JPS609670B2 - サイリスタ - Google Patents

サイリスタ

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JPS609670B2
JPS609670B2 JP55158064A JP15806480A JPS609670B2 JP S609670 B2 JPS609670 B2 JP S609670B2 JP 55158064 A JP55158064 A JP 55158064A JP 15806480 A JP15806480 A JP 15806480A JP S609670 B2 JPS609670 B2 JP S609670B2
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emitter
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auxiliary emitter
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    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、外側に位置しカソードを設けられたＮェミツ
タ層と外側に位置しアノードを設けられたＰェミッタ層
とこれらの層にそれぞれ境を接する２つのベース層と外
側に位置する補助ェミッタ領域とを含む半導体ゥェーハ
を有しており「補助ェミッタ領域はベース層の一方に境
を接しかつ補助ェミッタ電極を設けられており、この補
助ェミッタ電極がＮェミッタ層（Ｐェミッタ層）のほう
を向いた側面上でへそこに位置するＰＮ接合を補助ェミ
ッ夕領域と隣接ベース層の部分との間で橋絡するように
延長されているサィリスタに関するものである。
この種のサィリスタはＥ．Ｓｐｅｎｋｅの著書「ｐｎ−
Ｕ枕ｒｇａｎｇｅ」（「比ｌｂｌｅｉｔｅｒ−Ｅｌｅｋ
ｔｒｏｎ；ｋ」シリ‐ズの第５巻）Ｓｐｒｉｎ袋ｒ−Ｖ
ｅｒｌａｇベルリン１９７９．第１２３および１２４頁
、特に図１６，１５から知られている。
この種のサィリスタは、その内部の点弧増幅により全点
弧過程の非常に速い進行が保証されるので、アノードと
カソードとの間を流れる負荷電流の立ち上がり速度を大
きくするのに適している。本発明の目的は、このような
サィリス夕をできるかぎり簡単な回路的対策でその安定
性の点で改良すること、すなわち導通方向の極性を有す
る電圧がアノードーカソード間に生じた際の意図せざる
点弧過程に対する大きな安全性を確保し、しかもそれに
よりターンオン挙動に悪影響を与えないようにすること
である。
この目的は、本発明によれば、補助ヱミッタ電極を上面
に設けられた半導体ゥェーハの境界面に、隣接ベース層
と接続された第１の伝導形式の第１の半導体領域と補助
ェミッタ電極と接続された第１の伝導形式の第２の半導
体領域とこれらの領域の間に位置する第２の伝導形式の
中間層とを含む肌Ｓ構造として構成されたしや断可能な
電流回路が配置されており「中間層は〜半導体ウェーハ
に対して絶縁されかつ制御電圧端子と接続されたゲート
によりおおわれており「 またＮェミッタ層（Ｐェミッ
タ層）が、半導体ウェーハの境界面まで延びそこでカソ
ード（ァノード）と導電接続されている少なくとも１つ
の隣懐ベース層の領域により貫かれていることにより達
成される。米国特許第３２４３６６計号明細書から、Ｍ
ＩＳ構造として達成された制御可能なェミッターショー
ト部を有するサィリス夕は公知である。
この場合、ＭＩＳ構造のゲートに制御電圧を印加すると
「 カソード（アノード）と鞍綾されたェミッタ層とそ
れに境を接するベース層との間のＰＮ接合を橋絡する短
絡回路が有効状態にされる。その結果、サィＩＪス外ま
通流状態から阻止状態「すなわちカソードとァノードと
の間に導通方向に電圧が印加されても実際上電流が流れ
ない状態、へ切換えられる。阻止状態から通流状態への
切換は、両ベース層の間のＰＮ接合を低抵抗で橋絡する
別のＭＩＳ構造のゲートに別の制御電圧を印加すること
によって行なわれる。しかし２つの制御電圧によりサィ
リス夕を作動させるために相当の回路費用を必要とする
。他方、たとえばドイツ連邦共和国特許出願公告第２４
３８８９４号公報から、短絡ヱミッ夕を有するサィリス
夕として〜外側に位置するェミッタ領域が隣接ベース層
の部分として理解すべき複数個の短絡領域により貴かれ
、これらの短絡領域がサィリスタ。
ゥェーハの境界面まで延びそこでカソードと接続されて
いるものは公知である。この公知のサィリスタの欠点と
して、サィリス夕の良好な安定性を得るために、多数の
短絡領域が設けられなければならない。しかし「短絡領
域の数が多くなると、サィリスタの点弧挙動が著しく悪
化する。サィリスタの被点狐面が横方向に全横断面に広
がる速度が遅くなる。その結果、著しいターンオン損失
が生ずる。本発明により構成されたサイリスタは、主エ
ミッタが技術的に費用が少なくてすむ短絡領域により貫
かれており、補助ェミツタ領域のみが制御可能な短絡構
造を設けられており、この短絡構造によりサィリスタの
点弧準備が支配されるので、点弧過程が迅速にかつわず
かなターンオン損失で行なわれる点ですぐれている。
以下、図面により本発明を一層詳細に説明する。
第１図および第２図に示されているサィリスタはたとえ
ばドープされたシリコンから成り交互の伝導形式の半導
体層１ないし４を含む半導体ウェーハを有する。
この場合、外側に位置するＮ伝導形の層１はＮェミッタ
層、また外側に位置するＰ伝導形の層４はＰェミツタ層
と呼ばれる。Ｐ伝導形の層２およびＮ伝導形の層３はい
わゆるベース層である。Ｐェミツタ層４はアノード端子
Ａを有するアノード５を設けられている。Ｐェミツタ層
の部分層ｌａおよびｌｂは第２図では縦方向に延びる平
行な帯として示されている。部分層ｌａおよびｌｂの各
々はカソードの部分６または７を設けられており、部分
６，７は互いに導電接続されて、共通のカソード端子Ｋ
に導かれている。第２図の線１−１に沿う横断面を示す
第１図には、部分領域ＨＩおよび日２から成り外側に位
置するＮ伝導形の補助ェミツタ領域が示されている。部
分領域ＨＩおよび日２はそれぞれ補助ェミッタ電極の部
分８または９を設けられており、部分８および９は互い
に導電接続されている。Ｎェミッタ部分層ｌａおよびｌ
ｂのほうを向いた側面上で部分８および９はそこに位置
するＰＮ接合を補助ェミッタ部分領域とべ‐ス層の参照
数字１０および１１を付されている部分との間で橋絡す
るように延長されている。補助ェミッ夕部分領域ＨＩお
よび日２内にＰ伝導形の半導体領域１２および１３が、
半導体ウェーハの境界面Ｆまで延びるように接合されて
いる。第２図では、これらの半導体領域の表面は、図面
を理解しやすくするため、ハッチングを施して示されて
いる。領域１２および１３はそれぞれ縁部で電極の部分
８，９により接触される。１４はベース層２の１つの領
域であり、境界面Ｆまで達し、部分領域ＨＩおよび日２
を互いに隔離している。
領域１４は第１のＰ領域を形成し、半導体領域１２は第
２のＰ領域を形成し、またその間に位置する部分領域Ｈ
Ｉの部分はＮ中間層を形成する。境界面Ｆの上に薄い電
気絶縁性の層１５、たとえばＳｉ０２から成る層、が設
けられており、その上にゲート１６がＮ中間層をおおう
ように配置されている。部分１２，日１，１４，１５お
よび１６はＭＩＳ構造を形成する。肌Ｓ構造がディプリ
ーション形であれば、ゲート１６に電圧が印加されてい
ないときにＰ伝導形の反転チャネル１７が領域１２と１
４との間の境界面Ｆに生じ、両領域を互いに導電接続す
る。ゲート１６の制御電圧端子Ｇに正の制御電圧を印加
すると、反転チャネル１７は消滅する。ＭＩＳ構造がェ
ンハンスメント形であれば、ゲート１６に電圧が印加さ
れてし、らし、ときには反転チャンネル１７が生じない
。反転チャネルＧに負の制御電圧を印加したときに初め
てゲート１６の下側の部分領域ＨＩの反転により形成さ
れる。こうして反転チャネル１７は、端子Ｇに印加され
る制御電圧と関係してベース層２を領域１２従ってまた
補助ェミッタ電極の部分８と低抵抗で接続したりしなか
ったりする制御可能なェミツタ・ショート部として機能
する。
端子Ｇと接続されたゲート１９を上面に設けられている
電気絶縁性の層１ ８、たとえばＳｉ０２から成る層、
の配置により、同様にしてＭＩＳ構造１３，日２，１４
，１８および１９が形成されており、このＭＩＳ構造で
はＧに印加される制御電圧に関係して領域１３と１４と
の間、従ってまたベース層２と補助ェミッタ電極の部分
９との間のェミッタ・ショート部が有効状態または無効
状態に切換えられる。ディプリーション形のＭＩＳ構造
ではェミッタ・ショート部は、端子Ｇに電圧が印放され
ていないときに有効状態になる。
このときサィリスタは阻止状態、すなわち端子ＡとＫと
の間に導通万向に電圧が印加されてもその間に実際上電
流が流れない状態、となる。熱的に形成された正孔はベ
ース層２から補助ェミッタ電極の部分８および９に導き
出されるので、補助ェミッタの部分領域ＨＩおよび日２
から電荷キャリアがベース層２に注入されることはない
。従って、Ｐェミッタ層４と補助ェミッタの部分領域と
の間に、サィリスタを完全に点弧するため部分８および
９を経てＮヱミッタ部分層６および７に導かれ得る補助
電流は生じなし・。すなわち低い点孤感度または高いし
、安定性の状態が存続する。端子Ｇに正の電圧パルスＰ
Ｉが供給されて初めて、ェミッタ・ショート部はＰＩの
継電中のみ無効状態に切換えられ、その際先ず補助電流
は補助ェミッタの部分領域を経て生じ、次いでサィリス
タを点弧するので、サィリス外ま通流状態に達する。そ
の後、ＡおよびＫに接続された負荷回路の負荷電流は全
体的に低抵抗に切換えられたサィリスタを経て流れる。
サィリスタのしや断はＡとＫとの間に導通方向に印加さ
れている電圧のしや断により、または交流電圧の場合に
はその次回の霧交さにより行なわれる。サイリスタを上
記のように切換えるのに、原理的には〜第１図に示され
ている両ＭＩＳ構造の一方でも十分である。ベース層２
が点弧電極を設けられていれば「点弧過程の進行は一層
速められ得る。第亀図で参照数字２２を付されている点
弧電極は領域１亀と接触している。点弧電極は点弧電流
をベース層２に供給する点孤軍流回路２川こ対する端子
Ｚを設けられている。本発明の１つの実施例では、端子
Ｇは破線で示されているように端子Ｚと接続される。こ
の場合「端子Ｚで取出し可能な真弧電圧パルスがパルス
ＰＩとして用いられる。第３図には、前記形式のサィリ
スタとして、補助ェミッタ電極の部分２３なし、し２６
を設けられた多数の補助ェミッタ部分領域ＨＩＩないし
日１４が設けられているものが示されている。
この場合、２つの隣接するＭＩＳ構造を制御するため、
それぞれ共通のゲート、たとえば端子Ｇと接続されてい
るゲート２７が設けられている。サィリスタはＮェミッ
タ部分層ｌｂの範囲で中断されている。なぜならば、こ
の範囲は補助ェミッタ部分領域を有する半導体範囲より
もはるかに大きいからである。個々の反転チャネル１７
の長さとしてはたとえば２ないし３山肌の値が考えられ
る。部分２３なし、し２７，ＨＩＩないし日１４，ｌｂ
および７はたとえば帯状に構成されていてよく、また第
２図の対応する部分と同様に互いにほぼ平行に延びてい
てよい。他方、第３図のサィリスタも電極２２を通る対
称軸線を有する回転対称のウェーハとして構成されてよ
く〜その場合、面Ｆ‘こ設けられるＭＩＳ構造もリング
状に構成される。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１の実施例の横断面図「第２図は第
１図の実施例の平面図、第３図は本発明の第２の実施例
の横断面図である。 １……Ｎェミツタ層、１ａ。 …川部分層、２・・…・Ｐ伝導形のベース層、３……Ｎ
伝導形のベース層、４……Ｐェミッタ層、５……アノー
ド、６，７……カソードの部分、８，９・…。・補助ェ
ミッタ電極の部分、１０，１１・…・・ベース層の部分
、１２，亀３……Ｐ伝導形の半導体領域、１４……ベー
ス層の領域、１５……絶縁層、１６…・・・ゲート、１
７……反転チャネル、１８……絶縁層、１９…例ゲート
、２０， ２１・・・・・・ベース層の領域、２２……
点弧電極、２３〜２６・…−・補助ェミッタ電極の部分
、２７・…・‘ゲート、Ａ…・・・アノード端子〜Ｆ…
…境界面、Ｇ・・…・制御電圧端子、日１，日２鷺 日
亀１〜日１４…・・・補助ェミッタ部分領域、Ｋ・・…
・カソード端子、Ｐ１・・・…電圧パルス、Ｚ・…・〇
点弧電流端子、ＺＩ……点弧電流回路。ＦＩＧＩＦＩＧ
２ ＦＩＧ３

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 外側に位置しカソードを設けられたＮエミツタ層と
    外側に位置しアノードを設けられたＰエミツタ層とこれ
    らの層にそれぞれ境を接する２つのベース層と外側に位
    置する補助エミツタ領域とを含む半導体ウエーハを有し
    ており、補助エミツタ領域はベース層の一方に境を接し
    かつ補助エミツタ電極を設けられており、この補助エミ
    ツタ電極がＮエミツタ層（Ｐエミツタ層）のほうを向い
    た側面上で、そこに位置するＰＮ接合を補助エミツタ領
    域と隣接ベース層の部分との間で橋絡するように延長さ
    れているサイリスタにおいて、補助エミツタ電極を上面
    に設けられた半導体ウエーハの境界面に、隣接ベース層
    と接続された第１の伝導形式の第１の半導体領域と補助
    エミツタ電極と接続された第１の伝導形式の第２の半導
    体領域とこれらの領域の間に位置する第２の伝導形式の
    中間層とを含むＭＩＳ構造として構成されたしや断可能
    な電流回路が配置されており、中間層は、半導体ウエー
    ハに対して絶縁されかつ制御電圧端子と接続されたゲー
    トによりおおわれており、またＮエミツタ層（Ｐエミツ
    タ層）が、半導体ウエーハの境界面まで延びそこでカソ
    ード（アノード）と導電接続されている少なくとも１つ
    の隣接ベース層の領域により貫かれていることを特徴と
    するサイリスタ。 ２ 特許請求の範囲第１項記載のサイリスタにおいて、
    補助エミツタ領域がそれぞれ互いに導電接続された補助
    エミツタ電極の部分を設けられた複数個の部分領域に分
    割されており、また部分領域の縁部に配置された複数個
    の帯状のＭＩＳ構造が設けられていることを特徴とする
    サイリスタ。 ３ 特許請求の範囲第１項または第２項に記載のサイリ
    スタにおいて、ＭＩＳ構造の第１の半導体領域がそれぞ
    れ、半導体ウエーハの境界面まで延びそこで補助エミツ
    タ電極またはその部分と導電接続されるように補助エミ
    ツタ領域またはその部分領域内に接合されており、ＭＩ
    Ｓ構造の第２の半導体領域がそれぞれ補助エミツタ領域
    に境を接し境界面まで延びるベース層の部分から成つて
    おり、また中間層がそれぞれ、隣接するベース層の部分
    の互いに向かい合う境界面と第１の半導体領域との間に
    位置する補助エミツタ領域またはその部分領域の部分か
    ら成つていることを特徴とするサイリスタ。 ４ 特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記
    載のサイリスタにおいて、ベース層またはその１つの領
    域が点弧電流回路に対する端子を有する点弧電極を設け
    られていることを特徴とするサイリスタ。 ５ 特許請求の範囲第４項記載のサイリスタにおいて、
    点弧電流回路に対する端子がＭＩＳ構造の制御電圧端子
    と接続されていることを特徴とするサイリスタ。 ６ 特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれかに記
    載のサイリスタにおいて、ＭＩＳ構造の制御電圧端子に
    、阻止状態から通流状態へのサイリスタの切換を生じさ
    せる電圧パルスが与れられることを特徴とするサイリス
    タ。 ７ 特許請求の範囲第５項に記載のサイリスタにおいて
    、点弧電流回路に対する端子で取出し可能な点弧電圧パ
    ルスがＭＩＳ構造の制御電圧端子に、阻止状態から通流
    状態へのサイリスタの切換を生じさせる電圧パルスとし
    て与えられることを特徴とするサイリスタ。
JP55158064A 1979-11-09 1980-11-10 サイリスタ Expired JPS609670B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19792945347 DE2945347A1 (de) 1979-11-09 1979-11-09 Thyristor mit hilfsemitterelektrode und verfahren zu seinem betrieb
DE2945347.2 1979-11-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5683068A JPS5683068A (en) 1981-07-07
JPS609670B2 true JPS609670B2 (ja) 1985-03-12

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ID=6085614

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP55158064A Expired JPS609670B2 (ja) 1979-11-09 1980-11-10 サイリスタ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4612449A (ja)
EP (1) EP0028798B1 (ja)
JP (1) JPS609670B2 (ja)
BR (1) BR8007252A (ja)
DE (1) DE2945347A1 (ja)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3018468A1 (de) * 1980-05-14 1981-11-19 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit steuerbaren emitterkurzschluessen und verfahren zu seinem betrieb
DE3112941A1 (de) * 1981-03-31 1982-10-07 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit innerer stromverstaerkung und verfahren zu seinem betrieb
DE3112940A1 (de) * 1981-03-31 1982-10-07 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit anschaltbarer innerer stromverstaerkerung und verfahren zu seinem betrieb
DE3118317A1 (de) * 1981-05-08 1982-11-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit hilfsemitterelektrode und kurzschlussgebieten sowie verfahren zu seinem betrieb
DE3118365A1 (de) * 1981-05-08 1982-11-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit in den emitter eingefuegten steuerbaren emitter-kurzschlusspfaden
DE3138762A1 (de) * 1981-09-29 1983-04-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Thyristor mit steuerbaren emitter-kurzschluessen und zuendverstaerkung
US5111268A (en) * 1981-12-16 1992-05-05 General Electric Company Semiconductor device with improved turn-off capability
DE3230741A1 (de) * 1982-08-18 1984-02-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Halbleiterschalter mit einem abschaltbaren thyristor
US4760432A (en) * 1985-11-04 1988-07-26 Siemens Aktiengesellschaft Thyristor having controllable emitter-base shorts
US4962411A (en) * 1986-03-21 1990-10-09 Nippondenso Co., Ltd. Semiconductor device with current detecting function
US4951110A (en) * 1987-11-03 1990-08-21 Siemens Aktiengesellschaft Power semiconductor structural element with four layers
JPH0716009B2 (ja) * 1988-12-02 1995-02-22 株式会社日立製作所 横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
JPH0612817B2 (ja) * 1989-12-27 1994-02-16 株式会社東芝 半導体装置
JP2715399B2 (ja) * 1990-07-30 1998-02-18 株式会社デンソー 電力用半導体装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL293292A (ja) * 1962-06-11
FR1483998A (ja) * 1965-05-14 1967-09-13
DE2040657C3 (de) * 1970-08-17 1975-10-02 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Elektronischer Schalter für Halbleiterkoppelpunkte in Fernmelde-, insbesondere Fernsprechvermittlungsanlagen
JPS5125116B1 (ja) * 1970-10-08 1976-07-28
US3742318A (en) * 1970-11-26 1973-06-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Field effect semiconductor device
JPS5135114B1 (ja) * 1970-12-28 1976-09-30
US3858235A (en) * 1971-07-05 1974-12-31 Siemens Ag Planar four-layer-diode having a lateral arrangement of one of two partial transistors
DE2201041C3 (de) * 1972-01-11 1980-08-07 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Thyristor
US3831187A (en) * 1973-04-11 1974-08-20 Rca Corp Thyristor having capacitively coupled control electrode
US3896476A (en) * 1973-05-02 1975-07-22 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor switching device
DE2407696C3 (de) * 1974-02-18 1979-02-01 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Thyristor
JPS50123282A (ja) * 1974-03-15 1975-09-27
DE2438894C3 (de) * 1974-08-13 1979-02-22 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Thyristor mit Kurzschlußemitter
SE392783B (sv) * 1975-06-19 1977-04-18 Asea Ab Halvledaranordning innefattande en tyristor och en felteffekttransistordel
JPS5933986B2 (ja) * 1975-09-12 1984-08-20 三菱電機株式会社 半導体装置
US4087834A (en) * 1976-03-22 1978-05-02 General Electric Company Self-protecting semiconductor device
SU793421A3 (ru) * 1976-06-02 1980-12-30 Ббц Аг Браун Фототиристор
US4092703A (en) * 1977-03-15 1978-05-30 Kabushiki Kaisha Meidensha Gate controlled semiconductor device
DE2757295A1 (de) * 1977-12-22 1979-07-12 Licentia Gmbh Sicherungsschaltung fuer ein halbleiterelement
US4219833A (en) * 1978-05-22 1980-08-26 Electric Power Research Institute, Inc. Multigate light fired thyristor and method
US4301462A (en) * 1978-08-03 1981-11-17 Westinghouse Electric Corp. Light activated silicon switch with etched channel in cathode base and anode emitter communicating with cladded optical fiber
US4199774A (en) * 1978-09-18 1980-04-22 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Monolithic semiconductor switching device
JPS5574168A (en) * 1978-11-28 1980-06-04 Oki Electric Ind Co Ltd Pnpn switch
SE430450B (sv) * 1979-04-03 1983-11-14 Asea Ab Tvapoligt overstromsskydd for inkoppling i en stromforande ledning

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