JPS6094732A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPS6094732A JPS6094732A JP20308683A JP20308683A JPS6094732A JP S6094732 A JPS6094732 A JP S6094732A JP 20308683 A JP20308683 A JP 20308683A JP 20308683 A JP20308683 A JP 20308683A JP S6094732 A JPS6094732 A JP S6094732A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体装置の製造装置に関し、特に連続した
リードフレーム上に個々の半導体素子を樹脂封止成形し
たのち、個々の半導体装置に成形するための半導体装置
の製造装置に関するものである。
リードフレーム上に個々の半導体素子を樹脂封止成形し
たのち、個々の半導体装置に成形するための半導体装置
の製造装置に関するものである。
従来例によるこの棟の半導体装置の製造装置、および同
製造装置に↓つで樹脂封止成形させた半導体装置の概要
構成を第１図、および第２図に示しである。
製造装置に↓つで樹脂封止成形させた半導体装置の概要
構成を第１図、および第２図に示しである。
これらの第１図、および第２図構成において、符号１は
リードフレーム、２はこのリードフレーム１上の所定位
置に配した半導体素子を封止成形している合成樹脂部、
３は同上各リード端子間を連結する連結片までの空間部
に形成されるリード間樹脂、４はパンチ５およびパイロ
ットピン６を位置決め固定した上部グイセット、Ｔは前
記ノくンチ５およびパイロットピン６に対向するダイ８
を位置決め固定した下部ダイセットであって、これらの
上部および下部ダイセット４，７は公知のようにプレス
機に取り付けられている。また９は前記リードフレーム
１のパイロット穴、５ｍおよび５ｂは前記パンチ５の側
面および先端面である。
リードフレーム、２はこのリードフレーム１上の所定位
置に配した半導体素子を封止成形している合成樹脂部、
３は同上各リード端子間を連結する連結片までの空間部
に形成されるリード間樹脂、４はパンチ５およびパイロ
ットピン６を位置決め固定した上部グイセット、Ｔは前
記ノくンチ５およびパイロットピン６に対向するダイ８
を位置決め固定した下部ダイセットであって、これらの
上部および下部ダイセット４，７は公知のようにプレス
機に取り付けられている。また９は前記リードフレーム
１のパイロット穴、５ｍおよび５ｂは前記パンチ５の側
面および先端面である。
しかしてこの従来例の場合、リード間樹脂３を除去する
ためには、第１図にみら扛るように、樹脂封止成形させ
た半導体装置のリードフレーム１をダイ８上に＃丘ソ位
置決め１〜て挿入、載置させた状態で、上部ダイセット
４を下降させながら、まずパイロットピン６をリードフ
レーム１上のパイロット穴９に挿入させて、このリード
フレーム１お工び合成樹脂部２を切断成形位置に位置決
めさせたのち、このリード間樹脂３の部分をパンチ５に
ニジダイ８との間で切断するようにしている。
ためには、第１図にみら扛るように、樹脂封止成形させ
た半導体装置のリードフレーム１をダイ８上に＃丘ソ位
置決め１〜て挿入、載置させた状態で、上部ダイセット
４を下降させながら、まずパイロットピン６をリードフ
レーム１上のパイロット穴９に挿入させて、このリード
フレーム１お工び合成樹脂部２を切断成形位置に位置決
めさせたのち、このリード間樹脂３の部分をパンチ５に
ニジダイ８との間で切断するようにしている。
そしてこのとき、リードフレーム上の半導体素子は、公
知のように、モールド金型によシ樹脂封止さ扛るために
、モールド金型を構成する上、下型の構造差に基ずく温
度分布の差、とか、金型材とリードフレーム（Ａとの熱
膨張の差などによシ、リードフレーム１土でのパイロッ
ト穴９から合成樹脂部２までの間隔寸法が場所に工す異
なることがある。
知のように、モールド金型によシ樹脂封止さ扛るために
、モールド金型を構成する上、下型の構造差に基ずく温
度分布の差、とか、金型材とリードフレーム（Ａとの熱
膨張の差などによシ、リードフレーム１土でのパイロッ
ト穴９から合成樹脂部２までの間隔寸法が場所に工す異
なることがある。
従ってこのよう々状態での樹脂封止成形させた半導体装
１１ｔのリードフレーム１から、合成樹脂部２を切断、
除去する場合には、たとえパイロットピン６をパイロッ
ト穴９に挿通して位置決めをなしたとしても、パンチ５
の側面５ａお工び先端面５ｂが、合成樹Ｄ’ｉｆ ｉｆ
ｆ ２に衝接、あるいは擦接することがあり、このため
に半導体素子および装置を破損１〜、またはパンチ５を
折損する虞れがあるばかりでカ＜、リード同側’Ｗ ３
ｆ：充分に除去できずに、その後の検査工程で外観不
良のために、残されているリード同側ＪＩｔ￥の部分を
あらためて除去し■１さなければなら々いなどの不都合
を生じ、生産性ならびに歩留シ低下を招くものであった
。
１１ｔのリードフレーム１から、合成樹脂部２を切断、
除去する場合には、たとえパイロットピン６をパイロッ
ト穴９に挿通して位置決めをなしたとしても、パンチ５
の側面５ａお工び先端面５ｂが、合成樹Ｄ’ｉｆ ｉｆ
ｆ ２に衝接、あるいは擦接することがあり、このため
に半導体素子および装置を破損１〜、またはパンチ５を
折損する虞れがあるばかりでカ＜、リード同側’Ｗ ３
ｆ：充分に除去できずに、その後の検査工程で外観不
良のために、残されているリード同側ＪＩｔ￥の部分を
あらためて除去し■１さなければなら々いなどの不都合
を生じ、生産性ならびに歩留シ低下を招くものであった
。
この発明は従来のこの工う々欠点に鑑み、リードフレー
ムから脅威樹脂ｆｆ１ｓ ２を切断、除去する際に、予
めパイロット穴と合成樹脂部との所定寸法値からのずれ
量を検知しておき、上部ダイセットでのパイロットピン
とパンチ相互の間隔寸法を、このずれ量に対応して調整
可能とし、これによって合成樹脂部の切断、除去を正確
に行ない得るようにしたものである。
ムから脅威樹脂ｆｆ１ｓ ２を切断、除去する際に、予
めパイロット穴と合成樹脂部との所定寸法値からのずれ
量を検知しておき、上部ダイセットでのパイロットピン
とパンチ相互の間隔寸法を、このずれ量に対応して調整
可能とし、これによって合成樹脂部の切断、除去を正確
に行ない得るようにしたものである。
以下この発明に係る半導体装置の製造装置の一実施例に
つき、第３図を参照して詳細に説明する。
つき、第３図を参照して詳細に説明する。
この第３図実施例装置は前記第１図従来例装置に対応し
て表わしたもので、各図中、同一符号は同一または相当
部分を示しておシ、この実施例では前記パンチ５を固定
したホルダ１０を、上部ダイセット４に設けたガイドブ
ロック１１に支持させると共に、軸受１４に枢支されて
モータ１３によシ正逆回転させ得るようにしたネジ軸１
２をこのホルダ１０に螺合させて、モータ１３の正逆回
転駆動により、ホルダ１０、ひいてはパンチ５をガイド
ブロック１１に沿わせて、前記パイロットピン６との間
隔寸法を調整する矢印ＡまたはＢ方向に移動できるよう
にさぜたものである。
て表わしたもので、各図中、同一符号は同一または相当
部分を示しておシ、この実施例では前記パンチ５を固定
したホルダ１０を、上部ダイセット４に設けたガイドブ
ロック１１に支持させると共に、軸受１４に枢支されて
モータ１３によシ正逆回転させ得るようにしたネジ軸１
２をこのホルダ１０に螺合させて、モータ１３の正逆回
転駆動により、ホルダ１０、ひいてはパンチ５をガイド
ブロック１１に沿わせて、前記パイロットピン６との間
隔寸法を調整する矢印ＡまたはＢ方向に移動できるよう
にさぜたものである。
従ってこの実施例装置の構成では、前記の樹脂封止成形
させた半導体装置のリードフレーム１から、合成樹脂部
２を切断、除去する場合、予めリードフレーム１上での
パイロット穴９と合成樹脂部２との所定寸法値からのす
扛量を検知しておき、このずｎ甘を電気信号と１〜てモ
ータ１３に与え、とのモータ１３をずｙ＋４に対応する
だけ回転駆動させて、上部ダイセット４でのパイロット
ピン６に対するパンチ５の間隔寸法をこのず扛量に対応
して調整させたのち、前記した従来例と同様にしてこの
合成樹脂部２を切断、除去させるのであシ、このように
操作させることによシ、たとえ前記した理由により、リ
ードフレーム１上でのパイロット穴９と合成樹脂部２と
の間隔寸法が所定寸法値からずれているときでも、パイ
ロットピン６によるパイロット穴９の位置決めで、パン
チ５によりリードフレーム１から合成樹脂部２を正確に
切断、除去できるのでめる〇 なお、前記実施例装置では、パンチをパイロツトビンに
対して移動調整させるようにしているが、そのいずれか
一方、あるいは双方を移動調整させるようにしてもよく
、また移動方向についてもＡ−Ｂ方向とこ扛に直交する
方向との二次元方向にさせるのが効果的でアシ、さらに
移動手段もネジによらずにその他種々の手段を適用でき
ることは勿論である。
させた半導体装置のリードフレーム１から、合成樹脂部
２を切断、除去する場合、予めリードフレーム１上での
パイロット穴９と合成樹脂部２との所定寸法値からのす
扛量を検知しておき、このずｎ甘を電気信号と１〜てモ
ータ１３に与え、とのモータ１３をずｙ＋４に対応する
だけ回転駆動させて、上部ダイセット４でのパイロット
ピン６に対するパンチ５の間隔寸法をこのず扛量に対応
して調整させたのち、前記した従来例と同様にしてこの
合成樹脂部２を切断、除去させるのであシ、このように
操作させることによシ、たとえ前記した理由により、リ
ードフレーム１上でのパイロット穴９と合成樹脂部２と
の間隔寸法が所定寸法値からずれているときでも、パイ
ロットピン６によるパイロット穴９の位置決めで、パン
チ５によりリードフレーム１から合成樹脂部２を正確に
切断、除去できるのでめる〇 なお、前記実施例装置では、パンチをパイロツトビンに
対して移動調整させるようにしているが、そのいずれか
一方、あるいは双方を移動調整させるようにしてもよく
、また移動方向についてもＡ−Ｂ方向とこ扛に直交する
方向との二次元方向にさせるのが効果的でアシ、さらに
移動手段もネジによらずにその他種々の手段を適用でき
ることは勿論である。
以上詳述したようにこの発明に、ｃｒｔば、上部ダイセ
ットでのパイロットピンとパンチ相互の間隔寸法を、予
め検出したパイロット穴と合成樹脂部との所定寸法値か
らのす扛量に対応させて調整できるようにしたので、リ
ードフレームをダイ土に位置決めした時点で、従来例で
のようにパンチの側面および先端面などが、合成樹脂部
に衝接、あるいは振揺して、合成樹脂部、すなわち半導
体素子、装置を破損し、またはパンチ５を切損する虞ｎ
を解消でき、リード間樹脂を完全に除去し得ることから
、その後の検査工程が不要に寿ると共に外観不良がなく
なって生産性ならびに歩留りを向−Ｆできるなどの優れ
た特長を有するものである。
ットでのパイロットピンとパンチ相互の間隔寸法を、予
め検出したパイロット穴と合成樹脂部との所定寸法値か
らのす扛量に対応させて調整できるようにしたので、リ
ードフレームをダイ土に位置決めした時点で、従来例で
のようにパンチの側面および先端面などが、合成樹脂部
に衝接、あるいは振揺して、合成樹脂部、すなわち半導
体素子、装置を破損し、またはパンチ５を切損する虞ｎ
を解消でき、リード間樹脂を完全に除去し得ることから
、その後の検査工程が不要に寿ると共に外観不良がなく
なって生産性ならびに歩留りを向−Ｆできるなどの優れ
た特長を有するものである。
第１図は従来例による半導体装置の製造装置での概要’
ｔｔＵ成を示す正面図、第２図は同上樹脂封止成形させ
た半導体装１ｄを示す平面図、第３図はこの発明の一実
施例による半導体装置の製造装置での概要構成を示す一
部切断正面図である。 １１１・・・リードフレーム、２Φ・・・合成樹脂部、
３・・−・リード間樹脂、４・・・・土部ダイセット、
５・拳・・パン−ｙ−１５ｍ 、５ｂ・・−・パンチの
側面、先端面、６・・・・パイロットピン、７・・・・
下部ダイセット、８・・・・ダイ、９・・・・パイロッ
ト穴、１０・・・・ホルダ、１１・会ｅ・ガイドブロッ
ク、１２１１・・・ネジ軸、１３・・・・モータ。 代理人 大 岩 増 雄 ｍ′ｉ
ｔｔＵ成を示す正面図、第２図は同上樹脂封止成形させ
た半導体装１ｄを示す平面図、第３図はこの発明の一実
施例による半導体装置の製造装置での概要構成を示す一
部切断正面図である。 １１１・・・リードフレーム、２Φ・・・合成樹脂部、
３・・−・リード間樹脂、４・・・・土部ダイセット、
５・拳・・パン−ｙ−１５ｍ 、５ｂ・・−・パンチの
側面、先端面、６・・・・パイロットピン、７・・・・
下部ダイセット、８・・・・ダイ、９・・・・パイロッ
ト穴、１０・・・・ホルダ、１１・会ｅ・ガイドブロッ
ク、１２１１・・・ネジ軸、１３・・・・モータ。 代理人 大 岩 増 雄 ｍ′ｉ
Claims (1)
- 個々の半導体素子をリードフレーム上に配して、これを
合成樹脂部に↓シ樹脂封止成形したのち、個々の半導体
装置に成形する場合、各リード端子間を連結する連結片
までの空間部に形成さ詐るリード間樹脂を切断、除去す
るために、パイロットピンお↓びパンチと、そのダイと
からなる１組のダイセットを用い、ダイ上に載置させた
リードフレームのパイロット穴に、パイロットピンを挿
入して位置決めさせた状態で、パンチによりリード間樹
脂を切断、除去する半導体装置の製造装置において、前
記上部ダイセットのパイロットピンとパンチとの、ダイ
セット上に占める相互の間隔寸法を相対的に調整可能に
構成すると共に、この相互の間隔寸法を予め検出さｎる
前記パイロット穴と合成樹脂部との所定寸法値からのず
れ量に対応して調整し得るようにしたことを特徴とする
半導体装置の製造装置０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20308683A JPS6094732A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20308683A JPS6094732A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6094732A true JPS6094732A (ja) | 1985-05-27 |
Family
ID=16468128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20308683A Pending JPS6094732A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6094732A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02148745A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-07 | Toshiba Corp | リードフレーム位置決め装置 |
| CN112047173A (zh) * | 2020-09-04 | 2020-12-08 | 浙江川日机械有限公司 | 模内十字双异步高精度模切机 |
-
1983
- 1983-10-27 JP JP20308683A patent/JPS6094732A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02148745A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-07 | Toshiba Corp | リードフレーム位置決め装置 |
| JPH0514421B2 (ja) * | 1988-11-29 | 1993-02-25 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| CN112047173A (zh) * | 2020-09-04 | 2020-12-08 | 浙江川日机械有限公司 | 模内十字双异步高精度模切机 |
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