JPS6077979A - 金属薄膜のパタ−ニング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、金属薄膜のパターニング方法に係り、特に、
寸法精度の良好な薄膜パターンを得るための方法に関す
る。

し従来技術〕 一般に、金属薄膜の微細パターンを形成するにあたって
は、スパッタリング法、蒸着法、あるいは化学蒸着法（
ＣＶＤ法）等により、基板表面全体に形成した膜上ζこ
、所定形状のレジストパターンを形成し、その後エツチ
ングを施し、不用の部分を溶解除去して、所望のパター
ンを形成するという方法がとられている。

ところで、一枚の基板上に形成されるべきパターンは、
いろいろな形状（面積）をもつ小パターンの組合わせで
あることが多い。たとえば、マスク設計によって算出さ
れたマスクパターンに基づくレジストパターンが第１図
に示す如く、大パターンＡ１　、中パターンＡ２　、小
パターンＡ３とより構成されている場合、このレジスト
パターンを使用した通常のエツチング工程を経て形成さ
れる金属薄膜（例えばクロムの）パターンは、ａｌ　。

ａ２．ａ３の如く、パターン面積によってサイドエッチ
幅ｊ１　＋　”＊　ｔ　ｔ３が異なり、パターン面積が
大であるパターン程、サイドエッチが大きくすなわちｔ
Ｉ　＞　１２　）ｔ　３となるため、大パターンＡＩ中
の線幅の小さい部分では断線が生じたり、設計されたマ
スクパターンに対して大きな誤差を生じてしまうという
不都合があった。

すなわち、”大面積の金属導体（クロム）は小面積のも
のより、エツチングの進行速度が速い″ため、パターン
面積の大小によって、サイドエッチ量にばらつきが生じ
、寸法精度の良好な微細パターンを得ることは困難であ
った。

〔発明の目的〕

本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、同一基板
上の各パターンのエツチング速度のばらつきをなくし、
寸法精度の良好な金属薄膜パターンを得ることを目的と
する。

〔発明の構成〕

前記目的を達成するため、本発明は、各パターンを電気
的に接続した状態でエツチングを施し、各パターンの主
要部のエツチングが終了したのちに、電気的接続を除去
するこさを％徴とするもので、これにより、エツチング
特における各パターンの電位が等しくなるため、パター
ン面積の大小によってエツチング速度が変化することな
く、各部分でのばらつきのない、寸法精度の良好な金属
薄膜パターンの形成が可能となる。

〔実施例〕

以下、本発明の金属薄膜のバターニング方法を図面を参
照しつつ、実施例に基づいて説明する。

まず、グレーズ加工を施された基板ｌ上に、蒸着法によ
って、膜厚３０００〜５０００　ＸのクロムＣｒ薄膜２
を形成する。

次いで、このクロム簿膜２の表面全体に、レジストを膜
厚２〜３μｍとなるように塗布し、フォトリソ法によっ
て第２図に示す如く、大レジストパターンＢ１　、中レ
ジストパターンＢ２　、最小線幅５０μｍの小レジスト
パターンＢｓが線幅５０ａｍの接続レジストパターンＢ
４’によって接続された形状の第１のレジストパターン
３を形成する。第２図のＡ−Ａ断面を第３図に示す。

このようにして形成された第１のレジストノーターン３
をマスクとし、硝酸第２セリウムアンモニウム（ＮＨ４
）ｚ　Ｃｅ（ＮＯａ　）ｇ　１７Ｆ＋過塩素酸）ＩＣ１
０４５ｃｃ＋純水１００ｃｃからなるエツチング液に基
板を２〜３分浸漬し、露呈部のクロム薄膜をエツチング
除去し、第４図に示す如き、クロム薄膜のパターンを形
成する。第４図のＢ−Ｂ断面を第５図に示す。ここで大
レジストパターンＢｔ。

中レジストパターンＢ２　、小レジストパターンＢ３接
続レジストパターンＢ４に対応するクロム薄膜パターン
は、夫々大パターンｂｌ　、中パターンｂ２小パターン
ｂＭｅ接続パターンｂ４として、基板１上に形成される
。このときの夫々のパターン幅のレジストパターン幅に
対する減退度すなわちサイドエッチ量ＴＩ　、Ｔｓ　、
Ｔｓはほぼ等しい。

更に、この基板上に、再度レジストを塗布し、フォトリ
ソ法により大パターンｂ１＋中パターンｂ２　、小パタ
ーンｂ３を被覆すると共に、接続ノζターンｂ４を露呈
させるように構成された第２のレジストパターン（図示
せず）を形成する。この第２のレジストパターンをマス
クとして、前記エツチング液によって、接続パターンｂ
４をエツチング除去し、第６図に示す如きクロム薄膜ノ
くターンが形成される。

このようにして形成されたクロム薄膜パターンにおいて
は、サイドエッチ量がどのパターンに対してもほぼ等し
く、ばらつきのない均一なエツチングが施されており、
寸法精度が極めて良好であ、　る。

なお、接続パターンの形状については、実施例、に限定
されることなく、パターンに影響を及（よさない範囲で
、どのように形成しても良いことは言うまでもない。

また、実施例においては、接続パターン除去のためのエ
ツチング工程における第２のレジスト／＜ターンの形成
はフォトリソ法によって行われたが、パターンの形状に
よっては残すべき）（ターン上を手塗りによってレジス
ト被覆しても良い。

更に、実施例においては、クロムＲ膜のパターニング方
法について述べたが、アルミニウム、金等の他の金属薄
膜のパターニングに際しても適用可能であり、夫々、適
切なエツチング液を選択し、同様の工程で寸法精度の良
好な金属薄膜パターンが形成される。

また、エツチング工程中における各小パターンの電気的
接続手段は、必ずしも、レジストパターンによる必要は
なく、使用するエツチング液に対して耐エツチング性を
有する導電性テープ等を使用してもよく、この場合はエ
ツチング工程終了後、該導電性テープを剥離すればよい
。

〔発明の効果〕

以上、説明してきたように、本発明の金属薄膜のパター
ニング方法によれば、基板表面に着膜された金属薄膜を
レジストパターンをマスクとしてエツチングするエツチ
ング工程において、各パターンを電気的に接続した状態
に保持することをこより、エツチング工程中における各
パターンの電位が等しくなるため、パターン面積の大小
によってエツチング速度が変わることなく、各部分での
サイドエッチ量が一定となる。従って、均一なエツチン
グが可能となり、寸法精度の良好な金属薄膜パターンの
形成が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来法によって金属薄膜のパターニングを行
った場合のマスクパターンとエツチング後の金属薄膜パ
ターンの状態を示す図、第２図乃至第６図は本発明実施
例のクロム薄膜のパターニング方法の工程説明図であり
、なお、第３図は第２図のＡ−Ａ断面を示し、第５図は
第４図のＢ−Ｂ断面を示す図である。 ■・・・基板、２・・クロム薄膜、３・・・レジストパ
ターン、Ａ、、Ａ２　、Ａ３−・・レジストパターン、
ａｌ。 Ａ２　、ａｌ・・・金属薄膜パターン、１．．１．．１
３・・・サイドエッチ幅、Ｂｌ　＊　Ｂ２　＋　Ｂ３　
・・・レジストパターン、Ｂ４・・・レジストパターン
（接続レジストパターン）ｂｌ　、ｂｌ　、ｂｓ・・・
クロムパターン、Ｂ４・・・接続パターン。 第４図 １ 第６図 第５図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （υ　基板表面に着膜した金属薄膜を、レジストパター
   ンをマスクトシてエツチングするエツチング工程を含む
   金属薄膜のパターニング方法において、前記エツチング
   工程中、形成されるべき全薄膜パターンを電気的に接続
   するようにしたことを特徴とする金属簿膜のパターニン
   グ方法。 Ｃ）前記レジストパターンは、各薄膜パターン形成のた
   めの複数個の小レジストパターンと、これら小レジスト
   パターンを、一体的に接続するための接続用レジストパ
   ターンとより構成されており、更に、この接続用レジス
   トパターン下に残留する金属薄膜を除去するためのアフ
   ターエツチング工程を含むことを特徴とする特許請求の
   範囲第（１）項記載の金属薄膜のパターニング方法。