JPH04324932A - Ｃｕ膜のエッチング方法 - Google Patents
Ｃｕ膜のエッチング方法Info
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Landscapes
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- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路等で用いるＣ
ｕ膜の加工方法に関するものである。
ｕ膜の加工方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩにいおいてＡｌ配線が使用されて
きたのは、Ａｌの塩化物の蒸気圧が高く、塩素系のガス
でエッチングが容易にできることが大きな要因であった
。しかしながらＡｌ配線は、信頼性に課題があり、Ｓｉ
やＣｕの不純物を添加しなければ断線等の問題を生ずる
（Ｊ．Ｋｌｅｍａ ｅｔ ａｌ，Ｐｒｏｃ．１９８
４Ｉｎｔ Ｒｅｌｉ． Ｐｈｙｓ． Ｓｙｍｐ．
， ｐ．１、 Ｓ． Ｍａｙｕｍｉ ｅｔ
ａｌ， Ｐｒｏｃ． １９８７ ＩＥＥＥ Ｉ
ｎｔ． ＲｅｌｉａＰｈｙｓ． Ｓｙｍｐ．，
ｐ．１５）。この結果配線抵抗の増加を生じ、微細配線
には大きな問題となっている。次世代の配線としてＣｕ
が取り上げられているが、Ｃｕ膜はエッチングが困難で
あり、配線への加工が問題となっている。この理由は、
従来Ａｌ配線に加工する場合用いられてきたハロゲン系
のガスでは、エッチング生成物の蒸気圧が低いため、例
えば、星野ほか、電子情報通信学会誌、ＳＤＭ８９−８
５（１９８９），ｐ．２５、にある様に基板温度を上昇
させなければＣｕがエッチングされないためである。配
線に加工する工程は、配線膜上に感光膜を塗布し、露光
・現像処理を行い配線形状を感光膜状に転写する。配線
部分以外の膜はガスまたは溶液を用いてエッチングされ
る。このエッチングに例えばＣＣｌ４ のガスを用いた
場合では、エッチング生成物であるＣｕＣｌ２ を脱離
するために、基板温度を３５０℃以上に上げる事が必要
である。
きたのは、Ａｌの塩化物の蒸気圧が高く、塩素系のガス
でエッチングが容易にできることが大きな要因であった
。しかしながらＡｌ配線は、信頼性に課題があり、Ｓｉ
やＣｕの不純物を添加しなければ断線等の問題を生ずる
（Ｊ．Ｋｌｅｍａ ｅｔ ａｌ，Ｐｒｏｃ．１９８
４Ｉｎｔ Ｒｅｌｉ． Ｐｈｙｓ． Ｓｙｍｐ．
， ｐ．１、 Ｓ． Ｍａｙｕｍｉ ｅｔ
ａｌ， Ｐｒｏｃ． １９８７ ＩＥＥＥ Ｉ
ｎｔ． ＲｅｌｉａＰｈｙｓ． Ｓｙｍｐ．，
ｐ．１５）。この結果配線抵抗の増加を生じ、微細配線
には大きな問題となっている。次世代の配線としてＣｕ
が取り上げられているが、Ｃｕ膜はエッチングが困難で
あり、配線への加工が問題となっている。この理由は、
従来Ａｌ配線に加工する場合用いられてきたハロゲン系
のガスでは、エッチング生成物の蒸気圧が低いため、例
えば、星野ほか、電子情報通信学会誌、ＳＤＭ８９−８
５（１９８９），ｐ．２５、にある様に基板温度を上昇
させなければＣｕがエッチングされないためである。配
線に加工する工程は、配線膜上に感光膜を塗布し、露光
・現像処理を行い配線形状を感光膜状に転写する。配線
部分以外の膜はガスまたは溶液を用いてエッチングされ
る。このエッチングに例えばＣＣｌ４ のガスを用いた
場合では、エッチング生成物であるＣｕＣｌ２ を脱離
するために、基板温度を３５０℃以上に上げる事が必要
である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこの方法
では、Ｃｕ膜上の感光膜が３５０℃の温度まで保持でき
ずなくなってしまうという問題が生じる。感光膜が保持
できる１３０℃以下ではＣｕ膜のエッチングができない
。
では、Ｃｕ膜上の感光膜が３５０℃の温度まで保持でき
ずなくなってしまうという問題が生じる。感光膜が保持
できる１３０℃以下ではＣｕ膜のエッチングができない
。
【０００４】本発明の目的は、基板温度を上昇させる事
なくＣｕ膜を加工することにある。
なくＣｕ膜を加工することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のＣｕ膜のエッチ
ング方法は、感光膜パターンをマスクにしてＣｕ膜にイ
オン注入を行って注入種とＣｕの化合物を形成し、ガス
または溶液を用いて感光膜パターンが保持できる範囲の
温度でＣｕの化合物をエッチングすることを特徴とする
。
ング方法は、感光膜パターンをマスクにしてＣｕ膜にイ
オン注入を行って注入種とＣｕの化合物を形成し、ガス
または溶液を用いて感光膜パターンが保持できる範囲の
温度でＣｕの化合物をエッチングすることを特徴とする
。
【０００６】
【作用】ＬＳＩ等で用いられている配線は現在Ａｌまた
はＡｌ合金が主流であるが、集積化に伴う微細化により
、Ａｌ合金系の配線抵抗が増加し、信頼性の点からも問
題となりつつある。配線抵抗の低下を目指し、次世代配
線としてＡｌに比べて配線抵抗が小さく、信頼性に優れ
たＣｕが検討されている。しかし、Ｃｕ膜はその塩化物
の蒸気圧が低いため、配線に加工する事が困難であった
。塩素系のガスを用いてＣｕ膜をエッチングする場合に
は、基板温度を３５０℃以上に上昇させなければならな
い。この様な温度では、Ｃｕ膜上の感光膜（フォトレジ
スト等）が保持できないという問題点があった。我々は
、基板温度を上げる事なくＣｕ膜のエッチングを可能に
することを考えている。この時、Ｃｕ膜をそれ自身を塩
素系のガスでエッチングするのではなく、Ｃｕ膜上の感
光膜をマスクにしてイオン注入を行い、Ｃｕの化合物を
形成し、これをハロゲン系のガスまたは溶液を用いてエ
ッチングする方法を用いる。この方法によりＬＳＩ等に
おけるＣｕ配線の実用性を見い出した。
はＡｌ合金が主流であるが、集積化に伴う微細化により
、Ａｌ合金系の配線抵抗が増加し、信頼性の点からも問
題となりつつある。配線抵抗の低下を目指し、次世代配
線としてＡｌに比べて配線抵抗が小さく、信頼性に優れ
たＣｕが検討されている。しかし、Ｃｕ膜はその塩化物
の蒸気圧が低いため、配線に加工する事が困難であった
。塩素系のガスを用いてＣｕ膜をエッチングする場合に
は、基板温度を３５０℃以上に上昇させなければならな
い。この様な温度では、Ｃｕ膜上の感光膜（フォトレジ
スト等）が保持できないという問題点があった。我々は
、基板温度を上げる事なくＣｕ膜のエッチングを可能に
することを考えている。この時、Ｃｕ膜をそれ自身を塩
素系のガスでエッチングするのではなく、Ｃｕ膜上の感
光膜をマスクにしてイオン注入を行い、Ｃｕの化合物を
形成し、これをハロゲン系のガスまたは溶液を用いてエ
ッチングする方法を用いる。この方法によりＬＳＩ等に
おけるＣｕ配線の実用性を見い出した。
【０００７】
（実施例１）図１（ａ）〜（ｅ）は、本発明を説明する
ためにＬＳＩにおけるＣｕ配線形成方法を示す断面図で
ある。１０００℃で水蒸気雰囲気中で形成した０．５μ
ｍの厚さの酸化膜（１２）を上面に有するＳｉ基板（１
１）上にＣｕ膜（１３）をスパッタリング法で０．５μ
ｍの厚さまで堆積する。Ｃｕ膜上にフォトレジスト（１
４）を塗布し、露光・現像を行い、フォトレジストを配
線形状にする（図１（ａ））。次にこのフォトレジスト
をマスクとして酸素イオン（１５）を１×１０１８〜１
×１０１９ｃｍ−２、１００ｋｅｖで注入する（図１（
ｂ））。Ｃｕと酸素は反応性が高く、ＣｕＯ（１６）を
形成する（図１（ｃ））。このＣｕＯをヨウ化アンモニ
ウム溶液にてエッチングする。Ｃｕ膜（１３）及び酸化
膜（１２）はこの溶液ではエッチングされず、ＣｕＯの
み選択的にエッチングされる（図１（ｄ））。エッチン
グのときは基板は加熱せず室温である。フォトレジスト
（１４）を剥離するとＣｕ配線が形成される（図１（ｅ
））。
ためにＬＳＩにおけるＣｕ配線形成方法を示す断面図で
ある。１０００℃で水蒸気雰囲気中で形成した０．５μ
ｍの厚さの酸化膜（１２）を上面に有するＳｉ基板（１
１）上にＣｕ膜（１３）をスパッタリング法で０．５μ
ｍの厚さまで堆積する。Ｃｕ膜上にフォトレジスト（１
４）を塗布し、露光・現像を行い、フォトレジストを配
線形状にする（図１（ａ））。次にこのフォトレジスト
をマスクとして酸素イオン（１５）を１×１０１８〜１
×１０１９ｃｍ−２、１００ｋｅｖで注入する（図１（
ｂ））。Ｃｕと酸素は反応性が高く、ＣｕＯ（１６）を
形成する（図１（ｃ））。このＣｕＯをヨウ化アンモニ
ウム溶液にてエッチングする。Ｃｕ膜（１３）及び酸化
膜（１２）はこの溶液ではエッチングされず、ＣｕＯの
み選択的にエッチングされる（図１（ｄ））。エッチン
グのときは基板は加熱せず室温である。フォトレジスト
（１４）を剥離するとＣｕ配線が形成される（図１（ｅ
））。
【０００８】（実施例２）実施例１と同様に、１０００
℃で水蒸気雰囲気中で形成した０．５μｍの厚さの酸化
膜（１２）を上面に有するＳｉ基板（１１）上にＣｕ膜
（１３）をスパッタリング法で０．５μｍの厚さまで堆
積する。Ｃｕ膜上にフォトレジストを塗布し、露光・現
像を行った後、Ｓｉをイオン注入する。ＣｕとＳｉはシ
リサイドＣｕ３ Ｓｉを形成し、Ｃｕ３ ＳｉはＣｕに
比べてＣＣｌ４ で容易にエッチングできるため、これ
をＣＣｌ４ ガスでエッチングし配線に加工する。エッ
チングのとき基板を１００℃に加熱する。この温度であ
ればフォトレジスト膜は保持できる。
℃で水蒸気雰囲気中で形成した０．５μｍの厚さの酸化
膜（１２）を上面に有するＳｉ基板（１１）上にＣｕ膜
（１３）をスパッタリング法で０．５μｍの厚さまで堆
積する。Ｃｕ膜上にフォトレジストを塗布し、露光・現
像を行った後、Ｓｉをイオン注入する。ＣｕとＳｉはシ
リサイドＣｕ３ Ｓｉを形成し、Ｃｕ３ ＳｉはＣｕに
比べてＣＣｌ４ で容易にエッチングできるため、これ
をＣＣｌ４ ガスでエッチングし配線に加工する。エッ
チングのとき基板を１００℃に加熱する。この温度であ
ればフォトレジスト膜は保持できる。
【０００９】（実施例３）実施例１と同様に、１０００
℃で水蒸気雰囲気中で形成した０．５μｍの厚さの酸化
膜（１２）を上面に有するＳｉ基板（１１）上にＣｕ膜
（１３）をスパッタリング法で０．５μｍの厚さまで堆
積する。Ｃｕ膜上にフォトレジストを塗布し、露光・現
像を行った後、Ｓｉをイオン注入する。ＣｕとＳｉはシ
リサイドＣｕ３ Ｓｉを形成する。その後、酸素をイオ
ン注入する。Ｃｕと酸素は反応性が高いので、シリサイ
ドＣｕ３ Ｓｉは、ＣｕＯとＳｉＯ２ のまざりあった
ものになる。ＣｕＯをヨウ化アンモニウム溶液にてエッ
チングし、ＳｉＯ２ はフッ酸にてエッチングする。フ
ォトレジストを剥離するとＣｕ配線が形成される。エッ
チングのとき基板は加熱せず室温である。
℃で水蒸気雰囲気中で形成した０．５μｍの厚さの酸化
膜（１２）を上面に有するＳｉ基板（１１）上にＣｕ膜
（１３）をスパッタリング法で０．５μｍの厚さまで堆
積する。Ｃｕ膜上にフォトレジストを塗布し、露光・現
像を行った後、Ｓｉをイオン注入する。ＣｕとＳｉはシ
リサイドＣｕ３ Ｓｉを形成する。その後、酸素をイオ
ン注入する。Ｃｕと酸素は反応性が高いので、シリサイ
ドＣｕ３ Ｓｉは、ＣｕＯとＳｉＯ２ のまざりあった
ものになる。ＣｕＯをヨウ化アンモニウム溶液にてエッ
チングし、ＳｉＯ２ はフッ酸にてエッチングする。フ
ォトレジストを剥離するとＣｕ配線が形成される。エッ
チングのとき基板は加熱せず室温である。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明のＣｕ膜のエ
ッチング方法は、基板温度を上昇させる事なく配線に加
工する事ができる。
ッチング方法は、基板温度を上昇させる事なく配線に加
工する事ができる。
【図１】本発明の方法を説明する断面図である。
１１ Ｓｉ基板
１２ 酸化膜
１３ Ｃｕ膜
１４ フォトレジスト
１５ 酸素イオン
１６ 酸化銅
Claims (3)
- 【請求項１】 感光膜のパターンをマスクにしてＣｕ
膜にイオン注入を行って注入種とＣｕの化合物を形成し
、ガスまたは溶液を用いてこの化合物をエッチングする
ことを特徴とするＣｕ膜のエッチング方法。 - 【請求項２】 注入イオンとして酸素イオンを用い、
エッチング溶液としてヨウ化アンモニウム溶液を用いた
事を特徴とする請求項１のＣｕ膜のエッチング方法。 - 【請求項３】 注入イオンとしてＳｉイオンと酸素イ
オンの少なくとも一方を用い、ＳｉとＣｕまたはＳｉと
酸素またはＳｉと酸素とＣｕの化合物を形成し、これを
ハロゲン系のガスでエッチングすることを特徴とする請
求項１のＣｕのエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3095272A JP3016270B2 (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | Ｃｕ膜のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3095272A JP3016270B2 (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | Ｃｕ膜のエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04324932A true JPH04324932A (ja) | 1992-11-13 |
| JP3016270B2 JP3016270B2 (ja) | 2000-03-06 |
Family
ID=14133141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3095272A Expired - Fee Related JP3016270B2 (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | Ｃｕ膜のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3016270B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5736002A (en) * | 1994-08-22 | 1998-04-07 | Sharp Microelectronics Technology, Inc. | Methods and equipment for anisotropic, patterned conversion of copper into selectively removable compounds and for removal of same |
| WO2012029474A1 (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-08 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びエッチングシステム |
| CN104078340A (zh) * | 2013-03-28 | 2014-10-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 铜金属层图形化方法、铜插塞、栅极和互连线的形成方法 |
-
1991
- 1991-04-25 JP JP3095272A patent/JP3016270B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5736002A (en) * | 1994-08-22 | 1998-04-07 | Sharp Microelectronics Technology, Inc. | Methods and equipment for anisotropic, patterned conversion of copper into selectively removable compounds and for removal of same |
| WO2012029474A1 (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-08 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びエッチングシステム |
| CN104078340A (zh) * | 2013-03-28 | 2014-10-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 铜金属层图形化方法、铜插塞、栅极和互连线的形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3016270B2 (ja) | 2000-03-06 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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