耐火金属硅化物を形成さＵるＪ程と、 を含むことを特徴と−ｔ　Ｚｚ　ｉｊ法。 ３、　特許請求の範囲の第２項に記載の前記耐火金属を
   選択的に付杓りることを特徴どづる方法。 ４、　特許請求の範囲の第２項に記載の方法ひあって、
   金属硅化物を形成す゛べぎ部分を囲む領域の上に前記耐
   火金属をｆり着し、前記電子ビーム照射を選択された部
   分のみに行なうことを特徴どりる方法。 ５、　特許請求の範囲の第４項に記載の方法であって、
   前記電子ビーｌ＼照躬はマスク′Ｃ覆われくいる部分を
   電子が照射することを閉ＩＬ１゛るためにマスクで覆う
   ］二稈を含むことを特徴どする方法。 ６、　特許請求の範囲の第４項に記載の方法であって、
   硅化物を形成Ｊべき選択された部分のみに電子が向（）
   られるＪ、うに前記電子ビーム照射を制御することを特
   徴とづる方法。 ７、　特許請求の範囲の第２項に記載の方法ぐあって、
   電子ビーム照射の後で、残づべき照口・１された領域を
   マスクＣｍってかう、■ツブングを（ｊ４１つ−Ｌ稈を
   更に含むことを特徴どづる／ｊ法。 ８．　特許請求の範囲の第７項に記載の方法であつ−Ｃ
   ，選択された部分のみに電子ビームを照則し、黒用の後
   で耐火金属をコーツヂングし、硅化物を選択的に形成１
   ノる工程を含むことを１）徴とりる万　ン去　。 ９、！ｌ！ｒ許請求の範囲の第１項または第２項に記載
   の方法であつ（、基板の前記領域に電子ビーｌ＼を黒用
   りる前に、基板への耐火金属の散開により強められる拡
   散を行なわけるように、前記領域にイオンビーｌ＼を黒
   用りる工程を含むことをＲ′６′ｉどづる方法。 １０　、’ｌｊｒ　ｉ：’ｌ晶請求範囲の第１項または
   第２項に記載の方法ぐあって、多結晶シリＬ］ンの１４
   着＋ｉｉｒにＪル機の表面に酸化シリ」ンを（＝Ｊ着し
   、−ぞの後で金属層をイ」９づることを特徴とづる方法
   １゜１１、　持具′［請求の範囲の第１項よＩＪは第２
   項に記載のブｊ法であって、前記耐火物層を電子ビーム
   （＝Ｊ　ｉに、」、９１４着りることをＢｊ徴どづるＩ
   Ｊ法。 １２、１１訂請求の範囲のａｆ！’Ｉ項ま１．：【ま第
   ２項に記載の方法Ｕ　＋’４って、耐火物層をイオン・
   スパッタリングにＪ、リ付盾りることを１４徴とりる方
   法、１１３、ｆｒＹ＋請求の範１１１１　（１）第１　
   ｓｒｎ　」、ｔ、：ｃａ　第２１ｊｌに記載の方法であ
   って、６（大物層を無線周波プラズマで（＝Ｊ着するこ
   とを１テｉ歎とりる方法、。 １４　、　１’ｒｎ請求の範囲の第１項また【ま第２項
   に記載の方法であっ（、ｉｉ４大物層を化学′ｉＡ着り
   ることを特徴とりる１ｉ法。 １５、　特許請求の範囲の第１瑣または第２　＋１４に
   記載の方法であ−〕（、耐火物はＪ−タン、タンタルま
   たは＝Ｊパル１へを含むことを１＋Ｔ徴どりる方法。 １６、　特に′］請求の範囲の第１項または第２項に記
   載の方法であ−＞　’Ｃ、ｉＩ４火物大物タン、タンク
   ル、＝ｌハル１・、モリブデンまに１まクンゲス）ンイ
   ー含むことをＩＪｉ徴ど・Ｊる方法。 １７、　シリＴ１ン基板への電気面接Ｉ：”！どしｃ１
   史川リベき基板の領１或］二に１１１火金属のＩｌ′？
   ｉをｆ＝１６（ＪるＬ稈ど、基板の前記領域に電子ビー
   ムを黒用ｃＪる工程どをＩ（ｆｉえることを特徴とりる
   シリコン雄板に接点領域を形成りる／′ｊ法。 １８、　特許請求の範囲の第１７項に記載の方法であっ
   Ｃ，基板の前記領域に電子ビームを照射リ−る前に、基
   板への耐火金属の成用にＪ、り強められる拡散を行なわ
   Ｕるように、前記領域にイオンビームを前用りる１ニ稈
   を含むことを特徴とりるＩＪ法。 １９、Ｒｆｉ’ｒ晶求の範請求第１７項に記載の方法で
   あって、多結晶シリ」ンの付着前に基板の表面に酸化シ
   リ」ンを１１着し、その後で金Ｊｉ１層を（Ｊ着りるこ
   とを特徴どりる方法。 ２０　、　４７ｒ　ｉ’ｌ請求の範囲の第１７項に記載
   の方法であつＣ１前記耐火物層を電子ヒームｆ］着によ
   りイ１盾りることを１ｈ徴どＪる方法。 ２１　、’Ｉｈ　ｉ’ｌ晶求請求囲の第′１７項に記載
   の５２人で（シ）つ−Ｃ，両４火１勿層をイオン・スパ
   ッタリングにＪ、す（＝Ｊ　＠ｉりることを１寺徴とり
   る５２人。 ２２−　１’ｒ　Ｋ’ｌ請求の範囲の第１７項に記載の
   方法であつ（、耐火物層をｔｌＩｔ線周波プラズマでイ
   」着りることを特徴どづる方法。 ２３、　特許請求の範囲の第１７　Ｊｌｊに記載の方法
   であっＣ１耐火物層を化学Ｒ６りること４１ぞ１徴とＪ
   る５２人、。 ２４、　特ｉｉＴ請求の範囲の第１７項に記載の方法で
   あっ（、耐火物はチタン、タンクルＪ、！、：　１．Ｌ
   　’１パル］・を含むことを特徴とりるＩノ法。 ２５、　特ｉ’ｌ請求の範１１１１（７）Ｗｌ　１７１
   ．１１ｆ、Ｚ記載　ノ１ノ法゛Ｃあって、耐火物はブタ
   ン、タンタル、１パルｌ〜、しリブデンまた【、Ｌタン
   ゲスフンを含むことを１Ｊｊ徴どりる５２人。