JPS6081844A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6081844A JPS6081844A JP58191189A JP19118983A JPS6081844A JP S6081844 A JPS6081844 A JP S6081844A JP 58191189 A JP58191189 A JP 58191189A JP 19118983 A JP19118983 A JP 19118983A JP S6081844 A JPS6081844 A JP S6081844A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- window
- cap
- light
- transmitting window
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明はメモリ用半導体装置にかかり、特にＥＰＲＯＭ
やワンチップマイコンのパッケージにおける透光窓の形
状に関する。
やワンチップマイコンのパッケージにおける透光窓の形
状に関する。
山） 従来技術と問題点
ＥＰＲＯＭは一旦記入したメモリに紫外線を照射して消
去できる半導体メモリ装置で、半導体容器のキャップ（
蓋）に紫外線を透過させる透光窓が設けられて、容器内
の半導体チップが透光窓から完全に透視されて、十分に
照射できるような構造になっている。また、ワンチップ
マイコンにもＥＦＲＯＭが内蔵されており、同様の透光
窓が設けられている。
去できる半導体メモリ装置で、半導体容器のキャップ（
蓋）に紫外線を透過させる透光窓が設けられて、容器内
の半導体チップが透光窓から完全に透視されて、十分に
照射できるような構造になっている。また、ワンチップ
マイコンにもＥＦＲＯＭが内蔵されており、同様の透光
窓が設けられている。
第１図および第２図はこのようなＥＰＲ，ＯＭの外形図
例を示しており、１はセラミックキャンプ。
例を示しており、１はセラミックキャンプ。
１１はメタルキフップ、２．１２は透光窓、３．１３は
半導体チップを収納したリードベースである。キャップ
１．１１はリードベース３．１３とそれぞれ低融点ガラ
ス４あるいは軟ろう１４で封着されている。
半導体チップを収納したリードベースである。キャップ
１．１１はリードベース３．１３とそれぞれ低融点ガラ
ス４あるいは軟ろう１４で封着されている。
第３図および第４図はキャップ１．１１を示し、透光窓
２，１２はガラス板や透明石英板などの透光性の良い材
料で作成され、キャップ１，１１と透光窓２゜１２との
接触面は溶着しである。従前にはこのように透光窓の形
状は真円形であった。しかしながら、集積度が向上して
半導体チップが大形化するに伴い、透光窓２の大きさも
大きくなってきた。且つ、半導体容器の制約や回路設計
上の問題から細長い半導体チップが使いやすくて、短冊
形の半導体チップが汎用されている。
２，１２はガラス板や透明石英板などの透光性の良い材
料で作成され、キャップ１，１１と透光窓２゜１２との
接触面は溶着しである。従前にはこのように透光窓の形
状は真円形であった。しかしながら、集積度が向上して
半導体チップが大形化するに伴い、透光窓２の大きさも
大きくなってきた。且つ、半導体容器の制約や回路設計
上の問題から細長い半導体チップが使いやすくて、短冊
形の半導体チップが汎用されている。
従って、このような短冊形の半導体チップを収納した半
導体容器に真円形の透光窓をもつキャソブを用いるのは
寸法上床界があり、第５図のような細長い矩形透光窓が
設けられている。しかしながら、このように大形の透光
窓２２をキャップ２１に溶着すれば熱歪で透光窓が割れ
やすく、また透光窓は機械的強度が弱くて脆弱である。
導体容器に真円形の透光窓をもつキャソブを用いるのは
寸法上床界があり、第５図のような細長い矩形透光窓が
設けられている。しかしながら、このように大形の透光
窓２２をキャップ２１に溶着すれば熱歪で透光窓が割れ
やすく、また透光窓は機械的強度が弱くて脆弱である。
キャップと透光窓とは熱膨張を出来るだけ近づけた材料
で作られているが、それだけで透光窓の割れを防止する
ことは難しく、透光窓のクラックによって半導体容器の
気密封止が破壊される。
で作られているが、それだけで透光窓の割れを防止する
ことは難しく、透光窓のクラックによって半導体容器の
気密封止が破壊される。
（ｃ） 発明の目的
本発明はこのような大形透光窓のクランクを減少させる
ための構造のＥＦＲＯＭを提案するものである。
ための構造のＥＦＲＯＭを提案するものである。
（ｄ） 発明の構成
その目的は、楕円形板９両端を半円形にした矩形板、あ
るいは四隅に円味を有する矩形板の何れかの形状からな
る透光窓が設けられた半導体装置によって達成される。
るいは四隅に円味を有する矩形板の何れかの形状からな
る透光窓が設けられた半導体装置によって達成される。
ｔｅｌ 発明の実施例
以下１図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第６図は本発明にかかる一実施例のＥＰＲＯＭ外形図例
を示しており、キャップ３１の透光窓３２は楕円形状で
ある。図示のように、キャップ３１とす＝ドベース３３
とは低融点ガラス３４で封着されている。封着材として
は、低融点ガラス３４（融点４００〜５００℃）のほか
、軟ろう、即ち半田（ＰｂＳｎ）や金錫（ＡｕＳｎ）な
どが用いられ、また有機樹脂を使用することもある。こ
れら軟ろうや有機樹脂の封止温度は２５０〜４００℃の
低温度である。キャップ３１の材料はセラミック、もし
くはニッケルの様な金属が用いられ、セラミックはＣＥ
ＲＤＩＰ型パンケージに多い。また、キャップ３１の封
止面には上記の封着材が塗布されていて、低温加熱によ
ってリードベース３３と封止される。
を示しており、キャップ３１の透光窓３２は楕円形状で
ある。図示のように、キャップ３１とす＝ドベース３３
とは低融点ガラス３４で封着されている。封着材として
は、低融点ガラス３４（融点４００〜５００℃）のほか
、軟ろう、即ち半田（ＰｂＳｎ）や金錫（ＡｕＳｎ）な
どが用いられ、また有機樹脂を使用することもある。こ
れら軟ろうや有機樹脂の封止温度は２５０〜４００℃の
低温度である。キャップ３１の材料はセラミック、もし
くはニッケルの様な金属が用いられ、セラミックはＣＥ
ＲＤＩＰ型パンケージに多い。また、キャップ３１の封
止面には上記の封着材が塗布されていて、低温加熱によ
ってリードベース３３と封止される。
第７図は第６図に示す実施例のキャンプ３１の平面図を
示しており、第８図はその断面図である。
示しており、第８図はその断面図である。
本実施例の透光窓３２は楕円形であり、楕円形状は１個
所にストレスが発生しにくくて、真円形に次ぐ優れた形
状であるから割れることが極めて少なくなる。このよう
なキャップ３１は、形成方法は後記するが、高温度でキ
ャンプ材料と溶着されているから、低温度封止の時に破
壊されるようなことはない。しかも、上記のごとくスト
レスを受けにくい形状であるから、このような楕円形の
透光窓３２をもったＥＰＲＯＭの信頼性は著しく高くな
る。
所にストレスが発生しにくくて、真円形に次ぐ優れた形
状であるから割れることが極めて少なくなる。このよう
なキャップ３１は、形成方法は後記するが、高温度でキ
ャンプ材料と溶着されているから、低温度封止の時に破
壊されるようなことはない。しかも、上記のごとくスト
レスを受けにくい形状であるから、このような楕円形の
透光窓３２をもったＥＰＲＯＭの信頼性は著しく高くな
る。
次いで、第９図は本発明にかかる他の実施例のキャップ
４１の平面図で、両端を半円形にした矩形状の透光窓４
２である。前記楕円形透光窓は矩形のキャンプに埋め込
むと無駄の部分が多く、またキャップの強度にも影響が
あるが、この形状はその心配がない。
４１の平面図で、両端を半円形にした矩形状の透光窓４
２である。前記楕円形透光窓は矩形のキャンプに埋め込
むと無駄の部分が多く、またキャップの強度にも影響が
あるが、この形状はその心配がない。
次いで、第１０図は同じく他の実施例のキャンプ５１の
平面図で、透光窓５２はコーナー（四隅）に直径Ｒの円
味を与えた矩形状としたものである。
平面図で、透光窓５２はコーナー（四隅）に直径Ｒの円
味を与えた矩形状としたものである。
直径Ｒは、矩形の幅をＬとすると直径０．ＬＬ（Ｌ：矩
形の幅）以」二〇円味をもたせることによって、コーナ
ーのストレスが大きく緩和される。
形の幅）以」二〇円味をもたせることによって、コーナ
ーのストレスが大きく緩和される。
ところで、透光窓を上記したような形状にしてキャップ
に埋め込んで溶着すると、ストレスは減少して透光窓の
破壊が少なくなるが、そのキャップと透光窓との接着方
法は次のようにする。セラミックキャップの場合にはセ
ラミックと透光ガラスを約１１００℃で溶着して、その
後に不遇化した透光ガラスを透明化するために再度約９
００℃で透光ガラスの溶融を行なって完成する。一方、
金属キャップの場合には金属の表面を酸化処理した後、
上記の工程を通用する。従って、溶着部分はストレスの
ｙ衝作用には殆ど寄与しない。そのため、本発明のよう
に透光窓の形状を工夫することが重要になる。
に埋め込んで溶着すると、ストレスは減少して透光窓の
破壊が少なくなるが、そのキャップと透光窓との接着方
法は次のようにする。セラミックキャップの場合にはセ
ラミックと透光ガラスを約１１００℃で溶着して、その
後に不遇化した透光ガラスを透明化するために再度約９
００℃で透光ガラスの溶融を行なって完成する。一方、
金属キャップの場合には金属の表面を酸化処理した後、
上記の工程を通用する。従って、溶着部分はストレスの
ｙ衝作用には殆ど寄与しない。そのため、本発明のよう
に透光窓の形状を工夫することが重要になる。
また、第１１図は上記と異なる断面構造のキャップ６１
の断面図を示している。即ち、溶着部分を逆り型にして
溶着面積を広げた構造で、溶着力を強くしたものである
。上記第６図〜第１０図の実施例の透光窓は透光板その
もので、両者は同形状である。ところが、本例の透光窓
は透光板とは少し形状、大きさが異なる構成になる。し
かし、本構造のキャンプにも本発明による透光板の形状
、例えば第１０図に示す透光板の形状が有効なことは云
うまでもない。
の断面図を示している。即ち、溶着部分を逆り型にして
溶着面積を広げた構造で、溶着力を強くしたものである
。上記第６図〜第１０図の実施例の透光窓は透光板その
もので、両者は同形状である。ところが、本例の透光窓
は透光板とは少し形状、大きさが異なる構成になる。し
かし、本構造のキャンプにも本発明による透光板の形状
、例えば第１０図に示す透光板の形状が有効なことは云
うまでもない。
（ｆｌ 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明によればＥＦＲ
ＯＭやワンチップマイコンにおいて透光窓の破壊が減少
して、半導体装置の品質向上に極めで貢献するものであ
る。
ＯＭやワンチップマイコンにおいて透光窓の破壊が減少
して、半導体装置の品質向上に極めで貢献するものであ
る。
第１図および第２図は従来のＥＰＲＯＭの外形図、第３
図および第４図は従来のキャップの断面図、第５図は従
来のキャップの平面図、第６図は本発明にかかる一実施
例のＥＦＲＯＭの外形図、第７図および第８図は本発明
にかかる第６図のキャップの平面図と断面図、第９図お
よび第１０図は本発明にかかる他のキャップの平面図、
第１１図はキャップの他の断面構造図である。 図中、１．１１．２１は従来のキャンプ、２．１２゜２
２は従来の透光窓、３．１３はリードベース、４゜３４
は低融点ガラス、１４は軟ろう、 ３１．４１．５１．
６１は本発明にかかるキャップ、 ３２．４２．５２は
本発明にががる透光窓を示している。 第４図 ０〒に１１ ２ 第５図 第６図 第、７図 ２ 第８図 第９図 、２ 第１０ ｒＭ ）ｌ 第１１１ｍ
図および第４図は従来のキャップの断面図、第５図は従
来のキャップの平面図、第６図は本発明にかかる一実施
例のＥＦＲＯＭの外形図、第７図および第８図は本発明
にかかる第６図のキャップの平面図と断面図、第９図お
よび第１０図は本発明にかかる他のキャップの平面図、
第１１図はキャップの他の断面構造図である。 図中、１．１１．２１は従来のキャンプ、２．１２゜２
２は従来の透光窓、３．１３はリードベース、４゜３４
は低融点ガラス、１４は軟ろう、 ３１．４１．５１．
６１は本発明にかかるキャップ、 ３２．４２．５２は
本発明にががる透光窓を示している。 第４図 ０〒に１１ ２ 第５図 第６図 第、７図 ２ 第８図 第９図 、２ 第１０ ｒＭ ）ｌ 第１１１ｍ
Claims (1)
- 楕円形板２両端を半円形にした矩形板、あるいは四隅に
円味を有する矩形板の何れかの形状からなる透光窓が設
けられたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58191189A JPH0658938B2 (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58191189A JPH0658938B2 (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6081844A true JPS6081844A (ja) | 1985-05-09 |
| JPH0658938B2 JPH0658938B2 (ja) | 1994-08-03 |
Family
ID=16270378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58191189A Expired - Fee Related JPH0658938B2 (ja) | 1983-10-12 | 1983-10-12 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0658938B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61172352A (ja) * | 1985-01-26 | 1986-08-04 | Kyocera Corp | 半導体パツケ−ジ |
| JPS62204549A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-09 | Hirabayashi:Kk | 半導体装置の製造方法 |
| US6037655A (en) * | 1998-01-12 | 2000-03-14 | Eastman Kodak Company | Linear image sensor package assembly |
| CN1091299C (zh) * | 1998-02-27 | 2002-09-18 | 日本电气株式会社 | 封装内包含半导体元件的半导体器件 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5532005A (en) * | 1978-08-25 | 1980-03-06 | Ricoh Co Ltd | Hologram information memory device |
-
1983
- 1983-10-12 JP JP58191189A patent/JPH0658938B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5532005A (en) * | 1978-08-25 | 1980-03-06 | Ricoh Co Ltd | Hologram information memory device |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61172352A (ja) * | 1985-01-26 | 1986-08-04 | Kyocera Corp | 半導体パツケ−ジ |
| JPS62204549A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-09 | Hirabayashi:Kk | 半導体装置の製造方法 |
| WO1987005442A1 (en) * | 1986-03-05 | 1987-09-11 | Kabushiki Kaisha Hirabayashi | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| EP0296246A1 (en) * | 1986-03-05 | 1988-12-28 | Ceratec Japan Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| JPH0548952B2 (ja) * | 1986-03-05 | 1993-07-22 | Hirabayashi Kk | |
| US6037655A (en) * | 1998-01-12 | 2000-03-14 | Eastman Kodak Company | Linear image sensor package assembly |
| CN1091299C (zh) * | 1998-02-27 | 2002-09-18 | 日本电气株式会社 | 封装内包含半导体元件的半导体器件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0658938B2 (ja) | 1994-08-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |