JPS6092647A - 電子部品の外部リ−ド - Google Patents
電子部品の外部リ−ドInfo
- Publication number
- JPS6092647A JPS6092647A JP58201448A JP20144883A JPS6092647A JP S6092647 A JPS6092647 A JP S6092647A JP 58201448 A JP58201448 A JP 58201448A JP 20144883 A JP20144883 A JP 20144883A JP S6092647 A JPS6092647 A JP S6092647A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- nickel
- plating layer
- plating
- tin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
- C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
- C25D5/14—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium two or more layers being of nickel or chromium, e.g. duplex or triplex layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は電子部品の外部リードに関し、特にセラミック
パッケージの半導体装置に使用されるものである。
パッケージの半導体装置に使用されるものである。
半導体装置等の電子部品においてはプリント板等圧実装
して外部接続を行うための外部リードを有している。
して外部接続を行うための外部リードを有している。
このような外部リードを有するセラミックパッケージの
配線層およびリード構造を第７図の断面図によって示す
。
配線層およびリード構造を第７図の断面図によって示す
。
セラミックパッケージにおいてはセラミック基板／の上
に集積回路テ、プコを搭載するベッド部３および外部引
出し部ｑがそれぞれメタライズ層５により形成されてお
り、このメタライズ層Ｓの上に二、ケル（Ｎｌ）−コパ
ル） （Ｃｏ）の合金めっき層６が形成され、さらにそ
の上に金（Ａｕ）めっき層りが形成されている。集積回
路テツクスは金−シリコン共晶合金またははんだによっ
てベッド部３にダイボンデインｊされるが、この際会め
つき層が溶融して下地が露出し集積回路チップ−〇接合
強度が低下するのを防止するためニッケル−コノ々ルト
めっき層が設けられている。
に集積回路テ、プコを搭載するベッド部３および外部引
出し部ｑがそれぞれメタライズ層５により形成されてお
り、このメタライズ層Ｓの上に二、ケル（Ｎｌ）−コパ
ル） （Ｃｏ）の合金めっき層６が形成され、さらにそ
の上に金（Ａｕ）めっき層りが形成されている。集積回
路テツクスは金−シリコン共晶合金またははんだによっ
てベッド部３にダイボンデインｊされるが、この際会め
つき層が溶融して下地が露出し集積回路チップ−〇接合
強度が低下するのを防止するためニッケル−コノ々ルト
めっき層が設けられている。
一方、外部リードｉｏはコノセール（ＫＯＶＡＲ） 弘
コアロイ等の導体金属ｌ／にニッケルーコバルトめっき
１２を施し、その上に金めつきを施すことなく直接すず
（Ｓｎ）めっきまたははんだ等のすす合金層を形成して
耐蝕性及びはんだ濡れ性の向上を図っている。
コアロイ等の導体金属ｌ／にニッケルーコバルトめっき
１２を施し、その上に金めつきを施すことなく直接すず
（Ｓｎ）めっきまたははんだ等のすす合金層を形成して
耐蝕性及びはんだ濡れ性の向上を図っている。
しかしながら、このよう々構成の外部リードにおいては
、表面のすずめつき等の特性が劣化しやすいという問題
がある◇ すなわち、従来の二、ケルーコ／々ルトめっきの上にす
ずめつきを施した外部リードを有する半導体装置がスク
リーニングのために定電圧印加工でｉｏｏ数十°Ｃ数十
時間の加熱を行うノ々−ンイン等の加熱工程を経たとき
に、ニッケルーコバルトめっき中のコノマルト原子がす
ずまたはすず合金めっき層の表面に拡散しすず結晶の細
粒化が発生する◎このようにすず結晶が細粒化したとき
は酸化が起りやすく、外部リードは酸化物生成によって
黒変化する。この酸化物は導電性が劣りまたはんだ濡れ
性が著しく劣るため、半導体装置をプリント板等に実装
する際にはんだ行不良やソケットにおける接触不良等の
障害を引き起すという問題がある。
、表面のすずめつき等の特性が劣化しやすいという問題
がある◇ すなわち、従来の二、ケルーコ／々ルトめっきの上にす
ずめつきを施した外部リードを有する半導体装置がスク
リーニングのために定電圧印加工でｉｏｏ数十°Ｃ数十
時間の加熱を行うノ々−ンイン等の加熱工程を経たとき
に、ニッケルーコバルトめっき中のコノマルト原子がす
ずまたはすず合金めっき層の表面に拡散しすず結晶の細
粒化が発生する◎このようにすず結晶が細粒化したとき
は酸化が起りやすく、外部リードは酸化物生成によって
黒変化する。この酸化物は導電性が劣りまたはんだ濡れ
性が著しく劣るため、半導体装置をプリント板等に実装
する際にはんだ行不良やソケットにおける接触不良等の
障害を引き起すという問題がある。
本発明はこのような従来技術の問題点を解決しようとし
てなされたもので、表面のすずまたはすす合金の下地金
属からの拡散による酸化促進を防止し耐蝕性、はんだ付
性を維持することができる半導体装置の外部リードを提
供することを目的とする。
てなされたもので、表面のすずまたはすす合金の下地金
属からの拡散による酸化促進を防止し耐蝕性、はんだ付
性を維持することができる半導体装置の外部リードを提
供することを目的とする。
上記目的達成のため、本発明においては下地導体金属上
に形成するめっき層をニッケルーコバルトの合金めつき
層、コバルト原子の拡散を阻止する厚さを有する二、ケ
ル層、すす等のはんだ濡れ性の良好な金属めっき層の三
層構成としており、コバルト原子のすす層への拡散をニ
ッケル層の介在により防止し、すす層のはんだ濡れ性の
劣化を防止できるものである。
に形成するめっき層をニッケルーコバルトの合金めつき
層、コバルト原子の拡散を阻止する厚さを有する二、ケ
ル層、すす等のはんだ濡れ性の良好な金属めっき層の三
層構成としており、コバルト原子のすす層への拡散をニ
ッケル層の介在により防止し、すす層のはんだ濡れ性の
劣化を防止できるものである。
本発明の一実施例を第２図を参照しながら説明する。
第一図は半導体装置のセラミックパッケージに使用され
る本発明にかかる外部リードの断面構造を示す断面図で
あって、外部リード〃はコノセール、ダコアロイ等から
成る導体金属ａｌ上に二、ヶルーコ・々ルト合金めっき
／、２を施し、この上に二、ケルめっき層３をＯ，Ｓ〜
／、Ｏｌｎの厚さで形成し、最後にすずめつき層コクを
形成しである。このニッケルめっきは通常セラミックパ
ッケージのシール後に行われることになり通常の電解め
っき法が使用される◇また最外層のすずめつきも電解め
っき法が通常使用されるが、はんだ濡れ性をさらに向上
させるため、溶融はんだ中に外部リードを浸漬させては
んだ層を形成するようにしてもよい。
る本発明にかかる外部リードの断面構造を示す断面図で
あって、外部リード〃はコノセール、ダコアロイ等から
成る導体金属ａｌ上に二、ヶルーコ・々ルト合金めっき
／、２を施し、この上に二、ケルめっき層３をＯ，Ｓ〜
／、Ｏｌｎの厚さで形成し、最後にすずめつき層コクを
形成しである。このニッケルめっきは通常セラミックパ
ッケージのシール後に行われることになり通常の電解め
っき法が使用される◇また最外層のすずめつきも電解め
っき法が通常使用されるが、はんだ濡れ性をさらに向上
させるため、溶融はんだ中に外部リードを浸漬させては
んだ層を形成するようにしてもよい。
以上のようなセラミ、クパッケージタイプの半導体装置
の外部リードについてニッケルめっき層がないものとあ
るものについて加熱を行わない条件とｉｓｏ″Ｃで１２
０時間加熱する条件のそれぞれについてサンプル数名１
０個で外観とはんだ付性について比較したところ、表に
示す結果が得られた。
の外部リードについてニッケルめっき層がないものとあ
るものについて加熱を行わない条件とｉｓｏ″Ｃで１２
０時間加熱する条件のそれぞれについてサンプル数名１
０個で外観とはんだ付性について比較したところ、表に
示す結果が得られた。
表
これによればニッケルめっき層がない場合には加熱時に
すべてのサンプルが黒変し、はんだ付性も不良であった
のに対し、本発明を適用してｏ、ｒ〜／・０μｍの厚さ
の二、ケルめりき層を介在させた場合には全く異常が見
られなかった。
すべてのサンプルが黒変し、はんだ付性も不良であった
のに対し、本発明を適用してｏ、ｒ〜／・０μｍの厚さ
の二、ケルめりき層を介在させた場合には全く異常が見
られなかった。
以上の実施例はセラミックパッケージの半導体装置につ
いて述べたが、モールドタイプの半導体装置やハイブリ
、ド抵抗装置等外部リードを有するあらゆる電子部品に
適用されるものである。
いて述べたが、モールドタイプの半導体装置やハイブリ
、ド抵抗装置等外部リードを有するあらゆる電子部品に
適用されるものである。
なお、ニッケルめっき層の厚さは実施例では０．３〜７
．０μｍであったがコノ９ルト原子の拡散を阻止できる
厚さならば任意の厚さが適用できる。
．０μｍであったがコノ９ルト原子の拡散を阻止できる
厚さならば任意の厚さが適用できる。
〔発明の効果〕
以上のような本発明にかかる電子部品の外部リードによ
れば、下地導体金属上に形成されるめっき層がニッケル
ーコノマルトの合金めっき層、二。
れば、下地導体金属上に形成されるめっき層がニッケル
ーコノマルトの合金めっき層、二。
ケル層、はんだ濡れ性の良好な金属めっき層の３層構成
としているので、加熱時においてもニッケルーコバルト
合金めっき層からコバルト原子が表面層へ拡散すること
が、ニッケル層の存在によって阻止されるので、表面層
の酸化によるはんだ濡れ性の劣化を有効に防止すること
ができる０
としているので、加熱時においてもニッケルーコバルト
合金めっき層からコバルト原子が表面層へ拡散すること
が、ニッケル層の存在によって阻止されるので、表面層
の酸化によるはんだ濡れ性の劣化を有効に防止すること
ができる０
第１図は従来のセラミ□ツクタイプの半導体装置に使用
される外部リードの構造を示す断面図、第一図は本発明
にかかる外部リードの構造を示す断面図である〇 ＩＯ，〃・・・外部リード、ｌへコト・・導体金属、ｌ
コ、二・・・ニッケルーコバルトめっ＠：層、／、？、
ｓｐ・・・ススめっき層、ｎ・・・ニッケルめっき層。 出願人代理人 猪 股 清
される外部リードの構造を示す断面図、第一図は本発明
にかかる外部リードの構造を示す断面図である〇 ＩＯ，〃・・・外部リード、ｌへコト・・導体金属、ｌ
コ、二・・・ニッケルーコバルトめっ＠：層、／、？、
ｓｐ・・・ススめっき層、ｎ・・・ニッケルめっき層。 出願人代理人 猪 股 清
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ／、電子部品から引き出され、下地導体金属上にめっき
層を形成した電子部品の外部リードにおいて、 前記めっき層をニッケルーコノマルトの合金めっき層、
コバルト原子の拡散を阻止する厚さを有するニッケル層
、はんだ濡れ性の良好な金属めっき層の３層構成とした
ことを特徴とする電子部品の外部り−Ｐ０ コ、はんだ濡れ性の良好な金属がすずまたはすす合金で
ある特許請求の範囲第１項記載の電子部品の外部リード
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58201448A JPS6092647A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 電子部品の外部リ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58201448A JPS6092647A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 電子部品の外部リ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6092647A true JPS6092647A (ja) | 1985-05-24 |
Family
ID=16441250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58201448A Pending JPS6092647A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 電子部品の外部リ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6092647A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6457628A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-03 | Kyocera Corp | Electronic component with conductive layer |
| CN102418124A (zh) * | 2011-11-25 | 2012-04-18 | 中国电子科技集团公司第十八研究所 | 一种可伐合金互联片的镀银方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5760097A (en) * | 1980-09-29 | 1982-04-10 | Hitachi Cable Ltd | Heat resistant silver coated conductor |
-
1983
- 1983-10-27 JP JP58201448A patent/JPS6092647A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5760097A (en) * | 1980-09-29 | 1982-04-10 | Hitachi Cable Ltd | Heat resistant silver coated conductor |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6457628A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-03 | Kyocera Corp | Electronic component with conductive layer |
| CN102418124A (zh) * | 2011-11-25 | 2012-04-18 | 中国电子科技集团公司第十八研究所 | 一种可伐合金互联片的镀银方法 |
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