JPS6090842A - 光フアイバ用ガラス母材の製造方法 - Google Patents
光フアイバ用ガラス母材の製造方法Info
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- JPS6090842A JPS6090842A JP58195209A JP19520983A JPS6090842A JP S6090842 A JPS6090842 A JP S6090842A JP 58195209 A JP58195209 A JP 58195209A JP 19520983 A JP19520983 A JP 19520983A JP S6090842 A JPS6090842 A JP S6090842A
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
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- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
- C03B37/01453—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering for doping the preform with flourine
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
- C03B2201/12—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はドーパントの混入に伴う不都合を最小限に抑え
、高い伝送特性を得ることのできる光フアイバ用ガラス
母材の製造方法に関する。
、高い伝送特性を得ることのできる光フアイバ用ガラス
母材の製造方法に関する。
元ファイバ用ガラス母材はコア部とクラッド部とからな
っており、コア部は中心部に位置し、光を伝送する都合
上クラッド部より屈折率を高くする必要がある。例えば
第１図に示す屈折率差分布曲線において、シリカＳｉｎ
、を基準としコア部人の屈折率をクラッド部Ｂより高め
る方法としては、通常、ＧｅＱ ｐ Ａ−４０ｓ ＋
Ｔｉ０１など屈折率を高めるドーパントを石英ガラス中
に添加することが行なわれる。
っており、コア部は中心部に位置し、光を伝送する都合
上クラッド部より屈折率を高くする必要がある。例えば
第１図に示す屈折率差分布曲線において、シリカＳｉｎ
、を基準としコア部人の屈折率をクラッド部Ｂより高め
る方法としては、通常、ＧｅＱ ｐ Ａ−４０ｓ ＋
Ｔｉ０１など屈折率を高めるドーパントを石英ガラス中
に添加することが行なわれる。
ところが上記ドーパントの添加に伴い次の問題がある。
ピ） ドーパント量を増すとドーパント添加に由来する
光散乱（レイリー散乱）を生じさせ、この散乱の大きさ
はドーパント量に比例する。
光散乱（レイリー散乱）を生じさせ、この散乱の大きさ
はドーパント量に比例する。
かかる光散乱は光伝送上好ましくない。
に） ドーパントを多量に添加するとガラス母材中に気
泡や結晶相を生じさせる。例えばＧｅＯ，はＧｅＯガス
発生による気泡を生じ、Ａ４０゜はＡ４０．結晶のクラ
スターが発生し易い。かかる気泡や結晶相の存在は光伝
送上の損失原因となり好ましくない。
泡や結晶相を生じさせる。例えばＧｅＯ，はＧｅＯガス
発生による気泡を生じ、Ａ４０゜はＡ４０．結晶のクラ
スターが発生し易い。かかる気泡や結晶相の存在は光伝
送上の損失原因となり好ましくない。
以上のことからコア部とクラッド部との屈折率差を大き
く保ちながら、かつコア部のド−パント原料 このため屈折率を低めるフッ素を利用した製造方法が考
えられている。この方法はコア部にＧｅ０１等のドーパ
ントを添加して予め屈折率を高め、クラッド部との間に
所定の屈折率差を形成した後に、フッ素を添加し、コア
部とクラッド部との屈折率差を維持したまま全体の屈折
率を下げ、シリカＳｉｎ、の屈折率を基準として見掛は
上コア部のドーパント量を減少させて上記不都合を回避
するものである。しかしながら、このような製造方法に
おいてもフッ素の添加方法について種々の問題を残して
いる。例えば特公昭５５−１５６８２号に開示されるよ
うにガラス微粒子を生成する火炎加水分解時にフッ素を
添加する場合には、添加されるフッ素の絶対量が少なく
、また製造時間も長い。これは火炎中に存在する水分と
フッ素ガスとが例えば次式のように反応しＨＦガスを生
ずるためであると考えられる。
く保ちながら、かつコア部のド−パント原料 このため屈折率を低めるフッ素を利用した製造方法が考
えられている。この方法はコア部にＧｅ０１等のドーパ
ントを添加して予め屈折率を高め、クラッド部との間に
所定の屈折率差を形成した後に、フッ素を添加し、コア
部とクラッド部との屈折率差を維持したまま全体の屈折
率を下げ、シリカＳｉｎ、の屈折率を基準として見掛は
上コア部のドーパント量を減少させて上記不都合を回避
するものである。しかしながら、このような製造方法に
おいてもフッ素の添加方法について種々の問題を残して
いる。例えば特公昭５５−１５６８２号に開示されるよ
うにガラス微粒子を生成する火炎加水分解時にフッ素を
添加する場合には、添加されるフッ素の絶対量が少なく
、また製造時間も長い。これは火炎中に存在する水分と
フッ素ガスとが例えば次式のように反応しＨＦガスを生
ずるためであると考えられる。
ＳＦ、＋３Ｈ，０→Ｓｏ、＋６ＨＦ ・・・・・・・・
・（１）このｌ（Ｆガスは安定であり、高温下では水分
のある限り殆んどのフッ素系ガスは、このＨＦガスに変
換され、僅かに残されたフッ素系ガスのみがドーパント
原料として利用されることになる。
・（１）このｌ（Ｆガスは安定であり、高温下では水分
のある限り殆んどのフッ素系ガスは、このＨＦガスに変
換され、僅かに残されたフッ素系ガスのみがドーパント
原料として利用されることになる。
更にこのＨＦはガラス特に石英を侵食する作用があり火
炎中に生成したシリカ微粒子と容易に反応する。この反
応は下記に示す（２１ｆ８１式が考えられ、この反応で
生成微粒子が消耗される。
炎中に生成したシリカ微粒子と容易に反応する。この反
応は下記に示す（２１ｆ８１式が考えられ、この反応で
生成微粒子が消耗される。
尚式中（Ｓ）は固体、（ｒ）はガスを示す。
Ｓ ｉ Ｏ，（ｓ） ＋ ２ ＨＦ（め→Ｓ ｉＯＦ、
（ｙ） ＋ ）Ｌ Ｏ（ｙ −・・・・（２１ＳｉＯ
，（ｓ）＋ ４ＨＦ＠） →８４Ｆ、（２＋ ２八〇（
ｙ） ＝−−（３１このため、シリカ微粒子の堆積を抑
える作用が働き、フッ素系ガスの添加量を増やすととも
にシリカ微粒子の堆積速度が低下し、最終的には全く堆
積しない状態となる。
（ｙ） ＋ ）Ｌ Ｏ（ｙ −・・・・（２１ＳｉＯ
，（ｓ）＋ ４ＨＦ＠） →８４Ｆ、（２＋ ２八〇（
ｙ） ＝−−（３１このため、シリカ微粒子の堆積を抑
える作用が働き、フッ素系ガスの添加量を増やすととも
にシリカ微粒子の堆積速度が低下し、最終的には全く堆
積しない状態となる。
次に特開昭５５−６７５３３号にはガラス微粒子集合体
を製造後、その焼結をフッ素雰囲気中で行いフッ素をド
ープする方法が開示されている。
を製造後、その焼結をフッ素雰囲気中で行いフッ素をド
ープする方法が開示されている。
ところがこの方法においてもフッ素の添加速度が遅い、
更にＣｕ、Ｆｅの混入を招く不都合が時としてみられる
。また１４００℃以上に焼結する際、ガラス母材の表面
が著しくエツチングされ、表面の平滑なガラス母材を得
ることができないという問題もある。更にかかるエツチ
ングの結果、炉心管中の不純物がガラス微粒子体中に侵
入し易くなるという不都合もある。
更にＣｕ、Ｆｅの混入を招く不都合が時としてみられる
。また１４００℃以上に焼結する際、ガラス母材の表面
が著しくエツチングされ、表面の平滑なガラス母材を得
ることができないという問題もある。更にかかるエツチ
ングの結果、炉心管中の不純物がガラス微粒子体中に侵
入し易くなるという不都合もある。
本発明は上記従来の製造法にみられる不都合を解消し、
高い伝送特性を得ることのできる光フアイバ用ガラス母
材の製造方法を提供するものであって、その構成は、酸
化珪素を主成分とするガラス微粒子集合体を加熱処理し
て光フアイバ用ガラス母材を製造する方法において、上
記ガラス微粒子集合体を脱水し不純物を除去するための
第一熱処理を施し、次いで少なくともフッ素ないしフッ
素化合物を含むガス雰囲気中でフッ素を添加するための
第二熱処理を施し、最後に透明ガラス化のための第三熱
処理を施すことを特徴とする。
高い伝送特性を得ることのできる光フアイバ用ガラス母
材の製造方法を提供するものであって、その構成は、酸
化珪素を主成分とするガラス微粒子集合体を加熱処理し
て光フアイバ用ガラス母材を製造する方法において、上
記ガラス微粒子集合体を脱水し不純物を除去するための
第一熱処理を施し、次いで少なくともフッ素ないしフッ
素化合物を含むガス雰囲気中でフッ素を添加するための
第二熱処理を施し、最後に透明ガラス化のための第三熱
処理を施すことを特徴とする。
以下に本発明を実施例と共に詳細に説明する。
本発明はガラス微粒子集合体（スート母材）を形成後、
その焼結時にフッ素を添加するものであり、この焼結を
独自の方法により行うものである。
その焼結時にフッ素を添加するものであり、この焼結を
独自の方法により行うものである。
まず石英ガラスの微粒子集合体即ちスート母材はこれま
で常用されている種々の方法によって得られるものを広
く用いることができる。この−例を第２図（ａ） （ｂ
）に示す。第２図（ａ）はＶＡＤ法、第２図［有］）は
外付法による場合を示す。図中、１は燃焼用バーナであ
り、２，３，４．５は原料ガスの供給口、６は出発部材
、７は石英ガラスの微粒子集合体である。これら各製造
法によって得られるスート母材はコア部にＧｅＯ，等が
添加され、例えば第３図に示す屈折率分布を有している
。
で常用されている種々の方法によって得られるものを広
く用いることができる。この−例を第２図（ａ） （ｂ
）に示す。第２図（ａ）はＶＡＤ法、第２図［有］）は
外付法による場合を示す。図中、１は燃焼用バーナであ
り、２，３，４．５は原料ガスの供給口、６は出発部材
、７は石英ガラスの微粒子集合体である。これら各製造
法によって得られるスート母材はコア部にＧｅＯ，等が
添加され、例えば第３図に示す屈折率分布を有している
。
次に上記スート母材を純石英からなる炉心管又はアルミ
製の炉心管に装入し、焼結する。この場合、まず上記ス
ート母材の脱水、不純物除去を主眼とした第一段階の加
熱処理を行う。この第一段階の加熱処理は８００℃〜１
２００℃の温度範囲が好ましい。
製の炉心管に装入し、焼結する。この場合、まず上記ス
ート母材の脱水、不純物除去を主眼とした第一段階の加
熱処理を行う。この第一段階の加熱処理は８００℃〜１
２００℃の温度範囲が好ましい。
８００℃以下では不純物を除去することができず、かつ
、脱水にも時間がかかる。１２００℃以上にするとスー
ト母材の収縮が起り始め、第二段階の加熱処理において
フッ素をスート母材に添加するのが困難になる。加熱時
間は通常約２〜４時間でよい。更に焼結雰囲気としては
高純度な不活性ガス雰囲気中で行うとよく、又、不活性
ガス雰囲気に塩素系ガスを添加しても効果的な脱水、不
純物の除去を行うことができる。因に塩素系ガスとして
はＣ４、５ＯＣ４、Ｃ０Ｃ４、ＣＣｔ、等を用いること
ができる。尚フッ素ガスによるエツチングを効果的に防
止するためには不活性ガスの濃度を８０容量−以上にす
るのが好ましいが、０チでも大きな支障はない。又、塩
素系ガスの濃度は約１０容量チ程度で充分である。
、脱水にも時間がかかる。１２００℃以上にするとスー
ト母材の収縮が起り始め、第二段階の加熱処理において
フッ素をスート母材に添加するのが困難になる。加熱時
間は通常約２〜４時間でよい。更に焼結雰囲気としては
高純度な不活性ガス雰囲気中で行うとよく、又、不活性
ガス雰囲気に塩素系ガスを添加しても効果的な脱水、不
純物の除去を行うことができる。因に塩素系ガスとして
はＣ４、５ＯＣ４、Ｃ０Ｃ４、ＣＣｔ、等を用いること
ができる。尚フッ素ガスによるエツチングを効果的に防
止するためには不活性ガスの濃度を８０容量−以上にす
るのが好ましいが、０チでも大きな支障はない。又、塩
素系ガスの濃度は約１０容量チ程度で充分である。
上記第一段階の加熱処理に引き続いてフッ素の添加を主
眼とした第二段階の加熱処理を行う。
眼とした第二段階の加熱処理を行う。
この場合の温度は１１００℃〜１４００′ｃの範囲が好
ましい。焼結雰囲気としてはフッ素ガスないしフッ素化
合物ガスを添加した不活性ガス雰囲気中で行う。上記フ
ッ素化合物としてはＣＦ、 、 ＳＦ、 。
ましい。焼結雰囲気としてはフッ素ガスないしフッ素化
合物ガスを添加した不活性ガス雰囲気中で行う。上記フ
ッ素化合物としてはＣＦ、 、 ＳＦ、 。
ＳｉＦ、 、 ＣＯＦ、等を用いることができる。
また不活性ガスとしてはＮ、、ＡｒＯ，・・・等を用い
ることができる。尚、昇温に際し、２〜１０℃４の割合
で加熱した。第４図に昇温速度とスート母材へのフッ素
添加量との関係を示す。図から明らかなように昇温速度
が遅い程フッ素の添加量が多いことが判る。
ることができる。尚、昇温に際し、２〜１０℃４の割合
で加熱した。第４図に昇温速度とスート母材へのフッ素
添加量との関係を示す。図から明らかなように昇温速度
が遅い程フッ素の添加量が多いことが判る。
第５図にフッ素系ガス添加雰囲気の処理温度とフッ素添
加量に対応する屈折率差Δｎの関係を示す。尚この場合
、焼結雰囲気は塩素ガス１ ｍｏ１％ 、ＳＲ１０ｒｎ
ｏｌ ’Ｊを含むＨｅガス雰囲気であり、図示する各温
度を３時間保持したものの屈折率差Δｎを示す。図から
明らかなように１１００′０−１４００℃の温度範囲に
おいて屈折率差Δ、ｎが大きくフッ素を添加するうえか
らこの範囲が加熱処理の温度として好適であることが判
る。
加量に対応する屈折率差Δｎの関係を示す。尚この場合
、焼結雰囲気は塩素ガス１ ｍｏ１％ 、ＳＲ１０ｒｎ
ｏｌ ’Ｊを含むＨｅガス雰囲気であり、図示する各温
度を３時間保持したものの屈折率差Δｎを示す。図から
明らかなように１１００′０−１４００℃の温度範囲に
おいて屈折率差Δ、ｎが大きくフッ素を添加するうえか
らこの範囲が加熱処理の温度として好適であることが判
る。
尚、加熱処理温度が１４００℃以上の場合にはスート母
材の収納が早く、フッ素が効果的に添加されない。又、
フッ素系ガスの添加濃度としては２０ ｍｏｔ％までが
好ましい。これはＨＦ程度ではないが添加濃度が多過ぎ
るとフッ素ガスによるエツチングが若干生じ易くなるた
めである。
材の収納が早く、フッ素が効果的に添加されない。又、
フッ素系ガスの添加濃度としては２０ ｍｏｔ％までが
好ましい。これはＨＦ程度ではないが添加濃度が多過ぎ
るとフッ素ガスによるエツチングが若干生じ易くなるた
めである。
上記加熱処理に引き続き透明ガラス化を主眼とする第三
段階の加熱処理を施す。加熱温度は１４００℃以上、少
なくとも１時間保持するとよい。
段階の加熱処理を施す。加熱温度は１４００℃以上、少
なくとも１時間保持するとよい。
１４００℃以下ではガラス微粒子が残留し、焼結が不充
分となる。焼結はＨｅなどの不活性ガス雰囲気内で行う
。
分となる。焼結はＨｅなどの不活性ガス雰囲気内で行う
。
尚、第７図に本発明に係る加熱処理の一例を模式図に示
す。
す。
又、上記加熱処理の結果得られるガラス母材の屈折率分
布の一例を第６図に示す。スート母材形成時には第３図
に示す屈折率分布であったものが上記加熱処理の結果第
６図に示すようにコア部の中心とクラッド部とは約１．
０チの屈折率差Δｎを維持しながら母材全体としては約
０．２％屈折率が低下している。
布の一例を第６図に示す。スート母材形成時には第３図
に示す屈折率分布であったものが上記加熱処理の結果第
６図に示すようにコア部の中心とクラッド部とは約１．
０チの屈折率差Δｎを維持しながら母材全体としては約
０．２％屈折率が低下している。
以上説明したように本発明においては第一段階の加熱処
理によりスート母材の脱水、不純物の除去を行うため、
該スート母材を用いた光ファイバでは不純物に起因する
伝送損失を大幅に解消することができる。即ち、スート
母材を脱水する結果、フッ素ガスを添加した際、フッ酸
ＨＦの生成が抑えられる。このＨＦは多量に存在すると
炉心管を侵蝕し、壁内の不純物を露出させスート母材へ
の不純物混入の要因となる。
理によりスート母材の脱水、不純物の除去を行うため、
該スート母材を用いた光ファイバでは不純物に起因する
伝送損失を大幅に解消することができる。即ち、スート
母材を脱水する結果、フッ素ガスを添加した際、フッ酸
ＨＦの生成が抑えられる。このＨＦは多量に存在すると
炉心管を侵蝕し、壁内の不純物を露出させスート母材へ
の不純物混入の要因となる。
更に不純物が系外へ除去されるためスート母材への混入
が防止される。例えば雰囲気中にＣｕＯが存在しても、
８００℃以上の加熱雰囲気においテハ、２ Ｃ１１ｏ（
Ｓ） 、！ ｃｕ、 ｏ（ｆ ＋”２ Ｑ ” ヨ”）
ニＣ１１，Ｏ’ｊｆスとなり系外へ除去される。この
反応は高温になる程ＣＵ、 Ｏガスの生成が進み、１０
００℃以上で非常に効果的である。更に塩素ガスを添加
した場合、次の反応式に従い系内の Ｃｕｂ（１） ＋Ｃ１ｓ ４ ＣｕＣ４（１）＋ ／２
０＊ （ｒ）不純物ＣｕＯはＣｕＣ２，ガスとなり容易
に系外へ排出される。Ｆｅ、 Ｏｘの不純物も同様であ
る。
が防止される。例えば雰囲気中にＣｕＯが存在しても、
８００℃以上の加熱雰囲気においテハ、２ Ｃ１１ｏ（
Ｓ） 、！ ｃｕ、 ｏ（ｆ ＋”２ Ｑ ” ヨ”）
ニＣ１１，Ｏ’ｊｆスとなり系外へ除去される。この
反応は高温になる程ＣＵ、 Ｏガスの生成が進み、１０
００℃以上で非常に効果的である。更に塩素ガスを添加
した場合、次の反応式に従い系内の Ｃｕｂ（１） ＋Ｃ１ｓ ４ ＣｕＣ４（１）＋ ／２
０＊ （ｒ）不純物ＣｕＯはＣｕＣ２，ガスとなり容易
に系外へ排出される。Ｆｅ、 Ｏｘの不純物も同様であ
る。
また、スート母材を脱水し、フッ酸ＨＦの生成を抑える
ことから、ガラス母材のエツチングが防止され表面の平
滑なガラス母材を得ることができると共に炉心管などの
腐食をも防止することができる。
ことから、ガラス母材のエツチングが防止され表面の平
滑なガラス母材を得ることができると共に炉心管などの
腐食をも防止することができる。
次に本発明の実施例を示す。
実施例１ 第３図Ｖこ示す屈折率分布図有するスート母
材を加熱炉に装入し、純Ｈｅガスを１０Ａ−の割合で炉
内部に供給し、６００℃の加熱温度で３時間保持した。
材を加熱炉に装入し、純Ｈｅガスを１０Ａ−の割合で炉
内部に供給し、６００℃の加熱温度で３時間保持した。
引き続き、１０分後に１１００’Ｃまで昇温し、次いで
１１００℃のに度下でＨｅガス中にＳＦａ ｔ” １０
０％の一合で供給すると共にａ、３”７分の昇温速度で
１４００℃まで昇温した。１４００℃の温度を１時間保
った後Ｈｅガスを１０／分の割合で炉内に供給すると共
に炉内を１６５０℃に加熱し、透明ガラス化した。得ら
れたガラス母材は第６図に示す屈折率分布を有しており
、伝送損失特性は１３０ｐｍで１．２ ｄＢ７．、、Ｏ
Ｈ量はＱ、０１ ｐｌ）ｍであツタ。
１１００℃のに度下でＨｅガス中にＳＦａ ｔ” １０
０％の一合で供給すると共にａ、３”７分の昇温速度で
１４００℃まで昇温した。１４００℃の温度を１時間保
った後Ｈｅガスを１０／分の割合で炉内に供給すると共
に炉内を１６５０℃に加熱し、透明ガラス化した。得ら
れたガラス母材は第６図に示す屈折率分布を有しており
、伝送損失特性は１３０ｐｍで１．２ ｄＢ７．、、Ｏ
Ｈ量はＱ、０１ ｐｌ）ｍであツタ。
尚、本実施例において第一段階の加熱温度を８００１）
としたところ得られたファイバの不純物による伝送損失
は１．３０μｍで０．６ ｄＢ７．であり大幅に伝送損
失が改善された。
としたところ得られたファイバの不純物による伝送損失
は１．３０μｍで０．６ ｄＢ７．であり大幅に伝送損
失が改善された。
同様に第一段階の加熱温度を１１００ｃとしたところ得
られたファイバの不純物による伝送損失は１．３０ ｐ
ｍで０．６ ｄＢ７．、であり伝送損失の改善効果が著
しかった。
られたファイバの不純物による伝送損失は１．３０ ｐ
ｍで０．６ ｄＢ７．、であり伝送損失の改善効果が著
しかった。
実施例２ 上記実施例１と同様の製造例において、第一
段階の加熱処理の際、純Ｈｅガス雰囲気中に０．５〜５
ｍｏ１％のＣ４ガスを供給した。更に第一段階の加熱温
度をｔｉｏｏ’ｃとしたところこれを１０分程度保持し
た場合にも得られたファイバ中に不純物の痕跡がないこ
とが得られたファイバの伝送損失特性から確認できた。
段階の加熱処理の際、純Ｈｅガス雰囲気中に０．５〜５
ｍｏ１％のＣ４ガスを供給した。更に第一段階の加熱温
度をｔｉｏｏ’ｃとしたところこれを１０分程度保持し
た場合にも得られたファイバ中に不純物の痕跡がないこ
とが得られたファイバの伝送損失特性から確認できた。
尚、本実施例において、ＳＦ、を含む雰囲気にＣ４ガス
ヲ０．５〜５ ｍｏｔ＠添加したところ得られたファイ
バ中には不純物の痕跡が全く認められなかった。
ヲ０．５〜５ ｍｏｔ＠添加したところ得られたファイ
バ中には不純物の痕跡が全く認められなかった。
実施例３ コア部のカサ密度ｔ０．４ｆ／ＩＩクラッド
部のカサ密度を０．２ ｆ７４ｄとなるように調整した
ズπ・ト、母材を作製し前記スート母材ｔ０．５〜Ｓ
ｍｏｂチＣ４を添加した極ガス雰囲気中で、８００℃〜
１２００℃まで昇温しながら、次いで１２００℃で１時
間保持した。その後、２〜５ ｍａｔ ＠のフッ素ガス
をさらに添加し１４００℃まで昇温した。
部のカサ密度を０．２ ｆ７４ｄとなるように調整した
ズπ・ト、母材を作製し前記スート母材ｔ０．５〜Ｓ
ｍｏｂチＣ４を添加した極ガス雰囲気中で、８００℃〜
１２００℃まで昇温しながら、次いで１２００℃で１時
間保持した。その後、２〜５ ｍａｔ ＠のフッ素ガス
をさらに添加し１４００℃まで昇温した。
このようにして得られた前記母材を最高湯度１６５０℃
のＨｅガス雰囲気下にあるン°°−ン加熱炉内に３〜４
冨時の下降速度で挿入し透明ガラス化した。得られた母
材はコア部は殆んど純シリカに対応する屈折率を有し、
クラッド部はフッ素が添加された屈折率であった。これ
をファイバー化したところ伝送損失特性は１．３０ ｐ
ｍで０．４ｄ Ｂ／ｂであった。
のＨｅガス雰囲気下にあるン°°−ン加熱炉内に３〜４
冨時の下降速度で挿入し透明ガラス化した。得られた母
材はコア部は殆んど純シリカに対応する屈折率を有し、
クラッド部はフッ素が添加された屈折率であった。これ
をファイバー化したところ伝送損失特性は１．３０ ｐ
ｍで０．４ｄ Ｂ／ｂであった。
第１図（ａ） （ｂ）は光ファイバの屈折率分布図、第
２図（ａ）Φ）はスート母材の製造を示す説明図、第３
図は本発明の実施例に係るスート母材の屈折率分布図、
第４図は本発明における屈折率差と昇温速度との関係を
示すグラフ、第５図は本発明における処理温度と屈折率
差との関係を示すグラフ、第６図は本発明の実施例にお
ける加熱処理後のガラス母材の屈折率分布図、第７図は
本発明の加熱処理の一例を示す模式図。図中、１・・・
バーナ、２，３，４，５・・・ガス供給口、６・・・出
発部材、７・・・スート母材である。 特許出願 人 住友電気工業株式会社 日本電信電話公社 代理人 弁理士 光石士部（他１名） 第１図 第２図 第３図 第４図 Δｎ（％） Ｌロアｉ （’Ｃ／ｍ１ｎ） ｏ Ｃ１２Ｃｌ２ｌ％ ５Ｆ、 ５ｍｏ１％ ｘ Ｃ１２５ｍｏ１％ ＳＦ６ ５ｍｏ１％ ΔＣ１２１ｍｏ１％ ＳＦ６２０ｍｏ１％ 第５図 Δｎ（％） 第６図 第７図 」 。Ｌ２−１− １
２図（ａ）Φ）はスート母材の製造を示す説明図、第３
図は本発明の実施例に係るスート母材の屈折率分布図、
第４図は本発明における屈折率差と昇温速度との関係を
示すグラフ、第５図は本発明における処理温度と屈折率
差との関係を示すグラフ、第６図は本発明の実施例にお
ける加熱処理後のガラス母材の屈折率分布図、第７図は
本発明の加熱処理の一例を示す模式図。図中、１・・・
バーナ、２，３，４，５・・・ガス供給口、６・・・出
発部材、７・・・スート母材である。 特許出願 人 住友電気工業株式会社 日本電信電話公社 代理人 弁理士 光石士部（他１名） 第１図 第２図 第３図 第４図 Δｎ（％） Ｌロアｉ （’Ｃ／ｍ１ｎ） ｏ Ｃ１２Ｃｌ２ｌ％ ５Ｆ、 ５ｍｏ１％ ｘ Ｃ１２５ｍｏ１％ ＳＦ６ ５ｍｏ１％ ΔＣ１２１ｍｏ１％ ＳＦ６２０ｍｏ１％ 第５図 Δｎ（％） 第６図 第７図 」 。Ｌ２−１− １
Claims (1)
- （１） 酸化珪素を主成分とするガラス微粒子集合体を
加熱処理して光フアイバ用透明ガラス母材を製造する方
法に詔いて、上記ガラス微粒子集合体を脱水し、不純物
を除去するための第一熱処理を施し、次いで少なくとも
フッ素ないしフッ素化合物を含むガス雰囲気中でフッ素
を添加するための第二熱処理を施し、最後に透明ガラス
化のための第三熱処理を施すことを特徴とする光フアイ
バ用ガラス母材の製造方法。 の温度範囲であることを特徴とする光フアイバ用ガラス
母材の製造方法。 ｔａ＋ ＠許請求の範囲第１項において、パイプ状又は
ロッド状のガラス微粒子集合体を用いることを特徴とす
る光フアイバ用ガラス母材の製造方法。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58195209A JPS6090842A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 光フアイバ用ガラス母材の製造方法 |
| US06/661,451 US4586943A (en) | 1983-10-20 | 1984-10-16 | Method for the production of glass preform for optical fibers |
| DK497184A DK158940C (da) | 1983-10-20 | 1984-10-17 | Fremgangsmaade til fremstilling af raaemne til optiske fibre |
| DE8484307222T DE3475294D1 (en) | 1983-10-20 | 1984-10-19 | Method for the production of glass preform for optical fibers |
| KR1019840006519A KR870001290B1 (ko) | 1983-10-20 | 1984-10-19 | 광 파이버용 유리모재의 제조방법 |
| EP84307222A EP0139532B1 (en) | 1983-10-20 | 1984-10-19 | Method for the production of glass preform for optical fibers |
| CA000465912A CA1248416A (en) | 1983-10-20 | 1984-10-19 | Method for the production of glass preform for optical fibers |
| AT84307222T ATE38823T1 (de) | 1983-10-20 | 1984-10-19 | Verfahren zum herstellen einer vorform in glas fuer optische fasern. |
| HK799/89A HK79989A (en) | 1983-10-20 | 1989-10-05 | Method for the production of glass preform for optical fibers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58195209A JPS6090842A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 光フアイバ用ガラス母材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6090842A true JPS6090842A (ja) | 1985-05-22 |
| JPS6238292B2 JPS6238292B2 (ja) | 1987-08-17 |
Family
ID=16337267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58195209A Granted JPS6090842A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 光フアイバ用ガラス母材の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6090842A (ja) |
| KR (1) | KR870001290B1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6355133A (ja) * | 1987-08-14 | 1988-03-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバー用母材の製造方法 |
| EP1547981A2 (en) * | 2003-12-25 | 2005-06-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing fluorine doped silica glass article, preform and optical fiber and optical fiber made by the method |
| JP2017043512A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 株式会社フジクラ | 光ファイバ母材の製造方法、光ファイバの製造方法およびレンズの製造方法 |
| WO2022065474A1 (ja) * | 2020-09-28 | 2022-03-31 | 住友電気工業株式会社 | フッ素含有シリカガラスの製造方法 |
| WO2022065486A1 (ja) * | 2020-09-28 | 2022-03-31 | 住友電気工業株式会社 | フッ素含有シリカガラスの製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018205357A (ja) | 2017-05-30 | 2018-12-27 | 株式会社フジクラ | 光ファイバ、光ファイバの製造方法、および光ファイバ母材 |
-
1983
- 1983-10-20 JP JP58195209A patent/JPS6090842A/ja active Granted
-
1984
- 1984-10-19 KR KR1019840006519A patent/KR870001290B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6355133A (ja) * | 1987-08-14 | 1988-03-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバー用母材の製造方法 |
| EP1547981A2 (en) * | 2003-12-25 | 2005-06-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing fluorine doped silica glass article, preform and optical fiber and optical fiber made by the method |
| EP1547981A3 (en) * | 2003-12-25 | 2011-07-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing fluorine doped silica glass article, preform and optical fiber and optical fiber made by the method |
| JP2017043512A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-03-02 | 株式会社フジクラ | 光ファイバ母材の製造方法、光ファイバの製造方法およびレンズの製造方法 |
| WO2022065474A1 (ja) * | 2020-09-28 | 2022-03-31 | 住友電気工業株式会社 | フッ素含有シリカガラスの製造方法 |
| WO2022065486A1 (ja) * | 2020-09-28 | 2022-03-31 | 住友電気工業株式会社 | フッ素含有シリカガラスの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6238292B2 (ja) | 1987-08-17 |
| KR850003368A (ko) | 1985-06-17 |
| KR870001290B1 (ko) | 1987-07-11 |
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