JP2646573B2 - 半導体積層コンデンサの製造方法 - Google Patents
半導体積層コンデンサの製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1272—Semiconductive ceramic capacitors
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体積層コンデンサの製造方法に関する。
従来の技術及びその問題点 コンデンサの一種として還元再酸化型コンデンサがあ
る。これは、還元性雰囲気中で焼成された半導体磁器を
大気中若しくは酸素雰囲気中で焼き、表面を酸化したも
ので、構造的には第５図に断面で示す通りである。図
中、ａが再酸化層（誘電体層）、b,cは表面に形成され
た電極である。
る。これは、還元性雰囲気中で焼成された半導体磁器を
大気中若しくは酸素雰囲気中で焼き、表面を酸化したも
ので、構造的には第５図に断面で示す通りである。図
中、ａが再酸化層（誘電体層）、b,cは表面に形成され
た電極である。
ところで、このような還元再酸化型コンデンサにおい
て、近年用途の拡大等によって大容量のものが要求され
つつある。大容量化の最も簡単な手法は個々の還元再酸
化型コンデンサを多数並列接続することであるが、それ
では大型化する。そこで、小型かつ大容量化を図るた
め、還元再酸化型コンデンサを一般的な積層コンデンサ
と同様な積層構造とすることが考えられるが、還元再酸
化型コンデンサの場合には各層に再酸化層を形成しなけ
ればならないため、既存の積層技術は適用できないとい
う困難な問題がある。
て、近年用途の拡大等によって大容量のものが要求され
つつある。大容量化の最も簡単な手法は個々の還元再酸
化型コンデンサを多数並列接続することであるが、それ
では大型化する。そこで、小型かつ大容量化を図るた
め、還元再酸化型コンデンサを一般的な積層コンデンサ
と同様な積層構造とすることが考えられるが、還元再酸
化型コンデンサの場合には各層に再酸化層を形成しなけ
ればならないため、既存の積層技術は適用できないとい
う困難な問題がある。
そこで、本発明は、再酸化層が形成された半導体積層
コンデンサの生産性のよい製造方法を提供することを目
的としている。
コンデンサの生産性のよい製造方法を提供することを目
的としている。
問題点を解決するための手段 上記目的を達成するため、本発明に係る半導体積層コ
ンデンサの製造方法は、焼成した磁器を粉砕して得られ
た半導体磁器粉末とガラス成分を混合し、バインダーを
加えたグリーンシートを複数枚作製し、グリーンシート
表面にAgを主体として、ワニス、溶剤並びに酸化成分を
含む電極ペーストを塗布し、この電極ペーストが塗布さ
れたグリーンシートを左右交互に積層した状態で酸化雰
囲気中で熱処理することによって再酸化層を形成すると
共に焼成後、各層の間の内部電極を交互に２つの外部電
極に接続することを特徴としている。
ンデンサの製造方法は、焼成した磁器を粉砕して得られ
た半導体磁器粉末とガラス成分を混合し、バインダーを
加えたグリーンシートを複数枚作製し、グリーンシート
表面にAgを主体として、ワニス、溶剤並びに酸化成分を
含む電極ペーストを塗布し、この電極ペーストが塗布さ
れたグリーンシートを左右交互に積層した状態で酸化雰
囲気中で熱処理することによって再酸化層を形成すると
共に焼成後、各層の間の内部電極を交互に２つの外部電
極に接続することを特徴としている。
実 施 例 第４図は本発明の一実施例としての半導体積層コンデ
ンサの外観を示し、部品本体１の左右両端に外部電極2,
3が形成されたチップ構造をしている。このコンデンサ
の内部構造は第３図に示すように半導体磁器４…と内部
電極5,6,7,8とが交互に積層されている。内部電極5,6,
7,8は左右交互に引き出され、左側に引き出されたもの
5,7は左側の外部電極２と、右側に引き出されたもの6,8
は右側の外部電極３と夫々電気的に接続されている。
ンサの外観を示し、部品本体１の左右両端に外部電極2,
3が形成されたチップ構造をしている。このコンデンサ
の内部構造は第３図に示すように半導体磁器４…と内部
電極5,6,7,8とが交互に積層されている。内部電極5,6,
7,8は左右交互に引き出され、左側に引き出されたもの
5,7は左側の外部電極２と、右側に引き出されたもの6,8
は右側の外部電極３と夫々電気的に接続されている。
前記半導体磁器４…は還元雰囲気中で焼成された粉末
を含む半導体であるが、内部電極5,6,7,8との界面には
再酸化層4a…（誘電体層）が形成されている。
を含む半導体であるが、内部電極5,6,7,8との界面には
再酸化層4a…（誘電体層）が形成されている。
還元再酸化型コンデンサの場合、静電容量は再酸化層
4a…によって決まる。再酸化層の厚みが厚いと静電容量
は小さいので、薄く作製している。
4a…によって決まる。再酸化層の厚みが厚いと静電容量
は小さいので、薄く作製している。
以上のように構成することにより、半導体磁器を積層
し、各層毎に再酸化層を形成した大容量の半導体積層コ
ンデンサが可能となった。
し、各層毎に再酸化層を形成した大容量の半導体積層コ
ンデンサが可能となった。
次に上記構成の還元再酸化型積層コンデンサの製造手
順を説明する。先ず、BaTiO3を87mol％、BaZrO3を13mol
％の組成比からなる原料を大気中、1300℃の温度で焼成
し、次に還元雰囲気中、1100℃の温度で焼成し、半導体
磁器を作成する。
順を説明する。先ず、BaTiO3を87mol％、BaZrO3を13mol
％の組成比からなる原料を大気中、1300℃の温度で焼成
し、次に還元雰囲気中、1100℃の温度で焼成し、半導体
磁器を作成する。
この半導体磁器を粉砕し、その粉砕したものにガラス
成分としてSiO22wt％、B2O55wt％、Al2O31wt％を加え混
合する。混合後、バインダーを加えグリーンシートを作
成する。このグリーンシートを適当な大きさに切り、第
１図に示すように最上層、最下層を除くグリーンシート
４の表面に電極ペースト５〜８を所定パターンで塗布す
る。
成分としてSiO22wt％、B2O55wt％、Al2O31wt％を加え混
合する。混合後、バインダーを加えグリーンシートを作
成する。このグリーンシートを適当な大きさに切り、第
１図に示すように最上層、最下層を除くグリーンシート
４の表面に電極ペースト５〜８を所定パターンで塗布す
る。
電極ペースト５〜８は、Ag、Pd、ワニス、溶剤、ガラ
ス成分（グリーンシートに使用したものと同一のものが
望ましい。）及び酸化成分を加えたものが用いられる。
酸化成分としては、SiO2、Al2O3、B2O3、ZnO、PbO、MnC
O3から１種あるいは２種以上、Cr2O3、V2O5、CuO、Bi2O
3、Sb2O3から無添加あるいは１種以上が選択使用され
る。
ス成分（グリーンシートに使用したものと同一のものが
望ましい。）及び酸化成分を加えたものが用いられる。
酸化成分としては、SiO2、Al2O3、B2O3、ZnO、PbO、MnC
O3から１種あるいは２種以上、Cr2O3、V2O5、CuO、Bi2O
3、Sb2O3から無添加あるいは１種以上が選択使用され
る。
次に、前記各グリーンシート４…を第１図に示すよう
に電極ペースト５〜８の端部が交互になるよう順次積層
し、加圧圧着する。この圧着によって得られた積層成型
体を第２図に示す。
に電極ペースト５〜８の端部が交互になるよう順次積層
し、加圧圧着する。この圧着によって得られた積層成型
体を第２図に示す。
この成型体を大気中又はN2−O2雰囲気中で、900℃で
熱処理する。すると、この温度によってグリーンシート
４…は焼成され、電極ペースト５〜８はその表面に焼付
けられる。この場合、酸化雰囲気中での熱処理である
が、加熱温度が低いので、グリーンシート４…の酸化は
進まず、半導体磁器として焼成される。また、電極ペー
スト５〜８は900℃の温度によって酸化成分が半導体磁
器４…に作用し、その表面に薄い再酸化層を形成する。
熱処理する。すると、この温度によってグリーンシート
４…は焼成され、電極ペースト５〜８はその表面に焼付
けられる。この場合、酸化雰囲気中での熱処理である
が、加熱温度が低いので、グリーンシート４…の酸化は
進まず、半導体磁器として焼成される。また、電極ペー
スト５〜８は900℃の温度によって酸化成分が半導体磁
器４…に作用し、その表面に薄い再酸化層を形成する。
この熱処理によっては、グリーンシートの酸化が進ま
ず、電極ペーストの酸化成分のみが再酸化層を作成する
ため、電極ペースト界面に作成された再酸化槽は薄い層
厚のものである。
ず、電極ペーストの酸化成分のみが再酸化層を作成する
ため、電極ペースト界面に作成された再酸化槽は薄い層
厚のものである。
上記の如く熱処理した後、積層成型体の左右両端に外
部電極2,3を焼付け、両端面まで引き出されている内部
電極５〜８と接続し、第3,4図に示した積層コンデンサ
を得る。実施品では、外形サイズ3.2×2.5×1.5mmのも
ので、700nFであった。
部電極2,3を焼付け、両端面まで引き出されている内部
電極５〜８と接続し、第3,4図に示した積層コンデンサ
を得る。実施品では、外形サイズ3.2×2.5×1.5mmのも
ので、700nFであった。
尚、グリーンシート及び電極ペーストに含まれるガラ
ス成分は、実施例のものに限らず、SiO2、Al2O3、B
2O3、ZnO、BaCO3、SrCO3、Na2CO3、Li2CO3のうちから１
種若しくは２種以上選択して使用できる。
ス成分は、実施例のものに限らず、SiO2、Al2O3、B
2O3、ZnO、BaCO3、SrCO3、Na2CO3、Li2CO3のうちから１
種若しくは２種以上選択して使用できる。
発明の効果 以上説明したように本発明によれば、従来困難である
とされていた還元再酸化型コンデンサの積層構造体を得
ることができると共に、積層構造であるため、小型であ
り、なおかつ等価的にはコンデンサが並列接続されてい
るので、静電容量の大きな小型の半導体積層コンデンサ
が安価に得られるという効果を奏する。
とされていた還元再酸化型コンデンサの積層構造体を得
ることができると共に、積層構造であるため、小型であ
り、なおかつ等価的にはコンデンサが並列接続されてい
るので、静電容量の大きな小型の半導体積層コンデンサ
が安価に得られるという効果を奏する。
第１図は本発明の半導体積層コンデンサの製作手順を示
す斜視図、第２図は熱処理前の積層成型体の断面図、第
３図は完成品としての半導体積層コンデンサの断面図、
第４図はその外観斜視図、第５図は従来の還元酸化型コ
ンデンサを示す断面図である。 2,3……外部電極、４……半導体磁器（グリーンシー
ト）、4a……再酸化層、５〜８……内部電極（電極ペー
スト）。
す斜視図、第２図は熱処理前の積層成型体の断面図、第
３図は完成品としての半導体積層コンデンサの断面図、
第４図はその外観斜視図、第５図は従来の還元酸化型コ
ンデンサを示す断面図である。 2,3……外部電極、４……半導体磁器（グリーンシー
ト）、4a……再酸化層、５〜８……内部電極（電極ペー
スト）。
Claims (1)
- 【請求項１】焼成した磁器を粉砕して得られた半導体磁
器粉末とガラス成分を混合し、バインダーを加えたグリ
ーンシートを複数枚作製し、グリーンシート表面にAgを
主体として、ワニス、溶剤並びに酸化成分を含む電極ペ
ーストを塗布し、この電極ペーストが塗布されたグリー
ンシートを左右交互に積層した状態で酸化雰囲気中で熱
処理することによって再酸化層を形成すると共に焼成
後、各層の間の内部電極を交互に２つの外部電極に接続
することを特徴とする半導体積層コンデンサの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62224676A JP2646573B2 (ja) | 1987-09-07 | 1987-09-07 | 半導体積層コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62224676A JP2646573B2 (ja) | 1987-09-07 | 1987-09-07 | 半導体積層コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6466919A JPS6466919A (en) | 1989-03-13 |
| JP2646573B2 true JP2646573B2 (ja) | 1997-08-27 |
Family
ID=16817473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62224676A Expired - Lifetime JP2646573B2 (ja) | 1987-09-07 | 1987-09-07 | 半導体積層コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2646573B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH113834A (ja) * | 1996-07-25 | 1999-01-06 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| US6442813B1 (en) | 1996-07-25 | 2002-09-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of producing a monolithic ceramic capacitor |
| JP6954519B2 (ja) * | 2017-04-11 | 2021-10-27 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5785213A (en) * | 1980-11-17 | 1982-05-27 | Murata Manufacturing Co | Method of producing laminated semiconductor ceramic condenser |
-
1987
- 1987-09-07 JP JP62224676A patent/JP2646573B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6466919A (en) | 1989-03-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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