JPS6084717A - 液晶用透明電極形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は透明電極の形成方法に関する。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

最近、液晶を利用した表示装置（以下ＬＣＤ　）が広く
用いられている。聞知のごと（、ＬＣＤは２板の透明電
極の間に液晶材を入れ、この電極間に電圧を印加し液晶
の光学的特性をかえることにより。

表示を行うものである。電極のバタンとしては。

コンピュータやＴＶ表示用のドツトマトリックス方式（
ドツト表示のもの）や、ある特定の図柄を表示するもの
などがある。これらのＬＣＤ用電極は、ガジスなどの透
明絶縁物基板上に、透明ＳＷ、体であるインジウムやチ
タンの酸化物を厚さ１０００〜５０００Ａで全面に薄膜
状に形成した後、ホトレジスト剤をその上に全面塗布し
、別に用意した、電、極パタンを有するマスクを通して
露光し、化学コッテングにより所定の電極パタンを得て
いた。

このようなホトエツチング法では工程数が多いうえ、Ｌ
ＣＤが大形化するにつれ、露光やエツチング液の温度、
濃度均一性などが困噺（になっている。

このような方法で例えば全長３００順にわたり、数十μ
ｍ幅の透明電極除去ラインを１順当数ライン得ようとす
ると、その歩留りは非常に低くなっているのが現状であ
る。また、細い電極除去ラインを長い距離にわたって形
成する場合は細いラインＴに極のみ残して、他の残余の
部分はエツチング液＋Ｉで全面積にわたって除去してい
た。

このような方法においてはエツチングする部分の幅を広
くすることでエツチング工程におけるエツチング残しに
よる不良品の発生をおさえることをしていた。しかし微
細幅のノくターン部分においてエツチング残しの部分が
生じ易く歩留り向上が困難であった。

〔発明の目的〕

本発明の目的は多数−の工程を必要することかく電極を
形成し、電極形成の生産性９歩留り向上させる方法を提
供するにある。

〔発明の概要〕

透明絶縁基板上に形成した透明導電膜に対し絶縁に必要
な部分をレーザ光で蒸発させ、液晶電極表示用の電極を
形成するようにしたものである。

〔発明の実施例〕

以下、本発明を第１図〜第３図に基づき説明する。

第１図は本発明を実施するための装置を示す。

（１）は連続励起ＱスイッチＹＡＧレーザ装置（以下Ｑ
スイッチレーザとする）で、そのＱスイッチ発振は制御
部（２）でコントロールされている。連続励起Ｑスイッ
チＹＡＧレーザ（１）から出射されたレーザ光（Ｌ）は
反射鏡（３）を介し集光レンズ（４）によって、Ｘ−Ｙ
テーブル（５）上に置かれた全面透明導電薄膜（６）付
のガラス基板（７）（以下基板とする）上の所定部分に
集光照射され、透明導電薄膜（６）の一部を除去する。

Ｘ−Ｙテーブル（３）は制御部（２）によってコントロ
ールされ、所定のプログラムによって、Ｑスイッチレー
ザ（１）と同期して、基板（５）上の任意の位置に集光
照射できるようになっている。基板（４）は、　ＹＡＧ
レーザ光（波長１．０６μｍ）に対し、吸収は数％のみ
でほとんど透過するが、集光レンズ（４）を用い、レー
ザ照射密度をあげることにより、透明導電膜（６）のみ
蒸発除去することができる。焦点距離ｔ　ｏ　ｏ　ｍｍ
のレンズで焦点はずし距離＋０．１間に設定した時、幅
２０μｍ、走査スピード〜３００”／ｓでエツジ部の盛
りあがりやスプラッシュの全くないｔ［ｆ、極形成がで
きた。レーザ照射によって除去されブこ場所を、Ｘ線マ
イクロアナライザで調べると、透明導電膜（６）成分の
残留は全くなく、ガラス基板にもクラック等の損傷は見
られなかった。２０μｍの除去幅をはさんだ導電膜の電
極間の電極抵抗も１０ＭΩ以上の値が得られた。

電極パタンの一例としてあげた第２図に示す形状のもの
では（８）は、電極として残すところであり、他は除去
すべきところである。従来方法では透明導電膜（６）の
（９）、（ｌυで示すとζろまで除去していたが、レー
ザ照射による電極形成方法では（１Ｇで示される幅２０
μｍ程度の電極形状にそったライン除去をレーザ照射に
より行うだけでよい。このようＫすることにより、周辺
部の透明導電薄膜があっても電圧が印加されないため１
表示には影響を与えない。上記の従来除去していた部分
の周辺部に沿ってレーザ照射し、絶縁ラインをもうけ、
周辺部全体を除去しない方法は第３図に示すような表示
パネルのサイズに比較し、電極として残す表示部分が小
さい図柄圓表示の場合さらに有効である。

上述の方法はＸ−Ｙテーブルを使用し、ワーク移動によ
り電極形成したものであるが、ガルバ一式ビーム走査方
式を用いても同じような効果が得られる。また、レーザ
光を集光、照射する方法では、ガラス基板側から照射し
ても透明電極の加工ができるため、電極ガラス基板をは
りあわせた後の追加加工にも利用でべろ。

〔発明の効果〕

以上、詳述したように本発明によれば、透明電極の形成
を最少限の加工で行え、従来のようなホトエツチング法
に比べ、工程の簡略化が達成でき、生産性１歩留りが大
巾に改善できた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を実施するだめの装置の一例を示す模式
図、第２図は本発明の実施で得られた表示装置の一例を
示す斜視図、第３図は他の表示装置の例を示す斜視図で
ある。 （１）・・・ＱスイッチＹＡＧレーザ装置（２）・・・
制御部 （６）・・・透明導電薄膜 （７）・・・ガラス基板

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 透明絶縁物基板上に薄膜の透明導電膜を形成する工程と
   、上記透明絶縁物基板の表・連間のいずれか一方からレ
   ーザ光を集光照射し電極間導電膜の絶縁に必要な部分の
   透明導電膜を蒸発し残余の透明導電膜を除去せずに広い
   導電膜の一部に局部法。