JPS59232260A - 電子部品電極の形成方法 - Google Patents
電子部品電極の形成方法Info
- Publication number
- JPS59232260A JPS59232260A JP10674483A JP10674483A JPS59232260A JP S59232260 A JPS59232260 A JP S59232260A JP 10674483 A JP10674483 A JP 10674483A JP 10674483 A JP10674483 A JP 10674483A JP S59232260 A JPS59232260 A JP S59232260A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- metal
- electrode
- electronic parts
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
- C23C18/34—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1655—Process features
- C23C18/1664—Process features with additional means during the plating process
- C23C18/1667—Radiant energy, e.g. laser
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1675—Process conditions
- C23C18/1676—Heating of the solution
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明は、電子部品の電極形成方法に係シ特に金属塩
の水溶液中から全面に又は選択的に金属を析出させる方
法に関するものである。
の水溶液中から全面に又は選択的に金属を析出させる方
法に関するものである。
電子部品特に半導体装置に於て微細化が進んで接続孔も
微細化をきわめ、また高密度化とともに接続孔の数も増
加している。通常配線材料は蒸着スパッタ、ＣＶＤ法な
どで形成される蒸着法、スノくツタ法では、開孔部と深
さの比が小さくなるとシャドウィング効果によって中に
原子粒が入らなく疫って層間接続の信頼性に間顧かのこ
る。ＣＶＤ法で配線形成する場合にもある程度このよう
な問題はのこる。またこの上に絶縁膜形成して二層配線
を行う場合にも、この段差が直に上面にあられれるため
上層配線に対する信頼性上杆１しくない。
微細化をきわめ、また高密度化とともに接続孔の数も増
加している。通常配線材料は蒸着スパッタ、ＣＶＤ法な
どで形成される蒸着法、スノくツタ法では、開孔部と深
さの比が小さくなるとシャドウィング効果によって中に
原子粒が入らなく疫って層間接続の信頼性に間顧かのこ
る。ＣＶＤ法で配線形成する場合にもある程度このよう
な問題はのこる。またこの上に絶縁膜形成して二層配線
を行う場合にも、この段差が直に上面にあられれるため
上層配線に対する信頼性上杆１しくない。
これらの不適合を解決するためには、接続孔中のみ金属
層で選択的に埋込む技術が要求される。それらの方法と
してリフトオフ法やＭＯ及びＷの選択的ＣＶＤがある。
層で選択的に埋込む技術が要求される。それらの方法と
してリフトオフ法やＭＯ及びＷの選択的ＣＶＤがある。
リフトオフはこれまで各所で試みられたが、レジストが
信頼性よくとれないなどの問題がある。金属の無電解メ
ッキも試みられているが、密着性などの問題がまだ残っ
ている。
信頼性よくとれないなどの問題がある。金属の無電解メ
ッキも試みられているが、密着性などの問題がまだ残っ
ている。
この発明は、上述のような従来技術の欠点を解消して、
コンタクトホールを金属で埋めて信頼性よく微細配線層
を形成するようにした電子部品電極の形成方法を提供す
るものである。
コンタクトホールを金属で埋めて信頼性よく微細配線層
を形成するようにした電子部品電極の形成方法を提供す
るものである。
水溶液中に於て、金属基及びある種の還元剤が含まれて
いる時に常温では安定であってもこれに熱又は他の刺激
を加えることによって急激に金属塩の還元反応が進行し
て金属が析出するような系が存在する。この一つの例は
銀鏡反応として知られている。またこのような析出は基
板の温度を選ぶ事によってＰ３緑膜、半導体表面、金属
膜間で選択性を持たせる事が可能である。本発明では還
元反応を促進するための熱エネルギーとして、レーザー
光又はハロゲンランプなどの光を基板に照射することに
よって溶液の加熱を最少限におさえ基板′ｆｆ：瞬間的
に昇温してこれによってこの部分に金属膜を形成する。
いる時に常温では安定であってもこれに熱又は他の刺激
を加えることによって急激に金属塩の還元反応が進行し
て金属が析出するような系が存在する。この一つの例は
銀鏡反応として知られている。またこのような析出は基
板の温度を選ぶ事によってＰ３緑膜、半導体表面、金属
膜間で選択性を持たせる事が可能である。本発明では還
元反応を促進するための熱エネルギーとして、レーザー
光又はハロゲンランプなどの光を基板に照射することに
よって溶液の加熱を最少限におさえ基板′ｆｆ：瞬間的
に昇温してこれによってこの部分に金属膜を形成する。
また半導体基板に接続孔を持つ絶縁膜を形成したのち上
記工程を経る事によって接続孔部のみ金属膜を形成して
段差のない配線を形成することが可能である。本発明で
考慮した還元剤としてはギ酸、蓚酸などの酸化相の低い
有機酸、またナトリウム類をあまシきらゎない電子部品
では水素化ホウ素ナトリウムまたは亜硫酸塩、ヒドラジ
ンなどが考えられる。金属塩としては硝酸塩一般および
水に対する溶解度などを考慮しての塩化物、ａ酸塩及び
錯化合物などが考へられる。
記工程を経る事によって接続孔部のみ金属膜を形成して
段差のない配線を形成することが可能である。本発明で
考慮した還元剤としてはギ酸、蓚酸などの酸化相の低い
有機酸、またナトリウム類をあまシきらゎない電子部品
では水素化ホウ素ナトリウムまたは亜硫酸塩、ヒドラジ
ンなどが考えられる。金属塩としては硝酸塩一般および
水に対する溶解度などを考慮しての塩化物、ａ酸塩及び
錯化合物などが考へられる。
本発明によれば、半導体又は他の電子部品基板上に選択
的に開口部を持つ絶縁膜を形成したのに対して段差のな
い配線を形成出来るとともに、基板温度が上った状態で
金属膜カー析出するために、従来のメッキ法などに比べ
ても良好な密着性の膜が得られる。
的に開口部を持つ絶縁膜を形成したのに対して段差のな
い配線を形成出来るとともに、基板温度が上った状態で
金属膜カー析出するために、従来のメッキ法などに比べ
ても良好な密着性の膜が得られる。
以下実施例に従って本発明の詳細な説明を行う、実施例
１ 第１図に於いて半導体基板αυに絶縁膜ｕりを形成した
のち開口部ｕ３１’ｅ形成する。これを第２図に示すよ
うな浴槽（２６）内に保持する。浴組成は水１ｔに対し
て硫酸ニッケル１０にヒドラジン１００ｍｅ、）’Ｌと
した。
１ 第１図に於いて半導体基板αυに絶縁膜ｕりを形成した
のち開口部ｕ３１’ｅ形成する。これを第２図に示すよ
うな浴槽（２６）内に保持する。浴組成は水１ｔに対し
て硫酸ニッケル１０にヒドラジン１００ｍｅ、）’Ｌと
した。
（２渇、１到はＸ、 Ｙミツ−，１２４）は集光レンズ
、１２っは光学窓である。レーザー発振器（２υのパワ
ーは４ｗで走査した。これによって基板（ｌυが加熱さ
れて第１図（ｂ）に示すようにニッケル金属の（４）析
出が接続孔内部のみに発生する。１ｃｔ！全照射するの
に３０秒位かけて、ニッケルの析出が５０００λ程度で
ある。これによってコンタクト部分のみ金属で埋め込ま
れた形状が得られる。
、１２っは光学窓である。レーザー発振器（２υのパワ
ーは４ｗで走査した。これによって基板（ｌυが加熱さ
れて第１図（ｂ）に示すようにニッケル金属の（４）析
出が接続孔内部のみに発生する。１ｃｔ！全照射するの
に３０秒位かけて、ニッケルの析出が５０００λ程度で
ある。これによってコンタクト部分のみ金属で埋め込ま
れた形状が得られる。
実施例２
水溶液中で、膜形成を行う場合に、半導体表面の酸化膜
が接続不良の原因となシ易い、この場合には液中に非常
にわずかのフッ酸を混ぜることによって、この障害をと
り除くことが出来る、このフッ酸があまり多いと絶縁膜
の晴化膜もおかしてしまう。この例では水１を当り塩化
ニッケル３０ｒギ酸２０ＣＣ，フッ酸１Ｑｃｃとした。
が接続不良の原因となシ易い、この場合には液中に非常
にわずかのフッ酸を混ぜることによって、この障害をと
り除くことが出来る、このフッ酸があまり多いと絶縁膜
の晴化膜もおかしてしまう。この例では水１を当り塩化
ニッケル３０ｒギ酸２０ＣＣ，フッ酸１Ｑｃｃとした。
実施例３
酸化膜上とコンタクトホール下での選択性を増す目的で
、コンタクトホール部を半導体でなく金属質にした方が
良い。この目的のために通常よく行われる方法で白金シ
リサイドを自己整合的にコンタクト部に形成して、ｈｈ
いて本発明を適用する。
、コンタクトホール部を半導体でなく金属質にした方が
良い。この目的のために通常よく行われる方法で白金シ
リサイドを自己整合的にコンタクト部に形成して、ｈｈ
いて本発明を適用する。
この場合白金シリサイド化は６ｏｏ℃で行い、あと王水
ボイルで酸化１模上の未反応白金を除去する。こり工程
をと９いれることによって実施例１の組成でニッケルの
析出を行った場合必要レーザーパワーも少々低下すると
同時に選択性も更に向上させる本発明によれば、コンタ
クトホール部のみ選択的に金属を埋め込むことができる
。従って深いコンタクトに対する接続も容易になる。こ
こで実施例としてニッケルを挙げたが金属としてはニッ
ケルに限ることはない。銅であれば硫酸銅、白金の場合
は塩化白金酸、ロジウムでは硫酸ロジウムなどを金属塩
として用いることができる。また金属又は半゛導体材料
で形成した配ｍＫ対して更に別の金属の被覆などにもと
の発明は同様にして適用することが可能である。
ボイルで酸化１模上の未反応白金を除去する。こり工程
をと９いれることによって実施例１の組成でニッケルの
析出を行った場合必要レーザーパワーも少々低下すると
同時に選択性も更に向上させる本発明によれば、コンタ
クトホール部のみ選択的に金属を埋め込むことができる
。従って深いコンタクトに対する接続も容易になる。こ
こで実施例としてニッケルを挙げたが金属としてはニッ
ケルに限ることはない。銅であれば硫酸銅、白金の場合
は塩化白金酸、ロジウムでは硫酸ロジウムなどを金属塩
として用いることができる。また金属又は半゛導体材料
で形成した配ｍＫ対して更に別の金属の被覆などにもと
の発明は同様にして適用することが可能である。
第１図は電子部品の断面図であり、（ａ）は接続孔形成
したところ、（ｂ）は本発明によって金属を埋込んだと
ころを示す図、第２図は本発明に使用する装置の配置の
一例を示す配置図である。 １１ 半導体基板、１２・・・絶縁膜、１３・・・接
続孔、１４・・・３Ｊｌ１１． 込ｔ し★金属、２１
・・・レーザず」損益、２２・・・Ｘミラー、２３・Ｘ
ミラー、２４・・・集光レンズ、２５・・光学窓、２６
・・・浴槽。 （７３１７） 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名
）第１図 （／−） 第２図 ［
したところ、（ｂ）は本発明によって金属を埋込んだと
ころを示す図、第２図は本発明に使用する装置の配置の
一例を示す配置図である。 １１ 半導体基板、１２・・・絶縁膜、１３・・・接
続孔、１４・・・３Ｊｌ１１． 込ｔ し★金属、２１
・・・レーザず」損益、２２・・・Ｘミラー、２３・Ｘ
ミラー、２４・・・集光レンズ、２５・・光学窓、２６
・・・浴槽。 （７３１７） 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名
）第１図 （／−） 第２図 ［
Claims (2)
- （１）金属塩及び還元剤を含む水溶液中に基板を保持し
、これに光を照射することによって金属層を形成するこ
と全特徴とする電子部品電極の形成方法。 - （２）基板が選択的に絶縁膜におおわれた半導体基板で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子
部品電極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10674483A JPS59232260A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | 電子部品電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10674483A JPS59232260A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | 電子部品電極の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59232260A true JPS59232260A (ja) | 1984-12-27 |
Family
ID=14441426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10674483A Pending JPS59232260A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | 電子部品電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59232260A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60197879A (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-07 | Nippon Steel Corp | 耐食性のすぐれたステンレス鋼の製造法 |
| JPS63318750A (ja) * | 1987-06-22 | 1988-12-27 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH03132089A (ja) * | 1989-09-25 | 1991-06-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 選択メッキ用構造体および選択メッキ方法 |
| JPH07263718A (ja) * | 1993-03-19 | 1995-10-13 | Ramot Univ Authority For Appl Res & Ind Dev Ltd | ショットキー半導体デバイス及びその製造方法 |
| JP2010525554A (ja) * | 2007-03-06 | 2010-07-22 | フラウンホーファー・ゲゼルシャフト・ツール・フェルデルング・デア・アンゲヴァンテン・フォルシュング・エー・ファウ | 基板を精密加工するための方法およびその使用 |
-
1983
- 1983-06-16 JP JP10674483A patent/JPS59232260A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60197879A (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-07 | Nippon Steel Corp | 耐食性のすぐれたステンレス鋼の製造法 |
| JPS63318750A (ja) * | 1987-06-22 | 1988-12-27 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH03132089A (ja) * | 1989-09-25 | 1991-06-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 選択メッキ用構造体および選択メッキ方法 |
| JPH07263718A (ja) * | 1993-03-19 | 1995-10-13 | Ramot Univ Authority For Appl Res & Ind Dev Ltd | ショットキー半導体デバイス及びその製造方法 |
| JP2010525554A (ja) * | 2007-03-06 | 2010-07-22 | フラウンホーファー・ゲゼルシャフト・ツール・フェルデルング・デア・アンゲヴァンテン・フォルシュング・エー・ファウ | 基板を精密加工するための方法およびその使用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5580668A (en) | Aluminum-palladium alloy for initiation of electroless plating | |
| US5308796A (en) | Fabrication of electronic devices by electroless plating of copper onto a metal silicide | |
| US5151168A (en) | Process for metallizing integrated circuits with electrolytically-deposited copper | |
| US6054172A (en) | Copper electroless deposition on a titanium-containing surface | |
| US6696758B2 (en) | Interconnect structures and a method of electroless introduction of interconnect structures | |
| TWI289327B (en) | Electroless deposition methods | |
| JP2000502211A (ja) | ウェハ製造のためにチタン・タングステン合金類に対して無電解プレーティングを選択的にイニシエートするパラジウム浸漬デポジションの使用 | |
| JPS62271454A (ja) | Ｖｌｓｉデバイス中の開口の選択無電界メツキ方法 | |
| JPS6161258B2 (ja) | ||
| JPS584924A (ja) | 半導体装置の電極形成方法 | |
| JPH0581664B2 (ja) | ||
| JPH05190549A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS59232260A (ja) | 電子部品電極の形成方法 | |
| US5264108A (en) | Laser patterning of laminated structures for electroplating | |
| US3445727A (en) | Semiconductor contact and interconnection structure | |
| JPH07321111A (ja) | 無電解メッキによる集積回路の配線方法 | |
| US3839083A (en) | Selective metallization process | |
| JP2779207B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4444420B2 (ja) | 導電性構造および半導体装置を形成するためのプロセス | |
| US6083834A (en) | Zincate catalysis electroless metal deposition for via metal interconnection | |
| US6555171B1 (en) | Cu/Sn/Pd activation of a barrier layer for electroless CU deposition | |
| US3367806A (en) | Method of etching a graded metallic film | |
| JP2000031095A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2006509910A (ja) | 銅活性化溶液と半導体基板のシード層の増強方法 | |
| JP2572430B2 (ja) | 基体の表面に金属を局部的に設ける方法 |