JPS6216006B2 - - Google Patents
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- JPS6216006B2 JPS6216006B2 JP16251480A JP16251480A JPS6216006B2 JP S6216006 B2 JPS6216006 B2 JP S6216006B2 JP 16251480 A JP16251480 A JP 16251480A JP 16251480 A JP16251480 A JP 16251480A JP S6216006 B2 JPS6216006 B2 JP S6216006B2
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 21
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims description 21
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 10
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 7
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical group [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100513612 Microdochium nivale MnCO gene Proteins 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- -1 etc. Chemical compound 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は小型で大容量の得られる積層形半導
体セラミツクコンデンサの製造方法に関するもの
である。
体セラミツクコンデンサの製造方法に関するもの
である。
小型で大容量が得られるセラミツクコンデンサ
として、積層形セラミツクコンデンサがあること
は知られている。しかしながら、小型で大容量で
あるといつても、通常の誘電体材料を使用する限
りでは限度があつた。
として、積層形セラミツクコンデンサがあること
は知られている。しかしながら、小型で大容量で
あるといつても、通常の誘電体材料を使用する限
りでは限度があつた。
一方、これに代わるものとして、環元再酸化
型、いわゆる表面絶縁層形セラミツクコンデンサ
があるが、単板からなるものではこれも大容量化
に限度があり、大容量化を図ろうとすれば大型の
ものになつてしまう。また、この表面絶縁層形の
セラミツクコンデンサを用いた積層形セラミツク
コンデンサも考えられる。しかしながらもともと
表面絶縁層形セラミツクコンデンサは、少なくと
も電極の下に再酸化層を存在させるタイプである
ため、セラミツクグリーンシートの上に内部電極
となる導電ペースト層を塗布、印刷などの手段で
形成し、このセラミツクグリーンシートを導電ペ
ースト層の端部が一層おきに交互に露出するよう
に積層し、この積層体を焼成し、さらに還元、再
酸化熱処理を行つても、内部電極に対応するセラ
ミツク領域に再酸化層を形成することがむつかし
く、実際には積層形の表面絶縁層セラミツクコン
デンサが得られにくいものであつた。
型、いわゆる表面絶縁層形セラミツクコンデンサ
があるが、単板からなるものではこれも大容量化
に限度があり、大容量化を図ろうとすれば大型の
ものになつてしまう。また、この表面絶縁層形の
セラミツクコンデンサを用いた積層形セラミツク
コンデンサも考えられる。しかしながらもともと
表面絶縁層形セラミツクコンデンサは、少なくと
も電極の下に再酸化層を存在させるタイプである
ため、セラミツクグリーンシートの上に内部電極
となる導電ペースト層を塗布、印刷などの手段で
形成し、このセラミツクグリーンシートを導電ペ
ースト層の端部が一層おきに交互に露出するよう
に積層し、この積層体を焼成し、さらに還元、再
酸化熱処理を行つても、内部電極に対応するセラ
ミツク領域に再酸化層を形成することがむつかし
く、実際には積層形の表面絶縁層セラミツクコン
デンサが得られにくいものであつた。
したがつて、この発明は還元再酸化型、いわゆ
る表面絶縁層形セラミツクコンデンサにより積層
化を図り、小型、大容量化が実現できる積層形半
導体セラミツクコンデンサを製造する方法を提供
するものである。
る表面絶縁層形セラミツクコンデンサにより積層
化を図り、小型、大容量化が実現できる積層形半
導体セラミツクコンデンサを製造する方法を提供
するものである。
すなわち、この発明を要約すると、還元再酸化
型の誘電体セラミツクグリーンシートに導電粉末
と酸化促進剤を含む導電ペースト層を形成し、こ
の導電ペースト層の端部が一層おきに交互に露出
するように前記誘電体セラミツクグリーンシート
を積層体に構成し、この積層体を酸化性雰囲気中
で焼成し、さらに還元雰囲気中で熱処理し、ふた
たび酸化性雰囲気中で熱処理し、次いで内部電極
に電気接続する外部電極を形成することを特徴と
する積層形半導体セラミツクコンデンサの製造方
法である。
型の誘電体セラミツクグリーンシートに導電粉末
と酸化促進剤を含む導電ペースト層を形成し、こ
の導電ペースト層の端部が一層おきに交互に露出
するように前記誘電体セラミツクグリーンシート
を積層体に構成し、この積層体を酸化性雰囲気中
で焼成し、さらに還元雰囲気中で熱処理し、ふた
たび酸化性雰囲気中で熱処理し、次いで内部電極
に電気接続する外部電極を形成することを特徴と
する積層形半導体セラミツクコンデンサの製造方
法である。
以下、この発明を実施例に従つて詳細に説明す
る。
る。
還元再酸化型の半導体セラミツクコンデンサの
材料として、主材料はBaTiO3、SrTiO3、
BaZrO3、CaTiO3、CaZrO3、などを用い、これ
に加えられる副材料としてBi2O3、TiO2、MgCO3
などを用い、さらに添加剤としてMnCO3、
NiO、Fe2O3、CO2O3、SiO2、Al2O3などを用
い、これら各材料を適宜選択して調合する。
材料として、主材料はBaTiO3、SrTiO3、
BaZrO3、CaTiO3、CaZrO3、などを用い、これ
に加えられる副材料としてBi2O3、TiO2、MgCO3
などを用い、さらに添加剤としてMnCO3、
NiO、Fe2O3、CO2O3、SiO2、Al2O3などを用
い、これら各材料を適宜選択して調合する。
次いで、調合原料にバインダーを加えてスラリ
ー状とし、このスラリーをドクターブレード法に
より所定の厚み、大きさのセラミツクグリーンシ
ートとする。
ー状とし、このスラリーをドクターブレード法に
より所定の厚み、大きさのセラミツクグリーンシ
ートとする。
このようにして得られたセラミツクグリーンシ
ートの上に、高融点金属であるAu、Pt、Pd、Ag
からなる導電粉末のうち少なくとも１種（ただ
し、Agの１種のみを除く）、と酸化促進剤である
粉末状のZrO2をエチルセルロース、ニトロセル
ロース、酢酸セルロース、アルキツド樹脂、アク
リル樹脂などをテレピネオールなどで溶解して作
成したビヒクルと混合した導電ペーストを塗布、
印刷などの手段で付与する。
ートの上に、高融点金属であるAu、Pt、Pd、Ag
からなる導電粉末のうち少なくとも１種（ただ
し、Agの１種のみを除く）、と酸化促進剤である
粉末状のZrO2をエチルセルロース、ニトロセル
ロース、酢酸セルロース、アルキツド樹脂、アク
リル樹脂などをテレピネオールなどで溶解して作
成したビヒクルと混合した導電ペーストを塗布、
印刷などの手段で付与する。
さらに、導電ペースト層を形成した各セラミツ
クグリーンシートをこの導電ペースト層の端部が
一層おきに交互に露出するように積層する。この
とき積層体の密着性を良好なものとするため、熱
圧着する工程を用いることが好ましい。そして得
られた積層体を空気中などの酸化性雰囲気中、た
とえば1350〜1450℃で焼成する。この段階で積層
焼結体が得られるが、再酸化層はまだ形成されて
おらず、内部電極と導通する外部電極を形成して
も大きな容量は獲得できない。
クグリーンシートをこの導電ペースト層の端部が
一層おきに交互に露出するように積層する。この
とき積層体の密着性を良好なものとするため、熱
圧着する工程を用いることが好ましい。そして得
られた積層体を空気中などの酸化性雰囲気中、た
とえば1350〜1450℃で焼成する。この段階で積層
焼結体が得られるが、再酸化層はまだ形成されて
おらず、内部電極と導通する外部電極を形成して
も大きな容量は獲得できない。
次に得られた積層焼結体をたとえば、水素を含
有する還元雰囲気中で熱処理する。このとき焼結
されたセラミツク層はその抵抗値が低下し、比抵
抗が100〜102Ω・cm程度となる。このときの熱の
熱処理温度は好ましくは焼成温度より低いことが
望ましい。これは焼成温度より高くなりすぎる
と、還元処理が急速に進むとともに、還元されす
ぎて次の工程における再酸化処理を行つても、再
酸化層、つまり絶縁層が得られにくいことによ
る。
有する還元雰囲気中で熱処理する。このとき焼結
されたセラミツク層はその抵抗値が低下し、比抵
抗が100〜102Ω・cm程度となる。このときの熱の
熱処理温度は好ましくは焼成温度より低いことが
望ましい。これは焼成温度より高くなりすぎる
と、還元処理が急速に進むとともに、還元されす
ぎて次の工程における再酸化処理を行つても、再
酸化層、つまり絶縁層が得られにくいことによ
る。
さらに、引きつづいて空気中などの酸化性雰囲
気中で熱処理を行う。この酸化性雰囲気中の熱処
理、いわゆる再酸化処理によつて抵抗値の下がつ
たセラミツク層の表面層または内部電極との接触
面層側には再酸化層（絶縁層）が形成されること
になる。
気中で熱処理を行う。この酸化性雰囲気中の熱処
理、いわゆる再酸化処理によつて抵抗値の下がつ
たセラミツク層の表面層または内部電極との接触
面層側には再酸化層（絶縁層）が形成されること
になる。
このとき、セラミツクの外部雰囲気に露出して
いる部分が再酸化され、再酸化層が形成されるこ
とはもちろんであるが、内部電極と接するセラミ
ツク層については、内部電極に酸化促進剤である
ZrO2が含まれているため、このZrO2の働らきに
より再酸化工程において、セラミツクの内部電極
と接する付近にも再酸化層が形成されることにな
る。
いる部分が再酸化され、再酸化層が形成されるこ
とはもちろんであるが、内部電極と接するセラミ
ツク層については、内部電極に酸化促進剤である
ZrO2が含まれているため、このZrO2の働らきに
より再酸化工程において、セラミツクの内部電極
と接する付近にも再酸化層が形成されることにな
る。
こののち、積層体の内部電極が露出している側
面に外部電極を形成することにより、内部電極と
導通させ、この外部電極を接続端子とした積層形
半導体セラミツクコンデンサが得られることにな
る。
面に外部電極を形成することにより、内部電極と
導通させ、この外部電極を接続端子とした積層形
半導体セラミツクコンデンサが得られることにな
る。
第１図はこの発明方法により得られた積層形半
導体セラミツクコンデンサの概略側断面図を示し
たものである。
導体セラミツクコンデンサの概略側断面図を示し
たものである。
図において、１は焼結されたセラミツク層であ
り、内部が低抵抗で外部表面近傍に薄膜状の誘電
体層２が形成されている。３，４は内部電極であ
り、セラミツク層１を積層した積層体５におい
て、一層おきに交互に内部電極３，４の端部が積
層体５の端面に露出している。
り、内部が低抵抗で外部表面近傍に薄膜状の誘電
体層２が形成されている。３，４は内部電極であ
り、セラミツク層１を積層した積層体５におい
て、一層おきに交互に内部電極３，４の端部が積
層体５の端面に露出している。
また６，７は積層体５の側面に形成された外部
電極であり、内部電極３，４と導通している。
電極であり、内部電極３，４と導通している。
なお、上述の実施例では内部電極としてAu、
Pt、Pd、Agなどの高融点金属を用いたが、還元
再酸化型の誘電体セラミツクグリーンシートに低
温で焼結できる材料を用いたものであれば、低融
点金属を用いればよい。また酸化促進剤として
は、ZrO2のほかに再酸化工程において再酸化層
の形成を助けるものであればいかなるものでもよ
い。
Pt、Pd、Agなどの高融点金属を用いたが、還元
再酸化型の誘電体セラミツクグリーンシートに低
温で焼結できる材料を用いたものであれば、低融
点金属を用いればよい。また酸化促進剤として
は、ZrO2のほかに再酸化工程において再酸化層
の形成を助けるものであればいかなるものでもよ
い。
以上、積層形半導体セラミツクコンデンサにお
いて、従来還元再酸化型のセラミツクコンデンサ
を用いて構成しようとする場合、内部電極と接す
るセラミツク層に再酸化層を形成することが最大
のネツクとされていたが、この発明方法を用いる
ことにより、つまり内部電極を構成する導電ペー
スト中に酸化促進剤を含有させておくことによ
り、外部電極に接するセラミツク層表面にも再酸
化層を形成することができるようになり、環元再
酸化型の半導体セラミツクコンデンサを用いて小
型、大容量化を図ることができるものである。
いて、従来還元再酸化型のセラミツクコンデンサ
を用いて構成しようとする場合、内部電極と接す
るセラミツク層に再酸化層を形成することが最大
のネツクとされていたが、この発明方法を用いる
ことにより、つまり内部電極を構成する導電ペー
スト中に酸化促進剤を含有させておくことによ
り、外部電極に接するセラミツク層表面にも再酸
化層を形成することができるようになり、環元再
酸化型の半導体セラミツクコンデンサを用いて小
型、大容量化を図ることができるものである。
第１図はこの発明方法により得られた積層形半
導体セラミツクコンデンサの概略断面図である。 １……セラミツク層、２……誘電体層、３，４
……内部電極、５……積層体、６，７……外部電
極。
導体セラミツクコンデンサの概略断面図である。 １……セラミツク層、２……誘電体層、３，４
……内部電極、５……積層体、６，７……外部電
極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 還元再酸化型の誘電体セラミツクグリーンシ
ートに導電粉末と酸化促進剤を含む導電ペースト
層を形成し、この導電ペースト層の端部が一層お
きに交互に露出するように前記誘電体セラミツク
グリーンシートを積層体に構成し、この積層体を
酸化性雰囲気中で焼成し、さらに還元雰囲気中で
熱処理し、ふたたび酸化性雰囲気中で熱処理し、
次いで内部電極に電気接続する外部電極を形成す
ることを特徴とする積層形半導体セラミツクコン
デンサの製造方法。 ２ 導電粉末は高融点金属よりなる特許請求の範
囲第１項記載の積層形半導体セラミツクコンデン
サの製造方法。 ３ 酸化促進剤は二酸化ジルコニウム よりなる特許請求の範囲第１項記載の積層形半導
体セラミツクコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16251480A JPS5785213A (en) | 1980-11-17 | 1980-11-17 | Method of producing laminated semiconductor ceramic condenser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16251480A JPS5785213A (en) | 1980-11-17 | 1980-11-17 | Method of producing laminated semiconductor ceramic condenser |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5785213A JPS5785213A (en) | 1982-05-27 |
| JPS6216006B2 true JPS6216006B2 (ja) | 1987-04-10 |
Family
ID=15756062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16251480A Granted JPS5785213A (en) | 1980-11-17 | 1980-11-17 | Method of producing laminated semiconductor ceramic condenser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5785213A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2646573B2 (ja) * | 1987-09-07 | 1997-08-27 | 株式会社村田製作所 | 半導体積層コンデンサの製造方法 |
| WO1991003064A1 (en) * | 1989-08-24 | 1991-03-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated capacitor and method of producing the same |
| JPH088189B2 (ja) * | 1991-02-28 | 1996-01-29 | 太陽誘電株式会社 | 積層磁器コンデンサの製造方法 |
-
1980
- 1980-11-17 JP JP16251480A patent/JPS5785213A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5785213A (en) | 1982-05-27 |
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