JPS609336B2 - 厚膜磁器コンデンサの製造法 - Google Patents
厚膜磁器コンデンサの製造法Info
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- JPS609336B2 JPS609336B2 JP48103526A JP10352673A JPS609336B2 JP S609336 B2 JPS609336 B2 JP S609336B2 JP 48103526 A JP48103526 A JP 48103526A JP 10352673 A JP10352673 A JP 10352673A JP S609336 B2 JPS609336 B2 JP S609336B2
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は厚膜集積回路を構成する厚膿磁器コンデンサの
製造法に関するものである。
製造法に関するものである。
従釆のこの種のコンデンサは、アルミナ磁器基板上に、
ガラスフリツトを含むAg一Pd,Au,Au−Pt,
Au−Pdなどの電極ペーストを下部電極として印刷、
乾燥して形成し、その上に譲蚤体として、チタン酸系磁
器材料よりなる磁器ペーストを印刷「乾燥して譲電体層
を形成し、さらにその上に前記電極ペーストを印刷、乾
燥して上部電極を形成した後、105び○を超えない温
度で焼成していた。この焼成温度はチタン酸系磁器の最
適の焼成温度1300℃〜1斑0℃より著しく低い。こ
れは、ガラスフリットを含む鰭極べ−ストが105ぴ○
以上の温度に耐えられないからである。そのため、誘電
率が2000〜10000のチタン酸系磁器材料の磁器
ペーストを使用しても、焼成後の誘電率は500〜10
0の里度に止まり、チタン酸系磁器誘電体のもつ高議電
特性を十分に生かすことができない。商議電率をうるた
めには競成温度を上げる必要があるが、そのために、電
極を形成する電極ペーストをガラスフリツトを含まない
ものにすればよいが、ガラスフリットを含まない亀極ペ
ーストによって形成された下部電極は、アルミナ磁器基
板との接着力が弱く、機械的に安定した構造とすること
ができない。本発明はこの問題を解決して高温焼成が可
能な厚膿磁器コンデンサの製造方法を提供することを目
的とするものである。本発明の厚膜磁器コンデンサの製
造方法は、アルミナ磁器基板の上にチタン酸系磁器組成
物よりなる磁器ペーストを印刷、乾燥して厚さ10〜5
蚊の電極下地層を形成し、この電極下地層の上にガラス
フリットを含まない電極ペーストを印刷、乾燥して下部
電極を形成し、さらにその上にチタン酸系磁器材料より
なる磁器ペーストを印刷、乾燥して誘電体層を形成し、
またその上に前記電極ペーストを印刷、乾燥して上部電
極を形成した後、これを115ぴ0〜1250qoの温
度で焼成することを特徴とする。
ガラスフリツトを含むAg一Pd,Au,Au−Pt,
Au−Pdなどの電極ペーストを下部電極として印刷、
乾燥して形成し、その上に譲蚤体として、チタン酸系磁
器材料よりなる磁器ペーストを印刷「乾燥して譲電体層
を形成し、さらにその上に前記電極ペーストを印刷、乾
燥して上部電極を形成した後、105び○を超えない温
度で焼成していた。この焼成温度はチタン酸系磁器の最
適の焼成温度1300℃〜1斑0℃より著しく低い。こ
れは、ガラスフリットを含む鰭極べ−ストが105ぴ○
以上の温度に耐えられないからである。そのため、誘電
率が2000〜10000のチタン酸系磁器材料の磁器
ペーストを使用しても、焼成後の誘電率は500〜10
0の里度に止まり、チタン酸系磁器誘電体のもつ高議電
特性を十分に生かすことができない。商議電率をうるた
めには競成温度を上げる必要があるが、そのために、電
極を形成する電極ペーストをガラスフリツトを含まない
ものにすればよいが、ガラスフリットを含まない亀極ペ
ーストによって形成された下部電極は、アルミナ磁器基
板との接着力が弱く、機械的に安定した構造とすること
ができない。本発明はこの問題を解決して高温焼成が可
能な厚膿磁器コンデンサの製造方法を提供することを目
的とするものである。本発明の厚膜磁器コンデンサの製
造方法は、アルミナ磁器基板の上にチタン酸系磁器組成
物よりなる磁器ペーストを印刷、乾燥して厚さ10〜5
蚊の電極下地層を形成し、この電極下地層の上にガラス
フリットを含まない電極ペーストを印刷、乾燥して下部
電極を形成し、さらにその上にチタン酸系磁器材料より
なる磁器ペーストを印刷、乾燥して誘電体層を形成し、
またその上に前記電極ペーストを印刷、乾燥して上部電
極を形成した後、これを115ぴ0〜1250qoの温
度で焼成することを特徴とする。
以下その実施例を図面とともに説明する。図において、
1はアルミナ磁器基板、2は酸化チタン、チタン酸マグ
ネシウム、チタン酸バリウム等のチタン酸系組成物より
なる厚さ10〜5帆の電極下地層、3はAg−Pd,A
u,Au−Pt,Au−Pdなどのガラスフリツトを含
まない電極ペーストによって形成された下部電極、4は
酸化チタン、チタン酸マグネシウム、チタン酸バリウム
等、チタン酸系の高誘電率磁器材料、たとえば、81母
Tio3,17鞠Zの3,XaZの3(モル%)よりな
る組成物に、添加物としてW030.4%、N2030
.2%、Zr00.7%(いづれも重量%)を加えたも
のを有機樹脂バィンダ溶液に分散混合させて印刷に適し
たペースト状となし、この磁器ペーストを印刷、乾燥し
て形成した誘電体層、5は前記電極ペーストによって形
成された上部電極である。
1はアルミナ磁器基板、2は酸化チタン、チタン酸マグ
ネシウム、チタン酸バリウム等のチタン酸系組成物より
なる厚さ10〜5帆の電極下地層、3はAg−Pd,A
u,Au−Pt,Au−Pdなどのガラスフリツトを含
まない電極ペーストによって形成された下部電極、4は
酸化チタン、チタン酸マグネシウム、チタン酸バリウム
等、チタン酸系の高誘電率磁器材料、たとえば、81母
Tio3,17鞠Zの3,XaZの3(モル%)よりな
る組成物に、添加物としてW030.4%、N2030
.2%、Zr00.7%(いづれも重量%)を加えたも
のを有機樹脂バィンダ溶液に分散混合させて印刷に適し
たペースト状となし、この磁器ペーストを印刷、乾燥し
て形成した誘電体層、5は前記電極ペーストによって形
成された上部電極である。
本発明においては、まづ磁器基板1に前記磁器ペースト
をスクリーン印刷法によって印刷、乾燥して電極下地層
2を形成する。
をスクリーン印刷法によって印刷、乾燥して電極下地層
2を形成する。
次に該下地層2の上に、ガラスフリットを含まない前記
電極ペーストを印刷、乾燥して下部電極3を形成する。
そして、その上に前記高議電率磁器材料よりなる磁器ペ
ーストを印刷、乾燥して誘電体層4を形成し、さらにそ
の上に前記電極ペーストを印刷、乾燥して上部電極5を
形成する。なお、以上の工程中に行なわれる乾燥は、す
べて10000〜15000の温度で15〜30分間行
なわれる。以上の工程を終了した後、115び0〜12
5ぴ0の温度で1粉ふ〜4粉ご間、焼成が行なわれる。
焼成温度が125000を超えるとアルミナ磁器基板1
とチタン酸系磁器組成物よりなる電極下地層2が化学反
応を起す。これはァルミナ磁器とチタン酸系磁器組成物
が共に焼成温度の上昇により拡散溶融するからである。
このことは、1150qo〜1250qoの焼成温度に
おいては適度の拡散と溶融が行なわれ、アルミナ磁器基
板1と電極下地層2の強固な結合が得られることを意味
している。さらに、このチタン酸系磁器組成物を電極下
地層とすることによってガラスフリットを含まない電極
ペーストを使用した場合、電極材料の金属元素の一部が
電極下地層に拡散融合して強固に結合する。すなわち本
発明においては電極金属およびアルミナ磁器との結合が
良好なチタン酸系磁器組成物を電極下地層とすることに
よって磁器基板1と、電極下地層2と、下部電極3とを
一体に強固に結合させることができる。しかし、理想の
焼成温度は前述のように1300oC〜1380ooで
あって本発明の焼成温度115030〜1250q0は
これに及ばないが従来の焼成温度1050q○よりは高
い。なお、電極下地層の厚さを10〜5帆としたのは1
0山以下では下地層としての効果が著しく低下し、5妙
以上は不必要で無駄になるからである。本発明の方法で
製造した前記実施例の磁器コンデソサ(焼成温度125
0oo、焼成時間45分)を焼成後、2独時間、常温、
常温の下に放置した後、その誘電率を測定したところ、
4000を超える商議電率を記録した。これは誘電体の
膜厚が2執の場合、lmm2当りの容量が1500PF
}こ相当し、従来の厚腰磁器コンデンサ(誘電率100
0、lmm2当りの容量350PF)に比べて約4倍の
高容量とすることができた。また、このコンデンサの容
量の温度変化を測定したところ、一30午○〜25qo
で−40%〜一50%、25qo〜8520で−30%
〜40%で、膜厚化以前の磁器とほ)、等しい良好な温
度特性を示した。従来の厚膜磁器コンデンサは、磁器基
板に直接下部電極を融着させていたため、下部電極を形
成する電極ペーストにガラスフリットを配合する必要が
あったが、本発明においては、磁器基板1の上にこれと
接着性の良好な電極下地層2を設け、その上に磁器コン
デンサを融着させる方法を採用したため、電極ペースト
にガラスフリットを配合しなくても強固な接合が得られ
、その結果、高温焼成が可能となり、高誘電率の厚勝磁
器コンデンサとすることができる。以上述べたように本
発明の方法は、磁器基板との接合を弱化することなく厚
膜磁器コンデンサの容量を高めることのできるすぐれた
効果を有する。
電極ペーストを印刷、乾燥して下部電極3を形成する。
そして、その上に前記高議電率磁器材料よりなる磁器ペ
ーストを印刷、乾燥して誘電体層4を形成し、さらにそ
の上に前記電極ペーストを印刷、乾燥して上部電極5を
形成する。なお、以上の工程中に行なわれる乾燥は、す
べて10000〜15000の温度で15〜30分間行
なわれる。以上の工程を終了した後、115び0〜12
5ぴ0の温度で1粉ふ〜4粉ご間、焼成が行なわれる。
焼成温度が125000を超えるとアルミナ磁器基板1
とチタン酸系磁器組成物よりなる電極下地層2が化学反
応を起す。これはァルミナ磁器とチタン酸系磁器組成物
が共に焼成温度の上昇により拡散溶融するからである。
このことは、1150qo〜1250qoの焼成温度に
おいては適度の拡散と溶融が行なわれ、アルミナ磁器基
板1と電極下地層2の強固な結合が得られることを意味
している。さらに、このチタン酸系磁器組成物を電極下
地層とすることによってガラスフリットを含まない電極
ペーストを使用した場合、電極材料の金属元素の一部が
電極下地層に拡散融合して強固に結合する。すなわち本
発明においては電極金属およびアルミナ磁器との結合が
良好なチタン酸系磁器組成物を電極下地層とすることに
よって磁器基板1と、電極下地層2と、下部電極3とを
一体に強固に結合させることができる。しかし、理想の
焼成温度は前述のように1300oC〜1380ooで
あって本発明の焼成温度115030〜1250q0は
これに及ばないが従来の焼成温度1050q○よりは高
い。なお、電極下地層の厚さを10〜5帆としたのは1
0山以下では下地層としての効果が著しく低下し、5妙
以上は不必要で無駄になるからである。本発明の方法で
製造した前記実施例の磁器コンデソサ(焼成温度125
0oo、焼成時間45分)を焼成後、2独時間、常温、
常温の下に放置した後、その誘電率を測定したところ、
4000を超える商議電率を記録した。これは誘電体の
膜厚が2執の場合、lmm2当りの容量が1500PF
}こ相当し、従来の厚腰磁器コンデンサ(誘電率100
0、lmm2当りの容量350PF)に比べて約4倍の
高容量とすることができた。また、このコンデンサの容
量の温度変化を測定したところ、一30午○〜25qo
で−40%〜一50%、25qo〜8520で−30%
〜40%で、膜厚化以前の磁器とほ)、等しい良好な温
度特性を示した。従来の厚膜磁器コンデンサは、磁器基
板に直接下部電極を融着させていたため、下部電極を形
成する電極ペーストにガラスフリットを配合する必要が
あったが、本発明においては、磁器基板1の上にこれと
接着性の良好な電極下地層2を設け、その上に磁器コン
デンサを融着させる方法を採用したため、電極ペースト
にガラスフリットを配合しなくても強固な接合が得られ
、その結果、高温焼成が可能となり、高誘電率の厚勝磁
器コンデンサとすることができる。以上述べたように本
発明の方法は、磁器基板との接合を弱化することなく厚
膜磁器コンデンサの容量を高めることのできるすぐれた
効果を有する。
第1図は本発明の方法による厚膜磁器コンデンサの平面
図、第2図はその側面図である。 1…磁器基板、2…電極下地層、3…下部電極、4・・
・誘電体層、5・・・上部電極。 第1図第2図
図、第2図はその側面図である。 1…磁器基板、2…電極下地層、3…下部電極、4・・
・誘電体層、5・・・上部電極。 第1図第2図
Claims (1)
- 1 アルミナ磁器基板の上にチタン酸系磁器組成物より
なる磁器ペーストを印刷、乾燥して厚さ10〜50μの
電極下地層を形成し、この電極下地層の上にガラスフリ
ツトを含まない電極ペーストと印刷、乾燥して下部電極
を形成し、さらにその上にチタン酸系高誘電率磁器材料
よりなる磁器ペーストを印刷、乾燥して誘電体層を形成
し、またその上に前記電極ペーストを印刷、乾燥して上
部電極を形成した後、これを1150℃〜1250℃の
温度で焼成することを特徴とする厚膜磁器コンデンサの
製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP48103526A JPS609336B2 (ja) | 1973-09-13 | 1973-09-13 | 厚膜磁器コンデンサの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP48103526A JPS609336B2 (ja) | 1973-09-13 | 1973-09-13 | 厚膜磁器コンデンサの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5053856A JPS5053856A (ja) | 1975-05-13 |
| JPS609336B2 true JPS609336B2 (ja) | 1985-03-09 |
Family
ID=14356344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP48103526A Expired JPS609336B2 (ja) | 1973-09-13 | 1973-09-13 | 厚膜磁器コンデンサの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS609336B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5598818A (en) * | 1979-01-22 | 1980-07-28 | Hitachi Ltd | High dielectric thick film capacitor |
-
1973
- 1973-09-13 JP JP48103526A patent/JPS609336B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5053856A (ja) | 1975-05-13 |
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